树脂封装型中高压贴片电容

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SMT常见贴片元器件封装类型识别

SMT常见贴片元器件封装类型识别

SMT贴片元器件封装类型的识别封装类型是元件的外观尺寸和形状的集合,它是元件的重要属性之一。

相同电子参数的元件可能有不同的封装类型。

厂家按照相应封装标准生产元件以保证元件的装配使用和特殊用途。

由于封装技术日新月异且封装代码暂无唯一标准,本指导只给出通用的电子元件封装类型和图示,与SMT工序无关的封装暂不涉及。

1、常见SMT封装以公司内部产品所用元件为例,如下表:通常封装材料为塑料,陶瓷。

元件的散热部分可能由金属组成。

元件的引脚分为有铅和无铅区别。

2、SMT 封装图示索引以公司内部产品所用元件为例,如下图示:名称 图示常用于 备注Chip电阻,电容,电感MLD钽电容,二极管CAE铝电解电容Melf圆柱形玻璃二极管,电阻(少见)SOT三极管,效应管JEDEC(TO) EIAJ(SC)TO电源模块 JEDEC(TO)OSC晶振Xtal晶振SOD 二极管JEDEC SOIC 芯片,座子SOP 芯片前缀:S:Shrink T:ThinSOJ 芯片PLCC 芯片含LCC座子(SOCKET)DIP 变压器,开关QFP 芯片BGA 芯片塑料:P 陶瓷:CQFN 芯片SON芯片3、常见封装的含义1、BGA(ball grid array):球形触点陈列表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。

而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用。

2、DIL(dual in-line):DIP的别称(见DIP)。

电解电容其作用

电解电容其作用

电解电容其作用隔直流:作用是阻止直流通过而让交流通过。

旁路(去耦):为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。

耦合:作为两个电路之间的连接,允许交流信号通过并传输到下一级电路。

滤波:将整流以后的锯齿波变为平滑的脉动波,接近于直流。

储能:储存电能,用于必须要的时候释放。

1uF/100V,0.1uF/100V,0.01uF/100V,0.0033uF/100V。

以上为无感CCB电容。

作用如下:隔直流:作用是阻止直流通过而让交流通过。

旁路(去耦):为交流电路中某些并联的元件提供低阻抗通路。

耦合:作为两个电路之间的连接,允许交流信号通过并传输到下一级电路。

滤波:将整流以后的锯齿波变为平滑的脉动波,接近于直流。

电容的其他性质一、电容的分类和作用电容(Electric capacity),由两个金属极,中间夹有绝缘材料(介质)构成。

由于绝缘材料的不同,所构成的电容器的种类也有所不同。

按结构可分为:固定电容,可变电容,微调电容。

按介质材料可分为:气体介质电容,液体介质电容,无机固体介质电容,有机固体介质电容电解电容。

按极性分为:有极性电容和无极性电容。

我们最常见到的就是电解电容。

电容在电路中具有隔断直流电,通过交流电的作用,因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。

二、电容的单位电阻的基本单位是:F (法),此外还有μF(微法)、pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF(纳法),由于电容 F 的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位,而不是F的单位。

他们之间的具体换算如下:1F=1000000μF1μF=1000nF=1000000pF三、电容的耐压单位:V(伏特)每一个电容都有它的耐压值,这是电容的重要参数之一。

普通无极性电容的标称耐压值有:63V、100V、160V、250V、400V、600V、1000V 等,有极性电容的耐压值相对要比无极性电容的耐压要低,一般的标称耐压值有:4V、6.3V、10V、16V、25V、35V、50V、63V、80V、100V、220V、400V等。

