结晶规律

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结晶原理

结晶原理

结晶原理溶质从溶液中析出的过程,可分为晶核生成(成核)和晶体生长两个阶段,两个阶段的推动力都是溶液的过饱和度(结晶溶液中溶质的浓度超过其饱和溶解度之值)。

晶核的生成有三种形式:即初级均相成核、初级非均相成核及二次成核。

在高过饱和度下,溶液自发地生成晶核的过程,称为初级均相成核;溶液在外来物(如大气中的微尘)的诱导下生成晶核的过程,称为初级非均相成核;而在含有溶质晶体的溶液中的成核过程,称为二次成核。

二次成核也属于非均相成核过程,它是在晶体之间或晶体与其他固体(器壁、搅拌器等)碰撞时所产生的微小晶粒的诱导下发生的。

对结晶操作的要求是制取纯净而又有一定粒度分布的晶体。

晶体产品的粒度及其分布,主要取决于晶核生成速率(单位时间内单位体积溶液中产生的晶核数)、晶体生长速率(单位时间内晶体某线性尺寸的增加量)及晶体在结晶器中的平均停留时间。

溶液的过饱和度,与晶核生成速率和晶体生长速率都有关系,因而对结晶产品的粒度及其分布有重要影响。

在低过饱和度的溶液中,晶体生长速率与晶核生成速率之比值较大(见图),因而所得晶体较大,晶形也较完整,但结晶速率很慢。

在工业结晶器内,过饱和度通常控制在介稳区内,此时结晶器具有较高的生产能力,又可得到一定大小的晶体产品。

晶导流筒结晶设备体在一定条件下所形成的特定晶形,称为晶习。

向溶液添加或自溶液中除去某种物质(称为晶习改变剂)可以改变晶习,使所得晶体具有另一种形状。

这对工业结晶有一定的意义。

晶习改变剂通常是一些表面活性物质以及金属或非金属离子。

晶体在溶液中形成的过程称为结晶。

结晶的方法一般有2种:一种是蒸发溶剂法,它适用于温度对溶解度影响不大的物质。

沿海地区“晒盐”就是利用的这种方法。

另一种是冷却热饱和溶液法[2]。

此法适用于温度升高,溶解度也增加的物质。

如北方地区的盐湖,夏天温度高,湖面上无晶体出现;每到冬季,气温降低,石碱(Na2CO3·10H2O)、芒硝(Na2SO4·10H2O)等物质就从盐湖里析出来。

晶体的理想形态和结晶

晶体的理想形态和结晶

a = b = g = 90
a=b≠c a = b = 90 g = 120
三方晶系 及六方晶系
斜方晶系
单斜晶系
以互相垂直的L2或P的法线为X、Y、 Z轴
以L2或P的法线为Y轴,以垂直于Y轴 的主要晶棱方向为X、Z轴 以三个主要的晶棱方向为X、Y、Z轴
a≠b≠c
a = b = g = 90
a≠b≠c a = g = 90b > 90 a≠b≠c abg
单位晶面(在三个晶轴上所截得得截距比等于 该晶体的轴率的晶面。 )的选择必须符合晶 体的对称特点。
从上例可以看出, ①晶面在晶轴上的截距系属愈大,则在晶 面符号中与该轴相应的米氏符号指数则越 小; ②如果晶面平行于晶轴,则其米氏指数为0。 ③晶面与某一晶轴的负端相交时,即在某 晶轴的米氏指数上方加一“-” ④也就是说,单位面在三个晶轴上所截得 得截距比等于该晶体的轴率。
三斜晶系
各晶系的晶体几何常数特点
二、整数定律(有理指数定律或阿羽毛依定律, R.J. Hauy,1784) 如果以平行于三根不共面晶棱的直线作为坐标轴, 则晶体上任意二晶面在三个坐标轴上所截截距的比 值之比为一简单整数比。
晶体的整数定律是晶体定向理论基础和确定结 晶符号的依据。 晶体的整数定律是由晶体的格子构造决定的。
z
unknown face (A2B2C2) 2 reference face (A1B1C1) 1
C1
2 4 4 2
2 3 3 2
invert
C2
1 2
clear of fractions
A1
(1
4
3)
O
B2 B1
A2
x
y
bo

