什么是忆阻器
忆阻器工作原理
忆阻器工作原理忆阻器是一种电子元件，它可以将信号转换为电压或电流，从而实现模拟信号的控制及时间延迟。
忆阻器的基本功能是在存储到设定的电压和电流水平时，将存储的电压和电流转换回所需的信号。
其工作原理是受到一个电压（V）或电流（I）的应用，忆阻器会将电压或电流转换成一个固定的值，并将其存储起来，当再次给它提供相同电压或电流时，忆阻器会将其存储的信号转换回原始的电压或电流，这就是忆阻器的工作原理。
忆阻器有很多应用，其中最重要的是用于模拟控制。
它可以将输入的模拟信号转换为较宽调节范围的输出电压或电流，可以用来控制设备的速度、加热、显示等。
它还可以用在脉冲转换器上，它可以产生精确的脉冲，进而控制仪器的运行时间。
此外，忆阻器还可以用于定时器，用于调节定时器的延时时间，从而实现设备的自动控制功能。
忆阻器是一种多功能的电子元件，可以实现模拟信号转换以及延时调节等功能。
它的工作原理是将电压或电流存储起来，然后再次输入相同的电压或电流，就可以将存储的信号转换回原始的电压或电流。
忆阻器的应用涵盖了模拟控制、脉冲转换器和定时器等多个领域，具有重要的现实意义。
从技术原理上来讲，忆阻器是一种电子元件，它可以将输入的模拟信号转换成宽范围的输出电压或电流，可以用来控制设备的加热、显示等。
它的工作原理是将电压或电流存储起来，当再次给它提供相同的电压或电流时，忆阻器会将其存储的信号转换回原始的电压或电流。
此外，忆阻器还可以用于定时器，可以实现定时器的延时时间调节，从而实现设备的自动控制功能。
忆阻器在实际应用中具有重要的意义，它可以用来控制设备的速度、加热、显示等，可以在脉冲转换器上产生精确的脉冲，可以调节定时器的延时时间，从而实现设备的自动控制功能。
因此，忆阻器是一种具有重要意义的电子元件，在电子行业中具有广泛的应用前景。
忆阻器电化学阳极氧化制备
忆阻器电化学阳极氧化制备忆阻器是一种基于电化学阳极氧化制备的电子器件，其原理是通过改变氧化层的结构和电阻来实现电阻变化。
下面将详细介绍忆阻器的制备方法和工作原理。
一、忆阻器的制备方法忆阻器的制备方法主要是通过电化学阳极氧化技术实现的。
具体步骤如下：1. 准备基底材料：选择合适的金属材料作为基底，常见的有铝、钛等。
基底的尺寸和形状可以根据实际需要进行设计和加工。
2. 清洗基底材料：将基底材料进行清洗，去除表面的杂质和污染物。
常用的清洗方法包括超声波清洗、酸洗等。
3. 阳极氧化处理：将清洗后的基底材料放置在电解槽中，作为阳极。
选取合适的电解液，常用的有硫酸、硫酸铝等。
调节电解液的温度、浓度和电流密度等参数，控制氧化层的形貌和结构。
4. 形成氧化层：在电解过程中，阳极表面会逐渐形成一层厚度较薄的氧化层。
通过调节电解时间，可以控制氧化层的厚度和形貌。
5. 收尾处理：将经过氧化处理后的基底材料进行清洗，去除电解液残留和氧化层上的杂质。
清洗后，可以对基底进行表面处理，如抛光、膜厚修整等。
二、忆阻器的工作原理忆阻器的工作原理基于电化学阳极氧化的效应。
在忆阻器中，氧化层的结构和电阻会随着施加的电压和电流的变化而发生改变。
具体原理如下：1. 氧化层的结构变化：当施加一定的电压和电流时，氧化层中的阳离子会向阳极迁移，并通过氧化还原反应与阳极发生相应的化学反应。
这些化学反应会导致氧化层的结构发生变化，例如氧化层内部的孔隙结构和晶体结构的变化。
2. 氧化层的电阻变化：由于氧化层的结构发生变化，其电阻也会随之变化。
当氧化层的结构发生变化时，其中的电子迁移和离子扩散的路径也会发生改变，从而导致电阻的变化。
通过控制施加的电压和电流，可以实现对氧化层电阻的调控。
3. 忆阻效应的实现：通过改变施加的电压和电流，可以在忆阻器中实现电阻的变化。
当施加的电压和电流超过一定阈值时，氧化层的结构和电阻会发生明显的变化，形成忆阻效应。
这种电阻变化可以被用来实现存储、计算和传感等功能。
忆阻器的工作原理
忆阻器的工作原理
忆阻器是一种电阻器，其工作原理基于磁性材料的磁滞效应和磁场与导体内电流的相互作用。
忆阻器中包含了一个磁性材料，如铁氧体，以及一个导体，如铜线。
当一个电流通过导体时，它会产生一个磁场。
这个磁场会影响到磁性材料，使其发生磁化现象。
