全自动硅料清洗机
多晶硅还原炉清洗方法
多晶硅还原炉清洗方法多晶硅还原炉清洗方法多晶硅是一种重要的半导体材料，被广泛应用于太阳能电池板、整流器等领域。
而多晶硅还原炉则是多晶硅制备的关键设备之一。
多晶硅还原炉在长期运行中，会因为炉内多晶硅气体和炉渣的附着，形成设备结垢、生锈，这些都会严重影响其正常的运行。
因此，清洗是多晶硅还原炉维护保养的重要之一，下面我们将介绍几种多晶硅还原炉清洗方法。
1. 机械清洗法机械清洗法主要是使用高压水枪或者高压蒸汽对炉内设备和管道进行清洗。
这种方法清洗效果较好，清洗全面彻底，并不存在任何化学污染的风险。
但是需要注意的是，机械清洗法对人员安全存在一定的威胁，需严格遵循安全操作规程。
2. 化学清洗法化学清洗法常用的有机溶剂包括硫酸、盐酸、醋酸等，在加热的情况下对炉内设备和管道进行清洗。
这种方法清洗全面、有效，可消除炉内结垢、杂质等，但化学清洗液对环境及人员有一定的风险，需采取防护措施。
3. 超声波清洗法超声波清洗法利用高能超声波产生的能量对炉内设备和管道进行清洗。
该方法具有清洗程度高、清洗效率高、有机适用性广等优点，可用于清洗各种材料的设备与管道。
在进行多晶硅还原炉清洗时，有几个注意点如下：1. 清洗前要杜绝空气流入在清洗多晶硅还原炉中设备和管道时，应注意杜绝空气的流入，尤其是通过开启设备和管道上的闸阀、遮光板等，抽真空排气前，必须先检查防护装置是否齐全，防护帘是否牢固，确保操作人员安全。
2. 清洗时应带好相应防护装置清洗过程中，工作人员应全程佩戴好相应的安全防护装备，如防护眼镜、呼吸器等，遵循操作规程，不得随意更改防护帘或是使用不合规的设备进行清洗。
3. 清洗后进行反扫除、除尘操作清洗完成后，应及时进行反扫除、除尘操作，并进行炉内设备和管道作业人员身体检测。
操作流程要规范，确保工作人员的生命安全。
维护多晶硅还原炉的清洗作业对于保障生产安全和生产质量至关重要。
以上几种多晶硅还原炉清洗方法，各自存在适用范围与注意事项。
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一体化全自动净水器在多晶硅行业的应用
体化净水 器系综 集反应 、 沉淀 、 过滤等净化工 艺为一体的全 自动 水质净 化装置 。它采用加 药 ， 通过 絮凝 反应使原水 中的悬 浮颗 粒逐渐 生成较 大的絮体 ， 经斜管沉 降后 ， 去大部分絮体 ， 除 剩余 的细小 絮体通 过过滤进一步除 去 ， 使出水 水质浊度保持在 ３ Ｔ Ｎ Ｕ以下 。净水器在运行 时， 由于絮体 在滤层中不断截 留， 使滤池水 头损失增 加。当达到设计规 定 的水 头损失值 时 ， 滤池进 行反 冲洗 ， 清除截 留在滤 料 中的 杂质 ， 使其 恢复净水功能 ， 保持 正常运行 。 ２２丁艺流程 ．＿ 原水 （ 杭大运 河水 ） 京 经取 水泵站 提升泵 提升 进入静 态管道 混合 器， 水处理 药剂 （ Ａ 在加药装 置内配制完成 ， Ｐ Ｃ） 并根据原 水浊度来调节 加药量 由计量泵 送人取水 管道 （ 管道 混合器前 ） 通过混合 器 自身结构 ， 的剪切 、 搅拌作 用 ， 使其混 合均匀 ， 后进入净水 器 内。原 水在 进入一 然 体化 自动净水 器后 ， 首先 进入净水器 底部的配水 区 ， 进行均 匀布水 ， 水 流速 度降低 ， 并缓 慢进入 高浓度 絮凝 区 ， 进行彻底 的混凝反应 ， 在斜管 导 流区的导流作 用下 ， 沿斜管倾斜 方向往上流 动 ， 水 进入沉 降区 内， 沉 积下来 的污泥在重力作用下 ， 沿斜管倾斜 方向往下滑落 ； 同时滑落 的矾 花在导 流斜管的水力作用下 ， 推到净水 器的泥斗 内， 被 而通过斜管澄清 后 的水 则 由 ｕ型管进入过 滤室内 ， 由上 而下通过滤料层 汇集至装置 并 底部 的清水区 ， 由连通管通 至装 置顶部的清水层 ， 并 泥斗 中沉积 的淤 泥 由排泥 阀定期 排 出； 原水在净水 器内净化后流人清水池 ， 然后 由二级泵 站送往各 用水 点装置。
