SOC光刻仿真3D实时显示方法研究

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基于SOCS的光学光刻系统仿真算法的研究[电路与系统专业优秀论文]

基于SOCS的光学光刻系统仿真算法的研究[电路与系统专业优秀论文]

浙江大掌硕士掌位论文第=幸秦成电路光刻工艺第二章集成电路光刻工艺2.1集成电路制造工艺基本的集成电路制造过程的起点是高纯度的单晶硅的提炼以及硅片的抛光、清洗等光刻前处理,接着是以不同的导电或绝缘材料(如金属、多晶硅、二氧化硅等)在硅圆片上沉积生成新的材料层以及在该材料层上涂上对光敏感的光刻胶薄层;然后掩模母版上刻有的电路精密图像被投影到硅片的光刻胶薄层表面;最后经过显影和蚀刻,感光部分的材料被清除。

当然,在实际的生产过程中,还包括其他辅助材料的制备和辅助过程的处理。

重复大约二三十次氧化(oxidation)、光刻(Photolithography)、掺杂(DopiⅡg)等工艺过程,在硅圆片表面上就形成了以几千万个晶体管为基本构造单元、多层不同材料复杂连接的可以实现强大的运算处理功能的网络。

精密复杂的芯片制造过程保证了集成电路芯片的高性能与高成品率。

而简单来说,集成电路的制造就是一个通过光刻技术把电路版图从光学掩模版图上转移到硅片表面的过程。

Su蝻妇leP-图2—1典型集成电路剖面结构示意图(部分)现代集成电路制造过程一般包含200多道具体工序,这些步骤大致上可以归为三大类:夺图形转移技术:包括光刻(“t1109raphy)和蚀刻(Etching)等步骤。

夺层形成技术:包括氧化(Oxidationg)、沉积(Deposition)和金属化(Metallization)等。

浙江大学碛士掌位沧文第=章嘉成电路光客9工艺夺层修改技术:包括离子注入(Ionlmplantation)和扩散(Di肺sion)等。

图形转移、层形成和层修改三类技术交叉使用,构成了集成电路工艺。

集成电路工艺的目的是通过器件制造(DeviceFabrication)、隔离形成(Isolation)和互连形成(Interco加ect),最后在硅片上生成叠层结构,从而完成集成电路的生产。

图2.1所示,即为典型的集成电路层结构的剖面示意图;图2之则显示了最新的集成电路的剖面结构【跚”04】。

基于MC算法的MEMS光刻仿真的三维重建方法研究

基于MC算法的MEMS光刻仿真的三维重建方法研究

迄今为止应用最广 的面重建算 法之 一_ J 3 。在 MC算 法 中, 假
0 引 言
自2 0世纪 9 0年代 以来 , 综合 了计算机图像处理与 分析 、 真 实感计算机 图形学 、 虚拟现 实等技术 的Байду номын сангаас维重建和可视 化技术

定原始数据是离散 的均匀 三维 数据 点 云 , 学上 可 以表示 为 数
王晓东 范明聪 沈连婶
( 中国科学技术大学精密机械与精密仪器系 安徽 合肥 2 02 30 7)
摘 要
以 M ( r i u e) C Ma hn C bs 算法为基础, 出了一种补全重建后 生成 的三 维形体 表面 出现 空洞的方法 , 用该方 法进行 三 c g 提 使
维重建生成的三维形体具有完整的外表 面和 良好的可视 化效果。提 出了一种三维重建 时对 多个形体进 行布尔运算的新方法, 方 该 法以 MC算法为基础 , 将三维重建和布尔运算相结合 , 可以简单 、 方便 、 高效地进行三维重建 时的布尔运算。 关键词 Maci u e 三维重建 等值面 空洞补全 布尔运算 rh gcbs n
A s at bt c r
B sdo ae nMC ( rhn u e)a oi m, e o r apn o s eea db D rcnt ci eojc sr css Maci C bs l rh am t df p ig l nrt y eo sut ni t bet u ae g g t h oc h eg e 3 r o nh f i
出等值面与立方 体边 的交 点 , 据立方 体 每一 顶点 与等值 面 根 的相对位置 , 将等值 面 与立方 体 边 的交 点按 一 定方 式连 接成 三角形 , 为等值 面在 该 立方 体 内的逼 近表 示 。逐 个地 处理 作 三维数据场 中的立 方体 ( 素 ) 就可 以得 到一 系列这样 的三 体 , 角形 , 处理完所有立方体之后 , 就可 以得 到三维 数据场 中逼近

