第二章晶体生长的基本规律

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结晶矿物学 02-晶体生长

结晶矿物学 02-晶体生长

第二章 晶体生长理论
2-3 晶体生长模型 2. 螺旋生长理论模型 (screw growth)
Frank 等人(1949,1951)的实验证实:气相结晶时,1%的过饱和度即 可。另外,发现实际晶体总是存在台阶位错。
第二章 晶体生长理论
2-4 晶面的发育
1. 布拉维法则
晶体上的实际晶面平行于面网密度大的面网,这就是 布拉维法则 (law of Bravais)。
第二章 晶体生长理论
1.层生长理论模型 (layer growth)
层生长理论示意图
第二章 晶体生长理论
1.层生长理论模型 (layer growth)
证据:
(a)晶体表面的几何形态 (b)环带结构(zoning) (c)砂钟构造 (d)面角恒等 (e)晶面阶梯状生长纹
第二章 晶体生长理论
第二章 晶体生长理论
2-5 影响晶体生长的外部因素
2. 温度
温度的变化直接导致过饱和度或过冷却度的变化,从而 改变了晶面的比表面自由能及不同晶面间的相对生长速 度,所以会形成不同的晶体形态。
第二章 晶体生长理论
2-5 影响晶体生长的外部因素
第二章 晶体生长理论
3. 杂质
溶液中杂质的存在,可以改 变晶体不同面网的表面能, 所以其相对生长速度也会 随只变化而影响晶体的形 态。
4. 粘度
粘度的加大,会防碍涡流的 产生,溶质的供给只能一 扩散的方式来进行,造成 物质供给不足。产生骸晶。
5.结晶速度
结晶速度大,则结晶中心增多,晶体长的细小,且往往 长成针状、树枝状。反之,结晶速度小,晶体长得粗大。
第二章 晶体生长理论
第二章 晶体生长理论
2-3 晶体生长模型

结晶学与矿物学 第二章 晶体生长模型

结晶学与矿物学 第二章 晶体生长模型
2-13
第五节 晶簇与几何淘汰率


生长速度最大方向与基底平面垂 直的晶体继续生长



Ⅱ Ⅰ Ⅰ
2-14


第六节
歪晶和面角守恒定律
1. 歪晶 distorted crystal
r
z
m
m
r
z
m
r
r
m z
m
石英的理想晶体
歪晶
2-15
2.面角恒等定理
law of constancy of angle
b
c
d
e
f
螺旋生长模型
2-8
第三节 晶面发育的二个理论 布拉维法则和周期键链理论

何种面网发育成晶面?

1.布拉维法则
--法国结晶学家A.bravis 提出:实际晶体的面网常 常是由晶体格子构造中面网密度大的面网发育成的。
2-9
晶面生长速度与面网密度关系
3 A a 1 B
面网密度小
A
C
B
2
生长速度
如火山喷气,雪花等
2. 液相---固相
熔体中结晶,如岩浆岩,金属晶体 溶液中结晶,如温度降低,水分蒸发,化学反应
2-2
第一节

晶体生长的途径
3 固相----晶体
非晶体—晶体 晶体—晶体:同质多相、固溶体分离、再结晶
2-3

第二节
晶体的层生长和螺旋生长
晶体生长的二个重要理论,晶体生长模型
1.层生长理论 layer growth --W.Kossel—I.N.Stranski二维成核理论 质点优先进入顺序: (1)1 > 2 > 3
3