SMT常见贴片元器件

SMT常见贴片元器件

SMT贴片元器件封装类型的识别封装类型是元件的外观尺寸和形状的集合,它是元件的重要属性之一。

相同电子参数的元件可能有不同的封装类型。

厂家按照相应封装标准生产元件以保证元件的装配使用和特殊用途。

由于封装技术日新月异且封装代码暂无唯一标准,本指导只给出通用的电子元件封装类型和图示,与SMT工序无关的封装暂不涉及。

1、常见SMT封装以公司内部产品所用元件为例,如下表:通常封装材料为塑料,陶瓷。

元件的散热部分可能由金属组成。

元件的引脚分为有铅和无铅区别。

2、SMT 封装图示索引以公司内部产品所用元件为例,如下图示:名称 图示常用于 备注Chip电阻,电容,电感MLD钽电容,二极管CAE铝电解电容Melf圆柱形玻璃二极管,电阻(少见)SOT三极管,效应管JEDEC(TO)EIAJ(SC)TO电源模块 JEDEC(TO)OSC晶振Xtal晶振SOD二极管JEDECSOIC芯片,座子SOP芯片前缀:S:ShrinkT:ThinSOJ芯片PLCC芯片含LCC座子(SOCKET)DIP变压器,开关QFP芯片BGA芯片塑料:P陶瓷:CQFN芯片SON芯片3、常见封装的含义1、BGA(ball grid array):球形触点陈列表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

例如,引脚中心距为的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为的304 引脚QFP 为40mm 见方。

而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用。

2、DIL(dual in-line):DIP的别称(见DIP)。

欧洲半导体厂家多用此名称。

3、DIP(dual in-line Package):双列直插式封装引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。

贴片电容,贴片电阻,贴片电感基础知识,品牌大全

贴片电容,贴片电阻,贴片电感基础知识,品牌大全

贴片电容,贴片电阻,贴片电感基础知识--品牌大全1、请列举您知道的电阻、电容、电感品牌(最好包括国内、国外品牌)。

电阻:美国:AVX、VISHAY威世日本:KOA兴亚、Kyocera京瓷、muRata村田、Panasonic 松下、ROHM罗姆、susumu、TDK台湾: LIZ丽智、PHYCOM飞元、RALEC旺诠、ROYALOHM厚生、SUPEROHM美隆、TA-I大毅、TMTEC泰铭、TOKEN德键、TYOHM幸亚、UniOhm厚声、VITROHM、VIKING 光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨新加坡:ASJ 中国:FH风华、捷比信电容:美国:AVX、KEMET基美、Skywell泽天、VISHAY威世英国:NOVER诺华德国:EPCOS、WIMA威马丹麦:JENSEN战神日本:ELNA伊娜、FUJITSU富士通、HITACHI日立、KOA兴亚、Kyocera京瓷、Matsushita松下、muRata村田、NEC、nichicon(蓝宝石)尼吉康、Nippon Chemi-Con(黑金刚、嘉美工)日本化工、Panasonic松下、Raycon威康、Rubycon(红宝石)、SANYO三洋、TAIYO YUDEN太诱、TDK、TK东信韩国:SAMSUNG三星、SAMWHA 三和、SAMYOUNG三莹台湾:CAPSUN、CAPXON(丰宾)凯普松、Chocon、Choyo、ELITE金山、EVERCON、EYANG宇阳、GEMCON至美、GSC杰商、G-Luxon世昕、HEC 禾伸堂、HERMEI合美电机、JACKCON融欣、JPCON正邦、LELON立隆、LTEC辉城、OST奥斯特、SACON士康、SUSCON 冠佐、TAICON台康、TEAPO智宝、WALSIN华新科、YAGEO国巨香港:FUJICON富之光、SAMXON万裕中国:AiSHi 艾华科技、Chang常州华威电子、FCON深圳金富康、FH广东风华、HEC东阳光、JIANGHAI南通江海、JICON吉光电子、LM佛山利明、R.M佛山三水日明电子、Rukycon海丰三力、Sancon海门三鑫、SEACON深圳鑫龙茂电子、SHENGDA扬州升达、TAI-TECH台庆、TF南通同飞、TEAMYOUNG天扬、QIFA奇发电子电感:美国:AEM、AVX、Coilcraft线艺、Pulse普思、VISHAY威世德国:EPCOS、WE 日本:KOA兴亚、muRata村田、Panasonic松下、sumida胜美达、TAIYO YUDEN 太诱、TDK、TOKO、TOREX特瑞仕台湾:CHILISIN奇力新、yers美磊、TAI-TECH台庆、TOKEN德键、VIKING光颉、WALSIN华新科、YAGEO国巨中国:Gausstek丰晶、GLE格莱尔、FH风华、CODACA科达嘉、Sunlord顺络、紫泰荆、肇庆英达2、请解释电阻、电容、电感封装的含义:0402、0603、0805。