移动设备3D图形加速平台的SOC设计与验证

移动设备3D图形加速平台的SOC设计与验证

移动设备3D图形加速平台的SOC设计与验证史鸿声;郭立;杨毅;程龙【期刊名称】《中国科学技术大学学报》【年(卷),期】2009(039)005【摘要】针对移动设备对3D图形的需求,根据软硬件划分的原则,提出了一种基于LEON3 SOC的移动设备3D图形加速实验平台.该平台采用RISC CPU几何软件处理与光栅IP核硬件加速相结合的设计方案,并在LEON3 SOC上进行了3D图形加速算法的功能验证.3D图形加速算法采用基于边界方程扫描转换算法和Zigzag扫描顺序进行快速像素填充,采用Mipmap和双线性滤波的方法进行纹理映射.基于4×4块的处理方法提高了渲染速度,减少了计算复杂度.实验证明,该方案具有良好的性价比和可配置性,硬件资源占用少,算法的渲染质量达到了OpenGL的标准,适用于移动电话、PDA、GPS导航等移动设备.【总页数】5页(P494-498)【作者】史鸿声;郭立;杨毅;程龙【作者单位】中国科学技术大学电子科学与技术系,安徽合肥,230027;中国科学技术大学电子科学与技术系,安徽合肥,230027;中国科学技术大学电子科学与技术系,安徽合肥,230027;中国科学技术大学电子科学与技术系,安徽合肥,230027【正文语种】中文【中图分类】TP302【相关文献】1.一种采用硬件加速器的卫星导航接收机通用验证平台 [J], 陈雷;黄仰博;葛锐;欧钢2.高度整合硬件加速器的原型验证平台Protium [J], 孙丰军;李文强;陈思若3.系统原型验证平台助力SoC设计 [J], 谭庆华4.SoC设计中基于平台的仿真验证技术 [J], 陈亚宁5.安捷伦科技推出雷达电子战建模和验证平台移动场景和波束赋形加速雷达系统的设计与验证 [J],因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买。

基于SoC的机载显示器视频图形融合处理系统

基于SoC的机载显示器视频图形融合处理系统

基于SoC的机载显示器视频图形融合处理系统钟海林;曹峰;高伟林;张锋【摘要】为了满足机载显示器对综合视频图形处理技术的需求,提出了一种基于SoC嵌入式处理平台的机载视频图形融合显示与视频记录系统实现方法。

该方法以 SoC为核心搭建硬件平台,使用 SoC内部集成 ARM处理器和视频图形协处理单元执行图形生成算法与外视频采集,配合SoC片上高速存储和显示接口,采用双缓存与多线程并发机制实现视频图形融合显示和外视频实时记录。

本方法支持多种格式分辨率的视频源采集和大分辨率图形同步生成。

实验结果表明,采用该系统技术后机载显示器采集1024×768分辨率外视频同时生成1920×1080分辨率图形时,融合处理后帧率可达45 fps,能够满足机载显示器实时显示需求。

%In order to satisfy the demand for integrated video and graphics processing technique in a cockpit display system,a method about airborne video graphics fusion display and video recording sys-tem based on SoC is proposed in this paper.Hardware platform is designed based on SoC.The graph-ics generation algorithms and video acquisition are performed by ARM processor and video graphics assist processor integrated in SoC.A double buffer and multi thread concurrent mechanism is designed to realize video graphics fusion display and real-time recording of video in cooperation with high speed storage and display interface integrated in SoC.Multiple formats resolution video source acquisition and large resolution graphics generation are supported by the proposed method.Experiments show that when capturing with 1 024×768 re solution video and generating with 1920×1 080 resolution graphics,the fame rate is 45 fps,which satisfies the requirements of the cockpit display system.【期刊名称】《液晶与显示》【年(卷),期】2016(031)006【总页数】6页(P578-583)【关键词】机载显示器;视频记录;视频图形融合;i.MX6 Q处理器【作者】钟海林;曹峰;高伟林;张锋【作者单位】苏州长风航空电子有限公司,江苏苏州 215151;苏州长风航空电子有限公司,江苏苏州 215151;苏州长风航空电子有限公司,江苏苏州 215151;苏州长风航空电子有限公司,江苏苏州 215151【正文语种】中文【中图分类】V241.8在机载电子系统中,显示系统将各种飞行参数信息转换为生动直观的视频图形字符等视觉信息,是飞机与飞行员进行人机交互的桥梁[1-2]。

《基于SoCFPGA的实时行人检测系统研究与实现》范文

《基于SoCFPGA的实时行人检测系统研究与实现》范文

《基于SoC FPGA的实时行人检测系统研究与实现》篇一一、引言随着计算机视觉技术的快速发展,实时行人检测系统在众多领域如智能交通、安防监控、人机交互等中扮演着重要角色。