忆阻器的磁性材料具有磁滞效应，即磁化程度与外部磁场大小和方向有关。
当电流通过导体时，磁性材料会受到电流产生的磁场的影响，从而发生磁化。
如果改变了电流的方向或大小，磁性材料的磁化程度也会随之发生变化。
在忆阻器中，电流的大小和方向可以通过改变磁性材料的磁化程度来控制。
当电流停止流动时，磁性材料的磁化程度会留存下来，导致忆阻器的电阻值发生变化。
如果在下一次电流通过时，电流的大小和方向与之前相同，磁性材料的磁化程度也会与之前保持一致，导致忆阻器的电阻值也与之前相同。
因此，忆阻器可以被用作存储器件，用于存储二进制信息。
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忆阻器存算一体概念
忆阻器存算一体概念
忆阻器是一种在存储和计算方面具有双重功能的器件。
它能够在电路中存储电荷，并且能够根据存储的电荷状态改变其电阻值，从而实现计算功能。
忆阻器的工作原理类似于人类的记忆：当电流通过忆阻器时，忆阻器会存储电荷，类似于人们记住了一些信息。
当电流停止流动时，存储的电荷仍然保持在忆阻器中，就像记忆中的信息一样。
当另一个电流再次通过忆阻器时，存储的电荷将影响电流的流动方式，这就类似于使用记忆信息进行计算。
忆阻器的存算一体概念是指这种器件在存储和计算之间具有紧密的关联与切换。
它可以根据存储的信息改变自身的电阻值，实现类似于神经元之间连接与传递信息的功能。
在存储状态时，忆阻器表现出较高的电阻值，类似于忘记的状态；而在计算状态时，忆阻器表现出较低的电阻值，并且可以通过电流的流动进行计算操作，类似于记忆与计算的结合。
忆阻器存算一体概念的提出，为新型计算器件的发展提供了新的思路。
忆阻器可以在非易失性存储和计算之间进行快速切换，具有较低的能耗和较高的计算效率。
它可以作为神经网络和人工智能等领域中的重要组成部分，实现更加高效和智能的计算过程。
Memristor忆阻器的发展及应用
可以做电子开关
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模拟忆阻器特性
P型忆阻器
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模拟忆阻器特性
输入i(t)：一个0.0001A，1KHz的正弦信号 输出电压：滞前的周期性变化的类正弦波波形 伏安特性
看出：在线性阶段，忆阻器表现出普通电阻的性质
，而非线性阶段则表现出忆阻特性，即前一时刻的
输入回应向后一时刻的输出
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在存储中的应用
传统：6个CMOS一个存储单元 信息传输方式：不同电平表示不同数据状态
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在存储中的应用
交叉杆结构存储阵列是由一排横向和一排纵向的纳米线 组成的网格，在每一个交叉点上就是类似上文的存储单 元，以其高阻态代表逻辑‘１’，低阻态代表逻辑‘０ ’来实现存储．
存储阵列
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在存储中的应用
三维堆叠
２００５年，惠普实验室就设计 了交叉杆的一种３维堆叠结构。在衬 底上对称堆叠几层忆阻器交叉杆存储 阵列，两层阵列之间通过绝缘层隔离 ．这样可以提高忆阻器的空间密度， 还能实现多层次的并行读写．
2. 美光
美光早在2007年就提出了这种技术，此后几乎每年都会透露一些进展，但就
是距离量产遥遥无期，这次也没有给出具体时间表。 技术指标优势不明显
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THANKS
FOR LISTENING
不断的推迟，预期遥遥无期
2010—合作投产
2011—承诺2013夏推出替代闪存存储方案；2012——延期通告推至2014
惠普CTO Martin Fink表示该公司将开始生产100TB忆阻器存储驱动器，具体时间为2018年 并于2016年同DIMM相结合，并计划在本个十年末登陆全新设备：The Machine
现在：一个忆阻器构成一个存储单元 信息传输方式：不同阻态表示不在存储中的应用
