硅片(多晶硅)切割工艺及流程
光伏电池片的工艺流程
光伏电池片的工艺流程1.硅材料准备：光伏电池片一般选用高纯度的多晶硅或单晶硅作为基材。
硅材料需要进行干燥处理，以去除杂质和水分。
2.硅片生长：硅片生长是将高纯度硅材料通过熔化再结晶的方式制备硅单晶或多晶片。
单晶硅片生长主要通过克里斯托夫棱镜法或气相转化法。
多晶硅片生长主要通过一直拉长法或静液旋转法。
3.硅片切割：在硅片生长完毕后，需要将硅锭切割成薄片，称为硅片。
硅片切割可以使用线切割机或切割切割机进行。
4.磨边清洗：硅片在切割后会产生边角和切割液，需要进行磨边处理和清洗。
首先使用化学溶液清洗硅片表面的污染物，然后使用机械磨边设备对边角进行修整。
5.渗铁等离子体增塑：硅片在增塑过程中会通过磁控溅射等技术在表面形成一层铁硅合金薄膜，这层薄膜能够提高硅片的光电转换效率。
6.瓦斯碳化：硅片在瓦斯碳化过程中会通过化学反应在表面形成一层非晶硅薄膜，从而提高硅片的导电性和光吸收能力。
7.电极成型：电极成型是将导电金属沉积到硅片的两侧，用于收集并导出电子。
一般使用金属铜或铝作为电极材料，通过真空沉积、压制和烧结等工艺将电极材料与硅片结合。
8.清洗和检验：在制造过程中，需要对硅片进行清洗和检验。
清洗可以去除硅片表面的污染物，而检验则可以检测硅片的质量和性能。
9.包装和组装：最后，经过测试和质量控制的光伏电池片会被包装和组装成太阳能光伏电池模组或组件，以供应到市场上使用。
综上所述，光伏电池片的工艺流程包括硅材料准备、硅片生长、硅片切割、磨边清洗、渗铁等离子体增塑、瓦斯碳化和电极成型等步骤。
这些工艺步骤的完整和精细是保证光伏电池片高效率和高质量的关键。
光伏硅片切割流程
光伏硅片切割流程《光伏硅片切割流程：一场神奇的“硅片变身记”》嘿，小伙伴们！今天我要给你们讲一讲超级有趣的光伏硅片切割流程。
你们知道吗？那些在太阳能板里起着超级重要作用的硅片，可不是随随便便就长成我们看到的样子的。
我先来说说硅料吧。
硅料就像是一块超级大的蛋糕，不过这个蛋糕可不能直接吃哦，它是制造硅片的原料。
这硅料有单晶硅和多晶硅之分。
单晶硅就像是一群特别听话、排得整整齐齐的小士兵，它们的原子排列很规则；多晶硅呢，就像是一群有点调皮的小娃娃，原子排列没有那么整齐。
接下来就是切割前的准备啦。
我们得把硅料固定好，这就好比是把我们要雕刻的东西稳稳地放在桌子上一样。
这个固定的工具可厉害了，要保证硅料在切割的时候不会乱跑。
这时候呀，工人们就像是小心翼翼照顾小宝宝的爸爸妈妈，一点点调整着硅料的位置，嘴里可能还嘟囔着：“可不能歪了呀，宝贝。
”然后，真正的切割就要开始喽。
切割硅片的线锯就像是一把超级精细的梳子。
不过这把梳子不是用来梳头发的，而是用来把硅料切成一片片薄薄的硅片。
这线锯的线特别细，细得就像我们的头发丝儿似的。
这些线在高速运转，就像一群小旋风在硅料上飞舞。
你可能会问：“这么细的线能把硅料切开吗？”哈哈，这你就不懂了吧。
这线锯上还带着切割液呢，切割液就像是线锯的小助手，它能让切割变得更容易，还能把切割时产生的那些小碎末给带走，就像小清洁工一样。
在切割的时候呀，机器发出嗡嗡嗡的声音，就像是一群小蜜蜂在辛勤工作。
工人叔叔们就站在旁边，眼睛紧紧地盯着机器，就像老鹰盯着猎物一样。
他们可不敢有丝毫的松懈，要是出了点小问题，那可不得了。
比如说，如果线锯断了，那就像是做饭的时候锅铲突然断了一样糟糕。
这时候，他们就得赶紧停下来，重新调整。
我想呀，他们心里肯定在想：“哎呀，可别出岔子呀。
”切割完一片后，一片又一片，就像魔术师从帽子里不断地变出小兔子一样神奇。
这些硅片的厚度那是相当薄，薄得就像我们的纸张一样。
你能想象这么薄的硅片是从那么大块的硅料上切下来的吗？这就像是把一座大山削成一片片小树叶一样厉害。
多晶硅生产工艺流程
多晶硅生产工艺流程多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于光伏、集成电路等领域。
多晶硅的生产工艺流程主要包括原料准备、熔炼、晶体生长、切割、清洗等环节。
下面将详细介绍多晶硅的生产工艺流程。
首先，原料准备是多晶硅生产的第一步。
