TFT-LCD CELL制程图解
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LCD制程简介
利用高频超声波在溶液 产生的加速度和直流能Байду номын сангаас量冲击作用将污垢去除
Substrate
Ultrasonic vibration element
© Chi Mei Optoelectronics
Page18
Cleaning Process
洗净对象物
种类 附着粒子 例 洗净Tool Al、Stainless、 Glass、 Brush、MS、CJ 树脂磨耗屑、人体剥离片等 油、指纹、PR、空气及 Gas中有机物、洗剂残留等 配管中金属不纯物、纯 水药液中不纯之离子、 自然酸化膜等 洗剂、UV、MS
MS HEAD
© Chi Mei Optoelectronics
Page16
Cleaning Process
UV Clean
For removing particle
利用紫外光分解使大分子的化学键 断裂而分解；利用紫外反应生成 O3与沾污反应分解成CO2和水。
Brush Clean
For removing the particle size > 3m 利用毛刷与玻璃板基之间的摩擦
LCD PANEL后工程流程图
ODF
Cell Scriber PACN APAM Edge Grinding
Cutlet Remover
傳統線
Cell Scriber LC Filler End Sealing Realign Oven
Cutlet Remover
LOT 2
PACK
SRCN LOT 1 PACN
PI Prebake
After Rubbing Clean
Rubbing
PI Postbake
Substrate
Ultrasonic vibration element
© Chi Mei Optoelectronics
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Cleaning Process
洗净对象物
种类 附着粒子 例 洗净Tool Al、Stainless、 Glass、 Brush、MS、CJ 树脂磨耗屑、人体剥离片等 油、指纹、PR、空气及 Gas中有机物、洗剂残留等 配管中金属不纯物、纯 水药液中不纯之离子、 自然酸化膜等 洗剂、UV、MS
MS HEAD
© Chi Mei Optoelectronics
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Cleaning Process
UV Clean
For removing particle
利用紫外光分解使大分子的化学键 断裂而分解；利用紫外反应生成 O3与沾污反应分解成CO2和水。
Brush Clean
For removing the particle size > 3m 利用毛刷与玻璃板基之间的摩擦
LCD PANEL后工程流程图
ODF
Cell Scriber PACN APAM Edge Grinding
Cutlet Remover
傳統線
Cell Scriber LC Filler End Sealing Realign Oven
Cutlet Remover
LOT 2
PACK
SRCN LOT 1 PACN
PI Prebake
After Rubbing Clean
Rubbing
PI Postbake
TFT-LCDARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍
时间/min
1000 800 600 400 200 0
1.节省时间：1462-1398=64min
2.节省设备：1套 InlinePR+曝光机
6
二、4Mask与5Mask工艺对比
5 Mask – D工程和I 工程
曝光
4 Mask – D/I 工程
曝光 DI-工艺
I-工艺
D1-WE
I-DE 曝光 D-工艺
SOURCE
电路部件 偏光板
P-SiNx
DRAIN
n+ a-Si
GLASS a-Si GATE
G-SiNx
3
一、 TFT的基本构造
接触孔 ITO像素电极 PI工程
C工程
SOURCE DRAIN D工程 P-SiNx
n+ a-Si a-Si I 工程 GATE
GLASS
G-SiNx
G工程
4
二、4Mask与5Mask工艺对比
干刻（DE)
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的金属膜
刻蚀掉未被光刻胶掩蔽的非金属膜
剥离
去掉残余的光刻胶8 Nhomakorabea洗净
卸料
周转盒
MS
传送装置 机械手 气刀
高压喷射
刷洗 药液喷淋 UV 传送装置
机械手
装料 9
洗净
ＵＶ 药液 刷子 高圧 ＭＳ Ａ／Ｋ
Ｐ Ｕ Ｖ
Ｄ Ａ
排 水
Ｐ 刷洗
Ｐ 高 压 喷射
纯 水
排 水 Ｍ Ｓ
Ｄ Ａ
药 液
洗净 功能
洗净对象 作 用
氧化分解 有机物 (浸润性改善) ＵＶ/Ｏ３
溶 解 有机物 溶 解
机械剥离 微粒子 (大径)
TFT-LCD工艺流程图
XXXXXXXXXX有限公司
TFT
加工工艺流程图
IQC
试切首对
清洗
入库
电性能检测
分条分粒插篮
批量切割
PQCPQCOQC
包装
OK
OK
NG
OK
NGNGNGOK老化PQCPQCOKNG
外观检测
TFTLCD理论及制程介绍
注意事項： 1.組裝底反射片，亮面須朝上。 2.組裝Rubber，須防止塑膠鑷子尖端刮傷導
光板。 3.上下棱鏡片的區別，目視上棱鏡片的紋路
爲水平形狀，下棱鏡片爲垂直形狀。
Back Light結構:
楔型結構(側光式)
燈管反射罩
冷陰極管
擴散板 U 稜鏡片II
稜鏡片 I 擴散板 L
導光板 反射板
Light Guide簡述:
F(b)
Adhesion
F(b)
F(p)
F(p)
接合
Insulation
ACF接合之因素:
温度
圧力
時間
Aቤተ መጻሕፍቲ ባይዱF之接合,由時間,溫度,壓 力組合而成。
Exp.）160℃－4Mpa－10sec ⇒ 温度＆時間 ：10秒後,到達160度 圧力 ：（推力）／（接続總面積）が4Mpa
即使設定正確,但溫度或壓力不均,仍會造成接 合不良的情形.
