模拟电子技术基础4.2

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电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch04

电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch04

止工作状态。
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华中科技大学 张林
3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
(1)输出特性及大信号特性方程
i D f (v DS ) vGS const.
② 可变电阻区 vDS <(vGS-VTN)
2 iD Kn [2(vGS VTN ) vDS vDS ]
预夹断临界点轨迹 iD/mA vDS=vGS-VTN(或 vGD=vGS-vDS=VTN) 3V 饱和区 1.5 2.5V 1 2V 0.5 0 vGS=1.5V 2.5 5 7.5 10 截止区 vDS/V 可变电阻区 2 (非饱和区)
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华中科技大学 张林
3. I-V 特性曲线及大信号特性方程
(1)输出特性及大信号特性方程
i D f (v DS ) vGS const.
① 截止区
当vGS<VTN时,导电沟道 尚未形成, iD = 0 ,为截
预夹断临界点轨迹 iD/mA vDS=vGS-VTN(或 vGD=vGS-vDS=VTN) 3V 饱和区 1.5 2.5V 1 2V 0.5 0 vGS=1.5V 2.5 5 7.5 10 截止区 vDS/V 可变电阻区 2 (非饱和区)
I-V 特性: iD Kn (vGS VTN )2
vGS K nV ( 1)2 VTN vGS I DO ( 1)2 VTN
2 TN
2 I DO KnVTN 是vGS=2VTN时的iD
必 须 让 FET 工 作 在 饱 和 区 (放大区)才有放大作用。
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华中科技大学 张林
由于vDS较小,可近似为
iD 2Kn ( vGS VTN ) vDS
rdso dv DS diD

(完整版)模拟电子技术基础课后答案谢志远

(完整版)模拟电子技术基础课后答案谢志远

第二章2.1 U U AB 45.0=。

2.2 (a )2D 导通,1D 截止。

(b )2D 导通,1D 截止。

(c )1D 导通,2D 截止(d ) 2D 导通,1D 截止。

2.4 (a ) 1.3V U =o1。

(b )0V U =o2。

(c ) 1.3V U =-o3。

(d )2V U =o4(e ) 1.3V U =o5。

(f )2V U =-o6。

2.5 (1)DB 0I =;DA R 1mA I I ==;9U =o V 。

(2)DB 0I =;DA R 0.6mA I I ==; 5.4U o =V 。

(3) 4.74U o =V ;0.53mA I ≈R ;10.26mA 2I I I =≈D A D B R =。

2.6 (a ) D 截止。

(b ) D 截止。

(c )D 导通。

2.8 (1)10V U =I 时3.3V U =O 。

15V U =I 时5V U =O 。

35V U =I 时6V U =O 。

(2)若U I =35V 时负载开路,稳压管D 可能被击穿。

R 35V -6V29mA >25mA 1k I ==Ω稳压管会因所承受的反向电流过大,出现热击穿而被烧毁。

第三章3.1 (1)(a )电流方向向外,大小为1.01mA ;(b)电流方向向外,大小为5mA 。

(2) (a )1mA 10010A β==μ;(b )5mA50100Aβ==μ。

(3)(a )该管为NPN 型;(b ),该管为PNP 型。

3.2 (a )为PNP 型;(b )为NPN 型;(c )为NPN 型;(d )为PNP 型;(e )为PNP 型;(f )为NPN 型。

3.4 (a )不能正常放大。

(b )无交流放大作用。

(c )能够实现交流放大。

(d )不能实现交流放大。

(e )不能实现交流放大。

(f )电路能够正常放大。

3.5 (1)BEQ 0.7V U =;BQ 50I =μA ;CQ I =2m A ;CEQ 6V U =。

基于CIPP的模拟电子技术基础实验成效评价及优化

基于CIPP的模拟电子技术基础实验成效评价及优化

基于CIPP的模拟电子技术基础实验成效评价及优化作者:赵晓燕房建东王艳荣王莉莉来源:《中国教育技术装备》2024年第13期摘要基于CIPP評价模式,以四个维度构建模拟电子技术基础实验课程评价指标体系,以学生课程内容达成度来分析和讨论教学成效,并针对实验设备老化、实验内容单一、学生参与度不高等问题给出优化建议,以期提高模拟电子技术基础实验类课程教学质量,增强教学效果,为课改提供依据。