SoC(System on a Chip)FPGA(Field Programmable Gate Array)的组合,以其高度可定制、可并行处理的特性,成为实现高效、实时行人检测系统的理想选择。

本文旨在探讨基于SoC FPGA的实时行人检测系统的研究与实现。

二、SoC FPGA技术概述SoC FPGA是一种集成了处理器、存储器和其他可编程逻辑的芯片,具有高度的灵活性和可定制性。

其并行处理能力可以大大提高计算速度,降低功耗。

在实时行人检测系统中,SoC FPGA能够快速处理大量的图像数据,实现高效的检测。

三、系统设计1. 硬件设计系统硬件设计主要包括SoC FPGA的选择与配置、摄像头接口设计、数据传输接口设计等。

选择合适的SoC FPGA是系统设计的关键,要考虑到其处理能力、功耗、成本等因素。

同时,要设计合适的摄像头接口和数据传输接口,以保证图像数据的快速、稳定传输。

2. 软件设计软件设计主要包括操作系统选择、算法实现、驱动程序编写等。

系统采用实时操作系统,以保证系统的稳定性和实时性。

算法实现是系统的核心部分,采用行人检测算法如Haar特征级联分类器或深度学习算法等,以实现高精度的行人检测。

驱动程序负责控制硬件设备的运行,实现软硬件的协同工作。

四、行人检测算法实现行人检测算法是实现实时行人检测系统的关键。

本文采用Haar特征级联分类器算法进行实现。

该算法通过提取图像中的Haar特征,利用AdaBoost算法训练分类器,实现对行人的快速检测。

在SoC FPGA上实现该算法,通过并行处理和优化,可以实现高效率的行人检测。

五、系统实现与测试系统实现主要包括硬件平台的搭建、软件的编写与调试、算法的优化等。

通过在真实环境下进行测试,验证系统的实时性、准确性和稳定性。

光刻机曝光过程的模拟与仿真研究

光刻机曝光过程的模拟与仿真研究

光刻机曝光过程的模拟与仿真研究随着科技的不断发展,光刻技术在微电子领域的应用日益广泛。

光刻机作为光刻技术的核心设备,对于芯片制造工艺的精度和效率具有重要影响。

在光刻机曝光过程中,精确地模拟和仿真这一过程对于提高芯片的质量和准确性具有重要意义。

本文将对光刻机曝光过程的模拟与仿真研究进行探讨,并介绍相关的技术和方法。

光刻机曝光过程是制造芯片的重要环节,它将光在掩模上聚焦,通过光照的方式将图案投射到感光胶上,从而形成芯片上的图案。

在实际应用中,曝光过程的精度和效率直接影响芯片制造工艺的可行性和成本。

因此,通过模拟和仿真光刻机曝光过程,可以提前评估和优化芯片制造流程,从而提高工艺的效率和性能。

在光刻机曝光过程的模拟与仿真研究中,重要的一步是建立光刻机的模型。

光刻机模型通常包括光学系统、掩模、感光胶等组成部分。

光学系统是将光源的能量聚焦在感光胶上的关键部分,通过光学设计的优化,可以提高曝光的精度和均匀性。

掩模是决定芯片图案的关键部分,通过优化掩模的设计,可以提高芯片的分辨率和对比度。

感光胶是光刻过程中的关键介质,通过改变感光胶的特性,可以实现不同的曝光效果。

在模拟和仿真光刻机曝光过程时,需要考虑光的物理特性,包括光的传播、折射和干涉等现象。

光的传播模型可以基于光线追踪算法,通过模拟光在光学系统中的传播路径,进而预测曝光过程中光的强度和分布。

光的折射模型可以基于几何光学理论,通过建立掩模和感光胶的界面模型,预测光在界面处的折射和反射情况。

光的干涉模型可以基于波动光学理论,通过模拟光的干涉效应,预测曝光过程中芯片图案的分辨率和对比度。

除了光传播、折射和干涉等物理模型之外,还需要考虑光刻机的工艺参数对曝光结果的影响。

光刻机的工艺参数包括曝光时间、光源功率、焦距等。

这些参数的调节可以直接影响曝光过程中光的分布和强度,进而影响芯片图案的质量和准确性。

通过模拟和仿真这些工艺参数的变化,可以优化曝光过程,提高工艺的可控性和稳定性。

《基于SoCFPGA的实时行人检测系统研究与实现》范文

《基于SoCFPGA的实时行人检测系统研究与实现》范文

《基于SoC FPGA的实时行人检测系统研究与实现》篇一一、引言随着计算机视觉技术的快速发展,实时行人检测在众多领域如智能交通、安防监控等扮演着重要角色。

SoC(System-on-a-Chip)FPGA(Field Programmable Gate Array)以其高度可定制和并行处理能力,为实时行人检测系统提供了新的解决方案。