原料主要包括二氧化硅粉末和还原剂，其中二氧化硅粉末是多晶硅的主要原料，而还原剂则是用于将二氧化硅还原成硅的重要物质。
在原料准备阶段，需要对原料进行严格的筛选和配比，确保原料的纯度和稳定性。
接下来是熔炼环节。
在熔炼炉中，将原料进行高温熔融，使其形成硅液。
熔炼过程需要严格控制温度和气氛，以确保硅液的纯度和稳定性。
此外，熔炼过程中还需要对炉体进行保温和冷却，以确保炉内温度的稳定和均匀。
随后是晶体生长。
在晶体生长炉中，将硅液逐渐冷却结晶，形成多晶硅晶体。
晶体生长过程需要严格控制温度梯度和晶体生长速度，以确保晶体的质量和结晶度。
同时，还需要对晶体进行定向凝固，以获得所需的晶体形态和取向。
然后是切割环节。
将生长好的多晶硅晶体进行切割，得到所需尺寸和形状的硅片。
切割过程需要使用高精度的切割设备，确保切割的精度和表面质量。
同时，还需要对切割后的硅片进行表面处理，以去除切割产生的缺陷和污染。
最后是清洗环节。
将切割好的硅片进行清洗，去除表面的杂质和污染物。
清洗过程需要使用高纯度的溶剂和超纯水，确保硅片表面的清洁度和光洁度。
同时，还需要对清洗后的硅片进行干燥和包装，以确保其在后续工艺中的稳定性和可靠性。
综上所述，多晶硅生产工艺流程包括原料准备、熔炼、晶体生长、切割、清洗等环节。
每个环节都需要严格控制工艺参数，确保多晶硅的质量和性能。
多晶硅的生产工艺流程在不断优化和改进，以满足不同领域对多晶硅品质的需求，推动半导体产业的发展。
单晶多晶硅片生产工艺流程详解
在【技术应用】单晶、多晶硅片生产工艺流程详解（上）中，笔者介绍了单晶和多晶硅片工艺流程的前半部分，概述了一些工艺流程和概念，以及术语的相关知识。
而本文则是从切片工艺开始了解，到磨片和吸杂，看硅片如何蜕变。
切片切片综述当单晶硅棒送至硅片生产区域时，晶棒已经过了头尾切除、滚磨、参考面磨制的过程，直接粘上碳板，再与切块粘接就能进行切片加工了。
为了能切割下单个的硅片，晶棒必须以某种方式进行切割。
切片过程有一些要求：能按晶体的一特定的方向进行切割；切割面尽可能平整；引入硅片的损伤尽可能的少；材料的损失尽量少。
碳板当硅片从晶棒上切割下来时，需要有某样东西能防止硅片松散地掉落下来。
有代表性的是用碳板与晶棒通过环氧粘合在一起从而使硅片从晶棒上切割下来后，仍粘在碳板上。
碳板不是粘接板的唯一选择，任何种类的粘接板和环氧结合剂都必须有以下几个特性：能支持硅片，防止其在切片过程中掉落并能容易地从粘板和环氧上剥离；还能保护硅片不受污染。
其它粘板材料还有陶瓷和环氧。
石墨是一种用来支撑硅片的坚硬材料，它被做成与晶棒粘接部位一致的形状。
大多数情况下，碳板应严格地沿着晶棒的参考面粘接，这样碳板就能加工成矩形长条。
当然，碳板也可以和晶棒的其它部位粘接，但同样应与该部位形状一致。
碳板的形状很重要，因为它要求能在碳板和晶棒间使用尽可能少的环氧和尽量短的距离。
这个距离要求尽量短，因为环氧是一种相当软的材料而碳板和晶棒是很硬的材料。
当刀片从硬的材料切到软的材料再到硬的材料，可能会引起硅片碎裂。
这里有一些选择环氧类型参考：强度、移动性和污染程度。
粘接碳板与晶棒的环氧应有足够强的粘度，才能支持硅片直到整根晶棒切割完成，因此，它必须能很容易地从硅片上移走，只有最小量的污染。
刀片当从晶棒上切割下硅片时，期望切面平整、损伤小、沿特定方向切割并且损失的材料尽量小。
有一个速度快、安全可靠、经济的切割方法是很值得的。
在半导体企业，两种通常被应用的方法是环型切割和线切割。
多晶硅片生产工艺介绍
多晶硅片生产工艺介绍1.原料准备多晶硅片的制备主要以硅矿为原料。
硅矿是一种含有较高纯度的二氧化硅的矿石，通常采用开采和浙江两个方法。
开采是通过挖掘硅矿矿体，然后将其破碎成较小的块状。
济洪则是通过化学反应将二氧化硅从硅酸钠溶液中析出。
2.熔炼将多晶硅片的原料，即硅矿通过高温熔炼的方式得到多晶硅。
这个过程通过将硅矿与炭混合在一起，并加入熔剂（如氯化铝或氯化钠）进行反应，从而产生气相SiCl4、然后，将SiCl4通过沉淀反应与氢气反应得到纯的多晶硅。
3.铸造将熔融的多晶硅倒入铸模中，并冷却硬化形成多晶硅的块状。
通常使用的铸模是由石墨制成的，具有良好的热传导性和耐高温特性。
在铸造过程中，多晶硅的结晶体会固化并生成晶界，形成多晶硅。
