史上最全的半导体材料工艺设备汇总
晶圆生产工艺设备
晶圆生产工艺设备晶圆生产工艺设备是指用于制造半导体晶圆的设备，其核心目的是在硅片上逐层沉积材料、形成电路、刻蚀材料等步骤。
以下将介绍一些常见的晶圆生产工艺设备。
1. CVD设备：CVD（Chemical Vapor Deposition）设备用于在硅片表面沉积材料，如聚晶硅、氧化硅、氮化硅等。
它通过将气体或蒸汽传递至硅片表面，并使其发生化学反应，生成所需材料。
CVD设备还能够控制沉积速率、温度、气体浓度等参数，以实现沉积材料的精确控制。
2. PVD设备：PVD（Physical Vapor Deposition）设备用于在硅片表面沉积金属薄膜，如铝、钨、铜等。
它通过物理手段将金属材料蒸发或溅射到硅片表面，形成所需膜层。
PVD设备适用于制备薄膜电阻、电容以及金属排线等元件。
3. 光刻设备：光刻设备是制造集成电路的关键设备之一，用于将芯片设计图案投射到硅片上。
它通过使用光敏胶或光刻胶，将图案转移到硅片表面，形成光刻胶膜。
经过曝光、显影等步骤后，可以在硅片上形成所需电路图案。
4. 刻蚀设备：刻蚀是制造晶圆过程中的一个关键步骤，用于去除不需要的材料，以形成电路图案。
刻蚀设备利用高能粒子束或化学溶液等方法，将硅片表面的材料腐蚀或剥离，使得电路图案得以暴露。
5. 清洗设备：清洗设备用于清除晶圆上的污染物和残留物，以提高集成电路的质量和可靠性。
清洗设备可以使用化学溶液、超声波、离子束等方法来清除硅片表面的污染物。
通过上述几种常见的晶圆生产工艺设备，可以实现对晶圆的各个制造步骤的控制和加工，从而制造出高质量的半导体晶圆。
这些设备的高精度、高性能和高可靠性是确保制造半导体芯片的成功关键。
八大半导体工艺顺序剖析
八大半导体工艺顺序剖析八大半导体工艺顺序剖析在现代科技领域中，半导体材料和器件扮演着重要的角色。
作为电子设备的基础和核心组件，半导体工艺是半导体制造过程中不可或缺的环节。
有关八大半导体工艺顺序的剖析将会有助于我们深入了解半导体制造的工作流程。
本文将从简单到复杂，逐步介绍这八大工艺的相关内容。
1. 排版工艺（Photolithography）排版工艺是半导体制造过程中的首要步骤。
它使用光刻技术，将设计好的电路图案转移到硅晶圆上。
排版工艺需要使用光刻胶、掩膜和曝光设备等工具，通过逐层叠加和显影的过程，将电路图案转移到硅晶圆上。
2. 清洗工艺（Cleaning）清洗工艺在排版工艺之后进行，用于去除光刻胶和其他污染物。
清洗工艺可以采用化学溶液或高纯度的溶剂，保证硅晶圆表面的干净和纯净。
3. 高分辨率电子束刻蚀（High-Resolution Electron BeamLithography）高分辨率电子束刻蚀是一种先进的制造技术。
它使用电子束在硅晶圆表面进行刻蚀，以高精度和高分辨率地制作微小的电路图案。
4. 电子束曝光系统（Electron Beam Exposure Systems）电子束曝光系统是用于制造高分辨率电子束刻蚀的设备。
它具有高能量电子束发射器和复杂的控制系统，能够精确控制电子束的位置和强度，实现微米级别的精细曝光。
5. 高能量离子注入（High-Energy Ion Implantation）高能量离子注入是半导体器件制造中的一项重要工艺。
通过将高能量离子注入到硅晶圆表面，可以改变硅晶圆的电学性质，实现电路中的控制和测量。
6. 薄膜制备与沉积（Film Deposition）薄膜制备与沉积是制造半导体器件的关键工艺之一。
这个工艺将薄膜材料沉积在硅晶圆表面，包括化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等方法。
这些薄膜能够提供电介质、导电材料或阻挡层等功能。
7. 设备和工艺完善（Equipment and Process Optimization）设备和工艺完善的步骤是优化半导体制造工艺的关键。
半导体封装制程及其设备介绍
半导体封装制程及其设备介绍一、概述半导体芯片是一种微型电子器件，半导体封装制程是将芯片进行外层包装，从而保护芯片、方便焊接、测试等工作的过程。