本文旨在研究并实现一个基于SoC FPGA的实时行人检测系统,以提高检测效率和准确性。

二、系统需求分析与设计2.1 需求分析首先,考虑到实时行人检测系统的高效性需求,我们需要在有限的时间和计算资源内完成图像处理和检测任务。

其次,系统应具备高准确性和低误报率,以避免误判带来的问题。

最后,系统的稳定性也是重要因素,应能够适应不同的光照和复杂环境条件。

2.2 系统设计为了满足上述需求,我们采用SoC FPGA作为核心处理器,通过设计高效的硬件加速器来提高检测速度。

同时,我们利用FPGA的可编程性来优化算法以降低误报率。

系统主要由图像采集模块、预处理模块、行人检测模块和输出模块组成。

三、关键技术研究与实现3.1 图像预处理图像预处理是行人检测的重要环节,包括去噪、灰度化、二值化等操作。

我们采用FPGA上的硬件加速器来实现这些操作,以提高处理速度。

同时,我们通过优化算法来降低计算复杂度,以减少资源消耗。

3.2 行人检测算法本文采用基于HOG(Histogram of Oriented Gradients)特征的行人检测算法。

我们通过FPGA上的硬件加速器来实现HOG 特征提取和SVM(Support Vector Machine)分类器,以提高检测速度和准确性。

此外,我们还利用FPGA的并行处理能力来优化算法,以进一步提高系统性能。

3.3 系统实现在硬件设计方面,我们选择合适的FPGA芯片和开发工具链来实现系统。

在软件设计方面,我们采用高级硬件描述语言(HDL)来编写代码,并利用FPGA的并行处理能力来优化算法。

电子束光刻三维仿真研究

电子束光刻三维仿真研究

电子束光刻三维仿真研究宋会英,杨 瑞,赵真玉(中国石油大学(华东)计算机与通信工程学院,山东东营257061) 摘 要: 本文利用M onte Carlo 方法及优化的散射模型,对电子束光刻中电子在抗蚀剂中的散射过程进行了模拟,通过分层的方法,对厚层抗蚀剂不同深度处的能量沉积密度进行了计算,建立了电子束光刻厚层抗蚀剂的三维能量沉积模型.根据建立的三维能量沉积模型,采用重复增量扫描策略对正梯锥三维微结构进行了光刻仿真.理论分析和仿真结果表明,利用分层的三维能量沉积分布模型能更精确地实现电子束光刻的三维仿真.关键词: 电子束光刻;邻近效应;曝光强度;三维能量沉积模型中图分类号: TP30511 文献标识码: A 文章编号: 037222112(2010)0320617203Three 2Dimensional Simulation Study on the Electron Beam LithographyS ONG Hui 2ying ,Y ANG Rui ,ZH AO Zhen 2yu(College o f Computer and Communication Engineering ,China Univer sity o f Petroleum (East China ),Dongying ,Shandong 257061,China )Abstract : The electron scattering process of electron beam lithography in the thick resist was simulated by the Monte Carlo method with the optimized electron scattering model ,the energy deposition density at the different depths of thick resist was calculat 2ed by using of the stratified method ,and the three dimensional energy deposition model of the thick resist in the electron beam lithography was established.According to the three dimensional energy deposition mode ,we have simulated the exposure of a three dimensional micro 2structure of trapezoidal pyramid by the overlapped increment scanning strategy.Theoretical analysis and the simu 2lation results show that the three dimensional energy deposition model based on the stratified method can realize the three dimension 2al simulation of the electron beam lithography more accurately.K ey words : electron beam lithography ;proximity effect ;exposure intensity ;three dimensional energy deposition model1 引言 在微细加工技术中,电子束光刻技术是目前最好的图形制作技术,在实验室环境下,已经能将电子束聚焦成2nm 的束斑[1],它在微细加工和纳米器件的制备方面都呈现出重要的应用价值,同时,随着微机电系统(M i 2cro E lectro M echanical Systems ,ME MS )技术的发展,它必将在三维微结构加工技术中发挥重要作用[2].