4.切割经过铸造得到的多晶硅块需要进一步切割成薄片，即多晶硅片。
切割方法通常使用线切割或磨削切割两种。
线切割是通过将钢丝用电流加热，然后通过刀片的压力将多晶硅切割成薄片。
磨削切割则是使用砂轮将多晶硅块磨削成薄片。
5.切割后处理切割得到的多晶硅片通常会经过一系列的后处理工艺。
这些工艺包括腐蚀、取样、清洗等。
腐蚀是为了去除硅片表面的杂质和缺陷，以提高硅片的品质。
取样是为了检测硅片的纯度和晶格结构。
清洗是为了去除硅片表面的油污和杂质。
6.晶圆制备切割得到的多晶硅片通常会通过研磨和抛光等工艺来制备晶圆。
研磨是通过使用磨蚀液和砂纸将硅片的表面进行研磨，从而达到平坦度和光洁度的要求。
抛光则是通过使用化学溶液和机械装置将硅片表面进行抛光，以使其表面变得更加平整和光滑。
7.器件制备晶圆制备完成后，可以通过一系列工艺步骤来制备具体的硅器件。
这些工艺步骤包括光刻、沉积、蚀刻、离子注入、金属化等。
光刻是使用光刻胶和光影系统将图案投影到晶圆上，从而形成所需的结构。
沉积是将材料沉积在晶圆上，通常使用的方法有化学气相沉积、物理气相沉积和溅射法等。
蚀刻是通过将特定的化学溶液或气体与晶圆表面反应，来去除不需要的材料。
多晶硅生产工艺流程
多晶硅生产工艺流程1.原料准备：多晶硅的主要原料是二氧化硅（SiO2）。
二氧化硅可以通过石英砂的氧化或由硅酸盐矿石提取得到。
在这一阶段，原料经过破碎和乳磨处理，使其达到所需的颗粒度和纯度要求。
2.冶炼：原料经过冶炼处理，通常采用电弧炉。
将原料装入电弧炉中，电极产生电弧，在高温下使原料中的二氧化硅还原为Si元素。
此时，通过调节电弧能量和保护气氛，可以控制冶炼过程中硅的还原率和杂质含量。
3. 晶体生长：冶炼得到的熔体在结晶炉中逐渐冷却形成固态晶体。
晶体生长通常分为凝固和维持两个阶段。
在凝固阶段，通过从熔体中引出硅棒（seed rod）开始结晶。
维持阶段是为了确保晶体的一致性和品质，稳定恒温和恒噪声的条件。
4.修整和截切：生长得到的多晶硅棒经过修整和截切。
修整是将棒顶部和侧面修整成规定的形状和尺寸。
截切是将棒切割成整块多晶硅圆片，供下一步加工使用。
5.加工：截切得到的多晶硅圆片经过机械加工和化学加工，准备成为太阳能电池片的衬底材料。
机械加工包括剪切、研磨和抛光，以去除表面缺陷和提高光学性能。
化学加工则是通过腐蚀和蚀刻来改善表面质量和减少电阻。
6.染色：在加工完成后，多晶硅圆片表面通常会进行染色。
染色是为了增加表面的光吸收能力，提高太阳能电池的光电转换效率。
常见的染色方法有浸渍染色和蘸涂染色。
7.电池芯片制造：染色后的多晶硅圆片经过腐蚀和清洗，然后通过光刻、扩散、沟槽加工等步骤，制备成太阳能电池芯片。
光刻是指用光刻胶进行图案制作，并以光为媒介进行刻蚀或扩散。
扩散是为了向硅片中掺入杂质，形成p型和n型硅层，形成p-n结，并在结界面形成能提高光电转换效率的电场。
8.封装和测试：电池芯片完成后，进行封装和测试。
封装是将电池芯片与电路连接、封装成太阳能电池模组。
测试是通过电流-电压曲线、光谱响应和效率测量等方法，对太阳能电池进行性能评估和质量控制。
以上是多晶硅生产的基本流程。
不同工厂和生产线可能会有一些细微的差别和特殊要求。
硅片切割工艺及发展趋势
技术发展方向：
• 1、单晶切片往复切割工艺应用 • 优势：节约钢线，硅片厚度均匀 • 难点：解决线痕深度及宽度对电池印刷的影响，从而避免组件外观不合格。 • 2、金刚线开方及切片技术 • 优势：硅片TTV大大改善 ，降低碎片，有利于薄片化。 • 难点：硅片表面平滑度不如碳化硅切割的好 ，线材及工艺需要优化 • 3、带硅技术 • 优势：避免了切缝损失 ，硅料利用率高。 • 难点：生长的硅片晶粒细小，缺陷密度高，金属含量高，导致电池效率低。
清洗烘干
硅片检测
包装
入库
切割原理：
• 碳化硅具有锋利的棱角，利用碳化硅磨料滚动摩擦，对硅块磨蚀切割 。
• 聚乙二醇（切割液）将碳化硅黏合在钢丝上，钢线以一定的速度进行 传送 ，实现滚动摩擦。
• 硅的莫氏硬度：7 • 碳化硅的莫氏硬度： 9.0-9.2
清洗原理：
• 化学： Si+ 2OH- + H2O == SiO3 2-+ 2H2↑ • 物理： 超声波震动颗粒 ，喷淋 ，温度
