二极管生产工艺
大功率肖特基二极管制造
大功率肖特基二极管制造摘要：本文从势垒溅射工艺、势垒形成工艺和粗铝丝键合技术方面设计了高压大功率肖特基二极管。
关键词：大功率，肖特基二极管肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点，广泛应用于开关电源、逆变电路中，主要起到续流、整流作用。
为满足高功率密度、高效率PPU设计的需求，设计了高压大功率肖特基二极管。
1.势垒溅射工艺肖特基势垒简单来说是金属-半导体接触，但是不同的金属与不同的半导体掺杂浓度构成的势垒高度变化很多。
在电特性方面既要保证电流容量大的优势和反向击穿电压高、饱和压降低的特性，又要极小的反向电流。
这样就必须首先摸清它的技术特点，进行合理的设计。
为此，我们查阅了有关技术资料，对该产品的结构进行了非常细致的分析。
根据产品的各项电参数、各工艺的工艺条件、参数等，在设计上根据肖特基的势垒高度对实用肖特基二极管的电学性质有着重要的影响，为了制造不同性能的肖特基二极管，往往要求金-半之间有较高的势垒。
由于Mo虽有较低的势垒，与Ni势垒相当，Ti有较低的势垒，但漏电流较大。
在半导体工艺中一般做为粘附层金属使用，均不能单独应用到产品中；所以，我们成熟工艺是使用Ni、Pt、Cr等作为势垒金属，对不同势垒特性进行工艺试验。
表1 N型硅上金属的功函数及肖特基势垒高度表2 N型硅上金属硅化物肖特基势垒高度a) Ni-Si势垒的漏电流较小，势垒高度低，可以满足小电流芯片产品的电流要求；b) Pt-Si势垒的漏电流小，势垒较高，产品的正向压降VF较高；c) Cr-Si势垒的势垒高度低，但是漏电流较大，不能满足产品的反向漏电流IR要求。
根据以上单一金属得到的肖特基势垒特性工艺试验结果，我们设计选择小漏电流与结温较高的金属Pt来解决势垒金属问题。
镍通常用来与N型硅形成肖特基势垒，势垒高度随着工艺变化而变化，其变化范围在0.5eV-0.9eV。
一般NiSi/Si可形成0.64eV的势垒高度。
而NiPt/Si形成0.78eV左右的势垒高度。
oled的生产工艺
oled的生产工艺OLED（Organic Light Emitting Diode）有机发光二极管，是一种新型的显示技术。
与传统的液晶显示屏相比，OLED具有更高的亮度、更大的视角、更快的响应速度、更窄的像素间距、更高的对比度和更低的功耗等优势。
在制造OLED显示屏时，需要经过以下几个主要的生产工艺步骤：1. 基板准备：首先需要准备OLED显示屏的基板，通常采用玻璃或塑料材料。
基板的表面需要经过清洗和平整处理，以确保后续工艺的顺利进行。
2. 透明电极制备：在基板上需要涂上一层透明的电极材料，常用的材料有氧化锡和氧化铟锡等。
透明电极是用于提供OLED 显示屏的电流和电压。
3. 有机分子层制备：在透明电极上需要涂上有机材料层，这些有机材料能够发光。
有机材料可以是有机分子，也可以是有机聚合物。
有机分子层的厚度非常薄，通常在几纳米至几十纳米之间。
4. 金属电极制备：在有机分子层上需要涂上一层金属电极，常用的金属材料有钙、铝和银等。
金属电极用于提供有机分子层的电流和电压。
5. 密封工艺：将两个基板以微米级的精度叠加在一起，并采用特殊的胶水或者封装材料进行密封。
密封可以保护OLED显示屏不受湿氧的侵害。
6. 驱动电路添加：在OLED显示屏中需要添加驱动电路，以供电和控制显示。
驱动电路可以集成在基板上，也可以通过封装连接到OLED显示屏上。
7. 终检和包装：生产完成后，需要进行终检，确保OLED显示屏没有缺陷和故障。
检测项目包括亮度、均匀度、色彩等。
通过合格的OLED显示屏进行包装和封装，以便运输和销售。
上述是OLED显示屏的主要生产工艺步骤，具体的工艺流程和细节因制造商而异。