但是,电子束光刻机价格昂贵,实验费用高,通过仿真技术研究,可以减少实验次数、降低实验费用,因此,需要进行电子束光刻三维仿真技术研究.ME MS 制造技术是ME MS 技术的关键和基础,是当前ME MS 研究的重中之重.ME MS 技术发展要求制造真正的三维微结构.要得到精确的三维图形,需要对三维结构的产生机理及其邻近效应校正技术进行研究.目前的电子束光刻及其邻近效应校正模型主要是针对集成电路掩模制造技术,一般只在二维方向上进行建模.二维模型通常采用在整个抗蚀剂厚度上取平均值的方法进行简化,在抗蚀剂很薄的情况下,这种简化引起的误差很小,可以忽略,但随着三维微结构深宽比的增大,要求采用较厚的抗蚀剂层,沿着厚层抗蚀剂深度方向上的能量沉积密度变化较为显著,如用二维模型进行简化,就会引起较大的误差.因此,进行电子束光刻仿真技术研究,必须考虑厚层抗蚀剂深度方向上能量沉积密度的变化,建立三维能量沉积分布模型.本文利用M onte Car 2lo 方法和优化的电子散射模型[3]对电子的散射过程进行仿真,然后对沿着厚层抗蚀剂深度方向上的能量沉积密度进行分层计算.对正梯锥三维微结构进行的光刻仿真结果表明利用分层的三维能量沉积分布模型能够更精确地实现电子束光刻的三维仿真.2 电子束光刻能量沉积模型 当电子束在抗蚀剂表面的Q 点入射时,距离Q 点为r 1的P 点接收到的有效曝光剂量为E 1=F (r 1),F (r )为曝光强度分布函数,同时,如果电子束在P 点入射,则在Q 点接收到的有效曝光剂量为E 2=F (r 1).根据昂萨格倒易关系[4]有E 1=E 2.收稿日期:2009208221;修回日期:2010202226基金项目:山东省自然科学基金(N o.Y 2007G 21) 第3期2010年3月电 子 学 报ACT A E LECTRONICA SINICA V ol.38 N o.3M ar. 2010  图1[2]为有效曝光剂量计算示意图,当电子束对区域A 进行曝光时,在P 接收到的有效曝光剂量为:E p =∫SF (r )d S (1)其中S 为曝光区域A 的面积.若对P 点附近(F (r )曲面下)的多个区域进行曝光,在P 点接收到的总有效曝光剂量应为各曝光剂量的累加和.由以上分析可知,通过如下两个步骤,即可计算版图中任意一点P 接收到的有效曝光剂量:①移动F (r ),使P 为其中心点或坐标原点;②用下式计算P 点接收到的总有效曝光剂量[4]:E p =∑n i =1∫S i F (r )d S i (2)其中,n 为以P 点为中心,F (r )曲面内包含的曝光区域的数目.在电子束三维光刻技术中,首先使用电子束光刻技术进行曝光,再用显影工序以选择性地去除曝光部分(正性抗蚀剂)或者未曝光部分(负性抗蚀剂),从而最终形成三维聚合物结构.在电子束光刻过程中需要考虑根据不同光刻深度用不同的剂量进行曝光,针对在光刻过程中扫描速率不能改变的电子束曝光机,可以采用重复增量扫描技术[5].在重复增量扫描技术中,某点可能被多次曝光.图形深度不同的位置其曝光次数也不相同,接收到的总曝光剂量是该点多次曝光剂量之和再加上相邻点散射引起的曝光剂量,可表示为[5]:D total =K D d +∑ni =0D i (3)其中K 为该点被曝光的总次数,D d 为单次曝光剂量,n 为对该图形有影响的其它图形的曝光总次数,D i为第i 个相邻图形曝光对该图形造成的散射剂量.3 深度对电子束光刻产生能量沉积的影响 M onte Carlo 方法使用不同随机数反映随机过程的涨落现象,利用这种方法可以产生一个与电子行为相似的散射事件,能较准确地模拟电子在固体中的能量沉积分布.因此,通过M onte Carlo 方法模拟电子在固体中的散射,是极其有效的方法[6,7].在模拟数据的基础上,分析不同光刻条件对电子束能量沉积分布的影响,为电子束三维光刻技术中参数的确定提供理论基础,从而大大减少实验的次数.为了建立电子束光刻的三维能量沉积模型,首先对整个厚层抗蚀剂进行电子束光刻的M onte Carlo 模拟,然后对不同深度上的能量沉积密度进行计算,从而比较不同深度上能量沉积密度的差异,最终建立电子束光刻的三维能量沉积分布模型.在模拟过程中,抗蚀剂PM M A 的厚度为1000nm ,电子束能量为30keV ,束斑半径为5nm.分别对厚层抗蚀剂不同深度上的能量沉积密度进行计算,图2为不同深度处的能量沉积密度分布,图中分别给出了抗蚀剂顶部、中间和底部厚度为100nm 抗蚀剂层中的平均能量沉积密度.