硅料酸洗过后的水印怎么控制
电镀中酸洗改进与防氢脆措施全套
电镀中酸洗改进与防氢脆措施全套OlOne关于酸洗工艺的介绍在电镀过程中，酸洗是一项关键的预处理步骤，它对最终的电镀效果有着举足轻重的影响。
酸洗主要的目的是去除金属表面的氧化层、锈蚀以及其他污染物，从而为电镀提供一个干净、活化的表面。
这个过程不仅关系到镀层的附着力，还直接影响到镀层的外观和性能。
酸洗工艺通常使用稀硫酸或盐酸作为主要的酸洗剂。
这些酸液能有效地去除金属表面的氧化层和锈蚀，但同时也会对金属表面产生腐蚀作用。
因此，在酸洗过程中需要严格控制酸液的浓度、温度以及处理时间，以确保既能有效清洁金属表面，又不对材料造成过度的损伤。
在酸洗过程中，还需要特别注意处理后的废液。
酸洗废液中含有重金属和腐蚀性化学物质，必须进行适当的处理和处置，以防止对环境造成污染。
为了确保酸洗工艺的有效性和安全性，电镀工厂的管理者和操作人员需要对酸洗过程有深入的了解，并严格遵守操作规程。
下面，我们将详细探讨在电镀中进行酸洗时应注意的具体事项。
02Two酸洗工艺的改进及其注意事项在汽车行业的电镀过程中，酸洗是一个关键步骤，用于清除金属表面的锈蚀。
锈蚀主要由铁的氧化物和氢氧化物组成。
这些通常通过酸类组分（如盐酸）和表面活性剂的协同作用来清除，其过程涉及到溶解和剥落。
然而，传统的酸洗方法存在一些缺点，例如高酸浓度可能导致过腐蚀和环境问题。
为此，我们采取了以下改进措施：L降低酸浓度：降低酸浓度，如将盐酸从30%~35%的质量分数降低，可以减少酸液消耗，改善环境，并提高工件表面质量。
低浓度酸液在润湿剂的作用下，能迅速渗透到氧化皮和基体的界面，引发化学反应(Fe÷2HCI=2FeCI2+H2T),同时利用氢气的机械剥落作用来清洁表面。
使用DS857酸性除垢剂能够减少对裸露基体的腐蚀，降低酸的无用消耗。
2 .混合酸液的使用：将盐酸和硫酸按适当比例混合，结合两种酸的特性，能够提高除锈速度并降低操作温度。
3 .采用多功能高效除油除锈剂：如多功能酸洗除油粉和活化盐，这标志着钢铁酸洗工艺的进步。
硅料酸洗过程中的酸斑
硅料酸洗过程中的酸斑酸洗是一种常见的表面处理方法，被广泛应用于金属材料的清洗和去除氧化层。
在硅料酸洗过程中，酸斑是一个常见的问题，它会对硅料的质量和性能产生不利影响。
本文将介绍硅料酸洗过程中的酸斑问题，并探讨其原因和预防措施。
一、酸斑的定义和特征酸斑是指硅料表面出现的圆形或不规则形状的腐蚀区域，通常呈现出明显的颜色差异。
酸斑可以分为浅斑和深斑两种类型，浅斑一般只影响表面层，而深斑则会渗透到硅料内部。
二、酸斑的原因1. 酸洗液配方不当：酸洗液中的酸度、温度和浓度等参数不合适，会导致酸洗过程过于激烈，从而引起酸斑的产生。
2. 清洗不彻底：硅料在酸洗前的清洗不彻底，表面残留有油脂、灰尘等杂质，这些杂质会与酸洗液中的酸发生反应，形成酸斑。
3. 酸洗时间过长：酸洗时间过长会导致硅料表面被过度腐蚀，形成深斑。
三、酸斑的预防措施1. 合理调整酸洗液配方：根据硅料的特性和要求，合理调整酸洗液的酸度、温度和浓度等参数，确保酸洗过程的温和性。
2. 彻底清洗硅料：在酸洗前，要对硅料进行彻底的清洗，去除表面的油脂、灰尘等杂质，以减少酸洗液与杂质的反应。
3. 控制酸洗时间：严格控制酸洗时间，避免过长的酸洗时间导致硅料表面的过度腐蚀。
4. 使用防酸斑剂：在酸洗液中添加防酸斑剂，能够有效抑制酸斑的产生，提高酸洗效果。
5. 定期检查酸洗设备：定期对酸洗设备进行检查和维护，确保设备运行正常，避免因设备问题引起的酸斑。
四、酸斑的修复方法如果硅料表面出现了酸斑，可以采用以下修复方法：1. 重新酸洗：对受到酸斑影响的硅料进行重新酸洗，以去除酸斑并修复表面。
2. 机械抛光：对表面较深的酸斑，可以采用机械抛光的方法进行修复，将酸斑部分去除。
3. 酸洗后处理：酸洗后进行一些特殊的处理，如镀膜、阳极氧化等，能够修复酸斑并提高硅料的表面质量。
总结：酸斑是硅料酸洗过程中常见的问题，会对硅料的质量和性能产生不利影响。
