硅料的清洗方法
再生硅料分类和技术条件
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硅料清洗机操作说明
硅料清洗机使用说明书
CSE
苏州华林科纳半导体设备技术有限公司
2011-05
目录
一、 公司简介.................................................................................................................................................2 二、 设备概况.................................................................................................................................................2 三、 设备构造.................................................................................................................................................4 四、 工作台面和工艺流程参数.....................................................................................................................5 五、 控制系统.................................................................................................................................................7 六、 安全保护.................................................................................................................................................7 七、 安全标识.................................................................................................................................................7 八、 安全使用信息.........................................................................................................................................9 九、 紧急停止操作介绍...............................................................................................................................11 十、 设备使用危险品简介...........................................................................................................................12 十一、 操作注意事项...................................................................................................................................16 十二、 设备的搬运及安装...........................................................................................................................16 十三、 机械附图...........................................................................................................................................17 十四、 电控操作说明...................................................................................................................................20 十五、 电器线路图纸（附）：.....................................................................................................................33 十六、 售后服务联络函：...........................................................................................................................33
硅材料加工中的硅片清洗技术教程
硅材料加工中的硅片清洗技术教程硅片清洗是硅材料加工过程中的重要环节之一，它直接影响到硅片的质量和性能。
在硅材料的加工过程中，硅片表面会附着各种有害物质，包括灰尘、油污、光刻胶等。
若不进行适当的清洗处理，这些污染物会严重影响硅片的电性能、光学性能以及其他性能指标。
因此，掌握合适的硅片清洗技术，并运用正确的方法清洗硅片，对于确保硅材料加工的质量和稳定性至关重要。