简述纯金属结晶过程的结晶过程及形核

简述纯金属结晶过程的结晶过程及形核

简述纯金属结晶过程的结晶过程及形核
纯金属的结晶过程:
1.熔融:首先,将金属材料以高温进行熔融,使它变成一种流体状态,以便更
好地发挥凝固时形成结晶体的能力。

2.凝固:凝固过程是将高温熔融液金属冷却而形成晶体的过程。

当熔融液不断
冷却时,它会变得更加粘稠,这样分子之间的相互作用才会明显增强,从而使它们朝向结晶的方向发展。

3.形核:经过凝固过程后,原子之间的作用形成结晶的起始点,即所谓的形核。

最初的形核通常很小,晶体以它为中心,不断得到更多的金属原子,最终在将结晶物构建完成后,结晶体宣告形成。

4.排列:当金属原子结晶后,它们会按照一定的规律排列。

当结晶受到冷却作
用后,原子按照固定的结构进行排列,可以形成完美的三维晶体。

5.结晶体:结晶体形成时,会形成均匀的金属晶体,经不断凝固,结晶体会提
高它的稳定性,使晶体拥有良好的力学性能。

以上就是纯金属结晶过程及其形核的详细描述,因为结晶过程是金属成型的必经步骤,所以对金属成型性能有着至关重要的影响。

只有掌握正确的结晶过程和形核,才能让金属材料达到最佳的性能。

凝固理论

凝固理论

晶体凝固的基本条件
(2)热力学条件
△Gv=-Lm△T/Tm a △T>0, △Gv<0-过冷是结晶的必要
条件(之一)。
b △T越大, △Gv越小-过冷度越大, 越有利于结晶。 c △Gv的绝对值为凝固过程的驱动力。
晶体凝固的基本条件
2 结构条件 ( 1 )液态结构模型: 微晶无
序模型(准晶体模型)
长大
结晶规律:结晶过程是晶核不断形成和长大的过程 晶粒立体长大
两个过程重叠交织
形核
长大
形成多晶体
晶体凝固的基本规律
(2)描述结晶进程的两个参数 形核率:单位时间、单位体积液体中形成的晶核数量。 用N表示。 长大速度:晶核生长过程中,液固界面在垂直界面方向上 单位时间内迁移的距离。用G表示。
晶体凝固的基本条件
凝固理论的应用
二、 单晶体制备 1、意义:单晶是电子元件和激光元件的重要原料。金属单晶也 开始应用于某些特殊场合如喷气发动机叶片等。 2、基本原理:根据结晶理论,制备单晶的基本要求是液体结晶时 只存在一个晶核,要严格防止另外形核。 3、制备方法:尖端形核法和垂直提拉法。
1、垂直提拉法
2、尖端形核下移法

• • •
急冷凝固技术 —模冷技术、雾化技术
模冷技术
是将溶体分离成连续和不连续的,截面尺寸很小的 熔体流,使其与散热条件良好的冷模接触而得到迅速凝固, 得到很薄的丝或带。如平面流铸造法,熔体拖拉法。
雾化技术
是把熔体在离心力、机械力或高速流体冲击力作用下, 分散成尺寸极小的雾壮熔滴,并使熔滴在与流体或冷模接触 中凝固 ,得到急冷凝固的粉末。常用的有离心雾化法、双 辊雾化法。
晶核的长大
晶核的长大
晶核的长大