忆阻器
忆阻器(Memristor)忆阻器被证实存在按照我们目前的知识，基本的无源电子元件只有3大类，即电阻器、电容器和电感器。
而事实上，无源电路中有4大基本变量，即电流、电压、电荷和磁通量。
早在1971年加州大学伯克利分校的蔡少棠(Leon Chua)教授就提出一种预测：应该有第四个元件的存在。
他在其论文《忆阻器：下落不明的电路元件》提出了一类新型无源元件—记忆电阻器(简称忆阻器)的原始理论架构，推测电路有天然的记忆能力。
忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。
通过控制电流的变化可改变其阻值，如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻就可以实现存储数据的功能。
2008年，美国惠普实验室下属的信息和量子系统实验室的研究人员在英国《自然》杂志上发表论文宣称，他们已经证实了电路世界中的第四种基本元件———忆阻器(Memristor)的存在，并成功设计出一个能工作的忆阻器实物模型。
在该系统中，固态电子和离子运输在一个外加偏置电压下是耦合在一起的。
这一发现可帮助解释过去50年来在电子装置中所观察到的明显异常的回滞电流—电压行为的很多例子。
忆阻器器件的最有趣的特征是它可以记忆流经它的电荷数量。
其电阻取决于多少电荷经过了这个器件，即让电荷以一个方向流过，电阻会增加；如果让电荷以反向流动，电阻就会减小。
简单地说，这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数———多少电荷向前或向后经目前已经可以通过一些技术途径实现忆阻器，但制约这类新硬件发展的主要问题是电路中的设计。
目前还没有忆阻器的设计模型使其用于电路当中。
有人预测，这种产品5年后才可能投入商业应用。
忆阻器将有可能用来制造非易失性存储设备、即开型PC（个人电脑）、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等，甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度，这将对电子科学的发展历程产生重大影响。
忆阻器基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件：电阻器、电容器和电感器；电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁通量。
忆阻器电流开关比 误读率
忆阻器电流开关比误读率
忆阻器是一种电子元件，它的电流开关比是指在特定工作条件下，通过控制电流来改变器件的电阻值的比率。
这个比率通常用来
衡量器件在不同工作状态下的电阻变化程度，这对于电路设计和应
用具有重要意义。
误读率是指在测量或检测过程中，由于各种因素导致的测量结
果与实际值之间的偏差程度。
在实际应用中，误读率是一个重要的
指标，它反映了测量或检测设备的准确度和可靠性。
当涉及到忆阻器的电流开关比和误读率时，我们需要考虑以下
几个方面来全面回答你的问题：
1. 忆阻器的电流开关比，忆阻器是一种特殊的电阻器件，它具
有非线性的电阻特性，可以通过控制电流来改变其电阻值。
因此，
忆阻器的电流开关比可以通过测量在不同电流下的电阻值来确定。
这个比率对于存储器件和模拟电路的设计非常重要，因为它影响着
器件的工作性能和稳定性。
2. 误读率，误读率是衡量测量或检测过程中准确度的重要指标。
在忆阻器的应用中，误读率可以由测量设备的精度、环境条件、以及人为因素等多方面因素所影响。
因此，在使用忆阻器进行测量或检测时，需要考虑如何降低误读率，以确保测量结果的准确性和可靠性。
综上所述，忆阻器的电流开关比和误读率分别涉及到器件本身的特性和测量过程中的准确度问题。
全面考虑这两个因素对于理解和应用忆阻器都非常重要。
在实际应用中，我们需要综合考虑这些因素，以确保忆阻器的性能和测量结果的准确性。
二极管忆阻器种类
二极管忆阻器种类二极管是一种常用的电子元件，具有正向导通和反向截止的特性。
忆阻器（Memristor）是一种电阻器，其电阻值可以随着电流通过而发生变化，并且可以“记忆”之前的电阻状态。