?开方破锭抛光倒角硅块检测粘接硅片切割预预?更新砂浆?清洗清洗烘干检测包装入库基本工艺流程
LOGO
硅片切割工艺及发展趋势
前言
LOGO
近年来，由于太阳能行业爆发式增长， 半导体材料硅的需求量越来越 大。硅片在光伏产业链中起着承上启下的作用，使用多线切割机加工硅 片，不可避免要损失约三分之一的硅材料。为缓解硅材料供应压力，在 硅片加工环节，各个工厂和研究机构不断尝试更薄硅片加工，从而提高 硅料利用率。 另外，耗材型号的变更并伴随新工艺的使用，也可以降低 硅料切缝损失，从而降低成本。
LOGO
硅料
硅锭
硅片
电池片
组件
内容概要：
多晶硅片的生产流程
多晶硅片的生产流程
多晶硅片的生产流程主要包括以下几个步骤：
1. 制备硅矿石：首先，从硅石矿石中提取出纯度较高的二氧化硅，通常采用矿石的石化法或者冶炼物理法。
2. 利用化学方法制备硅：将提取出的二氧化硅与还原剂（如木炭或硅酸钠）一起进行反应，生成氯硅烷。
然后通过氯化金属法或氢氧化物法，将氯硅烷还原成多晶硅。
3. 清洗和纯化：将制备好的多晶硅进行清洗和纯化处理，以去除杂质和杂质元素。
常用的方法是将多晶硅溶解在酸中，然后经过滤和沉淀等步骤得到纯净的硅。
4. 制备硅片：将纯净的多晶硅加热至高温，并控制冷却速度，使其结晶成硅片。
硅片可以通过拉扯法（Czochralski方法）或者直接凝固法（锭法）制备。
5. 切割和修整：将制备好的硅锭进行切割，将硅片大小和形状调整至所需的规格，并去除毛刺和杂质。
6. 表面处理：对硅片进行酸洗和氧化处理，以去除表面杂质和提高硅片的质量和效能。
7. 深度定制：根据不同的应用需求，对多晶硅片进行一系列定制加工，如蚀刻、沉积等，以制备所需的器件。
8. 检测和测试：对制备好的多晶硅片进行严格的质量检测和性能测试，确保其满足设定的标准和要求。
9. 包装和运输：最后，对合格的多晶硅片进行包装，并进行标识和记录，以备运输和使用。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
Xinyu College毕业设计（论文）（ 2010 届）题目硅片（多晶硅）切割工艺及流程学号**********姓名肖吉荣所属系太阳能科学与工程系专业光伏材料加工与应用技术班级08光伏（8）班指导教师陈勇新余高等专科学校教务处制硅片（多晶硅）切割工艺及流程摘要随着能源短缺和环境污染等问题的日益加剧，利用可再生、无污染的能源已成为现代社会的一个趋势，太阳能的开发与利用越来越被人们所重视。
未来太阳的大规模应用主要是用来发电，目前实用太阳能发电方式主要为“光—电转换”。
其基本原理是利用光生伏打效应将太阳辐射能直接转换为电能，它的基本装置是太阳能电池。
太阳能电池是由太阳能电池硅片组件组成的一个系统。
硅片的质量直接影响了太阳电池的光电转换效率。
本文介绍了光伏产业的发展现状及趋势，对多线切割、硅片切割机的工作原理及结构进行了大概的介绍，详细阐述了硅片切割工艺及流程，并对切片切割操作中遇到的问题及解决方案作了详尽的论述。
关键词：多线切割；wafer(polycrystalline) cutting technology andflowAbstract•As the shortage of energy and the pollution of environment, it is a trend use renewable and non-pollution energy nowadays, thedevelopment and use of solar energy is becoming more valued by people .A scale use of the sunshine is main use to generate electricity。