关键词模拟电子技术基础实验;CIPP评价模式;课程评价;评价指标体系中图分类号:G642.423 文献标识码:B文章编号:1671-489X(2024)13-0-050 引言党的二十大报告明确提出“教育、科技、人才是全面建设社会主义现代化国家的基础性、战略性支撑”[1]。

高校课程教学是人才培养的重要一环,其中考核评价是对学生学习的督促,成绩评价应实现标准化、定量化[2],也是帮助教师不断调整教学设计的重要参考。

构建合理的评价指标体系是保证教育教学质量的重要途径和方法,优质的课程评价方法可以增强课堂效果、调动学生积极性。

模拟电子技术基础实验课程是电子类专业的重要课程,属于基础实验性质课程。

通过课程的学习,学生可以了解和熟悉半导体器件的相关工作原理、物理基础以及其外特性,能够掌握构成电子电路的各种单元电路(如偏置、反馈、振荡等)的工作原理、特点、性能和分析方法,锻炼操作实践能力和团结协作能力。

随着社会的发展和科技的进步,当前课程评价标准的弊端逐渐显露,如多侧重考查实验部分,考核内容单一,缺少基础理论知识和创新能力的考查评价。

本文以改良导向评价模式为基准制定评价指标体系,分析和讨论学生的课程内容达成度,并依据展现的问题提出进一步改进策略,逐步完善指标体系为模拟电子基础实验类课程教改提供依据。

1 CIPP评价模式应用1.1 CIPP与模拟电子技术基础实验课程考核评价适切改良导向评价模式是美国教育评价专家斯塔弗尔比姆倡导的全面评价模式,由四个部分组成,1)背景评价(Context Evaluation),评价过程的第一步是了解评价的背景和目标,即评价需要解决的问题和评价的目的;2)输入评价(Input Evaluation),评价者会考虑使用到的资源、方法和工具,以及数据收集的方法和指标;3)过程评价(Process Evaluation),评价者会进行实际的数据收集、分析和解释,以便得出结论和评价结果;4)结果评价(Product Evaluation),整理和呈现评价结果以及提出改进建议。

模拟电子技术项目化教案

模拟电子技术项目化教案

模拟电子技术项目化教案一、前言1.1 课程背景模拟电子技术是电子工程与自动化领域的基础课程,通过本课程的学习,使学生掌握模拟电子技术的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。

1.2 教学目标(1)理解模拟电子技术的基本概念、原理和应用;(2)掌握常用模拟电子器件的工作原理和应用;(3)具备分析模拟电路的能力;(4)培养学生动手实践能力和团队协作精神。

二、教学内容2.1 模拟电子技术基本概念(1)模拟信号与数字信号;(2)模拟电路与数字电路;(3)模拟电子技术的基本环节。

2.2 常用模拟电子器件(1)半导体器件(二极管、三极管等);(2)放大器(放大器原理、放大器类型);(3)滤波器(低通滤波器、高通滤波器等);(4)振荡器(正弦波振荡器、方波振荡器等)。

三、教学方法3.1 讲授法通过讲解模拟电子技术的基本概念、原理和应用,使学生掌握相关知识。

3.2 案例分析法分析实际案例,使学生更好地理解模拟电子技术在实际中的应用。

3.3 实验法组织学生进行实验,培养学生动手实践能力和团队协作精神。

四、教学安排4.1 课时安排本课程共32课时,其中理论课时24课时,实验课时8课时。

4.2 教学进度安排(1)第1-8课时:模拟电子技术基本概念;(2)第9-16课时:常用模拟电子器件;(3)第17-24课时:模拟电路分析;(4)第25-32课时:实验环节。

五、教学评价5.1 平时成绩(1)课堂表现:30%;(2)作业完成情况:40%;(3)团队协作:30%。

5.2 考试成绩(1)理论考试:60%;(2)实验报告:40%。

六、教学资源6.1 教材《模拟电子技术》教材,作者:,出版社:电器科技出版社,版本:第五版。

6.2 实验设备(1)示波器;(2)信号发生器;(3)电子元件(电阻、电容、二极管、三极管等);(4)实验板;(5)multimeter(万用表)。

七、教学活动7.1 课前准备教师提前准备教案、课件、实验设备等教学资源。

康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)..

康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)..