晶体生长原理

晶体生长原理

晶体生长原理晶体是由原子、离子或分子排列成有序的三维结构,具有特定的形状和大小。

晶体结构的形成是一个复杂的过程,需要满足一定的条件和原则。

晶体生长原理是研究晶体形成过程的基本原理和规律。

晶体生长的基本原理是在液态或气态中,原子、离子或分子以一定的方式排列形成有序的晶体结构。

晶体生长的过程可以分为三个阶段:核心形成、生长与成长。

在核心形成阶段,原子、离子或分子聚集形成一个小晶核,其大小和形状取决于物质的浓度、温度和晶体的种类等因素。

在生长阶段,晶体的生长速度与溶液中的物质浓度、温度、压力、扰动等因素有关。

在成长阶段,晶体形态和大小基本稳定,晶体内部结构和晶面的形态也基本固定。

晶体生长的原则包括热力学原则、动力学原则和几何原则。

热力学原则是指晶体生长遵循平衡态热力学规律,物质从高浓度区域向低浓度区域扩散,同时热力学稳定性越高的结构越容易形成。

动力学原则是指晶体生长遵循非平衡态动力学规律,物质的扩散速率受到流体动力学、传质、传热等因素的影响。

几何原则是指晶体生长遵循几何学原则,晶体的形态受晶面对称性和界面能等因素的影响,晶体的生长方向和晶面的生长速度也受到相应的限制。

晶体生长的条件包括物质的浓度、温度、压力、流体动力学等因素。

物质的浓度是晶体生长的基本条件之一,过高或过低的浓度都会影响晶体的生长。

温度也是影响晶体生长的重要因素,温度过高或过低都会影响晶体生长。

压力是晶体生长的另一个重要因素,高压下晶体生长速度更快,而低压下晶体生长速度较慢。

流体动力学是晶体生长过程中的另一个重要因素,流体动力学的扰动可以影响晶体生长的方向和速度。

晶体生长的研究对于材料科学、化学、生物学等领域具有重要意义。

通过对晶体生长的深入研究,可以探索材料的性质和结构,研究生命体系的基本规律,提高生产效率,开发新的材料和技术。

晶体生长原理

晶体生长原理

晶体生长原理晶体生长是指晶体在适当条件下从溶液或气相中吸收物质并逐渐增大的过程。

晶体生长是固体物理学和化学中的一个重要研究领域,对于材料科学、地质学、生物学等领域都具有重要意义。

晶体生长的原理涉及到热力学、动力学、表面化学等多个方面的知识,在实际应用中也有着广泛的应用价值。

晶体生长的原理可以归纳为以下几个方面:1. 原子或分子的扩散。

晶体生长的第一步是溶液或气相中的原子或分子通过扩散运动到达晶体表面。

这一过程受到温度、浓度梯度、表面形貌等多种因素的影响。

原子或分子在溶液或气相中的扩散速率决定了晶体生长的速度和形貌。

2. 晶体表面的吸附和解吸。

当原子或分子到达晶体表面时,它们会发生吸附和解吸的过程。

吸附是指原子或分子附着在晶体表面,解吸则是指原子或分子从晶体表面脱离。

吸附和解吸的平衡状态决定了晶体表面的活性,进而影响晶体生长的速率和形貌。

3. 晶体生长的动力学过程。

晶体生长的动力学过程包括原子或分子在晶体表面的扩散、吸附、解吸等过程,以及晶体内部的结构调整和排列。

这一过程受到温度、浓度、界面能等因素的影响,对晶体生长的速率和形貌起着决定性作用。

4. 晶体生长的形貌控制。

晶体生长的形貌受到晶体生长条件和晶体本身特性的影响。

在实际应用中,通过调控溶液或气相中的成分、温度、pH值等条件,可以实现对晶体生长形貌的控制,获得特定形状和尺寸的晶体。

总的来说,晶体生长是一个复杂的过程,受到多种因素的影响。

在实际应用中,通过深入研究晶体生长的原理,可以实现对晶体生长过程的控制,获得具有特定形貌和性能的晶体材料,为材料科学和其他领域的发展提供重要支持。