本文将向读者介绍一些常见的硅片清洗技术，并提供一些实用的清洗步骤和注意事项，以供参考。
常见的硅片清洗技术1. 碱性清洗技术碱性清洗技术是目前应用最广泛的硅片清洗技术之一。
其原理是利用碱性溶液的腐蚀性，将硅片表面的污染物溶解掉。
碱性清洗液一般选用氢氧化钠(NaOH)、氢氧化铵(NH4OH)等碱性溶液。
清洗时，将硅片浸泡在碱性溶液中，通过机械搅拌或超声波震荡等方法加速清洗过程。
碱性清洗技术适用于去除硅片表面的有机物、无机污染物以及光刻胶等。
2. 酸性清洗技术酸性清洗技术主要用于去除硅片表面的金属杂质和氧化物等。
常用的酸性溶液有氢氟酸(HF)、硝酸(HNO3)、硫酸(H2SO4)等。
与碱性清洗不同，酸性清洗在清洗过程中要注意反应速度和清洗时间，以免对硅片造成深度腐蚀或毁坏。
3. 气体清洗技术气体清洗技术是一种对硅片进行无接触清洗的方法。
常用的气体包括氮气(N2)、氦气(He)和氩气(Ar)等。
气体清洗方法有两种：气体溶剂用于直接除去硅片表面的污染物，而气体辅助溶剂则通过溶剂蒸发、溅射等方式清洗硅片。
该技术的优点是避免了接触清洗可能带来的机械损伤，并且能够清洗到微米级别的细小尘埃。
实用清洗步骤和注意事项1. 预处理在进行硅片清洗之前，必须进行预处理步骤来减少不必要的腐蚀和污染。
首先，将硅片浸泡在纯水中去除尘埃和颗粒物，并通过超声波清洗去除表面吸附的杂质。
其次，使用有机溶剂去除表面的油污，如酒精、丙酮等。
最后，使用纯水进行冲洗，确保硅片表面干净。
2. 碱性清洗将经过预处理步骤的硅片浸泡在碱性清洗液中，进行机械搅拌或超声波震荡，清洗5-10分钟。
电子级多晶硅的清洗工艺 蒲守年
电子级多晶硅的清洗工艺蒲守年摘要：在电子多晶硅质量检测中，表金属杂质是极为重要的一项指标。
现如今，减少电子多晶硅表面金属杂质含量的主要技术为酸清洗，利用不同程度的表面刻蚀，对电子级多晶硅表面金属杂质进行有效控制，使其处于最低状态。
文章首先介绍了电子级多晶硅清洗工艺，对电子级多晶硅清洗过程中的各种问题进行了分析，并提出了有效处理方法。
关键词：电子级多晶硅；清洗工艺；问题与措施引言：开展电子级多晶硅清洗的主要目的是让硅料表面能够更加清洁，没有杂质污染，对产品表面金属进行控制能够对其最终性能、效率、稳定性产生极为重要的作用。
现如今，相关电子级多晶硅清洗技术能够参考的经验极为缺乏，我国有关企业的大部分有关技术都在不断实践与探索中，伴随电子级多晶硅湿法清洗的持续发展，有关技术也越来越成熟，各种先进设备不断涌现，但最核心的技术仍把握在少部分国外企业手中，即使生产高纯度清洗液，其高端技术在国内也难以大批量实现。
想要全面落实电子级多晶硅清洗国产化，关键是在整个过程中突破一些基础材料和技术，是降低成本、增强市场影响力的只要支撑和有效手段。
1清洗硅块与硅芯工艺在开展电子级多晶硅表面金属去除的主要流程是：硅料—表面清洗—水洗—干燥—酸洗—漂洗—干燥，如图1所示：图1电子级多晶硅表金属处理流程在开展设备清洗过程中，对硅块与硅芯开展清洗工作，清洗系统主要是对破碎处理与机械加工以后的硅料开展酸洗，其主要是对硅材料表面沾污的粒子，金属，有机物，湿气分子和自然氧化膜等进行处理。
而在清洗线中，开展酸洗硅料的工艺流程为以下几个步骤：上料—酸洗-超纯水漂洗—超纯水常温浸泡—超纯水热浸泡—真空干燥—下料，清洗工艺流程图如图2所示：图2 酸洗硅料的工艺流程在硅料清洗时通常采取化学清洗的方式。
化学溶液是由氢氟酸和硝酸组成，根据一定比例混合，硅块表面的杂质、吸附物，氧化物在酸洗中被清洗干净，酸洗中放出大量的二氧化氮气体。
清洗线酸洗中产生的氧化氮气体和挥发的酸气体由洗涤系统抽出处理，酸洗中产生的废酸、漂洗浸泡产生的废水排放到废酸系统处理。
硅料清洗关键控制点表
硅料清洗关键控制点表
（原创版）
目录
1.硅料清洗的重要性
2.硅料清洗的关键控制点
3.硅料清洗的流程
4.硅料清洗的注意事项
5.硅料清洗的效果评估
正文
硅料清洗是光伏产业中非常重要的一个环节，它关乎到硅片的质量，进而影响到整个光伏组件的性能。
因此，硅料清洗的关键控制点就显得尤为重要。
首先，硅料的选择是硅料清洗的关键控制点之一。
选择合适的硅料，不仅能够保证硅片的质量，还能够提高硅片的利用率。
其次，清洗液的选择和配比也是硅料清洗的关键控制点。
清洗液的种类和配比会直接影响到硅料的清洗效果。
再次，清洗的流程也是硅料清洗的关键控制点。
合理的清洗流程不仅能够保证硅料的清洗效果，还能够提高清洗的效率。
在硅料清洗的过程中，还有一些注意事项需要遵守。
比如，在清洗过程中，需要避免硅料受到污染；在清洗结束后，需要对硅料进行充分的冲洗，以保证硅料表面没有任何残留物。
最后，硅料清洗的效果评估也是硅料清洗的关键控制点。
通过对清洗后的硅料进行检测，可以评估清洗的效果，从而进一步优化清洗流程。
总的来说，硅料清洗的关键控制点包括硅料的选择、清洗液的选择和
配比、清洗的流程、注意事项以及效果评估。
电子级多晶硅清洗过程管控要点
174研究与探索Research and Exploration ·工艺与技术中国设备工程 2019.02 (下)随着我国对电子级多晶硅用量需求不断增加，自主生产高纯电子级多晶硅迫在眉睫。
在电子级多晶硅生产技术攻关中，最难解决的技术难题就是硅料清洗，其关键控制点更是亟需开发掌握的技术。
本文主要将对电子级多晶硅清洗过程中关键控制点进行探究。
1 电子级多晶硅的清洗方法电子级多晶硅的清洗方法通常采用湿法清洗，硅料湿法清洗主要包括硅料碱洗及硅料酸洗，目前国外电子级多晶硅生产企业主要采用硅料酸洗技术。
1.1 硅料碱洗硅料碱洗主要是指在30~120℃的温度下，使用一定浓度的碱液，将硅料投入其中液体中，硅料与氢氧根离子反应产生硅酸根，反应过程中有氢气产生，具体反应方程式如下：Si+2NaOH+H 2O=Na 2SiO 3+2H 2↑Si →[SiO 3]2-Si-4e →Si 4+H 2O →H 2↑H+1e →H 4H+4e →4H通过该反应碱蚀适当的厚度，将硅料表面的氧化物、砂浆、粉尘等杂质去除，使硅料表面洁净度符合要求。
