薄膜沉积技术与工艺
ito薄膜沉积工艺
ito薄膜沉积工艺哎呀，说起ito薄膜沉积工艺，这事儿可真是让人头疼又有趣。
我得先跟你坦白，这玩意儿听起来挺高大上的，其实呢，就是给玻璃啊、塑料啊这些材料上镀上一层透明的导电膜。
这层膜，就像给手机屏幕穿上了一件隐形的外衣，不仅让屏幕能触摸，还能导电，神奇吧？记得有一次，我跟着师傅去实验室，亲眼见识了这ito薄膜的诞生过程。
那天，实验室里的气氛紧张又兴奋，大家都围着那台巨大的真空镀膜机。
机器轰隆隆地运转着，声音大得能把人耳朵震聋。
师傅一边操作，一边给我讲解，他说这机器里头可是真空的，得把空气都抽干净，这样膜才能均匀地沉积在材料上。
我看着那块透明的玻璃板，它被小心翼翼地放进了镀膜机里。
师傅说，这玻璃板得先洗干净，不能有一点儿灰尘，不然膜就镀不上去。
我心想，这跟咱们平时洗菜一样，得洗得干干净净的。
然后，机器开始工作了。
我看着那块玻璃板在机器里转啊转，心里想着，这玩意儿得转多久啊？师傅好像看出了我的疑惑，笑着说：“别急，这可是个精细活，得慢慢来。
”我点了点头，心想，这跟炖汤一样，急不得。
过了好一会儿，机器终于停了。
师傅小心翼翼地把玻璃板取出来，我凑过去一看，哇，那层膜在阳光下闪闪发光，就像给玻璃穿上了一件华丽的外衣。
师傅说，这膜虽然薄，但作用可大了，不仅能导电，还能防紫外线，保护眼睛。
我摸着那块镀了膜的玻璃，心里想，这ito薄膜沉积工艺，虽然听起来复杂，但其实就是给材料穿上一件保护衣。
这事儿，虽然不是每个人都能接触到，但想想我们的生活中，有那么多高科技产品，背后都有这样的工艺在支撑，就觉得挺神奇的。
所以啊，ito薄膜沉积工艺，虽然听起来高大上，但其实就跟我们日常生活中的点点滴滴一样，都是为了让生活更美好。
就像给手机屏幕穿上一件隐形的外衣，让我们能更方便地触摸屏幕，享受科技带来的便利。
这事儿，虽然不是每个人都能亲眼见证，但想想就觉得挺有趣的，不是吗？。
ipd薄膜工艺技术
ipd薄膜工艺技术
IPD (Integrated Passive Devices)薄膜工艺技术是一种用于制造
集成被动器件的工艺技术。
被动器件是指不包含主动器件（如晶体管）的电子器件，包括电阻器、电容器、电感器等。
IPD薄膜工艺技术利用薄膜沉积和薄膜剥离等技术，将多种被
动器件集成在一片芯片上，从而实现电路的集成化和微型化。
该工艺技术可以提高电路的集成度、降低电路的尺寸和重量，以及提高电路的性能和可靠性。
IPD薄膜工艺技术通常包括以下几个主要步骤：
1. 薄膜沉积：使用化学气相沉积、物理气相沉积或溅射等方法，在芯片表面上沉积薄膜材料，如金属、绝缘体或导体材料。
2. 薄膜剥离：通过化学腐蚀或机械剥离等方法，将多层薄膜从芯片的表面剥离下来，形成被动器件。
3. 薄膜加工：对剥离下来的薄膜进行刻蚀、电镀、退火等加工工艺，形成具有特定电气性能的被动器件。
4. 封装：将被动器件封装在芯片上，保护其免受外界环境的影响，并提供外部接口，以便与其他电子器件连接。
IPD薄膜工艺技术广泛应用于无线通信、消费电子、医疗设备、汽车电子等领域，可以实现小型化、高性能和低功耗的电子产品设计。
薄膜沉积工艺原理
薄膜沉积工艺原理
薄膜沉积工艺是指将材料蒸发、溅射或化学气相沉积等方法将原子或分子以单层或多层覆盖在基底表面上的过程。
其原理可以简述如下：
1. 蒸发沉积：将材料加热到足够高的温度，使得材料表面的原子或分子能够克服束缚力，从而从固体材料表面蒸发出去。
薄膜材料的原子或分子蒸发后冷凝在基底表面上，形成薄膜。
2. 溅射沉积：通过施加高压电弧、激光或离子束等能量源，将固体材料中的原子或分子击出，并沉积在基底表面上。