同时,对晶体生长原理的深入理解也有助于揭示自然界中晶体的形成和演化规律,对地质学、生物学等领域的研究具有重要意义。

晶体生长原理

晶体生长原理

晶体生长原理晶体是一种具有高度有序结构的固体材料,其内部的原子、分子或离子排列呈现出一定的规律性。

晶体的生长过程是一个复杂而又精密的物理化学过程,其原理涉及到热力学、动力学、界面化学等多个领域。

本文将就晶体生长的基本原理进行探讨,以期加深对晶体生长过程的理解。

晶体生长的基本原理可以概括为以下几个方面:1. 原子或分子的聚集。

晶体生长的第一步是原子或分子的聚集。

在适当的条件下,如过饱和度、温度、溶液中的物质浓度等方面的变化,会导致原子或分子在某一特定位置聚集成固态结构的种子,从而形成晶核。

2. 晶核的生长。

晶核的形成标志着晶体生长的开始。

晶核的生长是一个动力学过程,其速度取决于溶液中物质的浓度、温度、溶液的流动情况等因素。

在晶核生长过程中,原子或分子会不断地从溶液中聚集到晶核表面,形成新的晶格,使得晶核逐渐增大。

3. 晶体的形态。

晶体的形态受到晶体生长条件的影响。

在不同的生长条件下,晶体会呈现出不同的形态。

例如,在溶液中生长的晶体往往呈现出多面体形态,而在气相中生长的晶体则更倾向于呈现出柱状或板状的形态。

晶体的形态与其生长过程中的动力学条件密切相关。

4. 晶体生长的动力学。

晶体生长的动力学过程涉及到原子或分子在晶体表面的吸附、扩散和结合等过程。

这些过程受到温度、浓度梯度、溶液流动等因素的影响。

在晶体生长的过程中,这些动力学过程相互作用,共同决定了晶体的生长速率和形态。

5. 晶体生长的热力学。

晶体生长的热力学过程主要涉及到溶液中物质的浓度、温度等因素对晶体生长的影响。

热力学条件的变化会导致晶体生长速率的变化,从而影响晶体的形态和尺寸。

总之,晶体生长是一个受到多种因素影响的复杂过程,其原理涉及到热力学、动力学、界面化学等多个领域。

对晶体生长原理的深入理解有助于我们更好地控制晶体的生长过程,从而制备出具有特定形态和性能的晶体材料,为材料科学和工程技术的发展提供有力支持。

晶体生长的基本原理与规律

晶体生长的基本原理与规律

晶体生长的基本原理与规律晶体生长是一种自组装的过程,是物质形态的重要方面。

晶体生长涉及到多种物理过程和化学因素,其基本原理与规律关系到物质科学的许多方面。

晶体是原子、分子或离子的有序排列,构成了空间中确定的结构。

晶体生长是原子、分子或离子从溶液、气相或熔体中组装成确定结构的过程。

晶体生长过程中的物理、化学特性也决定了晶体的形成及晶体的结构特征。

1. 晶体生长的基本原理晶体生长的基本原理与物质的组成、物态、温度、压力、溶液浓度等有关系。

晶体生长的过程中,原子、分子或离子从半无序的状态演化到了高度有序的状态,具有以下几个方面的基本原理:1. 相变物质的相变包括固化、融化、凝固、冷凝等过程,在相变过程中,原子、分子或离子的能量、热力学状态也在变化。

2. 核形成晶体的核形成是晶体生长的最初阶段。

在合适条件下,原子、分子或离子在溶液中或气相中形成临界尺寸的核,然后继续向外生长直到形成晶体。

晶体的核形成涉及到物理因素、化学物质、温度、压力等因素的影响。

3. 晶体生长晶体的生长过程是晶体从核心开始向外扩展,进而变成完整晶体的过程。

晶体生长过程中,原子、分子或离子按照规律排列,逐渐形成完整的晶体。

2. 晶体生长的规律物质状态、热力学、流体力学等多种因素影响晶体生长的规律,晶体生长的规律可以从以下几个方面来说明:1. 晶体的结构决定生长方向晶体结构的不同影响碰撞方向和原子、分子或离子的排布。