现代OLED显示屏的制造过程还涉及到一些先进的技术，如薄膜沉积、光刻、蒸发、封装等，这些技术的应用使OLED显示屏具有更高的画质和性能。
LED生产流程
导读：LED的制造是复杂与高技术含量,在这个过程中，只要一个环节出问题，LED灯珠就失去品质性能，在整个工艺过程，同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质，从外观无法分辨.LED（Light-Emitting Diode）是发光二极管的简称,它是由半导体材料制造出来的，它有一个正极和一个负极,在它的正负极施加直流电就会发光,从1907年开始，到1993年，LED经历86年历史，LED技术的应用大体分为视觉类与非视觉类，视觉类的应用有LED照明技术，非视觉类有植物光合与医疗保健LED发展历史LED工艺过程：LED灯珠的整个生产过程，分为外延片生产、芯片生产、灯珠封装，整个过程体现了现代电子工业制造技术水平，LED的制造是集多种技术的融合，是高技术含量的产品，对于照明用途的LED的知识掌握也需要了解LED灯珠是如何生产出来的。
1、LED外延片生产过程:LED外延片生长技术主要采用有机金属化学相沉积方法（MOCVD)生产的具有半导体特性的合成材料，是制造LED芯片的原材料，下图是采用蓝宝石衬底的外延片生产过程：2、LED芯片生产过程:LED芯片是采用外延片制造的,是提供LED灯珠封装的器件，是LED灯珠品质的关键，下图是LED芯片生产过程：3、LED灯珠生产过程：LED灯珠的封装是根据LED灯珠的用途要求，把芯片封装在相应的支架上来完成LED灯珠的制造过程,LED封装决定LED灯珠性价比，是LED灯具产品的品质关键，下图是LED 封装过程:从上面描述的LED从材料到灯珠的生产过程可以看出:LED的制造是复杂与高技术含量，在这个过程中，只要一个环节出问题，LED灯珠就失去品质性能,在整个工艺过程，同一批原材料会由于生产过程的非工艺原因导致封装的成品有不同的品质,从外观无法分辨;封装的灯珠通过分光筛选成不同质量的灯珠，这些灯珠基本上由价格的差异进行销售，残次品都可以按重量销售，LED市场的这种现象导致LED灯具产品的价格会相差很大.白光灯珠的参数关系：关于基本的光电参数，如光通量、光强度、光照度、亮度（辉度）、辐射功率、色温、显色性等,就不在这里介绍,我们需要重点了解这些参数之间的关系。
二极管烘烤条件-概述说明以及解释
二极管烘烤条件-概述说明以及解释1.引言1.1 概述二极管作为电子器件中常见的一种，其品质和性能对于整个电子产品的稳定运行至关重要。
而在二极管的生产过程中，烘烤是一个不可或缺的环节。
通过适当的烘烤条件，可以提高二极管的可靠性和稳定性，延长其使用寿命，从而确保电子产品的正常运行。
本文将深入探讨二极管烘烤的重要性，适宜的烘烤温度和时间，以及烘烤过程中需要注意的事项。
同时，结合实际案例和研究成果，总结烘烤条件对二极管的影响，并探讨烘烤条件的优化方法。
最后，展望未来二极管烘烤技术的发展方向，为电子器件的生产提供更加可靠的保障。
1.2 文章结构文章结构部分的内容如下：文章结构部分将介绍整篇文章的章节结构和内容安排。
主要包括以下内容：1. 引言部分：介绍本文将要讨论的主题，并阐述文章的目的和重要性。
2. 正文部分：详细讨论二极管烘烤的重要性以及适宜的烘烤温度和时间，并提出烘烤过程中需要注意的事项。
3. 结论部分：总结烘烤条件对二极管的影响，讨论烘烤条件的优化方法，以及展望未来二极管烘烤技术的发展方向。
通过以上章节结构的安排，读者可以清晰地了解文章的内容安排，便于获取所需信息并理解作者的观点。
1.3 目的二极管作为电子元件中常用的器件之一，在生产和使用过程中需要进行烘烤处理以保证其性能和稳定性。