为了预防酸斑的产生，需要合理调整酸洗液配方、彻底清洗硅料、控制酸洗时间、使用防酸斑剂以及定期检查酸洗设备。
工业硅中杂质P的强化析出及湿法去除研究
工业硅中杂质P的强化析出及湿法去除研究摘要：湿法提纯是冶金法制备太阳能级多晶硅技术路线中的预处理过程，即通过湿法酸浸对工业硅进行初步提纯，具备除杂效果明显、设备简单、可规模化操作等优势。
但湿法浸出对硅中非金属杂质P的去除效果很低，这与其在硅中的赋存形态有关。
关键词：工业硅杂质P；强化析出；湿法去除引言在传统化石能源日益枯竭及全球气候变化问题日益凸显的大背景下，保护环境、节能减排的呼声日益高涨，可再生能源的开发利用成为未来的必然趋势，国际社会普遍开始重视发展可再生能源，各国纷纷采取有效措施鼓励可再生能源产业的发展。
《巴黎协定》于2016年11月4日正式生效，凸显了人类在应对气候变化方面的决心。
1工业硅的生产工业硅是以硅石(石英砂)为原料，以碳质材料为还原剂，在矿热炉内冶炼得到。
矿热炉又称之为埋弧炉，其结构是一个带有耐火材料的炉膛，采用3根电极，通电时电极之间以及电极与炉底之间产生电流的电弧，产生高温，使电极周围的硅石与碳质还原剂发生化学反应，生成单质硅。
通常可选用木炭、石油焦、煤等还原剂将金属硅从硅石中还原出来。
将硅石与碳质还原剂按一定比例均匀混合送入矿热炉内，在高温下进行还原反应。
其化学反应式如下:反应后形成的单质硅呈液态，聚集在炉底，聚集到一定量后，将出硅口捣开，硅液沿着出硅口流出到抬包内。
生产得到的工业硅纯度在98%}99%之间，杂质来源主要是硅石和碳素材料(包括石油焦、精煤碳素电极等)。
一般而言，工业硅中杂质主要有非金属元素B,P,C,O以及金属元素Fe.Al,Ca.Mn.Ti.V.Cu,Cr等。
根据杂质在冶金硅中的存在形态不同，可以将其分为两类:一为固溶类杂质，这些杂质元素一般以取代硅原子或充填间隙位置为主，主要包括B,P以及微量溶解于硅中的金属杂质;二为偏析类杂质，这类杂质元素一般以化合物的形式偏析于硅晶界处，主要包括Fe.Al.Ca,Ti:V.Cu.Cr等金属类杂质，以及C,O等非金属杂质:金属类杂质因其在硅中的分凝系数较小，大多以合金化合物形式聚集偏析，而C,O则主要以Si02,SiC、金属盐的形存在。
硅片酸洗工作总结
硅片酸洗工作总结
硅片酸洗是半导体制造过程中非常重要的一环，它可以去除硅片表面的氧化物和有机物，使其表面变得洁净，从而为后续的工艺步骤提供良好的条件。
在进行硅片酸洗工作时，需要严格遵守操作规程，以确保工作安全和洗净效果。
以下是对硅片酸洗工作的总结和经验分享。
首先，硅片酸洗工作需要在洁净的环境中进行，因为任何微小的杂质都会对洗净效果产生影响。
在操作前，要确保工作台面和设备都已经进行了清洁消毒，并且穿戴好相应的防护装备，如手套、护目镜等。
其次，对于硅片酸洗液的配制和使用要严格按照工艺要求进行。
通常硅片酸洗液是由氢氟酸和硝酸混合而成，这种酸性溶液具有强烈的腐蚀性，操作人员必须小心操作，避免溅洒和吸入。
在配制和使用过程中，要保持通风良好，避免酸雾对人体造成伤害。
另外，在硅片酸洗工作中，要确保硅片的完全浸泡和充分接触，以保证洗净效果。
在浸泡过程中，要定期搅拌硅片酸洗液，以确保液体的均匀性和去除被洗净物表面的氧化物和有机物。
最后，洗净后的硅片要进行充分的清洗和干燥处理，以确保表面不再残留有酸性物质。
在清洗过程中，要使用纯净水进行多次冲洗，并在最后的干燥环节中使用氮气吹干，以避免水渍和灰尘的残留。
总的来说，硅片酸洗工作是一个需要严格操作的环节，只有严格遵守操作规程和注意安全细节，才能保证洗净效果和操作人员的安全。
希望大家在进行硅片酸洗工作时，能够认真对待，确保工作质量和安全。
硅料酸洗工艺规章制度
硅料酸洗工艺规章制度第一章总则第一条为规范硅料酸洗工艺操作，确保生产安全、产品质量和生产效率，制定本规章制度。
第二条本规章制度适用于硅料酸洗生产车间的操作人员，包括操作步骤、安全注意事项、责任分工等内容。
第三条硅料酸洗工艺操作人员应严格遵守本规章制度，严防操作事故发生，确保生产线的连续稳定运行。