常规采用使用的碱液为氢氧化钠、氢氧化钾或其他有机碱，但碱洗过后，要选用适当的冲洗方式除去硅料表面残留的碱性物质，常用的冲洗方式有浸泡、喷淋、QDR，通常选用几种重复或者交替使用，为了加快冲洗效果，可适当加入无机酸（如盐酸、氢氟酸），中和残余的碱液，以实现彻底去除残留的问题，提高清洗效果。
碱液清洗硅料时，绝大部分金属物不与碱液进行反应，故而碱洗有一定的局限性。
1.2 硅料酸洗方法目前在电子级多晶硅清洗行业中，通常选用氢氟酸与硝酸按一定比例混合与硅料进行蚀刻反应，硅料先与硝酸反电子级多晶硅清洗过程管控要点厉忠海，于跃，王阳，沈棽（江苏鑫华半导体材料科技有限公司，江苏 徐州 221004）摘要：电子级多晶硅是集成电路产业链中重要的基础材料，是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料。
硅料清洗废气处理
废气处理系统一、废气的产生1、硅料酸洗线在清洗硅材料的工艺过程中，清洗液主要为硝酸HNO3（浓度50%~60%）和氢氟酸HF（浓度49%）的混合液，由于硝酸HNO3 具有易挥发及不稳定性，在清洗硅料时，大量的硝酸HNO3 挥发分解，产生棕黄色的氮氧化物NOX，其主要成分为NO、NO2、N2O3、N2O4、N2O5 等，由于N2O3、N2O4、N2O5 极不稳定，一般分解为NO 和NO2，NO 遇到空气后被氧化成NO2，因此氮氧化物NOX 中的主要成分为NO2。
NO2 有强烈刺激性气味，溶于水，呈酸性，表现为红棕色烟雾（俗称“黄烟、黄龙”）。
同时，在清洗过程中还有少量的硝酸HNO3 及氢氟酸HF 挥发，因此，酸洗废气的主要成分为：氮氧化物NOX、硝酸HNO3 及氢氟酸HF，而其中又以氮氧化物为NOX主。
2、硅料浸泡线浸泡工艺与酸洗工艺的酸性废气性质相类似，但由于浸泡工艺清洗液的成分与酸洗工艺有所不同。
酸洗工艺的清洗液主要为硝酸HNO（3 浓度50%~60%）和氢氟酸HF （浓度49%）的混合液，酸的浓度比较大，氮氧化物NOX 产生挥发物量也大，但浸泡工艺的清洗液主要成分为氢氟酸HF，有时加入少量硝酸HNO3，因此浸泡工艺中主要废气成分为氢氟酸HF，并有少量的硝酸HNO3 及氮氧化物NOX。
在碱洗工艺中一般使用氢氧化钠NaOH 溶液或皂溶液，因此碱洗废气主要成分为氢氧化钠NaOH 废气或其它碱性废气。
二、工艺原理1.废气处理工艺流程管路输送：管路正常使用时一般为8~10m/s，为了保证系统的足够处理效果，设计的管路风速为12~15m/s；管路材质采用FRP 风管，不但有较强的综合机械性能，且保证其不被腐蚀和整个系统的美观；排风管烟囱高度离地面30m 以上。
氧化还原酸雾净化塔：根据贵公司硅料清洗生产量，生产工艺特点以及我公司以往对该行业该工艺的设计、安装、调试等经验的因素，采用3 套净化装置串连组合使用，并增加缓冲箱静压箱，并且净化塔的直径比常规处理酸性气体的净化塔要大，并且净化塔的高度也高，设有填料及喷淋装置，由于废气性质呈酸性且为亲水性，所以选用碱性液体（NaOH、NaS、氨水）作吸收液，采用循环泵输送，逆流式洗涤，使废气由风机压入塔内均压室，并经过均风格栅匀速进入一级填料层，将废气平均分布在PP 多面空心球填料周围，每只呈现点接触，排列“Z 或W”不规则路线行走，无偏流现象，再配合螺旋式高流量、不阻塞喷嘴，使气液二相混合率达97%以上，经一级处理后的废气由渐扩段减速进入二级填料层喷淋功能段，再次使废气得到气液二相充分接触反应，然后再经脱液器脱液除雾后，其尾气才进入下一级酸雾净化塔，这样经过多级循环处理后直至尾气达到国家二级排放标准GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》，最后通过排风管排入大气。
硅料的清洗方法讲解图文走过路过不要错过完整版
硅料的清洗方法讲解图文走过路过不要错过 HUA system office room 【HUA16H-TTMS2A-HUAS8Q8-HUAH1688】在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。
要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。
就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。
原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。
但问题是：1、生产厂家处理了没有2、生产厂家处理的结果是什么3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。
通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。
硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。
还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。
头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。
因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。
我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。
这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。
碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。
埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。
综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。
我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。
其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。
硅料、边皮料清洗培训.