本文旨在探讨二极管烘烤条件的重要性，介绍适宜的烘烤温度和时间，以及烘烤过程中需要注意的事项，以帮助读者更好地了解二极管烘烤的相关知识。
同时，通过总结烘烤条件对二极管的影响，探讨烘烤条件的优化方法，展望未来二极管烘烤技术的发展方向，以期为二极管生产和应用提供参考和指导。
2.正文2.1 二极管烘烤的重要性二极管作为一种重要的电子元器件，在电子产品中被广泛应用。
在二极管的制造和使用过程中，经常需要对其进行烘烤处理。
烘烤是指将二极管放入特定的烤箱中，通过控制温度和时间来消除元器件内部的潮气和有害杂质，以提高其稳定性和可靠性。
二极管在制造过程中可能会受到各种因素的影响导致内部产生氧化物、水分或其他有害杂质，这些有害物质可能会降低二极管的性能，甚至导致元器件的失效。
二极管生产工艺流程
二极管生产工艺
打头排向装填进炉焊接出炉转换酸洗梳条烘干上胶胶固化模压后固化
焊接
辅助工序有：排向装填进炉出炉转换
工艺目的：利用焊片通过一定温度是芯片与金属引线连接形成欧姆触角
酸洗
酸洗梳条烘干上胶白胶固化
酸洗工艺目的：利用各种酸和水，对芯片P-N 结周围边缘表面进行化学腐蚀，以改善机械损伤，去除表面吸附的杂质，降低表面电场，是P-N结的击穿首先从体内发生，以获得于理论值接近的反向击穿电压和极小的表面漏电流。
目的：利用化学药品将晶片表面加以腐蚀，使P-N结面呈现正角比例以获得最佳的电性品质。
于晶片表面形成SiO2,已形成绝缘的目的。
白胶固化
工艺的目的：固化上胶层使硅胶中心液剂进一步挥发，胶层固化使起与管芯牢固结合，使器件具有良好的可操作性能和避免成型时受到冲击而损伤的作用。
模压：
工艺目的：使管芯与外界环境隔离，避免有害气体的侵蚀，并使表面光洁和具有特定的几何形状，祈祷保护管芯，稳定表面，固定管芯内引线，提高二极管机械强度，方便客户实用的作用。
成型固化：
工艺目的：对模压后的二极管的塑封料通过高温烘烤，以提高塑封料的可靠性。
挥发表面的油污和释放黑胶收缩压力，剔除早期不良品，失效管，提高二极管的稳定性。
铟镓砷光电二极管生产工艺_概述说明以及解释
铟镓砷光电二极管生产工艺概述说明以及解释1. 引言1.1 概述铟镓砷光电二极管是一种关键的光电器件，具有广泛的应用前景。
本文旨在详细介绍铟镓砷光电二极管的生产工艺，并对其特性进行分析与解释。
通过深入了解生产工艺流程和性能测试方法，可以进一步提高该器件的制造质量和性能效能。
1.2 文章结构本文共分为五个部分。
首先，在引言部分对文章的概述进行介绍。
然后，在第二部分中，我们将概述铟镓砷光电二极管的生产工艺，包括介绍光电二极管及铟镓砷材料特性，并对生产工艺流程进行总体概述。
接下来，在第三部分中，我们将详解铟镓砷光电二极管的生产工艺，包括晶体衬底制备过程、材料混合与晶体生长以及离子注入与扩散过程。
在第四部分中，我们将进行铟镓砷光电二极管性能分析，包括器件响应特性测试方法、温度与光强度对性能的影响以及电压-流动曲线分析。
最后，在第五部分中，我们将总结本文的主要内容，并展望铟镓砷光电二极管生产工艺的优化方向。
1.3 目的铟镓砷光电二极管是目前广泛应用于光通信、光探测等领域的重要器件。
了解其生产工艺及性能特点对提高制造质量和器件性能至关重要。
本文旨在通过概述和详解铟镓砷光电二极管的生产工艺，对相关领域的科研人员和技术人员提供全面而有价值的信息和指导。
同时，我们还希望通过对铟镓砷材料特性、工艺流程以及性能分析的详细阐述，为该领域的未来发展提出一些建设性意见与展望。
2. 铟镓砷光电二极管生产工艺概述2.1 光电二极管介绍光电二极管（Photodiode）是一种能够将光信号转换为电信号的半导体器件。
它主要由P-N结构组成，其中P型半导体往往具有高浓度的掺杂源，而N型半导体则较轻掺杂。
当光照射到P-N结构时，光子会激发出在材料中自由移动的电子和空穴，并且这些载流子会通过外部连接的电路流动。