溅射沉积能够产生较高质量的薄膜，其沉积速率和成膜厚度可以通过调节能量源的强度和工艺参数来控制。
3. 化学气相沉积：将所需的反应气体引入反应室中，在适当的温度下，材料的原子或分子与反应气体发生化学反应并沉积在基底表面上。
化学气相沉积具有较高的沉积速率和较好的均匀性，且适用于多种材料的沉积。
总的来说，薄膜沉积工艺是通过将原子或分子从材料表面蒸发出来或通过化学反应使其沉积在基底表面上，形成具有特定性能的薄膜。
通过控制工艺参数和材料选择，可以实现对薄膜沉积速率、组成和微结构的精确控制。
pecvd淀积sio2薄膜工艺研究
pecvd淀积sio2薄膜工艺研究PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）是一种常用的薄膜制备技术，其在半导体、光电子和微电子领域有广泛应用。
本文将以PECVD淀积SiO2薄膜工艺为研究对象，探讨其工艺原理、参数对薄膜性能的影响以及优化方法等方面内容。
一、工艺原理PECVD是一种在低压和高频电源激励下进行的化学气相沉积技术。
其原理是通过电离的等离子体将前驱体气体分解成活性物种，然后在衬底表面发生化学反应，最终形成所需的薄膜。
二、工艺参数1. 前驱体气体：常用的SiO2前驱体气体有TEOS（四乙氧基硅烷）和SiH4（硅烷）等。
不同的前驱体气体会影响薄膜的化学组成和物理性质。
2. 气体流量：控制前驱体气体的流量可以调节沉积速率和薄膜厚度。
3. 气体比例：混合气体中各种气体的比例会对薄膜的化学组成和性质产生影响。
4. 沉积温度：温度对薄膜的致密性、结晶度和附着力等性能有重要影响。
5. 沉积压力：沉积压力是控制沉积速率和薄膜致密性的重要参数。
三、薄膜性能1. 厚度均匀性：PECVD技术可以实现较好的均匀性，通过调节沉积参数可以进一步改善薄膜的均匀性。
2. 化学组成：前驱体气体的选择和混合比例会影响薄膜的化学组成，从而影响其介电性能、光学性质等。
3. 结晶度：沉积温度和沉积压力对薄膜结晶度有重要影响，高温和高压可以提高薄膜的结晶度。
4. 压电性能：SiO2薄膜具有压电效应，可以应用于传感器、压电驱动器等领域。
四、优化方法1. 参数优化：通过调节沉积温度、沉积压力、气体流量等参数，可以获得理想的薄膜性能。
2. 前处理：在沉积前对衬底进行清洗和表面处理，可以提高薄膜的附着力和致密性。
3. 薄膜后处理：对沉积后的薄膜进行退火、氧化等处理，可以改善薄膜的性能和稳定性。
PECVD淀积SiO2薄膜工艺是一种重要的薄膜制备技术，其工艺参数和薄膜性能之间存在着密切的关系。
半导体技术-薄膜沉积
薄膜沉积薄膜的沉积，是一连串涉及原子的吸附、吸附原子在表面的扩散及在适当的位置下聚结，以渐渐形成薄膜并成长的过程。
分类及详述：化学气相沉积（Chemical Vapor Deposition）——CVD反应气体发生化学反应，并且生成物沉积在晶片表面。
物理气相沉积（Physical Vapor Deposition）——PVD蒸镀（Evaporation）利用被蒸镀物在高温（近熔点）时，具备饱和蒸汽压，来沉积薄膜的过程。
溅镀（Sputtering）利用离子对溅镀物体电极（Electrode）的轰击（Bombardment）使气相中具有被镀物的粒子（如原子），沉积薄膜。
化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition；CVD)用高温炉管来进行二氧化硅层的成长，至于其它如多晶硅 (poly-silicon)、氮化硅 (silicon-nitride)、钨或铜金属等薄膜材料，要如何成长堆栈至硅晶圆上？基本上仍是采用高温炉管，只是因着不同的化学沉积过程，有着不同的工作温度、压力与反应气体，统称为「化学气相沉积」。
