电子技术基础复习题
数字电子技术基础课-阎石-第五版第四章期末复习题
组合逻辑电路习题一、填空、选择1、8 线—3线优先编码器74LS148 的优先编码顺序是I7 、I6 、I5 、…、I0 ，输出A2 A1 A0 。
输入输出均为低电平有效。
当输入I7 I6 I5 …I0 为11010101时，输出A2 A1 A0为 。
2、3 线—8 线译码器74LS138 处于译码状态时，当输入A 2A 1A 0=001 时，输出Y 7～Y 0 = 。
3、组合逻辑电路任何时刻的输出信号，与该时刻的输入信号 ，与电路以前的状态 。
4、在组合逻辑电路中，由于门电路的延时，当输入信号状态改变时，输出端可能出现虚假过渡干扰脉冲的现象称为 。
5、一位数值比较器，输入信号为两个要比较的一位二进制数A 、B ，输出信号为比较结果：Y(A ＞B)、Y(A ＝B)和Y(A ＜B)，则Y(A ＞B)的逻辑表达式为 。
6、下列电路中，不属于组合逻辑电路的是。
（A ）译码器 （B ）全加器 （C ）寄存器 （D ）编码器 7、在二进制译码器中，若输入有4位代码，则输出有 个信号。
（A ）2 （B ）4 （C ）8 （D ）16 二、分析题4.1写出图所示电路的逻辑表达式，并说明电路实现哪种逻辑门的功能。
习题4.1图4.2分析图所示电路，写出输出函数F 。
习题4.2图4.3已知图示电路及输入A 、B 的波形，试画出相应的输出波形F ，不计门的延迟．B A =1 =1 =1F习题4.3图4.4由与非门构成的某表决电路如图所示。
其中A 、B 、C 、D 表示4个人，L=1时表示决议通过。
（1） 试分析电路，说明决议通过的情况有几种。
（2） 分析A 、B 、C 、D 四个人中，谁的权利最大。
4.5分析图所示逻辑电路，已知S 1﹑S 0为功能控制输入，A ﹑B 为输入信号，L 为输出，求电路所具有的功能。
习题4.5图4.6试分析图所示电路的逻辑功能。
习题4.6图4.7已知某组合电路的输入A 、B 、C 和输出F 的波形如下图所示，试写出F 的最简与或表达式。
电子技术基础考试题及答案
电子技术基础考试题及答案一、单项选择题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.下列关于电路中电压方向的描述，错误的是( )A.电压的参考方向可任意设定B.电压的实际方向就是参考方向C.电位降低的方向是电压的实际方向D.Uab表示a点与b点之间电压参考方向由a指向b2.电路如题2图所示，则以下关于电源功率的描述中，正确的是( )A.电压源吸收功率20W，电流源吸收功率40WB.电压源吸收功率20W，电流源提供功率40WC.电压源提供功率20W，电流源吸收功率40WD.电压源提供功率20W，电流源提供功率40W3.已知加在电容C=2μF两端的电压为U(t)=100cos(2022πt)(mV)，则流过该电容的电流为( )A. B. C. D. 4.下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( )A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子5.以下关于差动放大电路的描述中，错误的是( )A.差动放大电路是一个对称电路B.差动放大电路的共模抑制比越大，性能越好C.差动放大电路能抑制零点漂移D.差动放大电路能抑制差模信号6.理想运算放大器的两个基本特点是( )A.虚地与虚断B.虚短与虚地C.虚短与虚断D.断路与短路7.能将矩形波转变成三角波的运算电路为( )A.比例运算电路B.微分运算电路C.积分运算电路D.加法运算电路8.在单相桥式整流电路中，输入正弦电压的有效值为U2，输出电流为IO(AV)，则每个整流二极管承受最大反向电压URM和平均电流ID(AV)分别是( )A. B. C. D. 9.在单相桥式整流电路中，输入正弦电压的有效值为U2，如其中有一个整流二极管开路，则这时输出电压平均值UO(AV)为( )A.0VB.0.45U2C.0.9U2D.U210.下列逻辑式中，正确的逻辑公式是( )A. B. C. D. 11.逻辑符号如下图所示，其中表示“与非”门的是( )12.在以下输入情况中，“或非”运算的结果为逻辑1的是( )A.全部输入为0B.全部输入为1C.任一输入是0，其它输入为1D.任一输入是1，其它输入为013.逻辑电路如题13图所示，当S1=0、S0=1时，则下列选项中正确的是( )A.P0=某B.P1=某C.P2=某D.P3=某14.主从型JK触发器，当J=K=0时，则CP脉冲来到后JK触发器的次状态Qn+1为( )A.0B.1C.QnD. 15.在可编程逻辑器件中，FPGA所表示的是( )A.可编程只读存储器B.通用阵列逻辑器件C.复杂可编程逻辑器件D.现场可编程门阵列二、填空题(本大题共15小题，每小题1分，共15分)请在每小题的空格中填上正确答案。
电子技术基础第1到6章复习习题
模电复习习题一、选择题1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是A 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化2.大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是A 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适3.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的B。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A 。
A.3dBB.4dBC.5dB4. 多级直接耦合放大电路中，（A）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级B) 中间级C) 输出级5. 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为（B）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB6.在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（B ）。