结晶过程机理分析

结晶过程机理分析

结晶过程机理分析前言结晶是指溶液中溶质在一定条件下形成晶体,是无机化学、有机化学、生物化学等领域的重要研究内容。

结晶过程是一个复杂的物理化学过程,其机理包括化学动力学和热力学两个方面,涉及到物相平衡、动力学与热学参数对结晶过程的影响以及结晶操作控制等多个方面。

近年来,随着新型材料的发展和结晶技术的不断提高,结晶过程机理的研究也越来越受到关注。

本文将从化学动力学和热力学两个方面介绍结晶过程的机理,并探讨对结晶操作的控制。

一、化学动力学机理的分析1.1 组分浓度的影响溶液中各组分浓度的变化对结晶过程有很大影响。

当溶液的浓度过高时,难以形成晶体,而当浓度过低时,则不存在结晶的条件。

在液态中,存在大量的分子活动,一旦溶质分子聚集到一定的浓度后,就可以形成“团簇”,这种团簇的形成是结晶的前提和基础。

当其团簇达到一定大小后,就可以继续生长,形成晶体。

因此,在控制结晶过程时,给定合适的浓度条件,是非常重要的。

1.2 搅拌速度的影响搅拌速度是影响结晶过程化学动力学机理的一个重要参数。

搅拌可以促进溶质分子间的相互作用,增加团簇形成的概率和速率。

具体来说,搅拌能够提高溶液的热传导效率,加速平衡状态的达成,保证团簇相互作用的充分和均匀。

需要注意的是,过强的搅拌速度反而会使得团簇破碎,影响晶体的生长。

因此,在实际操作中应避免搅拌过强。

1.3 温度的影响溶液温度的变化对结晶过程的约束作用和晶体生长速率都具有影响。

温度的升高会导致结晶物质的溶解度增大,从而影响到团簇的性质和数量,使得结晶过程加快。

同时,温度的增大也会增加团簇生长的能量,促进晶体生长和结晶动力学过程。

因此,在结晶操作中,应严格控制温度变化。

二、热力学机理的分析2.1 相转变相转变是热力学机理的重要内容,是指物质由一种稳定的相态转变为另一种稳定的相态的过程。

例如,固体的溶解和再结晶过程就是一种典型的相转变。

相转变通过热力学的研究来解释和控制结晶过程中的各种现象。

结晶器的原理

结晶器的原理

结晶器的原理结晶器是一种常见的实验设备,用于从溶液中分离出晶体。

它的原理基于溶解度和结晶过程的物理化学规律。

在结晶器中,溶液中的溶质随着溶剂的挥发逐渐饱和,导致溶质逐渐凝结成晶体,从而实现了分离的目的。

首先,溶液中的溶质在溶剂中的溶解度是一个关键因素。

溶解度取决于溶质和溶剂的性质,温度和压力等因素。

当溶质在溶剂中的溶解度达到饱和状态时,就会出现过饱和现象,这时溶质会开始凝结成晶体。

其次,结晶器中的温度控制也是至关重要的。

通常情况下,通过控制结晶器的温度,使溶剂逐渐挥发,从而导致溶质逐渐饱和并凝结成晶体。

温度的控制可以影响结晶速率和晶体的质量,因此在实验过程中需要精确控制温度。

此外,结晶器的设计也对结晶过程有着重要影响。

结晶器通常采用圆底烧瓶或结晶皿等容器,通过表面积和形状的设计来影响溶剂的挥发速率和晶体的形成。

合适的结晶器设计可以提高结晶效率和晶体的纯度。

总的来说,结晶器的原理是通过控制溶质在溶剂中的溶解度和温度,以及结晶器的设计,实现溶质从溶液中凝结成晶体的过程。

这一原理在化学、生物、药物等领域都有着广泛的应用,是一种重要的分离和纯化技术。

结晶器的原理虽然看似简单,但在实际操作中需要注意许多细节。

例如,在控制温度时需要避免温度波动,以免影响结晶过程;在结晶器的设计中需要考虑溶剂的挥发速率和晶体的收集等因素。

只有充分理解结晶器的原理,并在实验操作中严格控制各项条件,才能获得理想的结晶效果。

总之,结晶器作为一种重要的分离和纯化技术,其原理基于溶解度和结晶过程的物理化学规律。

通过控制溶质在溶剂中的溶解度和温度,以及结晶器的设计,可以实现溶质从溶液中凝结成晶体的目的。

在实际操作中,需要注意各项条件的控制,以获得理想的结晶效果。

熔融结晶原理

熔融结晶原理

熔融结晶原理
熔融结晶原理是指在高温下将物质加热至熔点以上,使其成为液态状态,然后通过降温使其回到固态,形成晶体的过程。

在这个过程中,
物质分子不断聚合,形成了高有序性的结构,从而得到了具有独特性
质的晶体。

下面分步骤介绍熔融结晶原理:
第一步,将物质加热至熔点以上。

当温度达到物质的熔点时,固体开
始逐渐融化成液体,原子或离子的热运动剧烈增强,原子或离子的距
离变大,结构疏松,物质的热容和热膨胀也随之增大。

第二步,使物质形成高有序性的结构。

将物质在高温下充分混合均匀,然后通过缓慢降温的方式让物质从液态缓慢冷却至固态,此时物质的
分子开始有序排列,并在空间中形成有规律的晶体结构,这些排列之
间的间距或间隔越来越小,分子不断聚合生成结晶块。