SMT常见贴片元器件封装类型识别 (2)

SMT常见贴片元器件封装类型识别 (2)

SMT贴片元器件封装类型的识别封装类型是元件的外观尺寸和形状的集合,它是元件的重要属性之一。

相同电子参数的元件可能有不同的封装类型。

厂家按照相应封装标准生产元件以保证元件的装配使用和特殊用途。

由于封装技术日新月异且封装代码暂无唯一标准,本指导只给出通用的电子元件封装类型和图示,与SMT工序无关的封装暂不涉及。

1、常见SMT封装以公司内部产品所用元件为例,如下表:通常封装材料为塑料,陶瓷。

元件的散热部分可能由金属组成。

元件的引脚分为有铅和无铅区别。

2、SMT封装图示索引以公司内部产品所用元件为例,如下图示:3、常见封装的含义1、BGA(ball grid array):球形触点陈列表面贴装型封装之一。

在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基板的正面装配LSI芯片,然后用模压树脂或灌封方法进行密封。

也称为凸点陈列载体(PAC)。

引脚可超过200,是多引脚LSI用的一种封装。

封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。

例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA 仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm的304 引脚QFP 为40mm 见方。

而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。

该封装是美国Motorola公司开发的,首先在便携式电话等设备中被采用。

2、DIL(dual in-line):DIP的别称(见DIP)。

欧洲半导体厂家多用此名称。

3、DIP(dual in-line Package):双列直插式封装引脚从封装两侧引出,封装材料有塑料和陶瓷两种。

DIP应用范围包括标准逻辑IC,存贮器LSI,微机电路等。

引脚中心距2.54mm,引脚数从6到64。

封装宽度通常为15.2mm。

有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slimDIP(窄体型DIP)。

但多数情况下并不加区分,只简单地统称为DIP。

4、Flip-Chip:倒焊芯片裸芯片封装技术之一,在LSI芯片的电极区制作好金属凸点,然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。

1206(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书

1206(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书
1.60±0.30
T
0.80±0.20 1.00±0.20 1.25±0.20 1.60±0.30
WB 0.60±0.30
第 2 页 共 13 页
五. 规格及测试方法:
No
项目
规格
1 使用温度范围 -55~+125℃
外观无可见损伤
2
外观及尺寸
尺寸符合规格要求
3
静电容量 符合规定许容差以内
4
损耗角正切 DF≤2.5%
6
耐电压
无介质被击穿或损伤
Ur=450/500/630V,1.5倍额定电压,5秒
(DC)
1KV≤Ur≤2KV,........ 1.2倍额定电压,5秒
2KV<Ur,............... 1.1 倍额定电压,5 秒 升压时间为:1~3S 保压时间为:5S
7
可焊性
■上锡率应大于 75% ■外观无可见损伤
IR≥1000MΩ或 IR*Cr≥25S IR 取较小值
外观 无可见损伤
静电容 量变化 特性:
率 ┃ΔC/C┃≤20%
高温负
13 荷实验
DF 值 ≤2 倍的初始标准
特性:
IR IR≥2000MΩ或 IR*Cr≥50S 取较小值
充放电流限制在 50mA 以下. 温 度 时 间
100V≤V≤250V 电压 250V<V<1KV
测定.
测试电压:额定电压
测试时间:60±5 秒测
5
绝缘电阻
IR≥4*109Ω,C≤25nF
试湿度:≤75% 测试
IR*Cr≥100*1012Ω,C>25nF 温度:25±5℃
测试充放电电流:≤50mA
Ur=100V,............. 2.5 倍额定电压,5 秒