比较常见的半导体封装方式有芯片贴装式、铅框式、无铅框式等。
本文将从半导体封装的制程入手，为大家介绍半导体封装制程及其设备。
二、半导体封装制程1. 粘结半导体封装的第一步是将芯片粘结到支撑贴片（Leadframe）上面。
支撑贴片是一种晶粒尺寸相对较大、但还不到电路板级别的导体片。
常用的粘接剂有黄胶、银胶等，其使用在制程时会加热到一定温度，使其能够黏合贴片和芯片。
2. 线缆连接芯片被粘接到支撑贴片上方后，需要进行内部连线。
通常使用铜线作为内部连线，常用的连线方式有金线焊接和铜线焊接。
它们的区别很大程度上取决于封装要求和芯片使用情况。
3. 包封装在连线之后，开始进行半导体封装的最后一步–包封装。
包封装是将芯片包封闭在一起，以进一步保护它。
常用的封装方式有QFP、BGA、SOIC、CHIP 贴片等。
三、半导体封装设备介绍1. 芯片粘结设备芯片粘结设备是半导体封装的第一步。
常用的芯片粘结设备包括黄胶粘合机、银胶粘合机、重合机等。
不同类型的设备适用于不同封装要求的芯片。
2. 线缆连接设备目前，铜线焊接机处于主流位置。
与金线焊接机相比，铜线焊接机具有成本更低、可靠度更高的优点。
因此，其能够更好地满足不同类型的芯片封装要求。
3. 包封装设备包封装设备是半导体封装的重要步骤。
常用的设备有 QFP 封装机、CHIP 贴片封装机等。
它们能够满足不同类型的封装要求，使芯片更加可靠。
四、半导体封装制程及其设备涉及到了许多知识点。
本文从制程和设备两个角度，为大家介绍了半导体封装制程及其设备。
不同的封装方式和设备对于产品的品质、成本以及生产效率都有很大的影响。
因此，在选择半导体封装制程和设备时，需要根据实际情况进行选择，以确保产品达到最佳性能和质量要求。
半导体湿法工艺设备
半导体湿法工艺设备
半导体湿法工艺设备是用于半导体器件制造中的湿法工艺步骤的设备。
湿法工艺是指利用化学反应和物理作用来改变材料表面性质的一种方法。
在半导体制造中，湿法工艺通常用于清洗、去除杂质、形成薄膜等步骤。
常见的半导体湿法工艺设备包括：
1. 清洗设备：用于清洗半导体表面的设备，可以去除表面的污染物和杂质。
2. 酸洗设备：用于去除半导体表面上的氧化物、有机物和金属杂质等，常用的酸包括盐酸和硫酸。
3. 碱洗设备：用于去除半导体表面上的有机物和金属杂质，常用的碱包括氢氧化钠和氢氧化铵等。
4. 腐蚀设备：用于控制性的腐蚀半导体材料表面，常用的腐蚀液包括氢氟酸、氨水和过氧化氢等。
5. 沉积设备：用于在半导体表面上沉积不同材料的薄膜，常见的方法包括化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）
和电化学沉积（ECD）等。
这些设备通常具有严格的工艺控制和安全措施，以保证半导体制造的质量和效率。
另外，随着半导体工艺的不断发展，新的湿法工艺设备也在不断涌现，以满足新材料和新工艺的要求。
半导体制程工艺流程及设备
半导体制程工艺流程及设备嘿，你有没有想过，那些小小的芯片是怎么被制造出来的呢？今天呀，我就来给你讲讲半导体制程工艺流程以及用到的设备，这可真是个超级有趣又超级复杂的事儿呢！咱先从最开始的晶圆制造说起。
晶圆就像是盖房子的地基一样，是整个半导体的基础。
晶圆是由硅这种材料制成的，你可别小看硅，它就像半导体世界里的超级明星。
这硅啊，要经过一系列的处理。
首先是提纯，这过程就像是把一堆沙子里的金子给挑出来一样困难。
要把硅提纯到非常非常高的纯度，几乎没有杂质才行。
我有个朋友在硅提纯的工厂工作，他就经常跟我抱怨说：“哎呀，这提纯工作可真不是人干的呀，一点点的差错就可能毁了一整批硅呢！”提纯之后呢，就要把硅做成圆柱体的硅锭，然后再把这个硅锭切割成一片片薄薄的晶圆。
这个切割过程可得非常小心，就像切一块超级薄的豆腐一样，一不小心就碎了。
这时候就用到了专门的切割设备，那些设备就像是精密的手术刀，把硅锭精准地切成一片片的晶圆。
有了晶圆之后，就要开始在上面进行各种加工了。
这就像是在一张白纸上画画一样，只不过这个画画的过程超级复杂。