既是化学反应，故免不了「质量传输」与「化学反应」两部分机制。
由于化学反应随温度呈指数函数变化，故当高温时，迅速完成化学反应，对于化学气相沉积来说，提高制程温度，容易掌握沉积的速率或制程的重复性。
高温制程有几项缺点：1．高温制程环境所需电力成本较高。
2．安排顺序较后面的制程温度若高于前者，可能破坏已沉积材料。
3．高温成长的薄膜，冷却至常温后，会产生因各基板与薄膜间热胀缩程度不同的残留应力 (residual stress)。
所以，低制程温度仍是化学气相沉积追求的目标之一，如此一来，在制程技术上面临的问题及难度也跟着提高。
按着化学气相沉积的研发历程，分别简介「常压化学气相沉积」、「低压化学气相沉积」及「电浆辅助化学气相沉积」：1．常压化学气相沉积(Atmospheric Pressure CVD；APCVD)最早研发的CVD系统，是在一大气压环境下操作，设备外貌也与氧化炉管相类似。
薄膜制备工艺技术
薄膜制备工艺技术薄膜制备工艺技术是指通过化学合成、物理沉积、溶液制备等方法制备出具有一定厚度和特殊性能的薄膜材料的技术。
薄膜广泛应用于光电子、微电子、光学、传感器、显示器、纳米技术等领域。
本文将详细介绍几种常见的薄膜制备工艺技术。
第一种是物理沉积法。
物理沉积法主要包括物理气相沉积法（PVD）和物理溶剂沉积法（PSD）两种。
其中，物理气相沉积法是将固态材料加热至其熔点或升华点，然后凝华在基底表面上形成薄膜。
而物理溶剂沉积法则是通过在沉积过程中溶剂的挥发使溶剂中溶解的材料沉积在基底表面上。
物理沉积法具有较高的沉积速度和较低的工艺温度，适用于大面积均匀薄膜的制备。
第二种是化学沉积法。
化学沉积法通过在基底表面上进行化学反应，使反应物沉积形成薄膜。
常见的化学沉积法有气相沉积法（CVD）、溶液法和凝胶法等。
气相沉积法是将气体反应物输送至反应室内，通过热、冷或化学反应将气体反应物沉积在基底表面上。
而溶液法是将溶解有所需沉积材料的溶液涂覆在基底表面上，通过溶剂挥发或加热使溶液中的沉积材料沉积在基底上。
凝胶法则是通过凝胶溶胶中的凝胶控制沉积材料的沉积，形成薄膜。
化学沉积法成本低、制备工艺简单且适用于大面积均匀薄膜的制备。
第三种是离子束沉积法（IBAD）、激光沉积法和磁控溅射法。
离子束沉积法是通过加速并聚焦离子束使其撞击到基底表面形成薄膜。
激光沉积法则是将激光束照射在基底表面上，通过激光能量转化和化学反应形成薄膜。
磁控溅射法是将材料附着在靶上，通过离子轰击靶表面并溅射出材料颗粒，最终沉积在基底表面上。
这些方法制备的薄膜具有优异的结构和性能，适用于制备复杂结构和功能薄膜。
综上所述，薄膜制备工艺技术包括物理沉积法、化学沉积法、离子束沉积法、激光沉积法和磁控溅射法等多种方法。
不同的方法适用于不同的材料和薄膜要求，可以根据具体需求选择合适的工艺技术。
pecvd镀膜工艺膜层结构计算
pecvd镀膜工艺膜层结构计算膜层结构计算在PECVD（等离子体增强化学气相沉积）镀膜工艺中扮演着重要的角色。
本文将介绍PECVD镀膜工艺以及如何计算膜层结构，为读者提供相关知识和技术指导。
一、PECVD镀膜工艺简介PECVD是一种常用的薄膜沉积技术，通过高频电离气体，使气相前体分子在电场的作用下激发、电离，并生成活性离子，最终在衬底表面沉积出所需的薄膜。
PECVD工艺具有高效、低温、均匀性好等优点，被广泛应用于光电子、半导体、光伏等领域。
二、膜层结构计算方法1. 原子自排列模拟原子自排列模拟是一种常见的计算膜层结构的方法。
该方法通过分子动力学仿真的方式，模拟原子在薄膜表面的排列方式。