A）比直接耦合电路大B）比直接耦合电路小C）与直接耦合电路基本相同7.要求静态时负载两端不含直流成分，应选( D )耦合方式。
A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器8.差动放大电路是为了（C）而设置的。
A) 稳定增益B) 提高输入电阻C）克服温漂D) 扩展频带9. 差动放大电路抑制零点漂移的能力，双端输出时比单端输出时（A ）A) 强B) 弱C）相同10. 在射极耦合长尾式差动放大电路中，eR 的主要作用是（B ）A) 提高差模增益 B ）提高共模抑制比C) 增大差动放大电路的输入电阻 D) 减小差动放大电路的输出电阻11. 差动放大电路用恒流源代替发射极电阻是为了（ A ）。
A ）提高共模抑制比 B ）提高共模放大倍数 C ）提高差模放大倍数 12. 集成运放的输出级一般采用（C ）。
数字电子技术基础期末复习试题
数字电子技术基础期末复习试题一、填空题:1、（48）10=（）16=（）2。
2、对于ttl与非门的闲置输入端可接，ttl或非门不使用的闲置输入端应接。
3、格雷码的特点是任意两组相邻代码之间有位不同。
4、在以下jk触发器、rs触发器、d触发器和t触发器四种触发器中，同时具备维持、复置1、复置0和滑动功能的触发器就是。
5、oc门可以实现功能，cmos门电路中的门也可以实现该功能。
6、一只四输入端与非门，使其输出为0的输入变量取值组合有种。
7、常见的组合逻辑电路有编码器、和。
8、逻辑函数f?ab?ac?bd的反函数为，对偶函数为。
9、一个同步时序逻辑电路可以用、、三组函数表达式叙述。
10、加法器的位次方式存有和两种。
11、16挑选1的数据选择器有个地址输出端的。
12、存储器的种类包括和。
13、在时钟脉冲cp促进作用下，具备和功能的触发器称作t触发器，其特性方程为。
14、三态门输入的三种状态分别为：、和。
15、用4个触发器可以存储位二进制数。
16、逻辑电路中，高电平用1表示，低电平用0表示，则成为逻辑。
17、把jk触发器改成t触发器的方法是。
18、女团逻辑电路就是指电路的输入仅由当前的同意。
19、5个地址输出端的译码器，其译码输入信号最多理应个。
20、输入信号的同时跳变引起输出端产生尖峰脉冲的现象叫做。
21、一个rom存有10根地址线，8根数据输入线，rom共计个存储单元。
22、n个触发器共同组成的计数器最多可以共同组成十进制的计数器。
23、基本rs触发器的约束条件就是。
24、逻辑代数中3种基本运算就是、和。
25、逻辑代数中三个基本运算规则、和。
26、如果对键盘上108个符号展开二进制编码，则至少必须位二进制数码。
27、将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的rom。
该rom有根地址线，有根数据输出线。
28、74ls138是3线―8线译码器，译码输出低电平有效，若输入为a2a1a0=110时，输出y7'y6'y5'y4'y3'y2'y1'y0'y1=。
模拟电子技术基础期末考试试题(填空选择复习题)
填空题1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为_0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。
2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。
3、二极管的最主要特性是单向导电性。
ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。
4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。
5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。
6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。
PN具有具有单向导电特性。
7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压V th约为0.5伏。
8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。
9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。
10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。
11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的最大整流电流和反映反向特性的反向击穿电压。
12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V。
15、N型半导体中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴。
16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。
17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容，影响高频信号放大的是结电容。
18、在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则I BQ增大，I CQ增大，U CEQ减小。
19、三极管的三个工作区域是截止，饱和，放大。
集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。
电子技术基础模拟部分第五版复习题