边皮料清洗
喷砂
硅料清洗
硅料配料 装料 铸锭 粘胶 开方 冲洗除胶 检测
坩埚喷涂
坩埚烧结 砂浆搅拌 砂浆搅拌
切片
粘胶
抛光
倒角
去头尾
磨面
返回粘胶
化胶
脱胶清洗
水中插片
硅片清洗
硅片分选
包装
硅料清洗工艺流程：
上料 1#强酸腐蚀 6#纯水超声漂洗 7#溢流漂洗 下料 2#纯水快排 5#纯水锁 8#切水 11#干燥 3#HF酸洗 4#溢流漂洗
捷佳创 SC-GL1130A自 动硅料清洗设备
SC-GL0930A边皮料自 动碱洗设备
自动硅料清洗机
1、设备数量：两台（一台右进左出，一台 左进右出） 2、材质：PPN、PP（聚丙烯）PVDF（聚 四氟乙烯）SUS（耐腐蚀钢材）—— 耐化学 腐蚀的特性 3、组成：机架，机械搬运部分（上下料台 、机械手），清洗主体，抽风系统，电控操 系统 等 4、作用：清洗掉硅料表面附着的污染物、 金属离子、氧化物等
第4#槽：纯水漂洗
清洗介质：纯水 清洗方式：旋转+溢流+鼓泡+快 排 清洗时间：60-80S 触摸屏直接 控制 清洗温度：常温 溢流： 排走 排液口装有可拆式过滤网，用于 接收硅材料 槽体材质：10mmPP
第2#槽：纯水快排
清洗介质 ：纯水 清洗方式：旋转+溢流+鼓泡+快排 清洗时间：30-80S 触摸屏直接控制 清洗温度：常温 快排：φ100气动阀，排液口装有可拆式过滤 网，用于接收硅材料（每天清理） 溢流： 排走 无自动盖 槽体材质：10mmPP
第3#槽：HF酸洗
清洗介质：HF 清洗方式：旋转 清洗时间：20-60s（0-99min）触摸屏直接控制， 清洗温度：常温 自动盖：对开气动密封盖 排液口装有可拆式过滤网，用于接收硅材料 槽体材质：10mmPP（德国） 此槽已屏蔽
一种去除硅料表面氧化层的方法[发明专利]
(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202210335294.8(22)申请日 2022.03.31(71)申请人 乌海市晶易硅材料有限公司地址 016000 内蒙古自治区乌海市海勃湾区千里山工业园区乌海市京运通新材料有限公司院内(72)发明人 马鑫 王建宁 魏立博 (74)专利代理机构 青岛双合知识产权代理事务所(普通合伙) 37342专利代理师 张明利(51)Int.Cl.B08B 3/08(2006.01)B08B 3/12(2006.01)B08B 3/10(2006.01)F26B 21/00(2006.01)(54)发明名称一种去除硅料表面氧化层的方法(57)摘要本发明公开了一种去除硅料表面氧化层的方法，配制清洗溶液，并搅拌均匀，将硅料完全置于清洗溶液中浸泡，取出，擦拭，清洗，烘干，本发明采用清洗溶液对硅料进行浸泡，通过优化清洗溶液的配方及配比，去除表面氧化层，耗酸量低，对操作人员技能要求低，操作便捷，且硅料表面不会出现酸印。
权利要求书1页 说明书4页 附图1页CN 114653668 A 2022.06.24C N 114653668A1.一种去除硅料表面氧化层的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100、配制清洗溶液，并搅拌均匀；步骤S200、将硅料完全置于清洗溶液中浸泡，取出，擦拭；步骤S300、清洗，烘干。
2.根据权利要求1所述的去除硅料表面氧化层的方法，其特征在于，步骤S100中，将纯水、氢氟酸、盐酸和一水柠檬酸配制成清洗溶液。
3.根据权利要求2所述的去除硅料表面氧化层的方法，其特征在于，在清洗箱中加入300L纯水、20L氢氟酸、15L盐酸和12.5KG一水柠檬酸，搅拌均匀，配制成清洗溶液。
4.根据权利要求1所述的去除硅料表面氧化层的方法，其特征在于，步骤S200中，硅料浸泡时间1‑2h，取出，操作人员佩戴耐酸碱手套并擦拭硅料表面氧化层，促使氧化层脱落。
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硅料的清洗方法讲解（图文）