基于材料的能量最小化原理，计算出最稳定的膜层结构。
2. 密度泛函理论密度泛函理论是一种计算材料性质的理论方法，广泛应用于薄膜结构计算中。
该方法基于电子密度的描述，通过求解Kohn-Sham方程，计算出电子的能量和波函数，从而得到膜层结构和相关性质。
3. 经验公式计算除了基于理论的方法，经验公式也常用于膜层结构计算。
根据经验数据和实验结果，建立数学模型，通过计算得到膜层的结构参数。
这种方法计算快速，适用于一些简单的膜层结构。
三、应用案例以PECVD镀膜工艺中的氮化硅（SiNx）膜层为例，介绍如何计算膜层结构。
1. 原子自排列模拟法采用分子动力学仿真软件，建立氮化硅膜层的模型，并设置初始参数和相互作用势函数。
通过设置温度、压力、数学计算模式等参数，进行模拟计算，得到膜层的原子排列方式。
2. 密度泛函理论利用密度泛函理论软件，设定氮化硅膜层的结构参数、晶格参数等。
通过计算得到氮化硅膜层的电子能带结构、密度分布等信息，进而确定膜层的结构特征。
3. 经验公式计算法根据已有的实验数据和经验公式，通过计算得到氮化硅膜层的结构参数。
例如，通过膜层厚度与沉积速率的关系，可以计算出膜层的厚度。
四、结论膜层结构计算是PECVD镀膜工艺中的重要环节，可通过原子自排列模拟、密度泛函理论和经验公式等方法来实现。
电容器薄膜沉积技术与工艺考核试卷
1.下列哪些因素会影响电容器薄膜的沉积质量？( )
A.基底温度
B.真空度
C.沉积速率
D.沉积时间
2.以下哪些方法可以用于提高电容器薄膜的沉积速率？( )
A.提高蒸发源温度
B.增加沉积功率
C.减少真空度
6.增加电容器薄膜的厚度会提高其介电常数。（）
7.离子束辅助沉积可以改善薄膜的附着性和减少缺陷。（）
8. X射线衍射仪主要用于测量电容器薄膜的厚度。（）
9.化学气相沉积过程中，反应气体流量越大，沉积速率越快。（）
10.任何类型的基底都适合用于电容器薄膜的沉积。（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
C.化学气相沉积
D.热处理
14.在电容器薄膜沉积过程中，以下哪些操作可能导致薄膜结构疏松？( )
A.基底温度过低
B.沉积速率过快
C.真空度过低
D.过度离子轰击
15.以下哪些因素会影响电容器薄膜的取向性？( )
A.基底材料
B.沉积速率
C.离子束辅助沉积
D.热处理工艺
16.以下哪些技术可以用于电容器薄膜的微观结构分析？( )
5.在PVD技术中，______是一种常用的沉积方法。（）
6.电容器薄膜的厚度可以通过______进行测量。（）
7.为了减少电容器薄膜中的缺陷，可以采用______方法进行预处理。（）
8.优化电容器薄膜的______可以降低介电损耗。（）
9.在CVD过程中，______是常用的反应气体。（）
10.通过______处理可以提高电容器薄膜的表面光滑度。（）
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
主要内容
薄膜的一般特性
PVD 原理与工艺
-S
N
CVD 原理与工艺
氧化 原理与工艺
F
F
引言
-
薄膜工艺
CVD 原理与工艺
CVD 定义和应用 CVD 传输及反应步骤 CVD 特点 CVD分类
-S
N
F
F
-
薄膜工艺
CVD 定义
应用： 介质薄膜（例如 SiO2、SiNx等） 半导体薄膜（例如Si、 GaAs、GaN等） 导体薄膜（例如钨）
-S
N
极佳的台阶覆盖能力
F
薄膜的成分精确可控
F
反应物和副产物为气体
-
薄膜工艺
CVD 的分类
APCVD（常压 CVD） LPCVD（低压 CVD）
PECVD（等离子体增强 CVD）