第三步,得到具有独特性质的晶体。

不同物质的分子结构各不相同,
因此,具有不同的晶体结构。

通过熔融结晶原理,可以得到具有独特
性质的晶体,比如,纯净度高,晶体形状规则,密度均匀等。

这些性
质对于材料的工业生产很有帮助。

总之,熔融结晶原理是一种普遍的物质变化规律,广泛应用于各种材
料的制备、纯化、研究等方面。

随着现代科技的发展和研究的深入,
熔融结晶原理的应用领域还将不断扩大和深化。

第二章 纯金属的结晶

第二章 纯金属的结晶

均匀形核时的能量变化
第二章 纯金属的结晶 2.4 晶核的形成 假设过冷液体中出现一个半径为 r 的球形晶胚,它所引起的自由能变 化为: 4 3 G r GV 4r 2 3 在开始时,表面能项占优势,当r增加 到某一临界尺寸后,体积自由能的减 少将占优势。于是在ΔG与r的关系曲 线上有一个极大值ΔGK,与之对应的r 值为rK。 对上式进行处理,得到临界晶核半径 rK为:
第二章 纯金属的结晶 2.4 晶核的形成
临界晶核半径rK为:
2Tm 2 rK GV HT
晶核的临界半径rK与过冷度ΔT成反比,过冷度 越大,则临界半径rK越小。另外已经知道,相 起伏的最大尺寸rmax与温度有关,温度越低, 过冷度越大,相起伏的最大尺寸rmax越大。 rmax = rK 所对应的过冷度ΔT K称为临界过冷度。
第二章 纯金属的结晶 2.4 晶核的形成
在过冷液体中形成固态晶核时,若液相中各个区域出 现新相晶核的几率都是相同的,这种形核方式为均匀形核, 又称为均质形核或自发形核;
若新相优先出现在液相中某些区域,则称为非均匀形 核,又称为异质形核或非自发形核。 均匀形核是指液态金属绝对纯净,无任何杂质,也不 和型壁接触,只是依靠液态金属的能量变化,由晶胚直接 形核的理想情况。实际的液态中,总是或多或少地含有某 些杂质,晶胚常常依附于这些固态杂质质点(包括型壁) 上形核,所以,实际金属的结晶主要是按非均匀形核方式 进行。
液体
晶体
液体中的相起伏
第二章 纯金属的结晶 2.3 金属结晶的结构条件 在液态金属中,每一瞬间都涌 现出大量的尺寸不等的近程有序 原子集团。
相起伏的最大尺寸rmax与温度 有关,温度越高,尺寸越小;温 度越低,尺寸越大,越容易达到 临界晶核尺寸。 根据结晶的热力学条件,只 有在过冷液体中出现的尺寸较大 的相起伏才能在结晶时转变为晶 核,称为晶胚。 最大相起伏尺寸与 过冷度的关系
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溶质从溶液中结晶出来,要经历两个步骤:首先要产生微观的晶粒作为结晶的核心,这些核心称为晶核,然后晶核长大,成为宏观的晶体。

无论是要使晶核能够产生或是要使晶核能够长大,都必须有一个推动力,这个推动力是一种浓度差,称为溶液的过饱和度。

产生晶核的过程称为成核(或晶核形成),晶核长大的过程称为晶体生长。

由于过饱和度的大小直接影响着晶核形成过程和晶体生长过程的快慢,而这两个过程的快慢又影响着结晶产品中晶体的粒度及粒度分布,因此过饱和度是考虑结晶问题时一个极其重要的因素。

溶液在结晶器中结晶出来的晶体与余留下来的溶液构成的混合物,称为晶浆,通常需要用搅拌器或其他方法把晶浆中的晶体悬浮在液相中,以促进结晶过程,因此晶浆亦称悬浮体。

晶浆去除了悬浮于其中的晶体后所余留的溶液称为母液。

结晶过程的重要特性是产品纯度高,晶体是化学均一的固体,当结晶时,溶液中溶质或因其溶解度与杂质的溶解度有所不同而得以分离,或两者的溶解度虽相差不大,但晶格不同,彼此“格格不入”,也就互相分离了。

