硅料酸洗流程
aod脱硅方法
aod脱硅方法脱硅是指通过化学或物理方法将硅元素从物质中去除的过程。
在工业生产和科学实验中，脱硅是一种常见的操作步骤。
下面将介绍一些常用的脱硅方法。
1.化学脱硅方法：化学脱硅是利用溶液中的化学物质和硅元素发生反应，将硅元素转化为可溶性化合物或沉淀下来从而进行脱硅的方法。
1.1酸洗法：在酸性溶液中进行酸洗，利用酸性溶液中的酸分子与硅元素反应生成可溶性的硅酸盐。
常用的酸洗剂包括盐酸和硝酸等。
酸洗的条件包括温度、酸浓度、时间等因素。
酸洗后，通过过滤或离心对溶液进行分离，获得脱硅物质。
1.2碱洗法：在高碱性溶液中进行碱洗，利用碱性溶液的碱分子与硅元素反应生成可溶性的硅酸盐。
常用的碱洗剂包括氢氧化钠和氨水等。
碱洗的条件包括温度、碱浓度、时间等因素。
碱洗后，通过过滤或离心对溶液进行分离，获得脱硅物质。
1.3氧化法：通过氧化剂氧化硅元素，生成可溶性的硅酸盐或沉淀下来。
常用的氧化剂包括过氧化氢和高氧化锰等。
氧化的条件包括温度、氧化剂浓度、反应时间等因素。
氧化后，通过过滤或离心对溶液进行分离，获得脱硅物质。
2.物理脱硅方法：物理脱硅是利用物理原理将硅元素从物质中去除的方法，不涉及化学反应。
2.1磁选法：利用磁性物质对硅元素有选择地吸附作用的特性，将含硅物质与磁性物质混合后，通过磁场的作用将磁性物质与硅元素一起从物质中分离出来。
脱硅后，通过除磁将磁性物质与硅元素分离，得到脱硅物质。
2.2重力分离法：利用物质的密度差异，将密度较大的含硅物质与密度较小的物质分离出来。
常用的方法包括离心分离、沉降分离等。
通过重力分离，将含硅物质与硅元素分离开，得到脱硅物质。
3.综合应用方法：有时需要综合应用化学和物理方法进行脱硅。
例如，先通过化学方法将硅元素转化为可溶性的化合物或沉淀下来，然后再通过物理分离方法将化合物或沉淀与其他物质分离出来。
总结起来，脱硅可以通过化学和物理方法实现。
化学脱硅包括酸洗法、碱洗法和氧化法，利用溶液中的化学物质与硅元素发生反应进行脱硅。
硅片清洗过程
硅片清洗过程太阳能电池硅片清洗过程制绒-扩散-刻蚀-清先(去PSG)-沉积减反射膜-丝网印刷-烧结-分选-组装以下为制绒工艺1、去损伤层目的：用高温NaOH或KOH去除硅表面的切割损伤层，划痕、手印、杂质等要求：浓度20%，温度80C，时间5min达到：硅片表面减薄10-20μm注意事项：1、浓度保证为20%，要求有补液槽，补充每次清洗的消耗。
2、80C温度要有加热管。
3、30S时间准确控制。
4、有自动盖，减少挥发。
2、温水隔离目的：稀释硅表面或洗篮上残留的碱液。
要求：水50C，时间5min达到：浓碱被稀释注意事项：1、要有鼓泡2、鼓泡要均匀3、换水：a、溢流：1-2方/小时，快排7S，30S上水，补水管口径1寸，水压2kg。
3、A单晶制绒面目的：通过高温低浓度的NaOH/KOH将硅表面腐蚀出均匀的金字塔型表面，减少硅片对光的反射。
要求：在浓度为3%左右时，在80C上下的温度，约25min增加一定量的乙醇，加快溶液反应，起到消除气泡的作用。
达到：硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸2-10μm之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。
工艺要求：有鼓泡，有加热管，循环泵，使溶液均匀，温度均匀，浓度均匀。
注意事项：a、浓度、温度和清洗时间有一定的比例。
b、在制绒过程中不能有鼓泡。
c、测温点靠近硅片中部。
d、从制绒槽到水洗槽的时间控制在20s以内。
（否则在高温状态下残留的碱液会挥发留下硅表面。
B多晶制绒目的：通过恒定温度，较高浓度的酸液制绒（HNO3+HF）要求：浓度60%左右温度：15-20C，时间3-4min达到：硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸2-10μm之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。