2.2 铟镓砷材料特性铟镓砷（InGaAs）是一种常用于光电二极管制造的重要半导体材料。
它具有以下几个特性：- 带隙范围：铟镓砷的带隙范围通常介于0.75eV至1.35eV之间，适用于近红外区域的光信号接收和检测。
LED发光二极管(中段)生产流程工艺
福建信息职业技术学院毕业设计（论文）论文题目：LED发光二极管（中段）生产流程工艺系别：电子工程系专业：电子信息工程技术班级：电子0821班学号：0801017105学生姓名：李福生指导教师：吴志雄目录第一章 LED（中段）生产总流程LED操作总流程简介 (4)第二章点测1基本作业流程 (5)2自主巡检事项 (5)3针痕异常 (5)4换针流程 (6)5 要求事项 (6)第三章挑捡1挑检作业总流程简介图 (6)2扩张 (6)3开始挑捡前的准备过程 (8)4挑捡过程中应注意的事项 (12)第四章翻转1操作步聚 (15)2注意事项 (15)3要求事项 (16)第五章目检1要求事项 (16)2注意事项 (16)第六章计数1操作步聚 (17)2注意事项 (17)3要求事项 (18)总结 (18)参考文献 (18)LED发光二极管（中段）生产流程工艺摘要:随着社会的发展，LED的应用越来越广，主要用于LCD屏背光、LED照明、LED显示三大领域。
它主要靠晶片发光，是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如砷化镓、磷化镓、磷砷化镓等半导体制成的，其核心是PN结。
因此它具有一般P-N结的I-N特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。
此外，在一定条件下，它还具有发光特性。
抗震性能好、功耗低、成本低等优点。
在恰当的电流和电压下，LED的使用寿命可达10万小时。
通过从事LED发光体的挑拣、翻转、目检、计数、包装等的操作流程，掌握LED发光体（晶粒）的生产流程，而挑捡是其中的比较主要的流程，操作也比较复杂，包括三点对位、Bin指定、Bin坐标、外观教导、基准点设定等等。
关键词:点测（CP）挑捡（Sorter）翻转目检计数一 WIP系统（LED操作总流程）IQC（进料检验）↓CP（点测）↓→汇入点测报表IPQC1（制程中检验）↓→汇入FQC报表、汇入点测资料DMAP（删图）↓→汇入删图档IPQC2（制程中检验）↓SORTER （挑拣）↓后段（翻转、目检、计数、包装、）↓OQC（出货检验）↓出货注释：IQC、 IPQC1 、IPQC2、 OQC 等由QC 人员操作CP 、 DMAP 、 SORTER后段等由PE人员操作二点测（CP）作业简介1 基本作业流程1 挂帐2 资料处理3 上片1）连线测试机1.1 刷Run Card编号、批号、片号及人员工号1.2 清除资料，连线probe1.3 开启Led Map程序，勾选接收资料、预设、选择IV 选项2）连线Probe2.1 外观教导2.2 Ink点设定2.3 开始点测4 下片1）Probe1.1 回Ink点1.2 检查晶圆档2）Test2.1 检查原点2.2 检查光电性（VF0、VF1、VF3、IV3、WP3、HW2）5 转档6 过帐2 自主巡检事项1绿框（不少于5个）2针痕(针偏、双针、针痕过大、无针痕)3 Map图(光电性资料：VF0、VF1、VF3、IV3、WP3、HW2)3 针痕异常1 双针2 针痕过大（超过pad 1/5）3 无针痕4 针偏针（针痕碰到pad边缘）4 换针流程针痕出现异常，经调整仍无法改正的，要换针，步聚如下：1 备好工具；2 抬针、退针3 拔线4 松螺丝（1颗的那根）5 从针尾装针，并固定6 检查针盖7 放回针座的过程注意针尖，避免碰触8 检查针座是否有松动9 调针5要求事项1 测试前，请先询问工程师该机台是否可作测试。