在二极管忆阻器的基础上，衍生出了多种不同类型的忆阻器。
1. 窄隘忆阻器（Narrow-Channel Memristor）：窄隘忆阻器是一种由窄隘通道构成的忆阻器。
其工作原理是通过调节窄隘通道的导电性来改变电阻值。
窄隘忆阻器具有响应速度快、能耗低、可靠性高等特点，适用于高速存储器、神经网络等领域。
2. 铁电忆阻器（Ferroelectric Memristor）：铁电忆阻器是一种利用铁电材料的极化性质来实现电阻值可变的忆阻器。
铁电材料具有非线性电流-电压关系和记忆性能，可用于构建高密度、低功耗的非易失性存储器。
3. 离子忆阻器（Ionic Memristor）：离子忆阻器是一种利用离子在电解质中迁移的特性来调节电阻值的忆阻器。
离子忆阻器具有快速响应、可调节性能好等特点，适用于模拟神经网络、人工智能等领域。
4. 自旋忆阻器（Spin Memristor）：自旋忆阻器是一种利用自旋极化来实现电阻值可变的忆阻器。
自旋忆阻器具有快速切换速度、低功耗、高稳定性等特点，可用于构建自旋逻辑门、自旋存储器等。
5. 有机忆阻器（Organic Memristor）：有机忆阻器是一种利用有机材料的电荷传输特性来实现电阻值可变的忆阻器。
有机忆阻器具有低成本、柔性可弯曲性等特点，适用于柔性电子器件、生物传感器等领域。
6. 基于相变材料的忆阻器（Phase Change Memristor）：基于相变材料的忆阻器是一种利用相变材料的结构相变来实现电阻值可变的忆阻器。
基于相变材料的忆阻器具有快速响应速度、高可靠性和可重写性等特点，适用于高密度存储器、可编程逻辑器件等。
7. 光致忆阻器（Photo-induced Memristor）：光致忆阻器是一种利用光照射来改变电阻值的忆阻器。
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什么是忆阻器？忆阻器忆阻器的英文 Memristor 来自「Memory（记忆）」和「Resistor（电阻）」两个字的合并，从这两个字可以大致推敲出它的功用来。
最早提出忆阻器概念的人，是华裔的科学家蔡少棠，当时任教于美国的柏克莱大学。
时间是 1971 年，在研究电荷、电流、电压和磁通量之间的关系时，蔡教授推断在电阻、电容和电感器之外，应该还有一种组件，代表着电荷与磁通量之间的关系。
这种组件的效果，就是它的电阻会随着通过的电流量而改变，而且就算电流停止了，它的电阻仍然会停留在之前的值，直到接受到反向的电流它才会被推回去。
用常见的水管来比喻，电流是通过的水量，而电阻是水管的粗细时，当水从一个方向流过去，水管会随着水流量而越来越粗，这时如果把水流关掉的话，水管的粗细会维持不变；反之当水从相反方向流动时，水管就会越来越细。
因为这样的组件会「记住」之前的电流量，因此被称为忆阻器。
忆阻器有什么用？在发现的当时...没有。
蔡教授之所以提出忆阻器，只是因为在数学模型上它应该是存在的。
为了证明可行性，他用一堆电阻、电容、电感和放大器做出了一个模拟忆阻器效果的电路，但当时并没有找到什么材料本身就有明显的忆阻器的效果，而且更重要的，也没有人在找 -- 那是个连集成电路都还刚起步不久的阶段，离家用电脑开始普及都还有至少 15 年的时间呢！于是这时候 HP 就登场了。
事实上 HP 也没有在找忆阻器，当时是一个由 HP 的 Phillip J Kuekes 领军的团队，正在进行的一种称为Crossbar Latch 的技术的研究。
Crossbar Latch 的原理是由一排横向和一排纵向的电线组成的网格，在每一个交叉点上，要放一个「开关」连结一条横向和纵向的电线。
如果能让这两条电线控制这个开关的状态的话，那网格上的每一个交叉点都能储存一个位的数据。
这种系统下数据密度和存取速度都是前所未闻的，问题是，什么样的材料能当这个开关？这种材料必需要能有「开」、「关」两个状态，这两个状态必需要能操纵，更重要的，还有能在不改变状态的前提下，发挥其开关的效果，允许或阻止电流的通过。
如何取得这样的材料考倒了 HP 的工程师，因此他们空有Crossbar Latch 这么棒的想法，却无法实现。