注意事项：a、硅与酸反应是放热过程，需要降温，制冷。
b、有循环泵和溢流，保证温度。
工艺流程：注酸——放料——排酸——注水喷淋——鼓泡——提料——排水——注酸c、加自动盖和喷淋：HNO3+HF在高温下有很强的挥发性，有害酸气会会腐蚀设备和损害人体，加盖保护。
多晶硅清洗工艺流程
多晶硅清洗工艺流程
多晶硅的清洗工艺流程包括多个步骤，具体如下：
1. 去除表面附着物：使用碱性或酸性溶液来去除多晶硅表面的有机和无机附着物。
2. 去除表面缺陷：使用化学溶液或机械切割来去除多晶硅表面的缺陷和污渍。
3. 酸洗处理：使用酸性溶液来去除多晶硅表面的氧化物并改善表面质量。
4. 纯化处理：使用高纯溶液来进一步提高多晶硅的纯度。
5. 最终清洗：使用去离子水或超纯水来清洗多晶硅表面，以便最终得到干净的多晶硅材料。
清洗后的多晶硅工件要避免直接接触手部，以免再次污染。
以上内容仅供参考，具体流程和步骤可能会根据实际应用有所不同，建议咨询专业人士获取帮助。
硅料清洗杂谈
硅料清洗杂谈原生硅料清洗工艺要求1、混酸腐蚀：氢氟酸和硝酸的比例为1：5，根据硅料表面的粗糙程度设定腐蚀时间约为50s；2、纯水漂洗：漂洗时间约为30 s；3、氢氟酸腐蚀：根据硅块表面的粗糙程度，设定为60s；4、纯水漂洗：设定时间约为300s；5、超声波水洗：设定时间为90s；6、氮气热吹：设定时间为60s；7、真空烘干：30min；注：氢氟酸和硝酸纯度要求为UP级。
纯水电阻率为18MΩ。
硅棒上指纹的去除硅棒上的指纹怎么去除，用酒精、丙酮都已经擦了，也弄不掉，请高手指点！碱液清洗指纹是由人体分泌的油脂通过手指留下。
由于油脂的化学成分定，采用碱液配超声清洗，然后用纯水加超声清洗两遍就好了。
至于碱液配方，可以采用氢氧化钠，氢氧化钾等配液。
可以根据情况加缓蚀剂。
碱液+兆声波，可以添加一些表面活性剂。
锅底料用氢氟酸浸泡除去硅不能和HF单独反映，硅首先和HNO3起反应生成SIO2,SIO2在与HF反应，为甚麽埚底料用HF泡石英呢，就是HF只与SIO2起反应。
HNO3在里面起氧化剂，首先与SI起反应的。
回收料:单晶头尾料：1. 打磨（尾料上的凸起部分需要打磨掉）2.碱洗（碱性法柏济配比：0.12kg+50kg水，温度：50℃，用百洁布擦洗）3.过酸（HF:H2O2 = 1:1 , 1分钟）4.酸洗（HF:HNO3 = 1:8,洗2-3分钟）5.过水（在溢流槽中过1分钟）6.超声（20min)7.烘干（2小时）8.包装以上工艺时间过长菜花硅料菜花多晶不能用混酸洗，用HF加纯水比例为百分子10-20，泡10-20分钟，捞出后用纯水冲净，上超声波超10分钟即可，烘干要比其他料时间长一些，残留的HF易挥发，故就会挥发掉了，请试用，我全是这样用的，拉晶合格率为百分之75以上。
回炉硅块、边角料、T料中的杂质处理较难，常用的有三种方式：1 喷砂、打磨用机械方式清除可见杂质，但对于钳入较深的碳化硅有时不易处理，且耗损大。
电子级多晶硅的清洗工艺 蒲守年
电子级多晶硅的清洗工艺蒲守年摘要：在电子多晶硅质量检测中，表金属杂质是极为重要的一项指标。
现如今，减少电子多晶硅表面金属杂质含量的主要技术为酸清洗，利用不同程度的表面刻蚀，对电子级多晶硅表面金属杂质进行有效控制，使其处于最低状态。
文章首先介绍了电子级多晶硅清洗工艺，对电子级多晶硅清洗过程中的各种问题进行了分析，并提出了有效处理方法。
关键词：电子级多晶硅；清洗工艺；问题与措施引言：开展电子级多晶硅清洗的主要目的是让硅料表面能够更加清洁，没有杂质污染，对产品表面金属进行控制能够对其最终性能、效率、稳定性产生极为重要的作用。