led电镀工艺技术
led电镀工艺技术LED电镀工艺技术是指在LED（Light Emitting Diode，发光二极管）生产过程中所采用的电镀工艺技术。
电镀是一种将金属物质沉积在其他金属或非金属表面上，以改变其外观、机械性能、耐腐蚀性等性质的方法。
LED电镀工艺技术主要包括前处理、电镀、后处理三个步骤。
首先，前处理是为了将LED基片的表面清洁干净、光洁，以便于金属材料的沉积和光电器件的贴附。
此步骤通常涉及去污、去油、去氧化等环节。
其中，去垢剂可以去除表面的灰尘、油脂等杂质；去油剂能够去除表面的油脂，以保证金属材料与LED基片的接触质量；去氧化剂能够去除基片表面的氧化层，以增强金属沉积层的附着力。
其次，电镀是将所需的金属材料沉积在LED基片上的过程。
根据所需的电镀材料的不同，可以分为镍电镀、铬电镀等。
电镀液是电镀过程中的关键因素，选用合适的电镀液对于电镀层的成膜性能、外观质量、电化学性能等有着重要影响。
而在电镀过程中，还需要控制电流密度、温度、电镀时间等工艺参数，以保证金属层的均匀性、致密性和表面光洁度。
最后，后处理是对电镀过程中产生的金属沉积层进行喷砂、抛光、清洗等处理，以获得所需的光洁度和外观效果。
后处理还包括对电镀层进行化学处理，例如添加防腐剂、增色剂等。
除了上述的基本工艺步骤外，LED电镀工艺技术还需要注意以下几点：1. 选择适合的金属材料和电镀液，以满足特定的光电性能要求。
2. 控制好电镀层的厚度，避免电镀层过厚或过薄导致光电性能下降或耐久性不足。
3. 加强对电镀过程中的电流密度、温度、电镀时间等工艺参数的控制，以保证电镀层的均匀性和致密性。
4. 检测和测试电镀层的质量，对不合格品进行筛选和修复，以提高产品的合格率和安全性。
综上所述，LED电镀工艺技术在LED生产过程中起到了至关重要的作用。
通过合理的工艺参数选择和严格的产品质量控制，能够获得具有良好光电性能和外观效果的LED产品，推动了LED技术的发展和应用。
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2.1(硅片检查
抽样检查硅片是否为N型，A针加热时，A点电子扩散到B点，A点电位高于B点，检流计指针右偏，可判定硅片为N型，反之为P型。(或千分尺)检测硅片厚度是否超标，并进行分档，最好用气动量仪(非接触式)测量，可避免对硅片表面造成损伤。用放大镜检查所有硅片是否有划痕、裂纹。用四探针检测电阻率，并进行分档。
二极管生产工艺
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二极管生产工艺
生产实习
---专家讲座
二极管的生产工艺
电子12-1
1206040124
1.二极管简介
2.3(硅片抛光
抛光目的:获得光洁的硅片表面，以利获得均匀的高质量的SiO2层，便于光刻开窗，同时可获得均匀的表面浓度、扩散结深。平坦的PN结是提高器件开关特性的重要条件，也是获得雪崩电压特性的必要前提。
1)机械抛光(氧化镁抛光)
此方法，上世纪六、七十年代使用较普遍，现已淘汰，缺点是易产生划道，生产效率也低。
2.2(硅片清洗
1、去砂，超声波(1000~4000w)水超16小时以上。
2、去油，用有机溶剂超声去油，此步骤可不用。使用工号清洗液去油(同时也有去金属离子功能)。