所以原始溶液虽含杂质,结晶出来的固体则非常纯洁,其原因就在这里。

这也说明,何以结晶过程是生产纯净固体的最有效的方法之一。

在结晶过程中,饱含杂质的母液是影响产品纯度的一个重要因素。

粘附在晶体上的这种母液若未除尽,则最后的产品必然沾有杂质,降低纯度。

一般是把结晶所得固体物质在离心机或过滤机中加以处理,并用适当的溶剂洗涤,以尽量除去粘附母液所带来的杂质。

遇有若干颗晶体聚结成为“晶簇”时,容易把母液包藏在内,而使以后的洗涤发生困难,也会降低产品的纯度。

但若在结晶时进行适度的搅拌,可以减少晶簇形成的机会。

母液粘附在晶粒上或包在晶簇中的现象,通常称为包藏。

大而粒度一致的晶体比起小而粒度参差不齐的晶体来,它们所挟带的母液较少而且洗涤比较容易。

但细小晶体聚结成簇的机会较少。

由此可见,在结晶过程中,产品粒度及粒度分布对产品纯度也有很大影响。

溶液中所含杂质还能影响晶体的外形,晶体的外形叫做晶习,不同的结晶条件也可使所产生的同一物质的晶体在晶习、粒度、颜色、所含结晶水的多少等方面有所不同。

例如,氯化钠从纯水溶液中结晶时,为立方晶体,但若水溶液中含有少量尿素,则氯化钠形成八面体的晶体。

又如,在不同的温度下结晶时,碘化汞可以是黄色或是红色的,铬酸铅的颜色也各不相同。

此外,物质结晶时若有水合作用,则所得晶体中含有一定数量的溶剂(水)分子,这种水分子叫做结晶水。

结晶水的含量多少不仅影响着晶体形状,而且也影响着晶体的性质。

例如,无水硫酸铜( CuSO4 )在240 ℃以上结晶时,是白色的属于斜方晶系的三棱形针状晶体,但在寻常温度下,结晶出来的却是蓝色大颗粒的硫酸铜水合物,属于三斜晶系并含有五个结晶水(CuSO4.5H2O)。

结晶过程中成核现象占有举足轻重的位置。

成核现象可以清楚地分为三种形式:初级均相成核、初级非均相成核及二次成核。

溶液在不含外来物体的情况下自发地产生晶核的过程叫做自发成核或初级均相成核,在外来物体(例如来自大气的徽尘)诱导下的成核过程,称为初级非均相成核,二者统称为初级成核,以区别于二次成核。

在溶液中含有被结晶物质的晶体的条件下出现的成核现象,不论机理如何,统称之为二次成核。

二次成核的主要机理是接触成核,即晶核是晶体与其他固体碰撞时所产生的晶体表层的碎粒。

在工业结晶器中的成核现象大都属于接触成核,特别是晶体与搅拌螺旋桨或叶轮之间的碰撞而产生的晶核占有较大的份量。

工业结晶过程中常常遇到的困难在于晶核的生成速率过高,从而使晶体产品的粒度及粒度分布不合格。

降低晶核生成速率及消除已经产生的过量晶核,这是在结晶器的结构设计时,需要考虑的问题。

三常用的结晶方法
在溶液中建立一个适当的过饱和度,并加以控制,是结晶过程中的首要问题。

结晶方法的分类可以溶液中产生过饱和度的方法为依据。

1冷却结晶法
冷却法的结晶过程基本上不去除溶剂,而是使溶液冷却降温,成为过饱和溶液。

此法适用于溶解度随温度的降低而显著下降的物系,即图3中溶解度特性以曲线Ⅳ为代表的那些物系,例如KNO3、NaNO3、MgSO4等,它们具有较大的dC * / dθ值。

冷却的方法又可分为自然冷却、间壁冷却及直接接触冷却。

自然冷却是使溶液在大气中冷却而结晶,其设备构造及操作均较简单,但冷却徐缓,因而生产能力低,且难于控制产品质量,在较大规模的生产中已不被采用。

间壁冷却是应用广泛的工业结晶方法,在几种结晶方法中冷却法结晶消耗能量较少,但冷却传热面的传热系数较低,所允许采用的温差又小,故一般多用在产量较小的场合,或生产规模虽较大但其它结晶方法不合算的场合。

间壁冷却法的主要困难在于冷却表面上常会有晶体结出,称为晶疤或晶垢,使冷却效果下降,而从冷却面上清除晶疤往往消耗较多的工时。

直接接触冷却法包括久已采用的以空气为冷却剂与溶液直接接触冷却的方法,还有采用与溶液不互溶的碳氢化合物为冷却剂使溶液与之直接接触而冷却的方法,以及近年来受到重视的采用专用的液态冷冻剂如乙烯、氟里昂等,使溶液与之直接接触而冷却,在冷却过程中冷冻剂则气化的方法。