谁知道，他们在找的东西，正是忆阻器？忆阻器的实现[1]蔡教授提出忆阻器理论后几十年过去了，工业界一直没有找到能够实现忆阻器的材料。
时间到了2005年，由 HP 的 Phillip J Kuekes 领军的团队，正在进行的一种称为 Crossbar Latch 的技术的研究。
Crossbar Latch 的原理是由一排横向和一排纵向的电线组成的网格，在每一个交叉点上，要放一个“开关”连结一条横向和纵向的电线。
如果能让这两条电线控制这个开关的状态的话，那网格上的每一个交叉点都能储存一个位的数据。
这种系统下数据密度和存取速度都是前所未闻的，问题是，什么样的材料能当这个开关？这种材料必需要能有“开”、“关”两个状态，这两个状态必需要能操纵，更重要的，还有能在不改变状态的前提下，发挥其开关的效果，允许或阻止电流的通过。
如何取得这样的材料考倒了 HP 的工程师。
直到2008年（距蔡教授提出忆阻器已经37年过去了）才出现了转机，另一个由 Stanley Williams 领军的 HP 团队在研究二氧化钛的时候，意外地发现了二氧化钛在某些情况的电子特性比较奇特。
Stanley等人发现，一块极薄的二氧化钛被夹在两个电极中间，这些二氧化钛又被分成两个部份，一半是正常的（图二中undoped部分）二氧化钛，另一半进行了“掺杂”（图二中doped部分），少了几个氧原子。
当“掺杂”的那一半带正电，因此电流通过时电阻比较小，而且当电流从“掺杂”的一边通向正常的一边时，在电场的影响之下缺氧的“掺杂物”会逐渐往正常的一侧游移，使得以整块材料来言，“掺杂”的部份会占比较高的比重，整体的电阻也就会降低。
反之，当电流从正常的一侧流向“掺杂”的一侧时，电场会把缺氧的“掺杂物”从回推，电阻就会跟着增加。
因此，整个器件就相当于一个滑动变阻器一样。
忆阻器的未来HP 关于忆阻器的发现在 2008 年时发表于「自然」期刊，2009 年证明了 Cross Latch 的系统很容易就能堆栈，形成立体的内存。
目前的技术每个电线间的「开关」大约是 3nm x 3nm 大，开关切换的时间约在 1ns 左右，整体的运作速度约是 DRAM 的 1/10 -- 还不足以取代 DRAM，但是靠着 1 cm2 100 gigabit， 1cm3 1 petabit（别忘了它是可以堆栈的）的惊人潜在容量，干掉闪存是绰绰有余的。
但是 Crossbar Latch 可不止用来储存数据而已。
它的网格状设计，和每个交叉点间都有开关，意味着整组网格在某些程度上是可以逻辑化的。
在原始的 Crossbar Latch 论文中就已经提到了如何用网格来模拟 AND、OR 和 NOT 三大逻辑闸，几个网格的组合甚至可以做出加法之类的运算。
这为摆脱晶体管进到下一个世代开了一扇窗，很多人认为忆阻器电脑相对于晶体管的跃进，和晶体管相对于真空管的跃进是一样大的。
另一方面，也有人在讨论电路自已实时调整自已的状态来符合运算需求的可能性。
这点，再搭配上忆阻器的记忆能力，代表着运算电路和记忆电路将可同时共存，而且随需要调整。
这已经完全超出了这一代电脑的设计逻辑，可以朝这条路发展下去的话，或许代表着新一代的智慧机器人的诞生。
不过这些都是未来的事了。
HP 的目标订的还算含蓄，只答应在 2013 年时，生产出与当世代的 Flash 同等价格，但两倍容量的忆阻器记忆装置。
对大部份人来说，这个转变会是相当低调的 -- 就像芯片制程已经一步步地降到了 24nm，但是对一般人来说，CPU 或是内存、随身碟一直都长那个样子，没有在变。
只是在里面，忆阻器和 Crossbar Latch 的组合代表的是电脑科技的全新进展，或许能让我们再一次延续摩尔定律的生命，朝向被机器人统治的未来前进。
基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件：电阻器、电容器和电感器；电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁通量。
任教于加州大学伯克利分校的蔡少棠（Leon Chua），37年前就预测有第四个元件的存在，即忆阻器（memristor）。
简单说，忆阻器是一种有记忆功能的非线性电阻。
通过控制电流的变化可改变其阻值，如果把高阻值定义为“1”，低阻值定义为“0”，则这种电阻就可以实现存储数据的功能。