用?号清洗液去油、蜡等有机物，效果非常好。配比为H2SO4:H2O2=1:1(体积比)，去重金属离子一般用?号清洗液或王水。?号清洗液配比H强氧化剂;HCl是强酸，可与活泼金属(Al、Zn)、金属氧化物(CaO、Fe2O3)、硫化物(AlS)等作用，予以溶解，HCl还兼有络合作用，盐酸中的氯离子，可为Au3+、Pt++、Cu+、Ag+、Ni3+、Fe3+等提供内配位体，形成可溶性水的络合物。王水，配比为HNO3:HCl=1:3(克分子比)，体积比为1:3.6。王水不但能溶解较活泼的金属和氧化物，而且还能溶解不活泼的Au、Pt等几乎所有金属。Au+HNO3+4HCl=H[AuCl4]+NO?+2H2O，[AuCl4],——氯金酸根，也是一种可溶于水的络离子。?、?、?号清洗液和王水处理硅片时，只需煮开10分钟左右，然后用——————————————————————————————————————
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DI水(高纯水)冲净，最后再用DI水煮5遍，大量DI水冲净。DI(高纯)水的电阻率?8МΩ(25?C)。一般选用?、?、?号清洗液依次进行清洗，或选用?号、王水、?号依次进行清洗。
2)络离子抛光(属化学机械抛光)
抛光液配比为:H2O:(NH4)Cr2O7:Cr2O3=10升:100克:300克，Cr2O3(三氧化二铬)——磨料，(NH4)Cr2O7(重铬酸铵)——氧化腐蚀剂。3Si+2 Cr2O7-2+16H+?3 SiO2 +4 Cr+3+8H2O硅被氧化成SiO2，易被磨去。此法优点是抛光速度较快;缺点是易损伤硅片表面，且易产生二次缺陷，两种抛光料对人体也有一定损害。二十年前使用较普遍，现已基本淘汰。
主要工艺流程:硅片检查?硅片去砂去油?硅片微腐蚀?硅片抛光?闭管扩Ga、Al?氧化?一次光刻?磷扩散?真空烧结?蒸发Al?反刻铝?微合金?磨角、腐蚀?斜边保护?电照?封壳?高温储存?打印?产品测试?产品出厂检验?包装入库。
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N型中照单晶，优点是缺陷少，电阻率均匀性好，断面电阻率均匀度一般在?5%以内，特别适合做大电流高电压器件，也适合做工作频率较高的器件。(相比之下，直拉单晶(CZ)，因其含氧、碳量高，杂质补偿度高，电阻率均匀性差(?20%左右)，主要用于拉制30Ω.?以下单晶，成本较低;区熔单晶(FZ)补偿度低，氧、碳含量低，电阻率均匀性也较好(?10%)，但由于位错较多，质地较脆，仅适宜做一般功率器件。ρ=60~80Ω.?，电阻率分档60~70Ω?，VB=110ρ0.7，70~80Ω.?。无位错，位错密度?500个/?2，视为无位错。少子寿命τP?100μs，寿命高说明缺陷少，重金属杂质少。直径φ46~50，割φ40园。厚度0.36~0.38mm，精磨片。
3)二氧化硅抛光(属化学机械抛光)
抛光液为SiO2的悬浮液中加入少量NaOH，制成PH值为9,11的碱性胶体溶液。可直接购买由专业厂家配制好的抛光液。NaOH对硅起腐蚀作用，SiO2为磨料。主要反应是
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Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2，溶液中的Na2、SiO2在抛光过程中起化学腐蚀作用，使硅片表面生成硅酸钠盐，通过SiO2的胶体对硅片产生机械摩擦，随之又被抛光液带走，实现去除表面损伤层的抛光作用。抛光布为无纺布，用胶粘在下抛光盘上。
4)化学抛光法
抛光液配比:HNO3:HF:HAC(冰乙酸)=5:2:2腐蚀速度0.6,0.8μm/s，因反应速度快，操作时，要不断晃动，使反应均匀，并要在排风罩下操作。生产PK管时，有时可用此法作简易抛光，抛光液配比为:HNO3:HF:HAC=10:1:2，腐蚀速度较慢约为2,3μm/min。提示:做快速和高频晶闸管时，一般先做抛光，后做一扩(Ga、Al)。若扩后浓度稍稍偏高一点，可做二次抛光，加以调整;若扩后浓度偏高较多，则采用化抛加SiO2抛光法加以调整。