电子级多晶硅的清洗工艺 蒲守年
电子级多晶硅的清洗工艺蒲守年摘要：在电子多晶硅质量检测中，表金属杂质是极为重要的一项指标。
现如今，减少电子多晶硅表面金属杂质含量的主要技术为酸清洗，利用不同程度的表面刻蚀，对电子级多晶硅表面金属杂质进行有效控制，使其处于最低状态。
文章首先介绍了电子级多晶硅清洗工艺，对电子级多晶硅清洗过程中的各种问题进行了分析，并提出了有效处理方法。
关键词：电子级多晶硅；清洗工艺；问题与措施引言：开展电子级多晶硅清洗的主要目的是让硅料表面能够更加清洁，没有杂质污染，对产品表面金属进行控制能够对其最终性能、效率、稳定性产生极为重要的作用。
现如今，相关电子级多晶硅清洗技术能够参考的经验极为缺乏，我国有关企业的大部分有关技术都在不断实践与探索中，伴随电子级多晶硅湿法清洗的持续发展，有关技术也越来越成熟，各种先进设备不断涌现，但最核心的技术仍把握在少部分国外企业手中，即使生产高纯度清洗液，其高端技术在国内也难以大批量实现。
想要全面落实电子级多晶硅清洗国产化，关键是在整个过程中突破一些基础材料和技术，是降低成本、增强市场影响力的只要支撑和有效手段。
1清洗硅块与硅芯工艺在开展电子级多晶硅表面金属去除的主要流程是：硅料—表面清洗—水洗—干燥—酸洗—漂洗—干燥，如图1所示：图1电子级多晶硅表金属处理流程在开展设备清洗过程中，对硅块与硅芯开展清洗工作，清洗系统主要是对破碎处理与机械加工以后的硅料开展酸洗，其主要是对硅材料表面沾污的粒子，金属，有机物，湿气分子和自然氧化膜等进行处理。
而在清洗线中，开展酸洗硅料的工艺流程为以下几个步骤：上料—酸洗-超纯水漂洗—超纯水常温浸泡—超纯水热浸泡—真空干燥—下料，清洗工艺流程图如图2所示：图2 酸洗硅料的工艺流程在硅料清洗时通常采取化学清洗的方式。
化学溶液是由氢氟酸和硝酸组成，根据一定比例混合，硅块表面的杂质、吸附物，氧化物在酸洗中被清洗干净，酸洗中放出大量的二氧化氮气体。
清洗线酸洗中产生的氧化氮气体和挥发的酸气体由洗涤系统抽出处理，酸洗中产生的废酸、漂洗浸泡产生的废水排放到废酸系统处理。
Centrotherm 公司的主要介绍
Centrotherm 公司的主要介绍■公司地址：CentrothermPhotovoltaics GmbH+Co.KGJohammes-Schmid-Str.889143 BlaubeurenGermany■公司电话：+49 7344 9188-803■公司传真：+49 7344 9188-388■公司邮箱：info-pv@centrotherm.de■公司网站：www.centrotherm.de产品流程：硅料硅片太阳电池组件发电系统Centrotherm 公司给以下世界主要电池生产厂家提供PECVD设备（日本除外）：交钥匙工程■与我们公司共同设计厂房和外围设施■电池生产线■太阳电池的设计■太阳电池生产技术的转让■人员的技术培训■设备的启动■生产工艺电池生产线的交钥匙工程主要包括以下几部分■硅片的检测设备■切割损伤层的HF腐蚀和制绒设备■POCL3发射集扩散设备■PSG清除设备■镀SiN抗反射膜设备，包括H+沉积设备■丝网印刷设备和浆料干燥设备■快速烧结设备■周边刻蚀设备■电池的测试和分选设备Centrotherm公司的服务范围■太阳电池生产线的交付和技术培训■太阳电池生产线最佳生产工艺说明书■整体工艺，包括每个工序之间的最佳连接■与用户共同商议基础设施方案■生产线的布置图■帮助用户启动设备和进一步的改进工作■安排用户与有关的研究所建立联系■交钥匙工程包括交付标准的丝网印刷电池生产线和转让研发技术市场信息：用户主要是根据成本/瓦的标准来选择绝大多数（90%以上）的太阳能发电系统。