第四条本规章制度由硅料酸洗车间主管负责执行，对于违反规定的行为将给予相应的处理。
第五条硅料酸洗车间主管应定期对操作人员进行安全培训、操作规程培训，确保其操作技能和安全意识。
第六条本规章制度的具体实施事项由硅料酸洗车间主管负责确定，并及时更新修订。
第二章硅料酸洗工艺操作规程第七条硅料酸洗操作人员应戴好防护用品，包括手套、护目镜、口罩等。
第八条在进行硅料酸洗操作前，应将设备进行检查，确保正常运行。
第九条操作人员应熟悉硅料酸洗设备的使用方法、操作流程，并按照规定的步骤操作。
第十条在进行硅料酸洗操作时，应注意控制酸液的浓度和温度，以免发生意外。
第十一条操作人员在操作过程中应密切监控设备的运行情况，随时做好应急处理准备。
第三章安全注意事项第十二条在进行硅料酸洗操作时，应注意防止酸液溅洒，严禁直接接触酸液。
第十三条操作人员应遵守操作规程，严格按照程序进行操作，不得擅自更改操作流程。
第十四条在发生酸洗设备故障时，需及时通知维修人员进行维护处理，不得擅自维修。
第十五条操作人员应勤于保持操作场所的清洁，保持设备的良好状态，确保生产环境卫生。
第四章责任分工第十六条硅料酸洗车间主管负责全面监督硅料酸洗工艺的操作，对操作人员的操作情况进行检查。
第十七条硅料酸洗车间主管应对操作人员的安全教育和培训进行定期检查，及时发现问题并解决。
第十八条硅料酸洗工艺操作人员应按照规定的工艺流程进行操作，保证产品质量和生产效率。
第十九条硅料酸洗车间主管对于违反规定的操作人员将依据公司规定给予相应的处理。
第二十条硅料酸洗车间主管应及时更新修订本规章制度，将其实施监督落实到位。
硅料清洗关键控制点表
硅料清洗关键控制点表
（原创版）
目录
1.硅料清洗的重要性
2.硅料清洗的关键控制点
3.硅料清洗的流程
4.硅料清洗的注意事项
5.硅料清洗的效果评估
正文
硅料清洗是光伏产业中非常重要的一个环节，它关乎到硅片的质量，进而影响到整个光伏组件的性能。
因此，硅料清洗的关键控制点就显得尤为重要。
首先，硅料的选择是硅料清洗的关键控制点之一。
选择合适的硅料，不仅能够保证硅片的质量，还能够提高硅片的利用率。
其次，清洗液的选择和配比也是硅料清洗的关键控制点。
清洗液的种类和配比会直接影响到硅料的清洗效果。
再次，清洗的流程也是硅料清洗的关键控制点。
合理的清洗流程不仅能够保证硅料的清洗效果，还能够提高清洗的效率。
在硅料清洗的过程中，还有一些注意事项需要遵守。
比如，在清洗过程中，需要避免硅料受到污染；在清洗结束后，需要对硅料进行充分的冲洗，以保证硅料表面没有任何残留物。
最后，硅料清洗的效果评估也是硅料清洗的关键控制点。
通过对清洗后的硅料进行检测，可以评估清洗的效果，从而进一步优化清洗流程。
总的来说，硅料清洗的关键控制点包括硅料的选择、清洗液的选择和
配比、清洗的流程、注意事项以及效果评估。
硅片制造中的沾污控制
一、硅片清洗的重要性二、硅片沾污类型三、硅片清洗四、硅片沾污的源与控制大规模集成电路的发展，对硅片的质量要求提高在硅晶体管和集成电路的生产中，几乎每道工序都涉及硅片清洗。
硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性所以国内外对清洗工艺的研究一直在不断地进行。
常见的清洗工艺有：湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、RCA 标准清洗、等离子体清洗等。
在硅片加工及器件制造过程中所有与硅片接触的外部媒介都是硅片沾污杂质的可能来源。
这主要包括以下几方面: 硅片加工成型过程中的污染环境污染水造成的污染试剂带来的污染工业气体造成的污染工艺本身造成的污染?颂逶斐傻奈廴镜取?硅片表面沾污杂质的分类分类依据沾污类别沾污杂质的形态微粒型沾污、膜层污染质吸附力的存在形态物理吸附型污染质、化学吸附型杂质被吸附物质的存在形态分子型、原子型、离子型吸附杂质物化性质有机沾污、无机盐、金属离子（原子）和机械微粒颗粒：引起电路开路或短路。
半导体制造中，可接受的颗粒尺寸的粗略法则是它必须小于器件特征尺寸的一半。