由图2可清晰得知,随着抗蚀剂深度的增加,电子束能量沉积密度分布的中间部分逐渐由高而陡向矮而缓变化,随着抗蚀剂深度的增加,这种变化更加明显.邻近效应产生的根本原因是电子在抗蚀剂和衬底中遭受散射,改变了电子原有的运动方向[8,9].由图2可以得出,随着抗蚀剂深度不断增加,靠近入射点中心部分的能量沉积密度逐渐减弱,而远离入射点中心部分的能量沉积密度逐渐增强.因此,随着厚层抗蚀剂深度的增加,产生的邻近效应越来越显著.由于随着厚层抗蚀剂深度的增加其不同深度上能量沉积密度的扩散程度差别较大,因此,二维能量沉积模型采用平均值简化的方法无法精确地表达厚层抗蚀剂曝光后实际的能量沉积分布.鉴于此,构建三维能量沉积分布模型首先要对厚层抗蚀剂进行分层,由于在每一薄层中深度方向上的能量沉积密度变化很小,所以,在每一层上可采用求平均值的方法分别计算其能量沉积密度分布.图3是采用电子束能量为30keV ,束斑半径为5nm ,在厚度为1200nm 的PM M A 上对某一栅形结构进行光刻后所产生的能量沉积分布,图3中A 、B 、C 分别为抗蚀剂顶部、中部和底部,厚度为100nm 抗蚀剂中的平均能量沉积密度分布,图3中D 为整个抗蚀剂层应用二维能量沉积模型获得的能量沉积密度分布,由图3中A 、B 、C 可知,随着厚层抗蚀剂深度的增加,其能量沉积分布的扩散程度越来越明显,这就导致了经光刻、显影后得到的栅型结构之间的邻近效应随抗蚀剂深度的增加而明显增强,这样制备的三维结构将与所期望得到的三维结构间有较大误差,甚至多个图形连接到一起,从而无法获得需要的三维结构.图3中D 所示的由二维能量816 电 子 学 报2010年沉积模型获得的能量沉积分布可知,采用通常的平均值简化的二维能量沉积分布模型丢失了许多信息,造成了计算结果与光刻产生的实际能量沉积分布之间的较大误差.所以,通过分层计算的方式建立的三维模型能更准确地模拟电子束三维光刻生成的微结构.4 重复增量扫描策略 在利用现有的电子束曝光机图形发生器进行三维加工时,需要对曲面图形进行复杂的数据分割[5].考虑到加工三维结构降低数据传输的时间需要,需结合三维曝光模型和曝光图形的特殊结构,从软件和策略上提高电子束曝光机的性能,避免复杂的硬件优化.以曝光一个正梯锥为例,如图4所示,如果需要曝光得到一个简单的正梯锥,可以借助重复增量扫描策略,对于抗蚀剂中正梯锥的表层正方形部分,先对其进行如图的划分,从中央开始,依次对划分的多个正方形进行扫描,这样最中间部分的小正方形扫描了多次,而最外层的正方形边缘只扫描了1次,某一位置接收到的电子剂量由电子束扫描同一位置的总时间来确定. 同理,重复增量扫描策略还可以用于圆锥、圆形曲面的曝光,具有类似曲面轮廓的图形在重复增量扫描策略下,无需进行复杂的分割,这样就避免了数据量过大的问题,从而大大降低了数据的传输量,减少了总曝光时间并且提高了曝光效率[5].5 实验与仿真结果 利用S DS 23电子束曝光机,对厚度为570nm 的正性光致抗蚀剂S 21805进行了光刻实验,曝光的正方形的边长依次为7μm 、11μm 、15μm 、19μm 、23μm 、27μm 、31μm ,电子束加速电压为20kV ,单次曝光剂量为5μC/cm 2.在7‰的NaOH 溶液中显影50s ,得到的三维图形如图5所示.各级对应的深度分别为38nm 、91nm 、165nm 、266nm 、366nm 、456nm 、543nm.图6为利用重复增量扫描策略和分层的三维能量沉积分布模型,与实验相同的参数下获得的计算机仿真结果,仿真结果与实验结果的平均深度误差和平均宽度误差均小于10%.另外,仿真结果还表明,如果继续增加重复曝光次数,各曝光级别之间的界限不断减弱,最终成为一个连续曲面,这为利用现有电子束曝光系统实现三维曲面加工技术的研究奠定了基础.6 结论 本文采用M onte Carlo 模拟和分层方法计算了电子束光刻在厚层抗蚀剂中的能量沉积分布,计算结果表明,随着厚层抗蚀剂深度的增加,电子束入射点附近的能量沉积密度呈现出由高而陡向矮而缓的变化趋势,即随着抗蚀剂深度的不断增加,其抗蚀剂深度上能量沉积分布的扩散程度越来越大,这表明三维微结构的邻近效应随抗蚀剂深度的不断增加越来越明显.根据模拟结果得到的电子束光刻厚层抗蚀剂中能量沉积分布的变化规律和数据,建立了更精确的分层的电子束光刻仿真三维能量沉积分布模型.利用重复增量扫描策略,采用分层的三维能量沉积分布模型获得了与实验较为接近的三维微结构的仿真结果,另外,分层的三维能量沉积分布模型的建立也为三维微结构的邻近效应校正奠定了基础.作者简介: 宋会英 女,1968年12月出生于山东省利津县.博士.现为中国石油大学(华东)计算机与通信工程学院副教授、硕士生导师.主要从事电子束光刻、邻近效应校正及其仿真技术研究.E 2mail :s onghuiying @ 杨 瑞 男,1984年10月出生于山东省博兴县.研究生.主要从事电子束光刻仿真技术、高性能计算研究.E 2mail :yangrui10718@ (下转第631页)916第 3 期宋会英:电子束光刻三维仿真研究。