目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。

信号是信息的载体,按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类:①时间连续、数值连续信号,即模拟信号;②时间离散、数值连续信号;③时间连续、数值离散信号;④时间离散、数值离散信号,即数字信号。

二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波),从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号,过滤掉不需要的频率信号,也可以过滤掉某些频率信号,保留其它频率信号。

幅度频谱:各频率分量的振幅随频率变化的分布。

相位频谱:各频率分量的相位随频率变化的分布。

三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路,所谓放大作用,其放大的对象是变化量,本质是实现信号的能量控制。

放大电路有以下4种类型:1.电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2.电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3.互阻放大电路电路的互阻增益为4.互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻:输入电压与输入电流的比值,即对输入为电压信号的放大电路,R i越大越好;对输入为电流信号的放大电路,R i越小越好。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

《模拟电子技术基础》典型习题解答

《模拟电子技术基础》典型习题第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。

试画出u i 与u O的波形,并标出幅值。

图P1.1 解图P1.1 解:波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。

试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

图P1.2解:u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。

在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

图P1.6解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表P1.6所示。

1.7 电路如图P1.7所示,试问β大于多少时晶体管饱和?图P 1.7解:取U CES =U BE ,若管子饱和,则Cb CBE CC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以,100Cb=≥RRβ时,管子饱和。

1.8 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

图P1.8解:(a)可能(b)可能(c)不能(d)不能,T的发射结会因电流过大而损坏。

(e)可能第二章基本放大电路2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。

图P2.1解:(a )将-V CC 改为+V CC 。

(b )在+V CC 与基极之间加R b 。

(c )将V BB 反接,且在输入端串联一个电阻。

(d )在V BB 支路加R b ,在-V CC 与集电极之间加R c 。

2.3电路如图P2.3所示,晶体管的β=80,'bb r=100Ω。

分别计算R L =∞和R L =3kΩ时的Q 点、u A、R i和R o。

图P2.3解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、r be 均相等,它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQb BEQ CC BQ I r r I I RU R U V I ββ空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebe be b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥βR L =5k Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为47115V3.2)(bes bebe'LL c CQ Lc LCEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=uusu A r R r A r R A R R I R R R U β∥Ω==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥2.4 电路如图P2.4所示,晶体管的β=100,'bb r=100Ω。

模拟电子技术 查丽斌 习题4答案

第7章 场效应管及其基本放大电路·174·图4.3 习题4.6电路图解: (a) 能放大(b) 不能放大,增强型不能用自给偏压 (c) 能放大(d )不能放大,共漏1<uA ,可增加R d ,并改为共源放大 4.7 电路如图4.4所示,MOSFET 的U th = 2V ,K n = 50mA/V 2,确定电路Q 点的I DQ 和U DSQ 值。

解:)V (13.3241510015DD g2g1g2GSQ =⨯+=⨯+=V R R R U22DQ n GSQ th ()50(3.132)63.9(mA)I K U U =−=⨯−=)V (2.112.09.6324d DQ DD DSQ =⨯−=−=R I V U4.8 试求图4.5所示每个电路的U DSQ ,已知|I DSS | = 8mA 。

第7章 场效应管及其基本放大电路 ·177·(d) U DSQ =12-2.25×3=5.25(V)>U GSQ -U th =1V ∴处于恒流区4.12 电路如图4.9所示,已知场效应管VT 1的K n = 0.16mA/V 2、U th = 3.5V ;VT 2的I DSS= -2mA 、U P = 2V 。

试分析这二个电路中的场效应管各工作在截止区、恒流区、可变电阻区中的哪个区。

VT 1R g1.2M ΩR d3k Ω10V2VVT 2R g 1.2M ΩR d3k Ω10V(a)(b)图4.9 习题4.12图解:(a) U GSQ =2V<U th ,截止(b) U GSQ =0V 假设处于恒流区,则I DQ =I DSS =-2mA → U DSQ =-10+2×3=-4(V)<U GSQ -U P =-2V ∴处于恒流区4.13 图4.10所示场效应管工作于放大状态,ds r 忽略不计,电容对交流视为短路。

跨导为m 1ms g =。

模拟电子技术教案

摹拟电子技术课程教案电气信息及相关专业大学本科二年级第三学期本课程是电气信息类各专业的主要技术基础课。

是现代新兴技术如计算机技术、信息技术等的基础,是一门必修课。

其目的是使学生获得摹拟电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能;熟悉摹拟电子电路的工作原理,掌握摹拟电路分析方法和设计方法;使学生具有一定的实践技能和应用能力;培养学生分析问题和解决问题的能力,为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。