直接接触冷却法有效地克服了间壁冷却的缺点,但是采用这种操作时,冷却介质必须对结晶产品不污染,不能与结晶溶液中的溶剂互溶(或者虽不互溶但难于分离)。

2 蒸发结晶法
蒸发法是去除一部分溶剂的结晶法,它使溶液在加压,常压或减压下加热蒸发而浓缩以达到过饱和。

此法主要适用于溶解度随温度的降低而变化不大的物系或具有逆溶解度的物系,如图4中曲线Ⅰ、Ⅱ所代表的dC * / dθ值很小或为负值的那些物系,例如NaCl及无水硫酸钠等。

蒸发法结晶消耗的热能最多,加热面的结垢问题也会使操作遇到困难,故除了对这两类物系外,一般不常采用。

为了节省热能,常由多个蒸发结晶器组成多效蒸发,使操作压力逐效降低,以便重复利用热能。

3真空冷却结晶法
真空冷却法是使溶剂在真空下闪急蒸发而绝热冷却,实质上是以冷却及去除一部分溶剂的浓
缩两种效应来产生过饱和度。

此法适用于dC * / dθ值中等的物系,如曲线Ⅲ所代表,例如KCl、MgBr2等。

这是五十年代以来更多采用的结晶方法,这种方法所用的主体设备较简单,操作稳定。

最突出之处是器内无换热面,因而不存在晶垢妨碍传热而需经常清理的问题,且设备的防腐蚀问题也比较容易解决。

操作人员的劳动条件好,劳动生产率高,为大规模生产中首先考虑采用的结晶方法。

真空冷却法的操作压力一般可低至30mmHg 绝对压,也有低至3mmHg 绝对压的。

真空的产生常采用多级蒸汽喷射泵及热力压缩机,其能量消耗远远高于不用真空的冷却法。

在大型生产中常由多个真空冷却结晶器组成多级结晶器,使操作真空度逐级提高,以节约前级的喷射泵的能量消耗。

近几年来遍及世界的能源危机使这种结晶方法的优势地位也受到威胁,人们在寻觅降低它的能量消耗的措施,或考虑用直接接触冷却法取代它的可能性。

上述三种主要的结晶方法的适用范围的划分并非绝对的,例如对dC * / dθ值中等的物系也可采用冷却法,相反的,对dC * / dθ值较高的物系也可以采用真空冷却法。

4 盐析结晶法
另一种产生过饱和度的方法是向物系加入某些物质,来降低溶质在溶剂中的溶解度,这在工业中也是常见的方法。

所加入的物质可以是固体,也可以是液体或气体,这种物质往往叫做稀释剂或沉淀剂。

对所加物质的要求为:能溶解于原溶液中的溶剂,但不溶解被结晶的溶质,而且在有必要时溶剂与稀释剂的混合物易于分离(例如用蒸馏法)。

这种结晶法之所以叫做盐析法,是因为NaCl是一个最常用的沉淀剂,例如在联合制碱法中,向低温的饱和氯化铵母液加入NaCl,利用共同离子效应,使母液中的氯化铵尽可能多地结晶出来,以提高其收率。

又如,向某些有机化合物的水溶液加盐使之结晶出来,更是人们熟知的方法。

液体稀释剂也是常用的物质,例如在不纯的混合水溶液中加入适当溶剂(如甲醇、乙醇、异丙醇、丙酮)以制取纯的无机盐等,此法也常用在使不溶于水的有机物质从可溶于水的有机溶剂中结晶出来,此时加入溶液中的是酌量的水,因此也可以叫做“水析”结晶法。

还可使用气体,例如气态氨溶入无机盐水溶液以后可改变这些盐的溶解度,使溶液过饱和而便于无机盐结晶出来。

盐析法是这类方法的统称。

盐析法的优点有:(1)可与冷却法结合,提高溶质从母液中的回收率;(2)结晶过程可把温度保持在较低的水平,这对不耐热物质的结晶有利;(3)在有些情况下,杂质在溶剂与稀释剂的混合物中有较高的溶解度,而保留在母液中,从而简化了晶体的提纯。

此法最大的缺点是常需回收设备以处理母液,分离溶剂和稀释剂。

5反应结晶法
气体与液体或液体与液体之间进行化学反应以产生固体沉淀,这在化工生产中是很常见的情况,例如人造珠光粉碱式碳酸铅,化学式PbCO3·Pb(OH) 2的生产:它由碱式醋酸铅的水溶液中通入二氧化碳而制得。

这显然是反应产物碱式碳酸铅在液相中的浓度超过饱和浓度的结果。

小心控制二氧化碳流量,可获得符合粒度分布均匀的珠光粉。

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