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目前大部分光刻仿真系统利用二维图形显示技术实现 光刻仿真结果的交互显示,随着虚拟现实技术的发展,根据
仿真结果建立三维硅晶圆结构模型,并利用大规模场景实时 漫游技术对硅晶圆结构进行 3D 实时绘制已成为可能,光刻 仿真数据三维可视化已经成为当前 SOC 设计的研究热点。 光刻工艺分为三个过程:光通过成像系统、抗蚀剂曝光以及 抗蚀剂的显影。加州大学伯克利分校的 SAMPLE-3D[3]、卡 内基梅隆大学的 Metropole-3D[4]对曝光以及显影进行了 3D 仿真,METRO-3D[5]在晶圆检测方面进行了 3D 仿真。但这 些系统都未对成像系统生成的光照强度信息进行 3D 仿真, 同时大规模海量设计数据的 3D 实时交互式显示目前在国际 上还是空白。
引 言1
光刻是 SOC(System On Chip)制造的关键工艺,随着 SOC 工艺进入纳米时代,光刻技术变得越来越复杂,光刻 仿真能够帮助半导体技术人员模拟光刻工艺,缩短开发周 期、提高产品质量。近年来,人们在光刻仿真研究方面做了 大量的工作,如美国加州大学伯克利分校开发的光刻仿真系 统 SPLAT (Simulation of Projection Lens Aberrations via TCCs) [1],以及 Yoshikazu Hirai 研究的 X 光刻仿真系统[2]等。面对 仿真后生成的海量数据,如何将光刻仿真结果直观、形象地 呈现在技术人员面前成为光刻仿真软件面临的巨大挑战之 一。采用实时 3D 图形显示技术实现仿真结果三维可视化是 解决该问题的有效途径,其中如何将仿真数据转变为三维图 形数据以及实现这些数据的 3D 交互式实时显示是其中的关 键和难点。
本次 SPLAT 能仿真的硅晶圆面积为 2x2y(µm2)。
输出文档第二行说明仿真结果的数据量,其格式为 w,
l,表示硅晶圆 X、Y 轴方向分别由 w、l 个点表示。也就是
说 SPLAT 对 2x2y(µm2)大小的硅晶圆进行仿真,结果将由 w
X l 个点的光照强度值表示,仿真结果分辨率 R 定义为:
Abstract: Photolithography simulation is the key process of SOC (System on Chip) photolithography fabrication. Based on SPLAT (Simulation of Projection Lens Aberrations via TCCs), an automatic sorting algorithm designed for 3D modeling was introduced in order to re-sort the simulation data of SPLAT output file. In addition, a transformation model that converted light intensity data into deep data was proposed. The light intensity data of SPLAT output file was converted into data with 3D visualization using the transformation model. Experimental results show that both the automatic sorting algorithm and the transformation model are applicable and novel. Besides, the model and algorithm proposed can be further applied to large-scale interactive real-time 3D visualization for SOC data simulation. Key words: photolithography simulation; SOC; SPLAT; 3D visualization
强度值大的区域会凸起,而使用正性光刻胶时则会凹下,为
SPLAT 输出结果为光照强度信息,为了实现数据的三 维可视化,需要建立光照强度与深度转换模型,必须将
SPLAT 输出光照强度信息转换为深度值。设硅晶圆上某点
的光照强度值为 I( x, y),则:
I( x, y )=F-1 {I ( f, g )}
(4)
+∞ +∞
∫ ∫ I ( f , g) =
T ( f ′ + f , g′ + g, f ′, g′) ×
v1, v2 , …, vw,…, vkw+1 , vkw+2 , …, v2kw,…,v(l-1)w ,
v(l-1)(w+1) , …, v1w ,
其中:k=0, 2, …,l-1
(3)
自动排序算法对输出数据进行重新排序的算法如下:
初始化仿真数组 Data[],用于存放 SPLAT 生成的仿真结果;
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第 20 卷第 23 期 2008 年 12 月
系统仿真学报
Vol. 20 No. 23 Dec., 2008
度数据,这些值保存在 SPLAT 输出文档(SPLAT output data file)中,并按一定顺序排放。
SPLAT 输出数据格式如表 1 所示:
1列 -x
v1 … v8k+1 …
初始化转换数组 TData[],用于存放转换数据; 仿真数组序号 s=0; 转换数组序号 t=0; for 晶圆纵向点数为 l-1 到 0;
for 晶圆横向点数为 0 到 w-1; t=纵向点数*w+横向点数;
TData[t]=Data[s]; s=s+1; end; end;
2 光照强度与深度转换模型
v2 , …, vw
其中:k=l-1, l-2, …,0
(2)
在对圆晶片进行 3D 建模时,如果按此顺序进行图形绘
制,形成的 3D 图形就是真实图形的倒像。所以必须对数据
重新排序,使从晶圆片左上角开始的光照强度信息为第一笔
数据,然后依次从左向右,从上向五排列,直至右下角为最
后一笔数据。如式 3 所示。
数据可视化;万旺根(1961-), 男, 江西省南昌人, 博士, 教授, 博ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ,上
海大学 ITS 研究中心常务副主任, 研究方向为科学数据可视化、多媒体
信号处理。
SPLAT[1]是由美国加州大学伯克利分校开发的二维透 射系统仿真程序,其理论基础是部分相干成像 Hopkins 理论。 可模拟出光源透过光罩在硅晶圆上蚀刻后的结果,能仿真高 数值孔径及改进后照明装置下透镜像差、变迹、空间过滤、 聚焦及放大效果。经过 SPLAT 模拟后,会产生大量光照强
光照强度转换为三维模型的深度,根据文献[1]指出的 SPLAT 输出的光照强度值与最终形成的晶圆表面凹凸深度成线性关
系,得出光照强度与深度值转换模型为:
d (x, y) = dip ⋅ λ ⋅ I (x, y) + e
(6)
其中 d(x, y)为晶圆表面深度值,λ 为转换系数,e 为修正系 数。λ、e 与光刻设备性质有关。dip 为显影系数,与光刻胶 的性质有关。考虑到成像的后续过程使用负性光刻胶,光照
表 1 SPLAT 输出数据格式
2 列 3 列 4 列 其他列 最后一列
x
-y
y
w
l
v2
v3
v4