Nowadays the main way to use solar to generate electricity is translate light to electricity . Its basic principle is use photovoltaic effect to solar radiation energy to electric immediate. Its foundation appliance is solar cell. Solar cell is a system make of silicon wafers. The quality of silicon wafer influences the photoelectric conversion efficiency of solar immediate.This passage introduced the current situation and trend ofPhotovoltaic Industry. We have a general introduce of multiwire cutting , the operating principle and the structure of silicon wafer slitter. Also it included the expound silicon wafer cutting and technological process in detail. At last, we have a detail expound of the problems and solve project while cutting silicon wafers and solve project..Keywords: multiwire cutting;目录摘要 (I)ABSTRACT (II)第1章光伏产业的发展现状及趋势 (2)1.1国际光伏产业的现状 (1)1.2国内光伏产业的现状 ..................................................... 错误!未定义书签。
1 .3 未来的发展趋势及展望 (1)第2章多线切割 ......................................................................... 错误!未定义书签。
2.1多线切割技术的发展历史............................................. 错误!未定义书签。
2.2多线切割机的基本介绍................................................. 错误!未定义书签。
2.3 中国太阳能硅片线切割设备国产化的现状和趋势 (3)第3章硅片切割机的工作原理及结构 ..................................... 错误!未定义书签。
3.1基本结构......................................................................... 错误!未定义书签。
3.2工作原理......................................................................... 错误!未定义书签。
第4章硅片切割工艺及流程 ..................................................... 错误!未定义书签。
4.1切割工艺 ......................................................................... 错误!未定义书签。
4.1.1主要参数 (11)4.1.2切割液的(PEG)粘度 (11)4.1.3碳化硅微粉的粒型及粒度 (12)4.1.4砂浆的粘度 (12)4.1.5砂浆的流量 (12)4.1.6钢线的速度 (12)4.1.7钢线的张力 (12)4.1.8工件的进给速度 (12)4.2主要操作流程................................................................. 错误!未定义书签。