现如今，相关电子级多晶硅清洗技术能够参考的经验极为缺乏，我国有关企业的大部分有关技术都在不断实践与探索中，伴随电子级多晶硅湿法清洗的持续发展，有关技术也越来越成熟，各种先进设备不断涌现，但最核心的技术仍把握在少部分国外企业手中，即使生产高纯度清洗液，其高端技术在国内也难以大批量实现。
想要全面落实电子级多晶硅清洗国产化，关键是在整个过程中突破一些基础材料和技术，是降低成本、增强市场影响力的只要支撑和有效手段。
1清洗硅块与硅芯工艺在开展电子级多晶硅表面金属去除的主要流程是：硅料—表面清洗—水洗—干燥—酸洗—漂洗—干燥，如图1所示：图1电子级多晶硅表金属处理流程在开展设备清洗过程中，对硅块与硅芯开展清洗工作，清洗系统主要是对破碎处理与机械加工以后的硅料开展酸洗，其主要是对硅材料表面沾污的粒子，金属，有机物，湿气分子和自然氧化膜等进行处理。
而在清洗线中，开展酸洗硅料的工艺流程为以下几个步骤：上料—酸洗-超纯水漂洗—超纯水常温浸泡—超纯水热浸泡—真空干燥—下料，清洗工艺流程图如图2所示：图2 酸洗硅料的工艺流程在硅料清洗时通常采取化学清洗的方式。
化学溶液是由氢氟酸和硝酸组成，根据一定比例混合，硅块表面的杂质、吸附物，氧化物在酸洗中被清洗干净，酸洗中放出大量的二氧化氮气体。
清洗线酸洗中产生的氧化氮气体和挥发的酸气体由洗涤系统抽出处理，酸洗中产生的废酸、漂洗浸泡产生的废水排放到废酸系统处理。
硅料清洗关键控制点表
硅料清洗关键控制点表
（原创版）
目录
1.硅料清洗的重要性
2.硅料清洗的关键控制点
3.硅料清洗的流程
4.硅料清洗的注意事项
5.硅料清洗的效果评估
正文
硅料清洗是光伏产业中非常重要的一个环节，它关乎到硅片的质量，进而影响到整个光伏组件的性能。
因此，硅料清洗的关键控制点就显得尤为重要。
首先，硅料的选择是硅料清洗的关键控制点之一。
选择合适的硅料，不仅能够保证硅片的质量，还能够提高硅片的利用率。
其次，清洗液的选择和配比也是硅料清洗的关键控制点。
清洗液的种类和配比会直接影响到硅料的清洗效果。
再次，清洗的流程也是硅料清洗的关键控制点。
合理的清洗流程不仅能够保证硅料的清洗效果，还能够提高清洗的效率。
在硅料清洗的过程中，还有一些注意事项需要遵守。
比如，在清洗过程中，需要避免硅料受到污染；在清洗结束后，需要对硅料进行充分的冲洗，以保证硅料表面没有任何残留物。
最后，硅料清洗的效果评估也是硅料清洗的关键控制点。
通过对清洗后的硅料进行检测，可以评估清洗的效果，从而进一步优化清洗流程。
总的来说，硅料清洗的关键控制点包括硅料的选择、清洗液的选择和
配比、清洗的流程、注意事项以及效果评估。
多晶硅酸洗废气净化方案
多晶硅酸洗高浓度废气净化方案北京汉昌绿源环保科技有限公司2009-07多晶硅料酸洗高浓度废气净化方案一、废气污染源工况硅料酸洗车间需用硝酸和氢氟酸对多晶硅进行清洗，共分为4部分，分别为手动生产线、自动生产线、半自动生产线和半成品处理线，前三条生产线用硝酸和氢氟酸的混合溶液对多晶硅进行酸洗，去除表面杂质。
化学反应式为：2HNO3+Si=SiO2+NO2↑+NO↑+H2OSiO2+4HF=SiF4↑+2H2O由以上反应式得出，多晶硅酸洗废气主要为NO X和SiF4，由于反应非常剧烈，气体中还含有大量硝酸雾和氢氟酸雾。
废气挥发呈爆发性，尤其是NO X，浓度非常高，平均浓度为1000~2000mg/m3，瞬时浓度可达5000~6000mg/m3，气体呈棕红色。
前三条生产线每天试剂总的用量：硝酸（HNO）：浓度65%--68% 平均每天用量7525kg；3氢氟酸（HF）：浓度48%--50% 平均每天用量941kg；由于用酸量非常大，产生的废气总量也非常大，以上气体如不经净化或净化不达标将严重污染环境。
半成品生产线主要产生硫酸雾、HF和碱性废气，浓度较低。
二、净化要求净化后废气排放应满足《大气污染物综合排放标准》（GB16297-1996）二级标准要求，即：平均浓度：氟化物≤9.0mg/m3，NO≤240mg/m3；X≤1.3kg/h。