其中一个重要的步骤是光刻。
光刻呀，你可以想象成是用光照在晶圆上画画。
这时候就需要光刻设备了，光刻设备就像是一个超级厉害的投影仪。
它把设计好的电路图案通过光线投射到晶圆上，而且这个图案超级精细，就像头发丝的千分之一那么细呢！我记得我第一次看到光刻图案的时候，我都惊呆了，我就想：“我的天呐，这怎么可能做到这么精细呢？”我当时就问一个做光刻的工程师，他就很自豪地说：“这就是科技的力量呀，我们通过各种技术手段才能把图案刻得这么精细呢。
”光刻完了之后，就是蚀刻。
蚀刻就像是把光刻出来的图案进行雕刻一样，把不需要的部分去掉，只留下我们想要的电路图案。
这就好比是雕刻一个石像，把多余的石头去掉，留下精美的雕像。
蚀刻用到的设备会喷出一些化学物质，这些化学物质就像小雕刻家一样，把晶圆上的材料按照光刻的图案进行去除。
不过这个过程可危险了，那些化学物质可都是腐蚀性很强的东西，就像一群小恶魔，要是不小心泄露了，可就会造成大麻烦。
半导体制造工艺流程大全
半导体制造工艺流程大全1.半导体材料准备：制造过程的第一步是准备半导体材料。
常用的半导体材料包括硅、砷化镓和磷化镓等。
这些材料需要通过晶体生长技术来制备出高纯度的单晶硅片或外延片。
2.掩膜制备：接下来，需要在半导体材料上制备一层掩膜。
掩膜是一种特殊的光刻胶，能够帮助定义出待制造的电子器件结构。
通过光刻技术，在掩膜上曝光并使用化学溶解剂去除暴露区域的光刻胶，从而形成所需的图案。
3.制造掩模：根据所需的器件结构，需要制造掩模。
掩模通常由透明的石英板和掩模背面涂上的金属膜组成。
使用电子束或激光刻蚀技术将所需的图案转移到金属膜上，然后再去除背面的掩膜光刻胶。
4.器件制造：将制造好的掩模放在准备好的半导体材料上，通过离子注入、物理气相沉积或化学气相沉积等技术，在材料上制备出所需的器件结构和电路连接电路。
5.清洗和拷贝：在制造过程中，需要定期清洗掉不需要的杂质和残留物，以确保器件性能的稳定。
此外，对于大规模集成电路制造，还需要使用光刻和蚀刻等技术进行电路拷贝。
6.热处理和退火：在器件制造的后期，还需要进行一系列的热处理和退火工艺。
这些工艺可以改变器件的电学和结构特性，以提高性能和可靠性。
7.电极制造：最后一步是制造电极。
使用金属薄膜沉积技术，在器件上制备出电极连接电路。
这些电极可以用于对器件进行电压和电流的刺激和测量。
半导体制造是一个高度精密和复杂的过程，需要使用多种材料和技术。
根据所制备器件的不同，工艺流程也会有所不同。
此外，随着科技的发展，新的材料和工艺技术也在不断涌现，使半导体制造工艺变得更加多样化和复杂化。
以上只是半导体制造工艺流程的一个简要概述，实际的制造过程会更加复杂和详细。
不同的半导体制造公司和研发机构可能会有特定的流程和工艺参数。
因此，在实际应用中，需要根据具体需求和材料特性来设计和优化制造工艺流程。
半导体装用设备简介
半导体专用设备简介1 概述作为军用电子元器件的技术支撑，专用设备(以下也称为工艺设备或制造设备）是重要基础之一。
在成百上千种电子元器件专用设备中，半导体专用设备集光、机、电、计算机技术于一体，汇各工业领域尖端技术之大成，是最具先进性和代表性的设备。
限于篇幅，本章仅以半导体设备作为基本内容加以介绍。
在半导体制造中，通常把专用设备分为前道工艺设备（晶圆制造）、后道工艺设备（组装与封装）、制版设备和材料制备设备，其中都包括检测设备和仪器。
如图2.1和2.2所示，按照半导体工艺步骤又可将工艺设备分为晶体生长与晶圆制备、掩膜图形设计与制造、外延、高温氧化、薄膜制备、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化、中间测试、组装与封装、成品测试等十二类，涉及各种用途的具体设备近百种，图中只列出了具有代表性的设备名称。
为叙述方便，不妨对十几种关键设备做具体介绍，力求取得触类旁通的效果。
几十年来，随着半导体技术的快速发展，半导体设备也在一代接一代地创新和发展。
当今半导体设备的制造和使用涉及50余个学科和近60种化学元素等诸多方面的高新技术，具有极强的技术综合性。