复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。
2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（+5）元素物质后形成的杂质半导体。
3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。
4.在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。
5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和?(偏置)电路。
其中输入级一般采用(差模)电路。
6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。
7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。
8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。
9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。
10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。
11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。
12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（反偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。
13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。
14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。
15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。
16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。
数字电子技术基础复习题概念题
1.处理的电子电路是数字电路。
（a）交流电压信号（b）时间和幅值上离散的信号（c）时间和幅值上连续变化的信号（d）无法确定2.用不同数制的数字来表示2004，位数最少的是。
（a）二进制（b）八进制（c）十进制（d）十六进制3.最常用的BCD码是。
（a）5421码（b）8421码（c）余3码（d）循环码4.格雷码的优点是。
（a）代码短（b）记忆方便（c）两组相邻代码之间只有一位不同（d）同时具备以上三者5.两个开关控制一盏灯，只有两个开关都闭合时灯才不亮，则该电路的逻辑关系是。
（a）与非（b）或非（c）同或（d）异或6.已知F=ABC+CD，选出下列可以肯定使F=0的取值（a）ABC=011 （b）BC=11 （c）CD=10 （d）BCD=1117.2004个1连续异或的结果是。
（a）0 （b）1 （c）不唯一（d）逻辑概念错误1.5的5421BCD码是。
2.逻辑表达式中，异或的符号是，同或的符号是。
3.逻辑函数常用的表示方法有、、和。
4.用代数法化简逻辑函数需要一定的和，不容易确定化简结果是否是。
5.用卡诺图化简逻辑函数，化简结果一般是最简式。
1.实体（ENTITY）描述一个设计单元的的信息。
（a）行为、元件及连接关系（b）元件、子程序、公用数据类型（c）名称和端口的引脚等（d）可编译的设计单元2.结构体（ARCHITECTURE）用于描述设计单元的。
（a）行为、元件及连接关系（b）元件、子程序、公用数据类型（c）名称和端口的引脚等（d）可编译的设计单元3.在VHDL语言中，ARCHITECTURE中的语句都是执行的语句。
（a）顺序（b）并行（c）即可顺序也可并行（d）无法确定4.在VHDL程序设计中，下面4个部分，不是可编译的源设计单元。
（a）ARCHITECTURE （b）ENTITY （c）PROCESS （d）PACKAGE5.在VHDL程序中，以下4个部分，可以有顺序执行语句。
（a）结构体（ARCHITECTURE）（b）进程（PROCESS）中的关键词BEGIN前（c）进程（PROCESS）中的关键词BEGIN后（d）程序包（PACKAGE）6.结构体中的变量应在VHDL程序中部分给予说明。
电力电子技术基础复习题
一、单项选择题1、硅材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V2、锗材料电力二极管正向压降为（）。
A、0.3VB、0.7VC、1VD、1.5V3、研究电力电子电路的重要方法是（）。
A、电阻法B、电流法C、电压法D、波形分析法4、三相逆变电路中相邻序号开关导通间隔为（）。
A、30°B、60°C、90°D、120°5、以下（）属于不控型器件。
A、晶闸管B、三极管C、二极管D、场效应管6、工频交流电是指频率为（）的交流电源。
A、50HzB、60HzC、90HzD、120Hz7、半导体器件的最高结温一般限制在（）。
A、30°～50°B、50°～100°C、100°～150°D、150°～200°8、晶闸管额定电压是其在电路中可能承受最高电压的（）倍。
A、1～2B、2～3C、3～4D、4～59、晶闸管额定电流是在通态电流平均值的基础上增加（）倍。
A、1～1.5B、1.5～2C、2～2.5D、2.5～310、发展最快最有前景的电力电子器件是（）器件。
A、不控型B、半控型C、可控性D、全控型11、电力场效应晶体管中主要类型是（）。
A、P沟道增强型B、N沟道增强型C、P沟道耗尽型D、N沟道耗尽型12、以下属于电阻性负载的是（）。
A、白炽灯B、蓄电池C、电动机励磁绕组D、电磁铁13、电力电子器件的通态损耗与器件的通态（）有关。
A、电压B、电流C、电阻D、电感14、功率因数λ为（）时电力系统发送功率的利用率最高。