-S
N
MOCVD（金属有机物 CVD）
F
F
-
薄膜工艺
APCVD
反应气体
N2 N2 N2
F
N2
N2 N2
常压工作 连续送片 200-400℃工 作 高速N2保护 衬底
CVD反应器优缺点
APCVD
F
反应器简单 反应温度低 沉积速率快 均匀性优 台阶覆盖优 产量大
F
台阶覆盖差 均匀性差 颗粒污染严重 生长温度高 沉积速率低 针孔密度较高 存在颗粒污染 差的化学配比
优点
缺点
LPCVD
N
PECVD
-S
生长温度低 沉积速率快 应力可控制
N
薄膜层
衬底
F
厚度
什么是薄膜 相对于体材料而言， 采用特殊的方法， 在体材料的表面沉 积或制备的一层性 质与体材料完全不 同的物质层。
薄膜工艺
薄膜的台阶覆盖
厚度均匀
均匀台阶覆盖
N
-S
F
非均匀台阶覆盖
F
-
薄膜工艺
薄膜沉积的深宽比
深度 宽度
F
深宽比 =
D 500 Å W
深宽比 =
N
F
-S
500 Å 250 Å
F
F
-
薄膜工艺
简单的蒸发装置
坩锅
N
高真空阀 机械泵 高真空泵
-S
F
工艺腔 (钟罩)
F
载片盘 蒸发金属
-
薄膜工艺
蒸发成膜过程
-S
N
加热源材料，通常至熔点 气化原子或分子从蒸发源向衬底输运 飞到衬底上的原子或分子在表面凝结、成核 核再捕获到飞抵的原子分子或表面扩散原子分子而长大 核与核合成而形成网络结构 网络被填实即生成连续的薄膜。
-S
N
F
F
15
薄膜工艺
PVD 沉积的特点和步骤
源物质经过物理过程进入气相; 需要相对较低的气体压力环境;
要使用固态的或者融化态的物质作为沉积过程的源物质
-S
N
F
F
-
薄膜工艺
真空蒸发沉积
-S
N
基本原理： 在真空状态下，加热源材料，使原子或分子 从源材料表面逸出从而在衬底上生长薄膜的方法。 优点： 设备简单、操作容易、薄膜纯度高、成膜速率快 缺点： 薄膜与衬底附着力小、台阶覆盖差
气体传送 2. 电场分解反 应物 3. 次生分 子 扩散 4. 次生分子吸 附
RF场
F
副产物 5. 次生分子 扩散入衬 底 衬底
F
7. 副产物脱附 6. 表面反应 下电极
射频输 入 上电极
N
-S
PEVCD 反应器 8. 副产物 去除
抽出
连续薄膜
薄膜工艺
PECVD工作原理
PECVD生长 Si3N4 350℃
F
-
薄膜工艺
磁控溅射
-S
N
F
缺点： 靶耗损不均匀， 寿命短。
F
磁控溅射：电子在近阴极表面沿磁场方向作螺旋运动，碰撞 几率大为增加，离化率显著提高，淀积速率提高数10倍，可 DC也可RF，成为溅射技术主流。工作气压大为降低。
-
薄膜工艺
磁控溅射设备
-S
N
39
F
F
-
薄膜工艺
磁控溅射设备的性能指标
-S
-S
N
F
F
-
薄膜工艺
溅射原理与工艺
溅射是一个物理过程，而非化学过程。溅射利用高能 粒子在撞击出具有高纯度的靶材料原子，这些被撞击出的 原子穿过真空，最后淀积在衬底上。
-S
被溅射的 金属原子
N
高能 Ar+ 离子
金属原子
F
阴极(-)
F
0
+
弹回的氩离子和自由电 子复合形成中性原子
薄膜工艺
简单平行金属板直流溅射系统
离子辅助成膜工艺示意图
-S
N
填充密度提高：折射率 提高 波长漂移减少； 增强了膜层的结合力、 耐摩擦能力、机械强度、 提高表面光洁度； 减少膜层的吸收和散射；
F
F
-
薄膜工艺
光学镀膜机
-S
N
F
F
光学薄膜的镀制是采用电子束蒸发，通过在元件表面沉积 介质材料如SiO2, TiO2等，高折射率的材料和低折射率的材料 交替沉积，产生所需要的干涉效果。