工艺技术方面生产成本硅片66% 浆料9% 原材料7% 设备投资8% 外围设施投资4% 劳动力6%合格品率，效率和设备利用率合格品率的提高■硅片的检测■设备稳定■在线监控■合格的人员效率的提高■优化的电池生产工艺■优化的生产设备■硅片的检测■在线监控■合格的人员设备利用率的提高■硅片的检测■优化的设备接口■减少了中间的操作环节■在线监控■合格的人员太阳电池的生产工艺1．硅片的检测-2D 检测-3D 检测-电阻率-使用寿命2．湿化学腐蚀-切割损伤层的腐蚀-制绒（酸，冷却槽）-制绒（碱+IPA，加热槽）3．P-N 结的形成- 双面扩散- 单面扩散- 链式扩散4．去除正面和背面的短路- 等离子刻蚀- 湿腐蚀- 激光切割（在电池分类前）5．去除磷硅玻璃（氧化层）- 湿化学腐蚀6．镀抗反射涂层（氮化硅）- 利用PECVD工艺镀氮化硅膜- 抗反射涂层-- H+钝化- 利用LPCVD工艺镀氮化硅膜- 抗反射涂层7．正面接触式印刷8．正面接触式干燥9．背面接触式印刷10．背面接触式干燥11．印刷铝浆12．干燥铝浆13．烧结- 正面和背面接触式烧结- 烧结抗反射涂层- H+ 钝化14．利用激光切割技术消除正面-背面的短路15．太阳电池的分类- 根据效率进行分类- 根据填充因子进行分类- 根据外观进行分类太阳电池的生产流程（利用等离子刻蚀技术进行周边刻蚀）切割损伤层的腐蚀设备■槽式系统- 配备片盒- 能在单晶硅片上进行碱式制绒，在多晶硅片上进行酸式制绒硅片的检测和一摞硅片的分离设备硅片的检测和一摞硅片的分离设备■2D检测■3D 检测■电阻率的测试■使用寿命的测试■微小裂纹的探测■一摞硅片的自动分离■100%的检测■无人操作■碎片率低■硅片的分离量高且稳定切割损伤层的腐蚀设备■槽式系统-- 配备片盒--- 能在单晶硅片上进行碱式制绒，在多晶硅片上进行酸式制绒--- 能在一个系统中进行单晶和多晶硅片制绒■链式系统--- 不需要片盒--- 能在多晶硅片上进行酸式制绒槽式湿腐蚀用的片盒片盒的芯层是不锈钢材质，外表面是塑料材质。
硅冶炼方法
主要的多晶硅生产工艺1、改良西门子法——闭环式三氯氢硅氢还原法改良西门子法是用氯和氢合成氯化氢（或外购氯化氢），氯化氢和工业硅粉在一定的温度下合成三氯氢硅，然后对三氯氢硅进行分离精馏提纯，提纯后的三氯氢硅在氢还原炉内进行CVD反应生产高纯多晶硅。
国内外现有的多晶硅厂绝大部分采用此法生产电子级与太阳能级多晶硅。
2、硅烷法——硅烷热分解法硅烷（SiH4）是以四氯化硅氢化法、硅合金分解法、氢化物还原法、硅的直接氢化法等方法制取。
然后将制得的硅烷气提纯后在热分解炉生产纯度较高的棒状多晶硅。
以前只有日本小松掌握此技术，由于发生过严重的爆炸事故后，没有继续扩大生产。
但美国Asimi和SGS公司仍采用硅烷气热分解生产纯度较高的电子级多晶硅产品。
3、流化床法以四氯化硅、氢气、氯化氢和工业硅为原料在流化床内（沸腾床）高温高压下生成三氯氢硅，将三氯氢硅再进一步歧化加氢反应生成二氯二氢硅，继而生成硅烷气。
制得的硅烷气通入加有小颗粒硅粉的流化床反应炉内进行连续热分解反应，生成粒状多晶硅产品。
因为在流化床反应炉内参与反应的硅表面积大，生产效率高，电耗低与成本低，适用于大规模生产太阳能级多晶硅。
唯一的缺点是安全性差，危险性大。
其次是产品纯度不高，但基本能满足太阳能电池生产的使用。
此法是美国联合碳化合物公司早年研究的工艺技术。
目前世界上只有美国MEMC公司采用此法生产粒状多晶硅。
此法比较适合生产价廉的太阳能级多晶硅。
4、太阳能级多晶硅新工艺技术除了上述改良西门子法、硅烷热分解法、流化床反应炉法三种方法生产电子级与太阳能级多晶硅以外，还涌现出几种专门生产太阳能级多晶硅新工艺技术。