晶体结构对生长方向也有重要的影响,不同性质的物质晶体生长方向并不相同。

2. 生长速率与晶体结构有关不同晶体结构形成生长速率也不相同,各自有自己的生长速率规律。

晶面生长速率决定了晶面形貌的缺陷和微观结构的特殊性质。

晶体生长速率的控制是制备高质量晶体的基本问题。

3. 溶液浓度和温度的影响晶体生长在特定温度下发生,温度改变会使溶液饱和度变化,从而影响晶体生长速度和晶体结构的形态。

溶液浓度也是影响晶体生长的重要因素,浓度越高,晶体的生长速率越快。

晶体的生长机理讲解

晶体的生长机理讲解

1.层生长理论模型(科赛尔-斯兰特斯基理论加以发展的晶体的 层生长理论 这一模型要讨论 的关键问题是:在一个正在 生长的晶面上寻找出最佳生 长位置,有平坦面、两面凹 角位、三面凹角位。其中平 坦面只有一个方向成键,两 面凹角有两个方向成键,三 面凹角有三个方向成键,见 图:
综合控制机理
晶体生长事实上是极为复杂的过程 , 特别是自溶液中的生长 ,一般情况下 ,控 制晶体生长的机理都不止一种 ,而是由单 核层机理、 多核层机理和扩散控制生长 机理的综合作用 ,控制着晶体的生长。
四、晶体的生长模型
晶体生长的三个阶段:首先是介质达到 过饱和、过冷却阶段;其次是成核阶段,即 晶核形成阶段;最后是晶体的生长阶段。 一旦晶核形成后,就形成了晶-液界面, 在界面上就要进行生长,即组成晶体的原子、 离子要按照晶体结构的排列方式堆积起来形 成晶体。


二、晶体生长的基本过程

从宏观角度看 ,晶体生长过程是晶体 — 环境相(蒸 气、 溶液、 熔体)界面向环境相中不断推移的过程 , 也就是由包含组成晶体单元的母相从低秩序相向高 度有序晶相的转变。 从微观角度来看 ,晶体生长过程可以看作一个 “基 元” 过程 ,所谓 “基元” 是指结晶过程中最基本 的结构单元 ,从广义上说 , 可以是原子、 分子 ,也 可以是具有一定几何构型的原子(分子)聚集体。

因此,最佳生长位置是三面凹角位,其次是两面凹角
位,最不容易生长的位置是平坦面。
这样,最理想的晶体生长方式就是:先在三面凹角上生长 成一行,以至于三面凹角消失,再在两面凹角处生长一个质 点,以形成三面凹角,再生长一行,重复下去。但是,实际 晶体生长不可能达到这么理想的情况,也可能一层还没有完 全长满,另一层又开始生长了,这叫阶梯状生长,后可在晶 面上留下生长层纹或生长阶梯。