金属杂质：导致器件成品率下降。
典型金属杂质是碱金属。
主要来源是离子注入和化学品与传输管道/容器的反应。
钠是最普遍的可动离子沾污，人是主要的传送者。
有机物沾污：使硅片表面清洗不彻底，降低栅氧层的致密性自然氧化层：暴露于室温下空气中或含溶解氧的去离子水中硅片表面将被氧化。
自然氧化层的存在将增加接触电阻，还将阻碍其它工艺步骤如硅片上单晶薄膜、超薄栅氧化层生长的进行。
静电释放：两种不同静电势的材料接触或摩擦会产生静电释放。
静电释放可能成为栅氧层击穿的诱因；其次电荷积累产生电场会吸引带点颗粒或极化并吸引中性颗粒到硅片。
具体的沾污类型沾污名称化学配料描述（所有清洗后伴随去离子水清洗）分子式颗粒piranha（SPW）硫酸/过氧化氢/去离子水H 2 SO 4 /H 2 O 2 /H 2 O SC-1APW 氢氧化铵/过氧化氢/去离子水NH 4 OH/H 2 O 2 /H 2 O 有机物SC-1APW 氢氧化铵/过氧化氢/去离子NH 4 OH/H 2 O 2 /H 2 O 金属不含铜SC-2HPW）盐酸/过氧化氢/去离子水HCL/H 2 O 2 /H 2 O piranha（SPW）硫酸/过氧化氢/去离子水H 2 SO 4 /H 2 O 2 /H 2 O DHF 氢氟酸/水溶液（不能去除铜）HF/H 2 O 自然氧化层DHF 氢氟酸/水溶液（不能去除铜）HF/H2O BHF 缓冲氢氟酸溶液NH 4 F/HF/H 2 O 硅片湿法清洗化学品目标去除所有的表面沾污：颗粒、有机物、金属和自然氧化层1号标准清洗液（SC-1）化学配料NH 4 OH/H 2 O 2 /H 2 O，按1:1:5到1:1:7配比配合。
电子级多晶硅清洗过程管控要点
174研究与探索Research and Exploration ·工艺与技术中国设备工程 2019.02 (下)随着我国对电子级多晶硅用量需求不断增加，自主生产高纯电子级多晶硅迫在眉睫。
在电子级多晶硅生产技术攻关中，最难解决的技术难题就是硅料清洗，其关键控制点更是亟需开发掌握的技术。
本文主要将对电子级多晶硅清洗过程中关键控制点进行探究。
1 电子级多晶硅的清洗方法电子级多晶硅的清洗方法通常采用湿法清洗，硅料湿法清洗主要包括硅料碱洗及硅料酸洗，目前国外电子级多晶硅生产企业主要采用硅料酸洗技术。
1.1 硅料碱洗硅料碱洗主要是指在30~120℃的温度下，使用一定浓度的碱液，将硅料投入其中液体中，硅料与氢氧根离子反应产生硅酸根，反应过程中有氢气产生，具体反应方程式如下：Si+2NaOH+H 2O=Na 2SiO 3+2H 2↑Si →[SiO 3]2-Si-4e →Si 4+H 2O →H 2↑H+1e →H 4H+4e →4H通过该反应碱蚀适当的厚度，将硅料表面的氧化物、砂浆、粉尘等杂质去除，使硅料表面洁净度符合要求。
常规采用使用的碱液为氢氧化钠、氢氧化钾或其他有机碱，但碱洗过后，要选用适当的冲洗方式除去硅料表面残留的碱性物质，常用的冲洗方式有浸泡、喷淋、QDR，通常选用几种重复或者交替使用，为了加快冲洗效果，可适当加入无机酸（如盐酸、氢氟酸），中和残余的碱液，以实现彻底去除残留的问题，提高清洗效果。
碱液清洗硅料时，绝大部分金属物不与碱液进行反应，故而碱洗有一定的局限性。
1.2 硅料酸洗方法目前在电子级多晶硅清洗行业中，通常选用氢氟酸与硝酸按一定比例混合与硅料进行蚀刻反应，硅料先与硝酸反电子级多晶硅清洗过程管控要点厉忠海，于跃，王阳，沈棽（江苏鑫华半导体材料科技有限公司，江苏 徐州 221004）摘要：电子级多晶硅是集成电路产业链中重要的基础材料，是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料。
硅清洗总结
硅清洗总结简介硅清洗是一种常见的工艺，用于去除硅表面的杂质和污染物，以确保硅片的质量和性能。
本文将总结常见的硅清洗方法和步骤，并提供一些建议和注意事项。
硅清洗方法酸洗酸洗是最常见的硅清洗方法之一。
常用的酸洗溶液包括浓硝酸、浓盐酸和稀盐酸等。