排放总量（20米）：氟化物≤0.17kg/h, NOX三、净化工艺现有氮氧化物和氟化物的净化工艺主要有：液体中和吸收法、还原法和固体吸附法。
液体中和吸收法主要是利用酸碱中和原理对氮氧化物和氟化物进行净化，由于NO不溶于水，所以也有厂家在碱液中加入双氧水来氧化NO。
常用的净化设备有填料塔、鼓泡塔或筛板塔。
该方法的优点为设备较为简单，投资省；缺点是净化效率不够，设备运行不稳定。
虽然有的厂家采用提高单塔吸收塔效率和多塔串联（上海一家工厂采用7个塔串联）来提高整体效率，但由于氮氧化物的平衡度问题，净化效率很难达到85%以上。
硅料清洗废气处理
废气处理系统一、废气的产生1、硅料酸洗线在清洗硅材料的工艺过程中，清洗液主要为硝酸HNO3（浓度50%~60%）和氢氟酸HF（浓度49%）的混合液，由于硝酸HNO3 具有易挥发及不稳定性，在清洗硅料时，大量的硝酸HNO3 挥发分解，产生棕黄色的氮氧化物NOX，其主要成分为NO、NO2、N2O3、N2O4、N2O5 等，由于N2O3、N2O4、N2O5 极不稳定，一般分解为NO 和NO2，NO 遇到空气后被氧化成NO2，因此氮氧化物NOX 中的主要成分为NO2。
NO2 有强烈刺激性气味，溶于水，呈酸性，表现为红棕色烟雾（俗称“黄烟、黄龙”）。
同时，在清洗过程中还有少量的硝酸HNO3 及氢氟酸HF 挥发，因此，酸洗废气的主要成分为：氮氧化物NOX、硝酸HNO3 及氢氟酸HF，而其中又以氮氧化物为NOX主。
2、硅料浸泡线浸泡工艺与酸洗工艺的酸性废气性质相类似，但由于浸泡工艺清洗液的成分与酸洗工艺有所不同。
酸洗工艺的清洗液主要为硝酸HNO（3 浓度50%~60%）和氢氟酸HF （浓度49%）的混合液，酸的浓度比较大，氮氧化物NOX 产生挥发物量也大，但浸泡工艺的清洗液主要成分为氢氟酸HF，有时加入少量硝酸HNO3，因此浸泡工艺中主要废气成分为氢氟酸HF，并有少量的硝酸HNO3 及氮氧化物NOX。
在碱洗工艺中一般使用氢氧化钠NaOH 溶液或皂溶液，因此碱洗废气主要成分为氢氧化钠NaOH 废气或其它碱性废气。
二、工艺原理1.废气处理工艺流程管路输送：管路正常使用时一般为8~10m/s，为了保证系统的足够处理效果，设计的管路风速为12~15m/s；管路材质采用FRP 风管，不但有较强的综合机械性能，且保证其不被腐蚀和整个系统的美观；排风管烟囱高度离地面30m 以上。
氧化还原酸雾净化塔：根据贵公司硅料清洗生产量，生产工艺特点以及我公司以往对该行业该工艺的设计、安装、调试等经验的因素，采用3 套净化装置串连组合使用，并增加缓冲箱静压箱，并且净化塔的直径比常规处理酸性气体的净化塔要大，并且净化塔的高度也高，设有填料及喷淋装置，由于废气性质呈酸性且为亲水性，所以选用碱性液体（NaOH、NaS、氨水）作吸收液，采用循环泵输送，逆流式洗涤，使废气由风机压入塔内均压室，并经过均风格栅匀速进入一级填料层，将废气平均分布在PP 多面空心球填料周围，每只呈现点接触，排列“Z 或W”不规则路线行走，无偏流现象，再配合螺旋式高流量、不阻塞喷嘴，使气液二相混合率达97%以上，经一级处理后的废气由渐扩段减速进入二级填料层喷淋功能段，再次使废气得到气液二相充分接触反应，然后再经脱液器脱液除雾后，其尾气才进入下一级酸雾净化塔，这样经过多级循环处理后直至尾气达到国家二级排放标准GB16297-1996《大气污染物综合排放标准》，最后通过排风管排入大气。
硅清洗总结
硅清洗总结简介硅清洗是一种常见的工艺，用于去除硅表面的杂质和污染物，以确保硅片的质量和性能。
本文将总结常见的硅清洗方法和步骤，并提供一些建议和注意事项。
硅清洗方法酸洗酸洗是最常见的硅清洗方法之一。
常用的酸洗溶液包括浓硝酸、浓盐酸和稀盐酸等。
酸洗可以去除硅表面的氧化物、金属杂质和有机污染物。