PBI= Post Bonding Inspection=LOT=Light On Test
Silicon Dispenser:
機台
Dispenser
注意事項：須塗布均勻，不可溢膠，膠不可塗上IC。 作用：1.防止線路受潮腐蝕，增加産品信賴性。2.防塵及異物造成
刮傷。3.防振，增加元件耐振性。
Aging及Aging檢驗:
LED的特性: 1.亮度高 2.工作電壓低 3.功率小 4.小型化，驅
動簡單 5.壽命長，性
能穩定
LED的應用: 依其發光波長大致可以簡單分為可見光的 LED及不可見光LED二大類：
成品組裝Assembly示意(1.5“ ) :
下鐵殼置組裝治具中
Panel置入
CELL制程原理
框胶制程 胶制程
Seal框胶之目的，在于提供panel中AR与CF之固着，同时提供panel 中液晶与外界的隔绝。 Ag点胶之目的，则导通CF与AR上之COM电极，以形成控制液晶分子驱 动之电场。 银胶 氮气 (N2) 框胶
液晶注入口
针头 Nozzle
玻璃基板
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Print roll GLASS 基板
APR板 ·
stage
行进方向
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PI material Requirements(TFT)
项目 成膜性 机械特性 配向特性 配向膜具备特性 Good printing property Low bake temp. 无ruቤተ መጻሕፍቲ ባይዱbing 刷痕 Rubbing时无产生PI剥落 Pretilt angle stability 配向后,经加热后亦保有安定配向性 Solvent resistance
(2π(T+R)-2π(a+R))
2π(T+R) =1-2*(T-a)/D 1 2*(TT:版总厚度 a:底版厚度 D:滚轮直径 D
SPEC：
Mesh：需比anilox roller mesh数低 范围:200~600mesh(每一inch內多少格) Angle ：75 度,45度 75 Pattern area: 20 30 40 APR plate: thickness: 0.7~2.84mm±0.02mm 底版胶厚度:0.2mm Hardness: K-11 rubber hardness 55
R
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配 向 绒 布
PI膜配向 基板和 roller成45度角, 膜配向:基板和 膜配向 成 度 TFT和CF基板方向差 90 度. 和 基板方向差 Roller高速旋转时 绒毛上的纤维 高速旋转时 高速旋转时,绒毛上的纤维 会甩立起来, PI膜刷出纹路 会甩立起来,将PI膜刷出纹路 Rubbing的情况 的情况, Rubbing的情况,类似于重铺柏油 刨路机, 马路之前的刨路机 马路之前的刨路机,将路面刨出纹 路.