v5
………


v8k+2 v8k+3 v8k+4


vwj
v8(k+1)
SPLAT 输出文档第一行说明光罩大小。其格式为-x,x,
-y,y。表示在硅晶圆平面上宽度(X 轴)范围是从-x 到 x;长
度(Y 轴)范围是从-y 到 y。其单位为微米。第一行数据说明
强度数值转变为 3D 可视化的深度数据,论文最后设计了 3D 实时图形仿真程序并进行了实验。实
验证明了自动排序算法以及转换模型的正确性和先进性,为超大规模 SOC 数据的 3D 交互式实时
显示奠定了基础。
关键词:光刻仿真;SOC;SPLAT;三维可视化
中图分类号:TP391.9
文献标识码:A
文章编号:1004-731X (2008) 23-6383-04
传统方法通过提取光强等高线[3]的方法用二维图像表示
光刻仿真结果,即得到晶圆平面上一组密集采样点的光强分
布后,对整个面进行搜索得到符合某一光强值所有点的位置,
进而将搜索到的各点连接成一条连续的封闭曲线或一组封闭
曲线组,从而形成一定的图案。但二维图像不够直观,而且
只能提供顶视图。为了得到光照强度信息的立体图,需要将
v1 …
v8k +1 …
v2
v8k + 2 v wl
v8 … v8(k +1)
图 1 光照强度值排列顺序
将 SPLAT 输出文档第三行以后数据依次排列,其光照 强度信息依次排列结果为:
v(l-1)w , v(l-1)(w+1) , …, v1w , …, vkw+1 , vkw+2 , …, v2kw ,…, v1 ,
第 20 卷第 23 期 2008 年 12 月
系 统 仿 真 学 报© Journal of System Simulation
Vol. 20 No. 23 Dec., 2008
SOC 光刻仿真 3D 实时显示方法研究
崔 滨 1,万旺根 1,唐经洲 2,黄 炳 1
(1.上海大学通信与信息工程学院,上海 200072;2.南台科技大学电子工程系,台南 710)
1 自动排序算法
收稿日期:2007-06-03
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