酸洗的步骤如下：1. 准备酸洗溶液：根据需要选择合适的酸洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入酸洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的酸洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在酸洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
碱洗碱洗是另一种常见的硅清洗方法。
常用的碱洗溶液包括氢氧化钠和氢氧化铵等。
碱洗可以去除硅表面的氧化物和有机污染物。
碱洗的步骤如下： 1. 准备碱洗溶液：根据需要选择合适的碱洗溶液，并按比例混合。
2. 将硅片浸入碱洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间。
清洗时间越长，清洗效果越好，但也可能对硅片造成损害。
3. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的碱洗溶液。
4. 可选的步骤：可以在碱洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
超声波清洗超声波清洗是一种常用的硅清洗方法，通过超声波震荡来去除硅片表面的杂质。
超声波清洗的步骤如下： 1. 准备清洗液：选择合适的清洗液，如去离子水或特定的清洗溶液。
2. 将硅片浸入清洗液中。
3. 打开超声波清洗仪，根据需要设置清洗时间和功率。
4. 硅片在超声波的作用下，会发生微小震动，从而去除硅片表面的污染物。
5. 取出硅片并用去离子水冲洗，确保硅表面没有残留的清洗液。
6. 可选的步骤：可以在超声波清洗后进行干燥步骤，以避免水的残留。
注意事项•在进行硅清洗之前，确保使用干净的操作环境和工作台，并佩戴适当的防护设备。
•根据硅片的要求和清洗步骤的需要，选择合适的清洗方法和清洗液。
硅料的清洗方法
硅料的清洗方法讲解（图文）在一个行业一个产品某种意义上来说都有其一个特定性。
要解决一个问题，我们首先要了解产品的来与去。
就太阳能原料而言，我们从以下方面来谈它的来去，就是通常我们说的输入。
原生多晶：按常规考虑，原生多晶在生产过程中，生产厂家的成品已经经过清洗处理，在拉单晶和铸多晶时，直接投入即可。
但问题是：1、生产厂家处理了没有?2、生产厂家处理的结果是什么?3、在物流、储存时有没有出现杂质侵入等原因。
通常一般厂家不放心直接使用，需要把此料进行一次酸洗后才放心。
硅料表面和缝隙中压留酸分子，然后再用超声波通过循环纯水进行漂洗。
还有一个问题，我们在酸洗和漂洗过程中的硅料不可能悬空在溶液中，如果杂质刚好在两个硅料或硅料与洗篮接触点，那不是还没洗到吗?所以一般要动一下，可能很少有人知道这动的原因，或根本没有在意。
头尾料：在生产硅片中要对硅棒或硅锭进行切方处理，剩下的叫头尾、边皮料。
因为大家知道硅料是可以再生利用，所以切下的头尾料要再利用怎么办?那就是清洗。
我们先分析头尾料上的杂质：1、切割后金属离子的转移;2、切割液的残留;3、物流留下的污物。
这三个问题怎样处理?切割液的残留和物流留下的污物用超声碱洗解决，金属离子用酸洗解决。
碎片料：在我们切片、脱胶、清洗、物流过程中，因为种种原因会产生碎片，碎片的主要特性是粘合，主要杂质为切割砂液，我们可以利用碎片在溶液中的翻转漂浮对其分离清洗，达到它的清洁度一致性。
埚底料：埚底料的主要去除对象是石英，在对埚底料进行处理时，应对大块石英进行打磨，然后在酸液中进行长时间浸泡处理。
综合上述情况，我们注意到了在各种不同类的情况下，要用不同工艺来解决。
我们在这洗料过程中要把握：1、料要动2、漂要清3、流程要准确。
其他料：除以上四种料以外还有废电池片、IC料及半导体芯片等一些硅料芯片，要对其除金属、蓝薄、银浆等前期处理。
一、硅料的浸泡随着多晶硅产能逐渐增加，原料对生产商而言有更多的选择，同时也会放弃一些利用价值低的废料。