(1).能理解电子路线中常用半导体器件、基本放大电路、反馈放大电路、集成运放及应用、直流稳压电源等内容的工作原理、特点及应用,并识记上述内容中的基本知识,能运用这些原理和概念,在该知识内容范围内进行识别和判断。

(2).能理解和掌握常用基本单元电子电路的组成和分析方法,并能对它们的主要指标进行分析估算。

(3).能综合运用所学知识对由若干基本单元电子电路组成的较复杂电子电路进行分析估算。

陶桓齐编,《摹拟电子技术》,华中科技大学出版社刘光祜编,《摹拟电路基础》,电子科技大学出版社康华光编,《电子技术基础》 (摹拟部份),高教出版社陈大钦编,《摹拟电子技术基础问答、例题、试题》,华中理工大学出版社唐竞新编,《摹拟电子技术基础解题指南》,清华大学出版社孙肖子编,《电子路线辅导》,西安电子科技大学出版社谢自美编,《电子路线设计、实验、测试》 (二),华中理工大学出版社第 1 章半导体器件第 2 章基本放大电路第 3 章多级放大电路第 4 章集成运算放大电路第 5 章负反馈放大电路第 6 章信号运算电路第 7 章信号处理电路第 8 章波形产生和转换电路第 9 章功率放大电路第 10 章直流电源电路1. 本章基本要求:了解半导体基础知识;掌握二极管基础知识,掌握二极管应用;掌握双极型晶体管(BJT)工作原理,伏安特性曲线, BJT 的各个参数;对照学习场效应管(FET)的原理和特性曲线。

2. 本章教学内容和学时:1.1 半导体基础知识 21.2 半导体二极管 21.3 双极型三极管 21.4 场效应三极管 23.本章教学方式:课堂讲授,多媒体与板书相结合的方式4.本章重点:PN 结内部载流子的运动, PN 结的特性,二极管的单向导电性、三极管的电流放大作用、场效应管的压控特性,以及三种器件的等效电路。