晶体生长原理

晶体生长原理

晶体生长原理引言晶体是固态物质中结晶形成的有序排列的原子、分子或离子的集合体。

晶体的生长是指原子、分子或离子在固态物质中逐渐聚集、排列有序并形成结晶体的过程。

晶体生长原理是研究晶体生长的基本规律和机制,对于生长高质量晶体具有重要的指导意义。

温度对晶体生长的影响温度是晶体生长过程中影响晶体形成和生长速率的重要因素之一。

通常情况下,随着温度的升高,晶体生长速率也会增加。

这是因为温度的升高会使晶体物质的扩散速率增加,进而促进晶体结晶的发生。

然而,超过一定温度范围后,温度升高会导致晶体生长过饱和,晶体生长速率反而下降。

溶液浓度对晶体生长的影响溶液浓度也是影响晶体生长的重要因素之一。

在一定温度范围内,溶液浓度的升高通常会导致晶体生长速率的增加。

这是因为溶液浓度的增加会增加晶体生长过程中原料物质的供应,进而促进晶体的形成。

然而,当溶液浓度过高时,过高的浓度会导致晶体物质聚集过于密集,晶体生长也会受到限制。

模板晶体生长原理模板晶体生长是一种利用已有的晶体作为模板来生长新的晶体的方法。

在模板晶体生长中,已有的晶体作为晶核,新的晶体会在其表面逐渐生长。

模板晶体生长常用于制备特定形貌和结构的晶体,具有良好的选择性。

模板晶体生长的原理基于以下几个方面: 1. 模板晶体表面具有特定的结构和活性位点,能够吸附和定向排列新的晶体生长物种,从而引发新的晶体生长。

2. 模板晶体能够提供晶体生长所需的有序环境和立体位阻,促进新的晶体在特定方向上生长并控制晶体形貌。

3. 模板晶体和生长物种之间的相互作用会导致新的晶体在模板表面特定取向上生长,从而形成具有预定结构和形貌的晶体。

晶体生长的步骤晶体生长的过程可以分为以下几个步骤: 1. 溶质分散:在溶液中,晶体物质的分散度决定了晶体生长的速率和质量。

在晶体生长过程中,晶体物质会从溶液中以原子、分子或离子的形式逐渐聚集。

2. 溶质扩散:晶体物质在溶液中扩散是晶体生长的关键步骤之一。

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能 量
13
(2)非均匀成核 非均匀成核过程是由于体系中已 经存在某种不均匀性, 经存在某种不均匀性 , 例如悬浮的杂志颗 器壁上凹凸不平等, 粒 , 器壁上凹凸不平等 , 他们有效地降低 了表面能成核的势垒, 了表面能成核的势垒 , 优先在这些具有不 均匀性的地点形成晶核。 均匀性的地点形成晶核。
20
晶体层生长过程
21
(2)螺旋位错模型
螺旋位错形成示意图
22
螺旋生长过程
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石英条带结构
碳化硅的螺旋生长纹
24
6.生长锥 6.生长锥
生长锥:就是晶体在生长过程中,晶面移动 生长锥:就是晶体在生长过程中, 的轨迹。 的轨迹。 晶面间相对生长速度的变化, 既:晶面间相对生长速度的变化,可以从晶 体生长锥的形状上反映出来。 体生长锥的形状上反映出来。 生长锥表现为,以晶核的中心为角顶, 生长锥表现为,以晶核的中心为角顶,以最 外层晶面为底的棱锥体(图2-5)。实际晶体的生长 可以根据锥体内部的颜色, 锥,可以根据锥体内部的颜色,所含杂质的分布 等方面的不同观察到。由于不同面网的性质不同, 等方面的不同观察到。由于不同面网的性质不同, 所以它吸附杂质等方面的本领也有差异。 所以它吸附杂质等方面的本领也有差异。这种差 异可以从晶体生长锥的形状上反映出来。 异可以从晶体生长锥的形状上反映出来。
9
3. 晶体的发生 晶体的形成包括两个步骤: 晶体的形成包括两个步骤:成核 和晶体长大 成核是一个相变过程 是一个相变过程, 成核是一个相变过程,即在母液相 中形 成固相胚芽。 成固相胚芽。 均匀成核和 成核可分为均匀成核 非均匀成核。 成核可分为均匀成核和非均匀成核。
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(1)均匀成核 均匀成核是指在一理想体系中 各处有相同的成核概率。 各处有相同的成核概率。这一相变过程中 体系自由能的变化为: 体系自由能的变化为: ΔG=ΔGv+ΔGs 式中△ 为新相形成时体积自由能的变化, 式中△Gv为新相形成时体积自由能的变化, 且△Gv<0, △GS为新相形成时新相与旧相 界面的表面能, 界面的表面能,且△GS>0。