SMD贴片型LED的封装

感谢观看
外观检测
检测项目
检查LED封装体的外观是否符合 要求,如尺寸、形状、颜色等。
检测标准
根据企业标准和客户要求,对 LED封装体的外观进行评估,确 保无明显缺陷、污渍、气泡等。
检测方法
采用目视、显微镜等方法进行外 观检测。
电性能测试
检测项目
01
测试LED封装体的电性能参数,如正向电压、反向电流、结电容
未来市场机遇与挑战
市场机遇
随着5G、物联网等新兴技术的发展,SMD 贴片型LED封装在智能照明、智能显示等领 域的应用将进一步拓展,市场潜力巨大。
市场挑战
随着市场竞争加剧和技术更新换代加速, SMD贴片型LED封装企业需要不断提升技术 创新能力、降低成本、提高品质,以应对市 场挑战。
THANKS
技术发展趋势
1 2
微型化
随着LED芯片制造技术的进步,SMD贴片型LED 封装尺寸越来越小,性能和可靠性不断提升。
高亮度与高显色指数
高亮度与高显色指数的SMD贴片型LED封装产品 不断涌现,满足市场对高品质照明和显示的需求。
3
智能化
集成控制和传感器功能的SMD贴片型LED封装产 品逐渐成为市场趋势,提升产品的智能化和便捷 性。
等。
检测标准
02
根据企业标准和客户要求,对LED封装体的电性能参数进行评估,
确保符合规格要求。
检测方法
03
采用电子测试仪器进行电性能测试。
环境适应性测试
检测项目
模拟实际使用环境,测试LED封装体在不同温度、湿度、气压等 环境条件下的性能表现。
检测标准
根据企业标准和客户要求,对LED封装体的环境适应性进行评估, 确保在规定的环境条件下能够正常工作。

钽电容标示说明书

钽电容耐压值的表示方法钽电容上面标着106F表示: 106是容量为10UfF应是耐压值为2.5V钽电容耐压用不同的字母来标注,如下:F: 2.5G: 4L、J: 6.3A: 10C: 16D: 20E:25V:35T:50在体积一定的情况下,容值越大,耐压值越小。