模电电子教案,康华光

模电电子教案康华光第一章:模拟电子技术基础1.1 课程介绍介绍模拟电子技术的基本概念和重要性概述本章内容和学习目标1.2 模拟电子技术的基本概念模拟信号与数字信号的区别模拟电路与数字电路的区别1.3 模拟电子技术的基本元件电阻、电容、电感的作用和特性半导体器件二极管、晶体管的工作原理和应用1.4 模拟电路的基本分析方法电压电流分析法节点分析和支路分析法第二章:放大电路分析2.1 放大电路的基本概念放大电路的作用和分类放大电路的主要参数和性能指标2.2 放大电路的组成和工作原理单级放大电路的组成和分析多级放大电路的组成和分析2.3 放大电路的设计与调整放大电路的设计原则和方法放大电路的调整方法和技巧2.4 放大电路的应用实例音频放大电路的设计和应用模拟信号处理电路的设计和应用第三章:振荡电路分析3.1 振荡电路的基本概念振荡电路的作用和分类振荡电路的主要参数和性能指标3.2 振荡电路的组成和工作原理LC振荡电路的组成和分析RC振荡电路的组成和分析3.3 振荡电路的设计与调整振荡电路的设计原则和方法振荡电路的调整方法和技巧3.4 振荡电路的应用实例信号发生器的原理和应用无线通信电路的振荡器和调制器的设计和应用第四章:滤波电路分析4.1 滤波电路的基本概念滤波电路的作用和分类滤波电路的主要参数和性能指标4.2 滤波电路的组成和工作原理低通滤波电路的组成和分析高通滤波电路的组成和分析4.3 滤波电路的设计与调整滤波电路的设计原则和方法滤波电路的调整方法和技巧4.4 滤波电路的应用实例模拟信号滤波处理电路的设计和应用数字信号滤波处理电路的设计和应用第五章:模拟集成电路分析5.1 模拟集成电路的基本概念模拟集成电路的作用和分类模拟集成电路的主要参数和性能指标5.2 模拟集成电路的组成和工作原理放大集成电路的组成和分析滤波集成电路的组成和分析5.3 模拟集成电路的设计与应用模拟集成电路的设计原则和方法模拟集成电路的应用实例5.4 模拟集成电路的测试与维护模拟集成电路的测试方法和指标模拟集成电路的维护和故障排除第六章:数字电子技术基础6.1 课程介绍介绍数字电子技术的基本概念和重要性概述本章内容和学习目标6.2 数字电子技术的基本概念数字信号与模拟信号的区别数字电路与模拟电路的区别6.3 数字电子技术的基本元件逻辑门电路的作用和特性逻辑函数和逻辑门电路的表示方法6.4 数字电路的基本分析方法逻辑函数的化简方法逻辑电路的分析和设计方法第七章:数字电路设计7.1 数字电路设计的基本概念数字电路设计的作用和分类数字电路设计的主要参数和性能指标7.2 数字电路设计的组成和工作原理组合逻辑电路的设计和分析时序逻辑电路的设计和分析7.3 数字电路设计的工具和技术数字电路设计软件的使用硬件描述语言VHDL和Verilog的使用7.4 数字电路设计的应用实例微处理器的设计和应用数字系统的集成和测试第八章:数字电路仿真8.1 数字电路仿真的基本概念数字电路仿真的作用和分类数字电路仿真的主要参数和性能指标8.2 数字电路仿真的原理和工具数字电路仿真原理和方法数字电路仿真软件的使用8.3 数字电路仿真的过程和技巧数字电路仿真的一般步骤数字电路仿真中常见问题和解决方法8.4 数字电路仿真的应用实例数字系统功能验证和性能分析数字电路故障诊断和维修第九章:数字集成电路9.1 数字集成电路的基本概念数字集成电路的作用和分类数字集成电路的主要参数和性能指标9.2 数字集成电路的组成和工作原理数字集成电路的结构和制造工艺数字集成电路的信号传输和噪声分析9.3 数字集成电路的设计和应用数字集成电路的设计原则和方法数字集成电路的应用实例9.4 数字集成电路的测试和维护数字集成电路的测试方法和指标数字集成电路的维护和故障排除第十章:数字信号处理10.1 数字信号处理的基本概念数字信号处理的作用和分类数字信号处理的主要参数和性能指标10.2 数字信号处理的方法和算法数字滤波器的原理和设计方法快速傅里叶变换(FFT)的应用和算法10.3 数字信号处理的应用实例音频信号处理和噪声消除图像信号处理和图像增强10.4 数字信号处理的工具和软件数字信号处理软件的使用数字信号处理器(DSP)的应用和编程重点和难点解析1. 第一章至第五章的模拟电子技术基础部分,涉及了模拟信号与数字信号的区别、模拟电路与数字电路的区别、基本元件的工作原理和应用等。

《模拟电子技术基础教程》——第四章习题解答


解图4.4
丿
2mAJ<^,02mA PNP/=
】、 00 e
4.5测得放大电路中处于放大状态的晶体管直流电位如图(bP)4. 5所示。请判断晶 体管的 类型(NPN或PNP)及三个电极,并分别说明它们是硅管还是错管。
3.7V
4.8V
5.8V 圏 P4.5
-1.7V (d)
解 极间电压约为0.7 V或0. 2V的两个极为基极和发射极,另一个电位最高或最 低的电 极为集电极,且若此集电极电位最高,则为NPN型管,若此集电极电位最低,则为 PNP型管。
0时为临界放大(饱和)状态。分别判断各电路中晶体管的工作状态(放大、饱 和或截止), 并求解各电路中的电流和厶:。
解判断晶体管的工作状态并计算各电极电流这类题的分析方法如下:
(1) 对于NPN型管,若UHEVU。,,则管子截止;对于PNP型管.若UW:>U„„, 管子 截
止。
(2) 若NPN型管的[7BE>I7O„,PNP型管的VLL,,则说明管子处于放大状态或者 饱和状
高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在 ___ 电容。
A.耦合
B.旁路
C.极间
解 (1) B,A,A (2) B,A (3) A,B,C
4.4已知两只晶体管三个极的电流大小和方向如图P4. 4所示,分别判断两个晶体 管的类型( NPN或PNP),并在图中标出每个晶体管的三个电极,分别求出两个晶体管的 电流放大系数的
1
解(1)放大,饱和,截止,放大〈2)直流电源,直流电流.信号源,交流电流,电容, 电感
(或信号源);容量大的电容(如耦合电容、旁路电容),无内阻的直流电压源(3)电 压放大倍
数,输入电阻,频带(4) 20,10',150,0,共基。
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