7
2. 晶体生长的途径 由气相转变为晶体, ① 由气相转变为晶体,例如自然硫晶体 的形成,冬季玻璃上冰花的形成。 的形成,冬季玻璃上冰花的形成。 由液相转变为晶体, ② 由液相转变为晶体,例如由熔融岩浆 结晶出的橄榄石、辉石。盐湖中结晶出的食盐、 结晶出的橄榄石、辉石。盐湖中结晶出的食盐、 硼砂等矿物,工业铸锭,医用药品。 硼砂等矿物,工业铸锭,医用药品。
31
9.影响晶体生长的外部因素 9.影响晶体生长的外部因素 (1)涡流和生长介质的流动方向 (2)温度 (3)杂质与酸碱度 (4)黏度 (5)结晶速度 (6)生长顺序与生长空间 (7)应力作用
32
33
25
(a) )
(b) )
生长锥
生长锥体视图 生长锥体视图
生长锥横切面图 生长锥横切面图
26
石英晶体的生长环带(为横切面图) 石英晶体的生长环带(为横切面图)
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7.几何淘汰律 7.几何淘汰律
当许多晶体,在一定的有限空间内生长时, 当许多晶体,在一定的有限空间内生长时, 并不是每个晶体都能充分长大, 并不是每个晶体都能充分长大,只有那些最 大生长速度方向与基底平面垂直的晶体才能 大生长速度方向与基底平面垂直的晶体才能 继续生长。这一现象所说明的问题 所说明的问题, 继续生长。这一现象所说明的问题,就是所 谓的几何淘汰律 几何淘汰律。 谓的几何淘汰律。 由于几何淘汰律所致, 由于几何淘汰律所致,得以长大的那些晶 体,最后将使它们的最大生长速度方向相互 平行成“梳齿状” 平行成“梳齿状”。
天然晶体在生长过程中, 地要受到外界环境因素的影响。因此, 地要受到外界环境因素的影响。因此,同 种晶体在不同个体上往往表现为, 种晶体在不同个体上往往表现为,晶面数 目经常有多有少,晶面的形状,大小各异, 目经常有多有少,晶面的形状,大小各异, 导致各个个体的晶体形状迥然不同(图2-6), 但它们都遵守面角守恒定律 面角守恒定律。 但它们都遵守面角守恒定律。 面角守恒定律是在17 17世纪下半叶总结得 面角守恒定律是在17世纪下半叶总结得 出的晶体所固有的规律。 出的晶体所固有的规律。它使人们得以根 据面角关系来恢复出晶体理想形状, 据面角关系来恢复出晶体理想形状,从而 奠定了几何结晶学的基础。 几何结晶学的基础 奠定了几何结晶学的基础。
5
实际晶体外形=成分+结构+ 实际晶体外形=成分+结构+环境
(决定晶体实际外形的三要素) 决定晶体实际外形的三要素)
对于同种晶体而言,其外形虽可千 对于同种晶体而言, 差万别, 差万别,但对应晶面的夹角则始终 保持不变(图2-1示),即遵守面角 守恒定律
6
图2-1不同形态的正长石晶体其对应晶面夹角恒定的图示 上图-体视图,下图-切面图) (上图-体视图,下图-切面图)
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(a) (a) ) )
(b) (b)
天然生长的晶体
烧杯中生长晶体
29
8.面角守恒定律 8.面角守恒定律
根据对大量实际晶体测量的结果, 根据对大量实际晶体测量的结果,1669 年丹麦学者发现并从中总结出了一条规律。 年丹麦学者发现并从中总结出了一条规律。 面角恒等定律:同种晶体之间, 面角恒等定律:同种晶体之间,其对应 晶面间夹角恒等(见图22 22晶面间夹角恒等(见图22-1)。 面角:晶面法线间的夹角, 面角:晶面法线间的夹角,其数值等于 相应晶面间实际夹角的补角。 相应晶面间实际夹角的补角。实际夹角守 面角当然守恒。 恒,面角当然守恒。
8
③ 由固相转变为晶体,包括: 由固相转变为晶体,包括: 非晶体→晶体, 非晶体→晶体,例如火山玻璃转变为石 英 晶体→另一种晶体,包括: 晶体→另一种晶体,包括: 同质多相转变, 同质多相转变,例如石英高温转 变 固溶体分解,例如闪锌矿和黄铜 固溶体分解, 矿的固溶 再结晶作用, 再结晶作用,例如方解石的再结 晶作用