不仅如此，半导体设备技术的发展逐步将工艺技术模块化集成到设备中，使其高度自动化和高度智能化，逐步改变了设备与工艺自然分离的局面，时时走在半导体制造业发展的前列，发挥着特殊的重要作用。
半导体设备的进一步发展，使其应用领域变得越来越广，在其他电子器件制造领域也都不同程度地采用了半导体设备或由半导体设备演化的设备，成为半导体设备应用的新领域。
尤其是在微／纳电子器件、微／纳光机电系统等极小尺寸和极高精度的产品制造领域的逐步应用，对军用电子元器件发展具有极其重要的意义。
图2.1—半导体与集成电路工艺关键设备框图2单晶炉2.1 基本概念及工作原理晶体生长最广泛使用的设备是采用 CZ (Czochralski)法的直拉单晶炉。
它主要由主/副炉室、石英坩埚及驱动、籽晶旋转及提升、真空及充气系统、射频或电阻加热器和控制系统等部分组成，如图2.3所示。
半导体工艺主要设备大全
清洗机超音波清洗机是现代工厂工业零件表面清洗的新技术,目前已广泛应用于半导体硅片的清洗。
超声波清洗机“声音也可以清洗污垢”——超声波清洗机又名超声波清洗器，以其洁净的清洗效果给清洗界带来了一股强劲的清洗风暴。
超声波清洗机（超声波清洗器）利用空化效应，短时间内将传统清洗方式难以洗到的狭缝、空隙、盲孔彻底清洗干净，超声波清洗机对清洗器件的养护，提高寿命起到了重要作用。
CSQ系列超声波清洗机采用内置式加热系统、温控系统，有效提高了清洗效率；设置时间控制装置，清洗方便；具有频率自动跟踪功能，清洗效果稳定；多种机型、结构设计，适应不同清洗要求。
CSQ系列超声波清洗机适用于珠宝首饰、眼镜、钟表零部件、汽车零部件，医疗设备、精密偶件、化纤行业（喷丝板过滤芯）等的清洗；对除油、除锈、除研磨膏、除焊渣、除蜡，涂装前、电镀前的清洗有传统清洗方式难以达到的效果。
恒威公司生产CSQ系列超声波清洗机具有以下特点：不锈钢加强结构，耐酸耐碱；特种胶工艺连接，运行安全；使用IGBT模块，性能稳定；专业电源设计，性价比高。
反渗透纯水机去离子水生产设备之一，通过反渗透原理来实现净水。
纯水机清洗半导体硅片用的去离子水生产设备，去离子水有毒，不可食用。
净化设备主要产品：水处理设备、灌装设备、空气净化设备、净化工程、反渗透、超滤、电渗析设备、EDI装置、离子交换设备、机械过滤器、精密过滤器、UV紫外线杀菌器、臭氧发生器、装配式洁净室、空气吹淋室、传递窗、工作台、高校送风口、空气自净室、亚高、高效过滤器等及各种配件。
风淋室：运用国外先进技术和进口电器控制系统,组装成的一种使用新型的自动吹淋室.它广泛用于微电子医院\制药\生化制品\食品卫生\精细化工\精密机械和航空航天等生产和科研单位,用于吹除进入洁净室的人体和携带物品的表面附着的尘埃,同时风淋室也起气的作用,防止未净化的空气进入洁净区域,是进行人体净化和防止室外空气污染洁净的有效设备.抛光机整个系统是由一个旋转的硅片夹持器、承载抛光垫的工作台和抛光浆料供给装置三大部分组成。
半导体产业用电设备负荷明细
半导体产业用电设备负荷明细一、介绍半导体产业是现代科技领域中最重要的产业之一，其生产过程需要大量的电力支持。
因此，半导体制造工厂需要使用各种不同类型的电气设备来满足其用电需求。
本文将详细介绍半导体产业用电设备负荷明细，包括各种不同类型的设备以及它们在半导体制造工厂中的作用和负荷情况。
二、晶圆制造设备1.切割机切割机是一种用于将硅晶圆切割成小尺寸芯片的设备。
切割机通常使用高功率直流电源来提供所需的电能，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
2.化学机械抛光机化学机械抛光机（CMP）是一种用于平整化硅晶圆表面并去除其中缺陷和杂质的设备。
CMP通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
3.蒸镀装置蒸镀装置是一种用于在硅晶圆表面沉积金属或其他材料的设备。
蒸镀装置通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
三、清洗设备1.湿法清洗机湿法清洗机是一种用于去除硅晶圆表面污染物和杂质的设备。