目前全球主要有以下几个品牌的钽电容:AVX、KEMET、VISHAY、NEC、NICHICON。

市场上的钽电容,分为黄钽和黑钽两种。

黄钽品牌主要是:AVX KEMET 黑钽主要品牌是:NEC、NICHICON。

市场占有方面:AVX远高于KEMET,NEC高于NICHICON。

现在市场上的钽电价格变化比较大。

AVX涨价20%--30% , KEMET涨价15%-20%,NEC涨价10%--20%。

涨价的主要原因个人认为有这么几个原因:1.市场上原料钽价格上涨 2.劳动力成本的增加。

另外可能有朋友要问黄钽与黑钽的区别。

简单来说,黑钽是开模将钽粉压成型,而黄钽,是在表面用聚氧树脂包裹而成。

由于生产工艺的原因,黑钽的部空间没有得到最有效的利用,所以黄钽能做的容量会比黑钽要大,也就是说有些黄钽能做到的规格型号,黑钽做不了。

另外,前面有朋友说到Polymer,Polymer现在主要是 AVX与KEMET在做。

Polymer与比普通的二氧化锰的优势在于:普通的钽电他的实际使用电压一般是50%,Polymer一般在80%以上。

举个例子来说:100uf 10v的普通电容,在实际使用的时候,额定电压不能超过5V,如果使用Polymer材料的电容,那么只需要100uf 6.3v的。

但由于价格问题,Polymer现在在普通的电子产品上用的不是很多。

我所知道的,在笔记本电脑上有些有用到。

AVX与KEMET的优劣:AVX在军用,民用市场上的占有量都很大,在普通电容的市场上,AVX无论品质还是市场占有量都远强与KEMET。

价格上,AVX比KEMET 更贵。

KEMET他主要问题是其电容的耐压值不够,举例说:100uf 10v的电容,测试的电压按道理应该能达到5V,但若真用5V电压去测试的话,很可能会击穿。

贴片钽电容的封装尺寸和标识

贴片钽电容的封装、尺寸和标识贴片钽电容的封装、尺寸AVX 贴片钽电容标识年份年份代码Year Year Code 2000 M 2001 N 2002 P 2003 R2004 S2005 T2006 U2007 Y电压代码Voltage Code 额定电压V(85°C) Rated VoltageF 2.5G4L,J 6.3A10C16D20E25V35T50目前全球主要有以下几个品牌的钽电容:AVX 、KEMET 、VISHAY 、NEC、NICHICON市场上的钽电容,分为黄钽和黑钽两种。

黄钽品牌主要是:NICHICON 。

市场占有方面:AVX 远高于KEMET ,NEC 高于NICHICON黄钽于黑钽的区别:黑钽是开模将钽粉压成型,而黄钽,是在表面用聚氧树脂包裹而成。

由于生产工艺的原因,黑钽的内部空间没有得到最有效的利用,所以黄钽能做的容量会比黑钽要大,也就是说有些黄钽能做到的规格型号,黑钽做不了。

AVX KEMET 。

黑钽主要品牌是:NEC 、说到Polymer,Polymer 现在主要是AVX 于KEMET 在做。

Polymer 于比普通的二氧化锰的优势在于:普通的钽电它的实际使用电压一般是50%,Polymer一般在80%以上。

举个例子来说:100uf 10v 的普通电容,在实际使用的时候,额定电压不能超过5V,如果使用Polymer 材料的电容,那么只需要100uf 6.3v的。

但由于价钱问题,Polymer 现在在普通的电子产品上用的不是很多。

我所知道的,在笔记本电脑上有些有用到。

AVX 于KEMET 的优劣:AVX 在军用,岷用市场上的占有量都很大,在普通电容的市场上,AVX 无论品质还是市场占有量都远强于KEMET 。

价钱上,AVX 比KEMET 更贵。

KEMET 它主要问题是其电容的耐压值不够,举例说:100uf 10v 的电容,测试的电压按道理应该能达到5V ,但若真用5V 电压去测试的话,很可能会击川。

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E
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MULTILAYERCHIPCERAMICCAPACITOR
www.nscn.com.cn

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Envelopmenttypemiddle/highvoltageMLCC
Envelopmenttupemiddle/highvoltageMLCCismadebyenvelopingaresinenvelopment
basedonnormalmiddle/highboltageMLCC.Theenvelopmentlayercanpreventthehigh
voltageflashoverproblemsandhavegoodmoistureproofproperty.

Goodsolderabilityandsolderingresistanceproperties,suitableforre-flow
soldering.

Suitableforthecircuitswherehaverigorousworkingenvironmentandhigh
operatingvoltage.

Highoperatingvoltage.
Features
Application
Partnumberexpressions
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CG
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M

Dimensions
Tupebritishmetric
(Inch)(mm)

24120.240.126.003.20

LWHKFSXTGE
6.00.23.20.22.50.21.42.21.30.100.100.133.03.0

Capacitorrange(PF)
NPOX7R
4000V0.5470
1501000
5000V0.53301501000

Outsidedimensions
capacitancerange

Dielectric
Type

CodeDielectric
Material

CGCOGorNPO
BX7R

Normal
Capacitance

ExpressionActual
MethodValue

10010
10

1011010
1

0

Capacitance
Tolerance

CodeTolerance
J
5%

K10%

RatedVoltage
ExpressionActual
MethodValue

4024000V
5025000V

TerminationType
Expression
Termination
Method

SPureSilver
CPureCopper
NThreeLayersPlating
Terminal(Silveror
Copperlayer/Nickel
layer/Tinlayer)

PackageMethod
ExpressionPackaging
Method

MBulkPlastic
BoxPackaging

X
K
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G
S

T
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E
F

Unit:mm

WorkVoltage
dielectric

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