Artificial Crystal
吉林大学材料科学与工程学院 2011.9.15
1
第二章 晶体的生长基本规律
1.概述 1.概述 2.晶体生长的途径 2.晶体生长的途径 3.晶体的发生 3.晶体的发生 4.晶体生长过程和形态 4.晶体生长过程和形态 5.晶体生长的理论模型 5.晶体生长的理论模型 6.生长锥 6.生长锥 7.几何淘汰律 7.几何淘汰律 8.面角守恒定律 8.面角守恒定律 9影响晶体生长的外部因素
18
5. 晶体生长的理论模型
(1)层生长理论模型(科塞尔理论模型) 层生长理论模型(科塞尔理论模型) 这一模型要讨论的是: 这一模型要讨论的是:组成晶体的质 点在一个正在生长的晶面上寻找出最佳生 长位置并稳定存在的问题。 长位置并稳定存在的问题。
19
晶体生长的科塞尔理论模型 晶体生长的科塞尔理论模型
晶面消失过程示意图
所以,一般显露在外面的晶面其法向生长 速度是比较慢的。
15
布拉维法则: 布拉维法则:实际晶体往往为面网密度大 的晶面所包围。 的晶面所包围。 应当说明:以上的讨论, 应当说明:以上的讨论,只是从格子构造 的几何因素出发, 的几何因素出发,而根本没有考虑键力的 因素。 因素。
16
如果考虑到键力因素,并基于类 如果考虑到键力因素, 似的原理,可以得出以下结论: 似的原理,可以得出以下结论: 面网内部质点间的键力很强, 面网内部质点间的键力很强,而 面网间的键力很弱的面网, 面网间的键力很弱的面网,将具有很 小的晶面生长速度。 小的晶面生长速度。 实际上,这样的面网也都是密度大 实际上, 的面网,因此, 的面网,因此,并不影响布拉维法则 得出的结论。 得出的结论。
4
●晶体生长过程中所遵循的规律,本质 晶体生长过程中所遵循的规律,
上是晶体本身内部结构上的规律性所决定 的。 但另一方面, ●但另一方面,它不可避免地要受到生 长过程中外界条件的影响, 长过程中外界条件的影响,结果导致形成 非理想的晶体。 非理想的晶体。 除了晶体外形受到影响, ●除了晶体外形受到影响,其内部结构 质点的排列也要发生一定的改变, 质点的排列也要发生一定的改变,形成所 谓的结构缺陷。 谓的结构缺陷。
14
4. 晶体生长过程和形态
一旦晶核形成后,组成晶体的 一旦晶核形成后, 质点就会按照晶体结构的排列方式堆积起 来形成晶体。 来形成晶体。 AB晶面垂直晶面的 AB晶面垂直晶面的 生长速度为h1, BC晶面垂直晶面的 BC晶面垂直晶面的 生长速度为h2, 当h1 >h2时,A’B’<AB B <AB
2
1.概述 1.概述
晶体有着自己的发生 晶体有着自己的发生、成长和变 发生、 的历史。 化 的历史 。 了解和研究晶体发生和成长的 规律是认识晶体的一个重要途径, 规律是认识晶体的一个重要途径 , 也是人 工合成晶体的基本前提 基本前提。 工合成晶体的基本前提。
3
无论天然的还是人工晶体,其 无论天然的还是人工晶体, 生长过程,就是物质从其他相转变为结晶 生长过程,就是物质从其他相转变为结晶 其他相转变为 的过程。实际上,也就是质点从不规则 相的过程。实际上,也就是质点从不规则 排列→有规则排列,从而形成格子状构造 排列→有规则排列,从而形成格子状构造 的过程。 的过程。 在此转变过程中, 在此转变过程中,质点的堆积方式是遵 循一定的规律的,这个规律就是空间格子 循一定的规律的,这个规律就是空间格子 规律。晶体的几何多面体外形 几何多面体外形便是这一规 规律。晶体的几何多面体外形便是这一规 律导致的结果。 律导致的结果。
11
热力学计算表明: 热力学计算表明: r>r0时,称为稳定晶核 r =r0时,称为临界晶核 r <r0时,称为胚芽
12
晶核的形成是靠熔体的过冷度, 晶核的形成是靠熔体的过冷度, 造成 热运动的较大起伏克服势垒进行的过程。 热运动的较大起伏克服势垒进行的过程。 成核速度与过冷度具有一定的关系。 成核速度与过冷度具有一定的关系。
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