实际上就是一个有记忆功能的非线性电阻器【1】。
事实上从西元两千年始，研究人员就已经在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构(ABO3)的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化，并将其应用到了下一代非挥发性存储器-阻抗存储器(RRAM)中【2】-【5】。
在工业界，英飞凌，三星，美光，夏普，Unity，Spansion等公司早已经开始了RRAM的研究和产品的开发, 预计未来5年讲会陆续有基于RRAM技术的存储器上市。
关于电阻转变的机理目前还有很多争议，但一般认为薄膜中由于氧空位迁移而形成的细丝(filament）是产生电阻变化的原因【6】。
惠普实验室的研究人员认为RRAM就是Chua所说的忆阻器，其报道的基于TiO2的RRAM器件在08年5月1日的《自然》期刊上发表【7】。
加州大学伯克利分校教授蔡少棠，1971年发表《忆阻器：下落不明的电路元件》论文，提供了忆阻器的原始理论架构，推测电路有天然的记忆能力，即使电力中断亦然。
惠普实验室的论文则以《寻获下落不明的忆阻器》为标题，呼应前人的主张。
蔡少棠接受电话访问时表示，当年他提出论文后，数十年来不曾继续钻研，所以当惠普实验室人员几个月前和他联系时，他吃了一惊。
RRAM可使手机将来使用数周或更久而不需充电；使个人电脑开机后立即启动；笔记型电脑在电池耗尽之后很久仍记忆上次使用的信息。
忆阻器也将挑战掌上电子装置目前普遍使用的闪存，因为它具有关闭电源后仍记忆数据的能力。
RRAM将比今日的闪存更快记忆信息，消耗更少电力，占用更少空间。
忆阻器跟人脑运作方式颇为类似，惠普说或许有天，电脑系统能利用忆阻器，像人类那样将某种模式（patterns）记忆与关联。
RRAM为制造非易失性存储设备、即开型PC、更高能效的计算机和类似人类大脑方式处理与联系信息的模拟式计算机等铺平了道路，未来甚至可能会通过大大提高晶体管所能达到的功能密度，对电子科学的发展历程产生重大影响。
研究人员表示，忆阻器器件的最有趣特征是它可以记忆流经它的电荷数量。
蔡教授原先的想法是：忆阻器的电阻取决于多少电荷经过了这个器件。
也就是说，让电荷以一个方向流过，电阻会增加；如果让电荷以反向流动，电阻就会减小。
简单地说，这种器件在任一时刻的电阻是时间的函数———或多少电荷向前或向后经过了它。
这一简单想法的被证实，将对计算及计算机科学产生深远的影响。
有望制成更快更节能的即开型PC忆阻器最简单的应用就是作为非易失性阻抗存储器(RRAM)，今天的动态随机存储器所面临的最大问题是，当你关闭PC电源时，动态随机存储器就忘记了那里曾有过什么，所以下次打开计算机电源，你就必须坐在那儿等到所有需要运行计算机的东西都从硬盘装入到动态随机存储器。
有了非易失性随机存储器，那个过程将是瞬间的，并且你的PC会回到你关闭时的相同状态。
研究人员称，忆阻器可让手机在使用数周或更久时间后无需充电，也可使笔记本电脑在电池电量耗尽后很久仍能保存信息。
忆阻器也有望挑战目前数码设备中普遍使用的闪存，因为它具有关闭电源后仍可以保存信息的能力。
利用这项新发现制成的芯片，将比目前的闪存更快地保存信息，消耗更少的电力，占用更少的空间。
为开发模拟式计算机铺平道路忆阻器还能让电脑理解以往搜集数据的方式，这类似于人类大脑搜集、理解一系列事情的模式，可让计算机在找出自己保存的数据时更加智能。
比如，根据以往搜集到的信息，忆阻器电路可以告诉一台微波炉对于不同食物的加热时间。
当前，许多研究人员正试图编写在标准机器上运行的计算机代码，以此来模拟大脑功能，他们使用大量有巨大处理能力的机器，但也仅能模拟大脑很小的部分。
研究人员称，他们现在能用一种不同于写计算机程序的方式来模拟大脑或模拟大脑的某种功能，即依靠构造某种基于忆阻器的仿真类大脑功能的硬件来实现。
其基本原理是，不用1和0，而代之以像明暗不同的灰色之中的几乎所有状态。
这样的计算机可以做许多种数字式计算机不太擅长的事情———比如做决策，判定一个事物比另一个大，甚至是学习。
这样的硬件可用来改进脸部识别技术，应该比在数字式计算机上运行程序要快几千到几百万倍。