在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。
要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。
就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。
原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。
但问题是：1、生产厂家处理了没有?2、生产厂家处理的结果是什么?3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。
通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。
硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。
还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。
头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。
因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。
我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。
这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。
碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。
埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。
综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。
我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。
其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。
一、硅料的浸泡
随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。
但对处理相对简单，低成本的可再利用料仍可以降低成本，这些主要是坩埚底料和半导体废片料等。
我们在对埚底料和半成品半导体硅片进行除石英和金属电路处理上通常采用洗篮和花篮静止泡洗12小时(根据酸的浓度和比例)。
这种方法是最简易和节约成本的。
问题在于静止过程中料的表面和酸反应、酸的处理能力需要长时间慢慢释放。
在此种情况下，如果加入循环泵，用于搅拌酸液，缩短浸泡时间更能起到均匀处理的作用。
如果用以上常规方法对小颗粒埚底料、碎电池片料和有电路半导体料进行浸泡就很难处理或者会造成更多的浪费。
因为在处理杂质过程中，酸在料的中心点的处理能力大大减弱，而在外围酸的强度没有改变，同时也损耗硅料。
针对此种情况要采用翻转式浸泡，利用浮力翻动，使得料在酸液中能进行均匀浸泡处理。
二、硅料的碱洗
在生产太阳能单晶多晶硅片过程中，都会产生晶棒的头尾边皮和切割后的残余。
其表面在加工过程中残留了切割液、金属离子、指纹和附带杂质等。
1、通常是把部分料在回用过程中需通过碱洗，从产生至清洗回用这个过程中要注意三个事项：
A.残余料产生到清洗时间尽量要短;
B.硅料尽量浸入溶液，不要裸露在空气中;
C.操作过程中应避免指纹留在硅料上。
2、清洗过程：
超声碱洗→超声漂洗→超声漂洗
3、清洗工艺：(一般情况)
清洗槽溶液时间温度超声功率
超声碱洗碱+ID 20min60℃～80℃20w/升
超声漂洗ID 20min 常温20w/升
超声漂洗ID 20min 常温20w/升
4、清洗的头尾边料：
碱洗中主要清洗目的是去掉切割液和附带物等杂质。
切割下来的料放置时间过久会增加切割液和杂质的附着力，比如用完餐的碟子上的油脂，凝固了以后清洗时间会延长，清洗难度也增加了。