湿法清洗机通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
2.干法清洗机干法清洗机是一种用于去除硅晶圆表面污染物和杂质的设备。
干法清洗机通常使用高功率直流电源和大量的气体来提供所需的能量，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
四、热处理设备1.退火炉退火炉是一种用于调整硅晶圆内部应力并提高其电性能的设备。
退火炉通常使用高功率交流电源和大量的气体来提供所需的能量，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
2.氧化炉氧化炉是一种用于在硅晶圆表面沉积氧化物的设备。
氧化炉通常使用高功率交流电源和大量的气体来提供所需的能量，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
五、测试设备1.测试机测试机是一种用于测试芯片性能和可靠性的设备。
测试机通常使用高功率交流电源和大量的气体来提供所需的能量，并且需要大量的冷却水来保持其温度。
2.封装机封装机是一种用于将芯片封装成最终产品并进行测试的设备。
半导体主要生产工艺
半导体主要生产工艺
半导体主要生产工艺包括：
晶圆制备：晶圆是半导体制造的基础，其质量直接影响到后续工艺的进行和最终产品的性能。
薄膜沉积：薄膜沉积技术是用于在半导体材料表面沉积薄膜的过程。
刻蚀与去胶：刻蚀是将半导体材料表面加工成所需结构的关键工艺。
离子注入：离子注入是将离子注入半导体材料中的关键工艺。
退火与回流：退火与回流是使半导体材料内部的原子或分子的运动速度减缓，使偏离平衡位置的原子或分子回到平衡位置的工艺。
金属化与互连：金属化与互连是利用金属材料制作导电线路，实现半导体器件间的电气连接的过程。
测试与封装：测试与封装是确保半导体器件的质量和可靠性的必要环节。
半导体的工艺的四个重要阶段是：
原料制作阶段：为制造半导体器件提供必要的原料。
单晶生长和晶圆的制造阶段：为制造半导体器件提供必要的晶圆。
集成电路晶圆的生产阶段：在制造好的晶圆上，通过一系列的工艺流程制造出集成电路。
集成电路的封装阶段：将制造好的集成电路封装起来，便于安装和使用。
半导体材料有以下种类：
元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布着11种具有半导性的元素，其中C表示金刚石。
无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。
有机化合物半导体：是指以碳为主体的有机分子化合物。
非晶态与液态半导体。
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小编为您解读半导体生产过程中的主要设备概况。
1、单晶炉
设备名称：单晶炉。
设备功能：熔融半导体材料，拉单晶，为后续半导体器件制造，提供单晶体的半导体晶坯。
主要企业（品牌）：
国际：德国PVA TePla AG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUM DESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。
国：京运通、七星华创、京仪世纪、晶龙、理工晶科、华盛天龙、汉虹、华德、中国电子科技集团第四十八所、申和热磁、上虞晶盛、耐特克、晶阳、江南、科晶材料技术、科仪公司。
2、气相外延炉
设备名称：气相外延炉。
设备功能：为气相外延生长提供特定的工艺环境，实现在单晶上，生长与单晶晶相具有对应关系的薄层晶体，为单晶沉底实现功能化做基础准备。
气相外延即化学气相沉积的一种特殊工艺，其生长薄层的晶体结构是单晶衬底的延续，而且与衬底的晶向保持对应的关系。
主要企业（品牌）：
国际：美国CVD Equipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特·莱思科（Kurt J.Lesker）公司、美国Applied Materials公司。