酸洗可以去除硅表面的氧化物、金属杂质和有机污染物。
酸洗的步骤如下：1. 准备酸洗溶液：根据需要选择合适的酸洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入酸洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的酸洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在酸洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
碱洗碱洗是另一种常见的硅清洗方法。
常用的碱洗溶液包括氢氧化钠和氢氧化铵等。
碱洗可以去除硅表面的氧化物和有机污染物。
碱洗的步骤如下： 1. 准备碱洗溶液：根据需要选择合适的碱洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入碱洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的碱洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在碱洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
超声波清洗超声波清洗是一种常用的硅清洗方法，通过超声波震荡来去除硅片表面的杂质。
超声波清洗的步骤如下： 1. 准备清洗液：选择合适的清洗液，如去离子水或特定的清洗溶液。
2. 将硅片浸入清洗液中。
3. 打开超声波清洗仪，根据需要设置清洗时间和功率。
4. 硅片在超声波的作用下，会发生微小震动，从而去除硅片表面的污染物。
5. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的清洗液。
6. 可选的步骤：可以在超声波清洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
注意事项•在进行硅清洗之前，确保使用干净的操作环境和工作台，并佩戴适当的防护设备。
•根据硅片的要求和清洗步骤的需要，选择合适的清洗方法和清洗液。
硅料的清洗方法
硅料的清洗方法讲解（图文）在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。
要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。
就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。
原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。
但问题是：1、生产厂家处理了没有?2、生产厂家处理的结果是什么?3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。
通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。
硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。
还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。
头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。
因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。
我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。
这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。
碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。
埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。
综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。
我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。
其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。
一、硅料的浸泡随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。
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硅料酸洗过后的水印怎么控制？用酒精擦过的硅料酸洗是不是会发黑？
水印，这个估计是你的酸配比有问题，减少氢氟酸含量，加长酸洗时间试试。
还有酒精擦过的不会发黑！
追问
HF和硝酸1:35会有什么问题啊有问题也应该是有酸印把
回答
HF和HNO3的浓度分别是多少？你们的清洗机是不是在酸里洗了直接提到纯水槽里，在硅料脱离酸的液面到进入水里这个过程大概要几秒？
追问
是酸洗洗60S后直接到清洗1了时间大概啊1S.加长冲水时间或超声波会不会好点啊
回答
我是问在从酸槽移动到冲洗水槽这个过程中，硅料会在空气中暴露多长时间？还有酸洗过后的水洗是用的什么方式（淹没、喷淋、鼓泡）？如果有印记的话，加长水洗和加超声波估计效果不明显。
可以把你清洗的过程明确点吗，特别是酸洗到水洗这个过程！
追问
硅料每换槽都会在空气暴露每次1S酸洗过后经过3道清洗时间分别是10S
20S 35S都是淹没在加上到30S的超声波最后20S的清洗完后结束
回答
这个过程是人工操作，还是由设备自动完成？暴露一秒确实很短，按理说若果水洗是全部淹没的话不会出现你说的情况，还有，我建议你们的水洗和超声波曹时间加长3倍以上。
不知你们的烘干是用的什么方式（温度，真空）？你们用的清洗设备是深圳捷佳创的吗？
结合酸洗环境的不同;冬天HF：HNO3=1:4----1:5，，，，夏天的话1:5----1:8.在这个范围内根据清洗效果适当调节！
硅料酸洗中氢氟酸与硝酸怎么样配比最合理不同的料请举例说明一下。
追问
买来的原生多晶与复拉料（头尾边皮）都按这个比例吗
回答
还是那句话，看你用的什么酸。
如果酸没问题，这个比例估计就没什么问题。
复拉料的话也没问题。
追问
酸洗过以后超过烘干后料表面有淡黄色的东西是什么是什么原因造成的呢？
回答
原因可能是酸洗过后再水洗的过程中在空气中暴露太久，或是水洗槽的水酸浓度太高。
当然也有可能其它原因。
比如酸的浓度配比温度等有问题
硅片经过初步清洗去污后，要进行表面腐蚀，这是由于机械切片后，在硅片表面留下的平均为30^-50Hm厚的损伤层，腐蚀液有酸性和碱性两类。
1、酸性腐蚀法
硝酸和氢氟酸的混合液可以起到很好的腐蚀作用，其溶液配比为浓硝酸:氢氟酸=10:1到2: 1。
硝酸的作用是使单质硅氧化为二氧化硅，其反应为
3Si+4HN0==3Si0+2H0+4N0
而氢氟酸使在硅表面形成的二氧化硅不断溶解，使反应不断进行，其反应为
生成的络合物六氟硅酸溶于水，通过调整硝酸和氢氟酸的比例，溶液的温度可控制腐蚀速度，如在腐蚀液中加入醋酸作缓冲剂，可使硅片表面光亮。
一般酸性腐蚀液的配比为
硝酸:氢氟酸:醋酸==5: 3: 3或5: 1: 1
2、碱性腐蚀
硅可与氢氧化钠、氢氧化钾等碱的溶液起作用，生成硅酸盐并放出氢气，化学反应
为:Si十2Na0H十Hz0==NaSi03十2H
出于经济上的考虑，通常用较廉价的NaOH溶液，100C下不同浓度的NaOH溶液对(100)晶向硅片的腐蚀速
度。
氢氧化钠的浓度(%)
碱腐蚀的硅片表面虽然没有酸腐蚀光亮平整，但制成的电池性能完全相同，目前，国内外在硅太阳电池生产中的应用表明，碱腐蚀液由于成本较低，对环境污染较小，是较理想的硅表面腐蚀液，另外碱腐蚀还可以用于硅片的减薄技术，制造薄型硅太阳电池。