1）冶金法生产太阳能级多晶硅主要工艺是：选择纯度较好的工业硅（即冶金硅）进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分后，进行粗粉碎与清洗，在等离子体融解炉中去除硼杂质，再进行第二次水平区熔单向凝固成硅锭，去除第二次区熔硅锭中金属杂质聚集的部分和外表部分，经粗粉碎与清洗后，在电子束融解炉中去除磷和碳杂质，直接生成太阳能级多晶硅。
硅片生产工艺技术流程1
顺大半导体发展有限公司太阳能用硅单晶片生产技术目录一、硅片生产工艺中使用的主要原辅材料1、拉制单晶用的原辅材料,设备和部件：2、供硅片生产用的原辅材料,设备和部件：二、硅片生产工艺技术1、硅单晶生产部（1）、腐蚀清洗工序生产工艺技术对处理后原材料质量要求（2）、腐蚀清洗生产工艺流程①多晶硅块料,复拉料和头,尾料处理工艺流程②边皮料酸碱清洗处理工艺流程③埚底料酸清洗处理工艺流程④废片的清洗处理工艺流程(３)、硅单晶生长工艺技术（4）、单晶生长中的必备条件和要求①单晶炉②配料与掺杂(５)，单晶生长工艺参数选择（6）、质量目标:（７）、硅单晶生长工艺流程２、硅片生产部（1)、硅片加工生产工艺技术(2)、硅片加工工艺中的必备条件和要求①切割机②切割浆液（3)、质量目标（4）、硅片加工工艺技术流程①开方锭生产工艺流程②切片生产工艺流程（５）、硅片尺寸和性能参数检测前言江苏顺大半导体发展有限公司座落于美丽的高邮湖畔.公司始创生产太阳能电池用各种尺寸的单晶和多晶硅片.拥有国内先进的拉制单晶设备1０4台，全自动单晶炉１12台。
年产量可达到××××吨.拥有大型先进的线切割设备×××台.并且和无锡尚德形成了合作联盟（伙伴），每×可以向尚德提供×××硅单晶片。
同时河北晶于２0０4年,占地面积××××。
公司现在有×××名员工, 从事澳、南京等光伏组件公司都和顺大形成了长年的合作关系。
为了公司的进一步发展，扩大产业链，解决硅单晶的上下游产品的供需关系，2006年在扬州投资多晶硅项目，投资规模达到××亿。
工程分两期建设，总规模年产多晶硅60０0吨。
2008年底首期工程已经正式投入批量生产,年产多晶硅×××吨。
拉晶、铸锭、开方、切片设备一览表
单晶硅多晶硅设备明细001、多晶铸锭炉北京京运通JZ-450多晶硅铸锭炉（建议选择）浙江精工JJL240型多晶硅铸锭炉、JJL500型多晶硅铸锭炉（建议选择）上海汉虹HXH-270/450型多晶硅铸锭炉北京京仪世纪VB-450型多晶铸锭炉中国电子第48所R13240-1/R13450-1多晶硅铸锭炉常州华盛天龙DRZF450多晶硅浇铸炉上虞晶盛机电工程有限公司MCS450型多晶铸锭炉美国GT-Solar DSS240TM/DSS450TM/DSS450HPTM多晶浇铸炉新一代DSS650TM 德国普发拓普公司VGF 632/732 Si多晶硅铸锭炉002、单晶拉制炉北京京运通JRDL-800/JRDL-900CCD型单晶炉常州华盛天龙DRF系列单晶硅生长炉 DRF-50 单晶硅生长炉上海汉虹FT-CZ2008A FT-CZ2208AE FT-CZ2208A北京京仪世纪MCZ-6000HB/MCZ-6000A/MCZ-6000K型单晶炉西安理工晶体科技有限公司TDR-100/TDR—120型硅单晶炉中国电子第48所CZ800A/CZ900A型单晶炉江阴市华英光伏科技有限公司TDR85单晶硅炉 TDR95单晶硅炉宁晋阳光半导体设备有限公司(晶龙集团) CZ-70/80/90/110A单晶硅生长炉上虞晶盛机电工程有限公司TDR80A/TDR85A/TDR95A/TDR112A全自动晶体生长炉德国普发拓普公司EKZ 