TFT-LCD Process Flow
Isand
Dry
(a-Si & n+a-Si)
Gate, Pixel and Common Electrode
SiNx
Metal
Wet (Metal)
Anneal
Array Teser
Page- 29
AGV S-8 S-5 Resist Remove AGV ASP Micro. O/S Tester Micro. SS-1 AGV S-3 Wet Etcher AGV Coater Developer Stepper
Seal Deposit ITO Common electrode
Completed TFT Module
Completed Array Structure
Attach Polarizers
Page- 9
TFT LCD Cross Section - Array Process
TFT Glass Substrate
Liquid Crystal
Capacitor Display Electrode
Polarizer
Spacer
Page- 12
TFT LCD Cross Section - Module Process
TFT Sealant Polarizer Film Glass Substrate Black Matrix Color Filter Protective Film
彩色濾光片製程
製作顏色像素
Cell製程
組合成面板/灌入液晶
模組製程
搭上驅動電路/背光模組
Page- 3
Page- 4
Array基板的製作流程
玻璃 鍍膜 上光阻 重覆4~5次
TFT-LCD制程大揭秘
38
39
包括:Chips & FPC
CF
ACF
TFT
FPC
IC
彈性印刷電路
Bonding後用Silicon膠予以封住
40
41
PANEL
柔焦鏡
菱鏡 導光板
反射板
背光
42
壽命測試 穩定性測試
60度C 6小時
43
44
Inspection
Cleaning
Beveling & Cleaning
Polarizer Attachment
FPC,COG,組裝,燒機,F/I
3
甚麼是TFT-LCD ?
TFT----薄膜電晶體 Thin Film Transistor LCD----液晶顯示器 Liquid Crystal Display
4
5
一個電晶體(一個PIXEL) 動作示意圖
CF彩色 濾光膜
SOURCE 源 極
液晶分子 CRYSTAL
20
21
22
Polyimide塗覆
APR板
淡黃色
800~1200A
23
Rubbing Cloth
PI膜配向,基板和 roller成45度角, TFT和CF基板方向 差 90 度
24
Pre-tilt angle 預傾角
> 2.5 OK
< 2.5 NG
25
SEALANT(框膠點銀膠)
Ag Paste
29
紫外 線 UV膠
30
液晶注入示意圖
抽真空 破真空
液晶
31
再配向 Anneal
使用熱處理的 方式,加高溫, 讓液晶分子活 潑化,再將溫度 急速降下來,使 液晶分子正確 躺在rubbing好 的PI槽內
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包括:Chips & FPC
CF
ACF
TFT
FPC
IC
彈性印刷電路
Bonding後用Silicon膠予以封住
40
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PANEL
柔焦鏡
菱鏡 導光板
反射板
背光
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壽命測試 穩定性測試
60度C 6小時
43
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Inspection
Cleaning
Beveling & Cleaning
Polarizer Attachment
FPC,COG,組裝,燒機,F/I
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甚麼是TFT-LCD ?
TFT----薄膜電晶體 Thin Film Transistor LCD----液晶顯示器 Liquid Crystal Display
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一個電晶體(一個PIXEL) 動作示意圖
CF彩色 濾光膜
SOURCE 源 極
液晶分子 CRYSTAL
20
21
22
Polyimide塗覆
APR板
淡黃色
800~1200A
23
Rubbing Cloth
PI膜配向,基板和 roller成45度角, TFT和CF基板方向 差 90 度
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Pre-tilt angle 預傾角
> 2.5 OK
< 2.5 NG
25
SEALANT(框膠點銀膠)
Ag Paste
29
紫外 線 UV膠