A、0>λ>-1B、1C、0<λ<1D、0.915、在放大电路中，场效应晶体管应工作在漏极特性的（）。
A、可变电阻区B、截止区C、饱和区D、击穿区16、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为（）。
A. 栅极B. 源极C. 基极D. 漏极17、三相对称交流电相互之间相差（）。
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电子技术基础复习题 半导体二极管 一、、选择 1、下图中，（）二极管处于正向偏置（全部为硅管）。
2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（）。 A．强B．弱C．一样 结正向偏置时（）。 A．P区接电源正极，N区接电源负极 B．N区接电源正极，P区接电源负极 C．电源极性可以任意调换 D．不接电源 4.当外界温度升高时，半导体的导电能力（）。 A．不变 B．增加 C．显著增加 D．先减小后增加 5. PN结的最大特点是具有（）。 A．导电性Ｂ．绝缘性Ｃ．单向导电性 6. 变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。 A．正向运用 B．反向运用 C. 正反向均可 7 、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A、变窄 B、基本不变 C、变宽 8. 测量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（）。 A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k 9. 在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）。A．正偏 B．反偏 C．零偏 10. 测量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（）。 A．变大 B．先变大后变小 C．变小 D．不变 11. 2AP9表示（）。 A．N型材料整流管 B．N型材料稳压管 C．N型材料普通管 D．N型材料开关管12. 二极管正反向电阻相差（）。 A．越小越好 B．越大越好 C．无差别最好 D．无要求 13. 加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为( )。 A.随所加电压增加而变大 B. 左右 C.随所加电压增加而减小 D．随所加电压增加变化不大 14. 用万用表R×100Ω挡来测试二极管，其中( )说明管子是好的。 A．正、反向电阻都为零 B．正、反向电阻都为无穷大 C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧 D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15. 把电动势为的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。 A．基本正常 B．击穿 C．烧坏 D．电流为零 16. 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )。 A．立即导通 B．到才开始导通 C．超过死区电压时才开始导通 D．不导通 17. 用于整流的二极管型号是( )。 A．2AP9 B．2CW14C C．2CZ52B D．2CK84A 18. 某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（）。 A．约等于150V B．略大于150V C．等于75V D.等于300V 19. 交通信号灯采用的是（）管。 A．发光二极管 B．光电二极管 C．变容二极管 20. 判断二极管的极性用万用表的（）挡。 A．直流电压 B．直流电流 C．交流电流 D.欧姆 21、用万用表RX1K档测得某二极管的直流电阻约为500Ω，与（）。 A、红表棒相连的是正极 B、黑表棒相连的是正极 C、不能判定，还应反向再测一次 22、当环境温度升高时，二极管反向电流将（）。 A、减小 B、不变 C、增大 23、电路如图所示，设二极管的正向压降VD=，则流过二极管的电流ID为（）。
24 图（）所示。 二.判断题 1.( ) 2.( ) PN 3.( ) 半导体具有掺杂特性。 4.( ) PN结是利用半导体的热敏特性而形成的。 5.( ) PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。 6.( ) 半导体随温度的升高，电阻会增大。 7.( ) 光电二极管可以将光信号转化成为电信号。 8. ( )二极管的正向电流越大二极管质量越高。 9. ( ) 硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大。 10.( )发光二极管可以接收可见光线。 11.( )光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。 12.( ) 有两个电极的元件都叫二极管。 13.( ) 二极管加正向电压时一定导通。 14.( ) 二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 15.( ) 不论是哪种类型的半导体二极管，其正向电压都为Ｖ左右。 16.( ) 二极管是线性元件。 17. ( ) 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 18.( ) 二极管具有单向导电性。 19. ( ) 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。 20. ( ) 二极管加反向电压时一定截止。 21（）在N型半导体中如果掺入足量的三价元素，可将其改型为P型半导体。 22（）因N型半导体的的多子是自由电子，所以它带负电。 