4.2.1HCTB6切片机开机准备 (10)4.2.2切割准备 (10)4.2.3取片 (10)4.2.4安装放线轮 (10)4.2.5布线网 (10)4.2.6选取硅块4.2.5装硅块、切片 (10)第5章切片切割操作中遇到的问题及解决方案 ..................... 错误!未定义书签。
5.1跳线的产生 .............................................................. 错误!未定义书签。
5.2断线的原因分析及解决 .......................................... 错误!未定义书签。
5.3线痕的产生 .............................................................. 错误!未定义书签。
5.4切片操作过程中的注意事项 .................................. 错误!未定义书签。
结论 ............................................................................................. 错误!未定义书签。
参考文献 (28)致谢 (29)附录 ............................................................................................. 错误!未定义书签。
第1章光伏产业的发展现状及趋势1．1国际光伏产业现状全球太阳能光伏产业发展现状CSIA最新研究报告称，目前太阳能电池主要分为单晶硅电池、多晶硅电池和薄膜电池三种。
单晶硅电池技术成熟，光电转换效率高，但其生产成本较高，技术要求高；多晶硅电池成本相对较低，技术成熟，但光电转换效率相对较低；而薄膜电池成本低，发光效率高，但目前其在技术稳定性和规模生产上均存在一定的困难。
随着技术的进步，未来薄膜电池会有更好的发展前景。
图1 2009年全球太阳能电池市场产品结构（按销售量）在各国政府的大力支持下，太阳能光伏产业得到了快速的发展。
200 6年至2009年，太阳能光伏电池产量的年均增长率为60%。
由于受到2008年金融危机的影响，2009年前两个季度光伏电池产量的增长速度有所放缓，但随着2009年下半年市场需求的复苏，2009年全年的太阳能电池产量达到了10431MW，比2008年增长42.5%。
图222006—2009年全球太阳能电池产量目前太阳能光伏发电的成本大约是燃煤成本的11—18倍，因此目前各国光伏产业的发展大多依赖政府的补贴，政府的补贴规模决定着本国的光伏产业的发展规模。
目前在政府的补贴力度上，以德国、西班牙、法国、美国、日本等发达国家的支持力度最大。
2008年，西班牙推出了优厚的光伏产业补贴政策，使其国内光伏产业出现了爆发式发展的态势，一度占据了世界光伏电池产量的三分之一强。
2009年德国光伏组件安装量高达3200MW，占全球总安装量的50.4%。
2.2国内光伏产业现状一、我国太阳能光伏产业基本情况1、太阳能制造大国中国太阳能资源非常丰富，理论储量达每年17000亿吨标准煤。
太阳能资源开发利用的潜力非常广阔。
中国光伏发电产业于20世纪70年代起步，90年代中期进入稳步发展时期。
太阳电池及组件产量逐年稳步增加。
经过30多年的努力，已迎来了快速发展的新阶段。
在“光明工程”先导项目和“送电到乡”工程等国家项目及世界光伏市场的有力拉动下，中国光伏发电产业迅猛发展。
到2008年年底，全国光伏系统的累计装机容量达到140MW，从事光伏组件生产的企业近400家。
而2008年我国的光伏产能首次超过德国，位居世界第一。
2008年全世界太阳能电池总产量达6850MW，我国太阳能电池总产量达1780MW，占全球总量的26%。
其中，国内太阳能电池龙头厂无锡尚德2008年产量约为500MW，排名全球第三，而天威英利产出281.5MW，天合光能产出约200MW。
而从市场占有率来看，中国太阳能电池厂商（包括台湾省）的市场占有率逐年提升，2007年中国太阳能电池厂商市场占有率由2006年的20%提升至35%，2008年则更进一步，大幅提升至44%，连续两年成为世界第一。
2008年台湾茂迪光伏电池产量在270~280MWp之间。