国：中国电子科技集团第四十八所、赛瑞达、科晶材料技术、金盛微纳、力冠电子科技。
3、分子束外延系统（MBE，Molecular Beam Epitaxy System）
设备名称：分子束外延系统。
设备功能：分子束外延系统，提供在沉底表面按特定生长薄膜的工艺设备；分子束外延工艺，是一种制备单晶薄膜的技术，它是在适当的衬底与合适的条件下，沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。
主要企业（品牌）：
国际：法国Riber公司、美国Veeco公司、芬兰DCA Instruments公司、美国SVT Associates公司、美国NBM公司、德国Omicron公司、德国MBE-Komponenten公司、英国Oxford Applied Research（OAR）公司。
国：中科仪器、汇德信科技、匡泰仪器设备、科友真空技术。
4、氧化炉（VDF）
设备名称：氧化炉。
设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。
主要企业（品牌）：
国际：英国Thermco公司、德国Centrothermthermal solutions GmbH Co.KG公司。
国：七星华创、福润德、中国电子科技集团第四十八所、旭光仪表设备、中国电子科技集团第四十五所。
5、低压化学气相淀积系统（LPCVD，Low Pressure Chemical Vapor Deposition System）
设备名称：低压化学气相淀积系统
设备功能：把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入LPCVD设备的反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜。
主要企业（品牌）：
国际：日本日立国际电气公司、
国：驰舰半导体科技、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、仪器厂、机械厂。
6、等离子体增强化学气相淀积系统（PECVD，Plasma Enhanced CVD）
设备名称：等离子体增强化学气相淀积系统
设备功能：在沉积室利用辉光放电，使其电离后在衬底上进行化学反应，沉积半导体薄膜材料。
主要企业（品牌）：
国际：美国Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体（Lam Research）公司、荷兰ASM国际公司。
国：中国电子科技集团第四十五所、仪器厂、机械厂。
7、磁控溅射台（MagnetronSputter Apparatus）
设备名称：磁控溅射台。
设备功能：通过二极溅射中一个平行于靶表面的封闭磁场，和靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域，实现高离子密度和高能量的电离，把靶原子或分子高速率溅射沉积在基片上形成薄膜。
主要企业（品牌）：
国际：美国PVD公司、美国Vaportech公司、美国AMAT公司、荷兰Hauzer公司、英国Teer公司、瑞士P latit公司、瑞士Balzers公司、德国Cemecon公司。
国：仪器厂、中科仪器、南光实业股份、中国电子科技集团第四十八所、科睿设备、机械厂。
8、化学机械抛光机（CMP，Chemical Mechanical Planarization）
设备名称：化学机械抛光机
设备功能：通过机械研磨和化学液体溶解“腐蚀”的综合作用，对被研磨体（半导体）进行研磨抛光。
主要企业（品牌）：
国际：美国Applied Materials公司、美国诺发系统公司、美国Rtec公司、。
国：兰新高科技产业股份、爱立特微电子。
9、光刻机（Stepper，Scanner）
设备名称：光刻机。
设备功能：在半导体基材上（硅片）表面匀胶，将掩模版上的图形转移光刻胶上，把器件或电路结构临时“复制”到硅片上。