30
液晶注入示意圖
抽真空 破真空
液晶
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再配向 Anneal
使用熱處理的 方式,加高溫, 讓液晶分子活 潑化,再將溫度 急速降下來,使 液晶分子正確 躺在rubbing好 的PI槽內
TFTLCD阵列工艺介绍 ppt课件
曝光原理
ＦｌｙＥｙｅ
光源
ＣＣＤ
弧状Ｓｌｉｔ Ｍａｓｋ
横倍率
台形 Ｍｉｒｒｏｒ
Ｘ非线形
凸面 Ｍｉｒｒｏｒ
凹面 Ｍｉｒｒｏｒ
Ｓｃａｎ
16
图11 曝光原理示意图
TFTLCD阵列工艺介绍
湿刻原理
■湿刻是通过对象材料（一般为金属导电膜）与刻蚀液之间的化学反应，对对象材 料进行刻蚀的过程。
■湿刻的过程 刻蚀液在对象物质表面的移送阶段
①初期状态
② 膨润·界面浸透
③ 溶解
光刻胶
膜
图14 剥离原理示意图
19
2.3 阵列基板的制造工艺流程
4mask
G-SP G-PR G-WE G-PR剥离 1st SiN CVD 三层CVD D-SP DI-PR D1-WE I/PR DE D2-WE CH-DE DI-PR剥离
PA-CVD C-PR C-DE
C-PR剥离 PI-SP PI-PR PI-WE
PI-PR剥离
G-SP G-PR G-WE
5mask G-PR剥离
1st SiN-CVD 三层CVD I-PR I-DE I-PR剥离 D-SP D-PR D-WE CH-DE D-PR剥离
图15 4mask和5mask工艺流程图
PA-CVD C-PR C-DE
TFTLCD阵列工艺介绍
1
TFTLCD阵列工艺介绍
一、TFT-LCD的基本构造 二、 ARRAY工艺简介 三、 阵列检查介绍
2
TFTLCD阵列工艺介绍
电路部件
偏光板
图1 TTFFTT--LCLDC液D晶M显o示d屏u的le构造
3
TFTLCD阵列工艺介绍
TFT-LCD简介说课讲解
Array Test
TFT Glass
1.GE 闸极电极形成 2.AS半导体电极形成 3.SD源极电极形成 4.CH 通道形成 5.PE 画素形成
Array Process introduction
受入洗净
Array 制程技术：5 Mask cycle
成膜
写真
蚀刻
剥膜洗净
成膜前洗净
Array Process introduction
TFT-LCD简介
何谓TFT-LCD?
Thin Film Transistor - Liquid Crystal Display
(薄膜晶体管)
(液晶显示器)
TFT-LCD面板为两片玻璃基板中间夹着一层液晶，上层 为彩色滤光片 (Color Filter)、下层为TFT基板(将晶体管 制作在玻璃上)。
Source電壓(Vs) 輸入。
解析度與Pixel數目的轉換
驅動IC顆粒數
灰階反轉介紹
灰階反轉介紹
指單一Pixel的顏色變化
儲存電容的主要功用
MII Type 的CS 儲存電容 : 主要功能簡單講就是當TFT關閉時 , 讓液晶維持和在TFT對ITO
充電時相同的旋轉角度 當TFT對ITO進行充電時,在ITO與GE/Common Line間形成電容效應而同時 累積電荷,當TFT 關閉時, 儲存電容便接續影響液晶的旋轉量,直到下一次被 更新而重新寫入
RF
受入洗净
H
H
Si
H
H
Si N
Si
H
N
H
H
H
Si
N
N
H H
成膜
写真
蚀刻
剥膜洗净
成膜(Thin Film)： 在玻璃基板上，铺上一层所需求材质 成膜前洗净 的金属及非金属层薄膜。
TFT-LCDARRAY,CELL,MODULE工艺技术介绍
成膜
CVD・Sputter [膜] [Glass]
G
178
Lithography
反复 （a) (b) 曝光 (c) 显像 (d) Etching (e) 剥离
C D/I
329
[Mask]
314
354
PI
287
5
二、4Mask与5Mask工艺对比
1600 1400 1200 287 354 287 354 314 579 329 G 178 4Mask 178 5Mask PI C D I D/I
I-DE
PR-DE
D-WE
D2-WE
CH-DE
CH-DE
7
三、ARRAY基板的工艺流程
工艺名称 洗净 工艺目的 清洁基板表面，防止成膜不良
溅射（SPUTTER)
P-CVD PR/曝光
成Al膜、Cr膜和ITO膜
成a-Si膜、n+a-Si膜和SiNx膜 形成与MASK图案相一致的光刻胶图案
湿刻（WE)
S4 X3Type 1sheet Max3sheet
Sputter X3Type (1~3Target)
VacRob 2sheet
UpperSlot-Load (Heating) UnderSlot-Unload (Cooling)
Cassette Loader
AtmRob 2sheet
cassette1 20sheet
药 液
洗净 功能
洗净对象 作 用
氧化分解 有机物 (浸润性改善) ＵＶ/Ｏ３
溶 解 有机物 溶 解
机械剥离 微粒子 (大径)
机械剥离 微粒子 (中径) 水压
接触压
机械剥离 微粒子 (小径) 加速度 cavitation 10