23、（）N型半导体主要靠电子导电，P型半导体主要靠空穴导电。 24、（）P型半导体中空穴是多数载流子，所以带正电。 25、（）在半导体内部，只有电子能传导电流。 三、填空 1．N型半导体是在本征半导体中掺入价元素，其多数载流子是 ，少数载流子是。P型半导体是在本征半导体中掺入价元素，其多数载流子是，少数载流子是。 2、半导体是一种导电能力介于与之间的物质，最常用的半导体材料有和 3、半导体二极管由一个结构成，从区引出的线叫正极，又叫极，从区引出的线叫负极，又叫极。 4、当加在二极管两端的大于时，二极管的反向电流急剧增大，这种现象称为。 5、用万用表测得某二极管正反向电阻相差很大，表明二极管，所测电阻较小时，与黑表笔相接的是二极管的极，若测二极管正反向电阻值都很小或为零，表明该二极管，若正反向电阻值都很大，则表明该二极管。 6、用万用表测量小功率二极管的正反向电阻时，一般用和这两档。 7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 8、PN结的最主要特性是，即加一定的正向电压时________，加一定的反向电压时_________。 9、半导体的导电能力随外界温度、或不同而显著变化。 10、当加在二极管两端的大于时，二极管的反向电流急剧增大，这种现象称为。 11、PN结的正向接法为：P区接电源的极，N区接电源的极。 12、半导体二极管由一个构成，从区的引出线叫正极，又叫阳极；从区的引出线叫负极，又叫阴极。 13、二极管导通后，硅二极管的正向压降约为 V，锗二极管的正向压降约为 V。,四、综合题 1、写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通时管压降为. 2、已知u i=10sinwt(V),试画出u i与u o的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。 3、电路如下图所示，已知u i=5sinwt(V),二极管导通电压U D=.试画出u i与u o的波形，并标出幅值。 4、电路如下图（a）所示，其输入电压u i1和u i2的波形如图(b)所示，二极管导通电压U D=。试画出u o的波形，并标出幅值并求下列两种情况下输出端U O的电位及各元件（R， D1， D2）中通过的电流；（1）U i1=U i2=0V；（2）U i1=+3V，U i2=0V； 半导体三极管及其放大电路 一、填空 1、在共射极基本放大电路中，集电极电阻的作用是将集电极的变化转换为的变化，实现放大而输出。 2．为使三极管能有效地有放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度；基区宽度；集电结结面积。 3．三极管工作在饱和区时，发射结要偏置，集电结偏置，工作在截止区时，发射结要偏置，集电结偏置。 4．工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是，流过集电结的电流主要是。 5、共发射级放大器对信号有_______和_______作用。 6．某三极管，其β=100，当集电极极电流为5mA，其基极电流为。 7．某三极管工作在放大区时，当I B从20μA增大到40μA，I C从1mA变成2mA。则该管的β约为。 8.半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以它属于控制器件。 9阻容耦合多级放大电路总的电压放大倍数为电压放大倍数的。 10功率放大器为了获得最大的传输功率，通常采用耦合，以达到的目的。11．为稳定放大电路的输出电流和提高输出电阻，在放大电路中应引入 反馈。 12．PNP三极管基区中的多数载流子是。少数载流子是。 13．分压式射极偏置电路利用上偏置电阻RB1和下偏置电阻RB2的分压来基极电位，设计电路时，使I2 IBQ，UBQ UBEQ。 14、三极管有、、三种工作状态。 15、交流放大电路之所以能把小信号放大，是依靠三极管电流对电流的控制作用。 16、稳定静态工作点常采用电路，主要措施是在电路中引入了反馈。 17、阻容耦合方式的特点是：前后级之间通过连接，各级间的静态工作点 18、对功率放大电路的要求是：要有足够的输出，失真小，高。 19、晶体三极管工作在区时,关系式I C=βI B才成立,工作在截止区时,I C=______。工作在_________区时V CE≈0。 20、射极输出器是共_________接法的放大器，它的反馈类型是__________________。 21、多级放大器常见的耦合方式有耦合、变压器耦合、耦合。三种耦合方式中只有_________耦合可以放大直流信号。 22、负反馈使放大器的放大倍数，但放大器的稳定性非线性失真_______，通频带_______。 23、直流放大器采用直接耦合方式，除静态工作点要相互影响外，还存在问题。 24、射极输出器的特点是：输入电阻___________ ，输出电阻___________，电压放大倍数___________，且有一定的电流放大能力和功率放大能力。 25、为了提高放大器的输入电阻，并使输出电压稳定，应引入反馈类型是__________ 26、影响放大电路工作点稳定的主要因素是的变化。 27、对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻要，以减轻信号源的负担，输出电阻要，以提高带负载的能力。 二、判断 1、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（） 2、可以说任何放大电路都有电流放大作用。（） 3、处于放大状态的三极管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（） 4、晶体三极管是一种电压放大元件。（） 5、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。（） 6、只要是共射极放大电路，输出电压的底部失真都是饱和是真。（） 7、现测得两个共射极放大电路空载时的电压放大倍数均为-100，