LAB 18的性能指标 真空度：2E-7Torr 工艺气体：Ar、O2、N2 衬底升温：400℃ 反溅功率：100W 直流源：500W 射频源：300W 脉冲直流：300W 厚度均匀性：< ±5% 可加工样品尺寸：6寸和4寸每次一片，2寸每次5片， LAB18现有靶材 Au、Pt、Ti、Ni、Al、Cr、Ag、 Fe、 Pd、Cu、W、TiN、SiO2、ITO、 AlN、
F
F
-
薄膜工艺
ei-5z的性能指标
真空度：5E-4Pa 基片最高温度：300℃ 电子枪功率：4-10KW 厚度均匀性：< ±5% 可加工样品尺寸：6寸每次8片，4寸每次8片，2寸每次 180片，以及小样品夹具 现有蒸发源：Au、Ti、Ni、Cr、Au88Ge12、Al
-S
N
F
F
-
薄膜工艺
EBE-09电子束蒸发镀膜机
-S
N
F
化学气相沉积 (Chemical Vapor Deposition, CVD) 是 指以单独的或综合的利用热能、等离子体放电、紫外光 照射等形式的能量，使气态物质在固体的表面上发生化 学反应并在该表面上沉积，形成稳定的固态薄膜的过程。
F
定义：
-
薄膜工艺
CVD 传输及反应步骤图
F F
副产物 5)次生分子在 衬底表面扩 6)表面反应 散 衬底
-S
N
F
F
-
薄膜工艺
EBE-09的性能指标
-S
N
真空度：5E-4Pa 基片最高温度：350℃ 电子枪功率：8KW和6KW 厚度均匀性：< ±5% 可加工样品尺寸：4寸每次1片，2寸每次3片，以及小样 品夹具 现有蒸发源：Au、Ti、Ni、Al、Cr、Ag等
F
F
-
薄膜工艺
光学镀膜机
-S
N
F
F
-
薄膜工艺
N
F
F
-
薄膜工艺
E-beam 蒸发装置
-S
N
阴极产生 的电子在电场 加速下，获得 足够的动能轰 击处于阳极的 蒸发材料，使 之受热气化
F
F
-
薄膜工艺
E-beam蒸发装置
-S
缺点： 化合物受轰击会分解 结构复杂、设备昂贵 电离气体分子，影响膜质量。
N
电子束轰击能量密度高，可使熔点3000℃以上的材料熔 化 蒸发速率高，可蒸发：W、Mo等难熔材料； 提高纯度：坩埚用水冷却，避免容器材料的污染及与蒸 发材料的反应 热效率高，热量直接加在蒸发材料表面，热传导和热辐 射损失少
F
F
-
薄膜工艺
薄膜厚度和质量的影响因素
-S
N
残余气体压强 蒸发源的平衡蒸气压 源蒸发速率和淀积速率 蒸发源的温度 衬底位置 衬底温度
F
F
-
薄膜工艺
电阻加热蒸发装置
-S
原理：利用电流通过加 热源时所产生的焦耳热来 加热蒸发材料 优点：结构简单、装置 便宜、操作方便、蒸发速 率快、广泛用于Au、Ag、 Cu、Ni、In、等材料。 缺点：坩埚或其它加热 体以及支撑部件可能的污 染，不适用于高纯或难熔 物质的蒸发。
-S
N
等离子体的存在可以促进气体分子的分解、化合、 促进反应活性基团（即所谓的次生分子）的生成， 同时为扩散至衬底表面的次生分子提供能量，使得 它们在没有高衬底温度条件下进一步沿表面扩散， 因而某些原来需要在高温下进行的反应过程得以在 低温下实现。 LPCVD生长 Si3N4 750℃
F
F
-
薄膜工艺
-S
连续供片 APCVD反应 器 生长速率快，常用于低温SiO2
N
F
加热器
薄膜工艺
LPCVD
三段加热线圈
由真空泵抽出
F
工作气压：0.1-10Torr 工作温度：600-900℃ 装片量大、污染小、温度控制均 匀
F
热电偶 (外部、控制)
-S
N
热电偶 (內部)
阀门 气体进入
薄膜工艺
PECVD
1. 反应物进入反应室
-
薄膜工艺
光学镀膜机主要用途
F
高反膜
F
减反膜 能量分光膜 其它用途： ITO透明导电膜 非晶硅蒸发 带通滤光片
-S
N
光谱分光膜
-
薄膜工艺
光学镀膜机主要性能指标