如果时间过长、温度不宜或环境不好还会造成氧化等化学反应，就像日常用的水龙头，经常擦洗会一直光亮，长时间不擦洗，被氧化成花纹等不良后果，很难恢复到以前的样子。
关于指纹的清洗工艺更难，原因有二：1、每个人分泌的手汗不同;2、每个人手指接触的地方不同。
指纹带来的杂质比较复杂，有酸性、有碱性、有油性，并且这些杂质会在料表面产生物理和化学反应。
我们对清洗没有指纹的硅料，用一种通用工艺就可以处理的。
因此在清洗行业里指纹是最难清洗的一种杂质，要处理长时间裸放的硅料我们的工艺要增加浸泡槽，使杂质的附着力柔化。
对有裂纹的硅料和坩底料的碱洗尽量要让纹路裂开，因为杂质或氧化物在裂纹里很难清洗干净。
如果没有氧化物在碱洗过程中碱液也会侵入到裂纹里，从而漂洗工艺里增加了难度。
5、清洗碎片料：
在切割、脱胶和清洗等过程中产生的碎片，通常是放在单槽或多槽超声波中清洗。
此方面存在的问题在于碎片有两个平面，它们容易粘合。
在粘合处的杂质、油污很难被清洗出来。
通过人工来处理一方面劳动强度大，另一方面硅片会更碎，更难处理。
我们介绍的方法是把碎片放入一个特定篮筐内，让其在溶液中翻转，利用溶液浮力和篮筐的翻转让硅片在溶液中漂浮，从而达到分离，完全清洗干净粘合面的杂质和油污。
要清洗干净一种硅料首先要分析硅料的种类，继而选择适合的工艺和方法。
没有洗不干净的料只有不正确的洗料方法。
对症下药才能事半功倍。
三、硅料的酸洗
在生产单晶棒和多晶块时，使用的硅料的纯度须达到99.9999%以上。
酸洗的目的主要是去除金属离子和氧化皮，原生多晶主要是在炸料时产生，头尾埚底及碎片主要是在切割时等情况产生。
1、酸洗方法：
A、原生多晶在生产厂家经过清洗处理原则上不需要再进行酸洗，对一些包装损坏或有疑惑的硅料依据情况选择酸洗方式。
一般采用柠檬酸或氢氟酸处理即可，若表面有氧化现象的采用混合酸洗;
B、头尾、埚底和碎片料，铸多晶时可以采用单酸洗，拉单晶时必须采用混合酸洗;
C、小颗粒和碎片料在酸洗时一定要多翻动，使其充分反应。
2、酸洗工艺：
A、根据不同硅料的情况配置相应的混合酸比例及选择酸的种类;
B、酸反应→纯水漂洗→纯水冲洗(酸洗到漂洗要注意控制时间避免氧化)
3、酸洗设备：
现今一般企业都采用二槽式手动酸洗产品：即酸槽、水槽另加冲水槽。
此设备适用于普通大块硅料清洗，对小颗粒和碎片硅料清洗有一定难度。
再者对操作人员要求相对较高，酸雾和酸液对操作人员的危害系数增多。
考虑安全生产和为了保证产品清洁度，在此设备上做了三项工艺改进：
A、在人员安全方面：采用了传动方式将工件篮放置在升降机构上，自动下降至酸槽，可避免酸液和酸雾对操作人员造成的伤害。
处理时间可以定时，到时自动升起。
B、在酸雾处理方面：常规办法是顶部吸风，致使酸雾在上升过程中易膨胀，泄漏到车间。
采用槽体侧吸风方法，在酸雾刚产生时就进行吸雾处理，顶部吸风和后吸风加强，空气对流避免酸雾往前泄漏;
C、在均匀清洗硅料方面：在升降机构上设计一个翻转动作，硅料一进入槽体即开始翻转动作，硅料便在酸液中滚动从而达到均匀清洗的目的。
在设定的时间内完成清洗，翻转停止，工件篮升出酸液;
D、在纯水漂洗槽内具有同样自动升降和翻转功能，达到无死角漂洗目的。
四、硅料的超声漂洗：
1、在硅料酸洗后，虽然经过了漂洗和冲洗，但在硅料的表面或缝隙等仍有可能残留酸。
如果直接干燥，残留酸会对硅料进行氧化，因此还需在酸洗后进行超声漂洗。
2、现在一般厂家采用酸洗后经过二级超声漂洗后，烘干、包装，还有一种是在超声漂洗后，再在ID水中养一段时间后烘干、包装。
实际上这些工序要分清硅料的种类和生产车间的环境等因素而定。
对一些相对较大的硅料是可以的，但是硅料不能在酸洗车间停留使其被酸雾污染。
3、若想达到更好的达到超声漂洗的目的：(1)、相对大的硅料采用纯水二级反溢流;(2)、小颗粒料和片料采用纯水三级反溢流，硅料最好要翻动;(3)、超声清洗和酸洗需要隔离;(4)、避免使金属与硅料直接接触产生金属离子转移;(5)、对在同一台设备中完成酸洗、超声。