主要企业（品牌）：
国际：荷兰阿斯麦（ASML）公司、美国泛林半导体公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司、德国德国SUSS公司、美国MYCRO公司。
国：中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、机械厂、南光实业股份。
10、反应离子刻蚀系统（RIE，Reactive Ion Etch System）
设备名称：反应离子刻蚀系统。
设备功能：。
平板电极间施加高频电压，产生数百微米厚的离子层，放入式样，离子高速撞击式样，实现化学反应刻蚀和物理撞击，实现半导体的加工成型。
主要企业（品牌）：
国际：日本Evatech公司、美国NANOMASTER公司、新加坡REC公司、国JuSung公司、国TES公司。
国：仪器厂、七星华创电子、南光实业股份、中国电子科技集团第四十八所。
11、ICP等离子体刻蚀系统（ICP, Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching System）
设备名称：ICP等离子体刻蚀系统。
设备功能：一种或多种气体原子或分子混合于反应腔室中，在外部能量作用下（如射频、微波等）形成等离子体，一方面等离子体中的活性基团与待刻蚀表面材料发生化学反应，生成可挥发产物；另一方面等离子体中的离子在偏压的作用下被引导和加速，实现对待刻蚀表面进行定向的腐蚀和加速腐蚀。
主要企业（品牌）：
国际：英国牛津仪器公司、美国Torr公司、美国Gatan公司、英国Quorum公司、美国利曼公司、美国Pe lco公司。
国：仪器厂、七星华创电子、中国电子科技集团第四十八所、戈德尔等离子科技（）控股、中国科学院微电子研究所、北方微电子、中科集成科技股份、创世威纳科技。
12、离子注入机（IBI，Ion Beam Implanting）
设备名称：离子注入机。
设备功能：对半导体表面附近区域进行掺杂。
主要企业（品牌）：
国际：美国维利安半导体设备公司、美国CHA公司、美国AMAT公司、Varian半导体制造设备公司（被AM
AT收购）。
国：仪器厂、中国电子科技集团第四十八所、南光实业股份、方基轻工机械、硅拓微电子。
13、探针测试台（VPT，Wafer prober Test）
设备名称：探针测试台。
设备功能：通过探针与半导体器件的pad接触，进行电学测试，检测半导体的性能指标是否符合设计性能
要求。
主要企业（品牌）：
国际：德国Ingun公司、美国QA公司、美国MicroXact公司、国Ecopia公司、国Leeno公司。
国：中国电子科技集团第四十五所、七星华创电子、瑞柯仪器、华荣集团、市森美协尔科技。
14、晶片减薄机（Back-sideGrinding）
设备名称：晶片减薄机。
设备功能：通过抛磨，把晶片厚度减薄。
主要企业（品牌）：
国际：日本DISCO公司、德国G&N公司、日本OKAMOTO公司、以色列Camtek公司。
国：兰新高科技产业股份、方达研磨设备制造、市金实力精密研磨机器制造、炜安达研磨设备、市华年风科技。
15、晶圆划片机（DS，Die Sawwing）
设备名称：晶圆划片机。
设备功能：把晶圆，切割成小片的Die。
主要企业（品牌）：
国际：德国OEG公司、日本DISCO公司。
国：中国电子科技集团第四十五所、科创源光电技术、仪器仪表工艺研究所、西北机器（原国营西北机械厂709厂）、汇盛电子电子机械设备公司、兰新高科技产业股份、大族激光、市红宝石激光设备、三工、莱联光电、粤茂科技。
16、引线键合机（Wire Bonder）
设备名称：引线键合机。
设备功能：把半导体芯片上的Pad与管脚上的Pad，用导电金属线（金丝）起来。
主要企业（品牌）：
国际：美国奥泰公司、德国TPT公司、奥地利奥地利FK公司、马来西亚友尼森（UNISEM）公司。
国：中国电子科技集团第四十五所、创世杰科技发展、宇芯（）集成电路封装测试（马来西亚友尼森投资）、市开玖自动化设备。