2700/3500单晶提拉炉西安华德晶体设备(西安理工大学)北京七星华创、宁夏晶阳、浙大KAYEX、西安创联、无锡惠德晶体、江南电力、单晶硅棒开方，多晶硅破锭用多线切割机001、美国应用材料瑞士HCT公司：HCT-E800S-SQUARER型多线开方机002、日本小松NTC-MBS1000型/MBS1000C多线开方机003、上海日进NWSS-125G多线开方机（建议选择）004、大连连城：QF1250型多线开方机（建议选择）005、北京京仪世纪QFP1000型多线开方机006、上海汉虹精密机械S1000型多线开方机007、北京京联发数控科技有限公司XQ500-25线切方机008、瑞士梅耶博格MEYER BURGER--BS801/805型带锯切方机……单晶硅多晶硅硅片切割001、美国应用材料瑞士HCT公司：HCT-E500SD-B/5/Applied HCT MaxEdge线锯002、瑞士梅耶博格MEYER BURGER DS261/DS264/DS265/DS271等型号线锯003、日本小松NTC-MWM442DM型(单晶硅片切割专用)004、日本小松NTC:PV600S/PV800S/PV800H/PV1000型005、中国电子第45所：DXQ-601型006、苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司(兰州瑞德实业集团有限公司): X07 250×400-1D型007、德国KUKA 高级线锯机KUKA AWSM 3800.6A008、日本东京制纲株式会社VWS350……005、单晶硅多晶硅棒截断、滚磨用机床、端面磨床无锡上机磨床（建议选择）常州华盛天龙北京京联发无锡开源006、耗材备件选用切割液：辽宁奥克、扬州伟业、连云港佳宇、华钛碳化硅微粉：河南新大新、江苏大阳、通化宏信切割钢线：江阴贝卡尔特、上海金井特、张家港骏马、张家港苏闽钢线、泰兴豪发合金材料、绵阳全成、江苏维尔新材料股份有限公司、东京制钢、凡登、住友线、得益、宁波、天闽、苏闽粘棒用胶：美国AB胶、日本Q胶、国产上海都为扬州百盛单晶硅、多晶硅切片辅助设备明细硅料烘箱、硅料滤篮、多晶硅锭吊装夹具、周转运输小车单晶硅棒粘接机、晶座、限位板、硅棒脱胶机、砂浆搅拌桶、移动运砂桶、气动隔膜泵碳化硅微粉烘箱、玻璃脱胶用料板烘箱、石英坩埚烘干保存箱硅片脱胶机、硅片冲洗架、玻璃脱胶用平板电炉NTC-MWM442DM多线切割机专用三种小车：NTC-MWM442DM硅片取料小车NTC-MWM442DM工字轮装卸小车NTC-MWM442DM主辊导轮装卸小车PV800H硅片取料电动装卸车PV800H主辊导轮动装卸车粘方棒用粘棒台、粘胶板、燕尾座收线工字轮专用废线切割机线方机清洗转运车。
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全自动硅料清洗机
一、故障：机械臂压蓝（行程）开关失灵
危害：导致损失机械臂钩或产品
解决办法：
1、 先检查PLC相应的X点是否常亮，若不亮可以判定信号线断线或行程开关弹簧没弹起
来等原因。
2、 通过万用表检查信号线是否断线；若信号线没问题，就可以判定开关有问题，则需要更
换开关。
3、 更换开关步骤。
（1）、先取下压蓝开关的保护PP罩或先取下机械臂挂钩（在万不得以的情况下最好不
取，取下后会要重新调整）
（2）、再用万用表测量开关信号线路是否通断；
（3）、若测得线路是常闭，则说明信号线路正常：反之则有故障。
（4）、更换行程开关：设备上的两根信号线分别连接行程开关上的“COM”、“NC”两
触点即可。
二、故障：紧急停止报警
解决办法：短接应急开关，消除报警，等待配件
三、故障：全自动硅料清洗机冷风槽液位低
解决办法及分析：发现冷封槽内有酸，判断液位开关有问题，经过触动液位开关信号线发现
信号线接触不良，经检查信号线断，（若信号线没问题的话，说明是限位开关有问题）重接
好已恢复。