计算机组成原理存储器实验报告
计算机组成原理实验报告(运算器组成存储器)
计算机组成原理实验报告（运算器组成存储器）计算机组成原理实验报告（运算器组成、存储器）计算机组成原理实验报告一、实验1quartusⅱ的采用一．实验目的掌控quartusⅱ的基本采用方法。
了解74138（3：8）译码器、74244、74273的功能。
利用quartusⅱ检验74138（3：8）译码器、74244、74273的功能。
二．实验任务熟悉quartusⅱ中的管理项目、输入原理图以及仿真的设计方法与流程。
新建项目，利用原理编辑方式输出74138、74244、74273的功能特性，依照其功能表分别展开仿真，检验这三种期间的功能。
三．74138、74244、74273的原理图与仿真图1.74138的原理图与仿真图74244的原理图与仿真图1.4.74273的原理图与仿真图、实验2运算器组成实验一、实验目的1.掌握算术逻辑运算单元（alu）的工作原理。
2.熟悉简单运算器的数据传送通路。
3.检验4十一位运算器（74181）的女团功能。
4.按给定数据，完成几种指定的算术和逻辑运算。
二、实验电路附录中的图示出了本实验所用的运算器数据通路图。
8位字长的alu由2片74181构成。
2片74273构成两个操作数寄存器dr1和dr2，用来保存参与运算的数据。
dr1接alu的a数据输入端口，dr2接alu的b数据输入端口，alu的数据输出通过三态门74244发送到数据总线bus7-bus0上。
参与运算的数据可通过一个三态门74244输入到数据总线上，并可送到dr1或dr2暂存。
图中尾巴上拎细短线标记的信号都就是掌控信号。
除了t4就是脉冲信号外，其他均为电位信号。
nc0，nalu-bus，nsw-bus均为低电平有效率。
三、实验任务按右图实验电路，输出原理图，创建.bdf文件。
四.实验原理图及仿真图给dr1取走01010101，给dr2取走10101010，然后利用alu的直通功能，检查dr1、dr2中是否保存了所置的数。
计算机组成原理实验报告(静态随机存储器实验)
池州学院数学计算机科学系实验报告专业: 计算机科学与技术班级: 实验课程: 计算机组成原理姓名: 学号: 实验室: 硬件实验室同组同学:实验时间: 2013年5月15日指导教师签字: 成绩:静态随机存储器实验一实验目的和要求掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。
二实验环境PC机一台, TD-CMA 实验系统一套三实验步骤及实验记录(1)关闭实验系统电源, 按图连接实验电路, 并检查无误。
(2) 将时序与操作台单元的开关KK1 、KK3 置为运行档、开关KK2 置为‘单步’档(3) 将CON单元的IOR 开关置为1（使IN单元无输出）, 打开电源开关。
(4) 给存储器的00H 地址单元中分别写入数据11H 。
由前面的存储器实验原理图可以看出, 由于数据和地址由同一个数据开关给出, 因此数据和地址要分时写入, 先写地址, 具体操作步骤为: 先关掉存储器的读写（WR=0, RD=0）, 数据开关输出地址（IOR=0 ）, 然后打开地址寄存器门控信号（LDAR=1 ）, 按动ST产生T3脉冲, 即将地址打入到AR中。
再写数据, 具体操作步骤为: 先关掉存储器的读写（WR=0, RD=0）和地址寄存器门控信号（LDAR=0 ）, 数据开关输出要写入的数据, 打开输入三态门（IOR=0 ）, 然后使存储器处于写状态（WR=1, RD=0, IOM=0）, 按动ST产生T3脉冲, 即将数据打入到存储器中。
(5)依次读出第00号单元中的内容, 观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。
同写操作类似, 也要先给出地址, 然后进行读, 地址的给出和前面一样, 而在进行读操作时, 应先关闭IN单元的输出（IOR=1 ）, 然后使存储器处于读状态（WR=0, RD=1, IOM=0）, 此时数据总线上的数即为从存储器当前地址中读出的数据内容写入：读出四实验结果与分析写入：读。
计算机组成原理存储器原理实验报告
计算机硬件实验室实验报告课程名称：
姓名学
号
班级成
绩
设备名称及软件环境Untitled ISIS 7 professional 实验名
称
存储器原理实验日期
一．实验内容
通过总线系统验证存储器的存储功能。
1、掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法；
2、掌握存储器读/写电路的设计方法。
二．理论分析或算法分析
6264的功能
工作方
式
C S1*C S2W E*O E*D7～D0
未选中未选中读操作写操作1
×
×
1
1
×
×
1
×
×
1
高阻
高阻
输出
输入
6264的工作过程写
写入数据的过程
☑将单元地址送到芯片的地址线A0-A12
☑写入的数据送数据线
☑＃CS1和CS2有效，＃WE有效
☑数据写到指定单元
\
6264的工作过程读：
读入数据的过程
☑将单元的地址送到芯片的地址线A0-A12
☑#CS1和CS2同时有效，#WE＝1 #OE=0
☑选中单元内容从数据线读出
三．实现方法（含实现思路、程序流程图、实验电路图和源程序列表等）
四．实验结果分析（含执行结果验证、输出显示信息、图形、调试过程中所遇的问题及处理方法等）
运行态抓图
五．结论
实现了6264存储器的读写功能
报告提交日期。
计算机组成原理实验报告_存储系统设计实验
实验四存储系统设计实验一、实验目的本实训项目帮助大家理解计算机中重要部件—存储器，要求同学们掌握存储扩展的基本方法，能设计MIPS 寄存器堆、MIPS RAM 存储器。
能够利用所学习的cache 的基本原理设计直接相联、全相联，组相联映射的硬件cache。
二、实验原理、内容与步骤实验原理、实验内容参考：1、汉字字库存储芯片扩展设计实验1)设计原理该实验本质上是8个16K×32b 的ROM 存储系统。
现在需要把其中一个（1 号）16K×32b 的ROM 芯片用4个4K×32b 的芯片来替代，实际上就是存储器的字扩展问题。
a) 需要4 片4个4K×32b 芯片才可以扩展成16K×32b 的芯片。
b) 目标芯片16K个地址，地址线共14 条，备用芯片12 条地址线，高两位（分线器分开）用作片选，可以接到2-4 译码器的输入端。
c) 低12 位地址直接连4K×32b 的ROM 芯片的地址线。
4个芯片的32 位输出直接连到D1，因为同时只有一个芯片工作，因此不会冲突。
芯片内数据如何分配：a) 16K×32b 的ROM 的内部各自存储16K个地址，每个地址里存放4个字节数据。
地址范围都一样：0x0000～0x3FFF。
b) 4个4K×32b 的ROM，地址范围分别是也都一样：0x000～0xFFF，每个共有4K个地址，现在需要把16K×32b 的ROM 中的数据按照顺序每4个为一组分为三组，分别放到4个4K×32b 的ROM 中去。
HZK16_1 .txt 中的1～4096个数据放到0 号4K 的ROM 中，4097～8192 个数据放到 1 号4K 的ROM 中，8193～12288 个数据放到2 号4K 的ROM 中，12289～16384个数据放到3 号4K 的ROM 中。
c) 注意实际给的16K 数据，倒数第二个4K（8193～12288 个数据）中部分是0，最后4K（12289～16384 数据）全都是0。
惠州学院计算机组成原理实验报告
实验三内存储器部件实验一、实验目的1、通过学习TEC-2000教学计算机的存储器系统，深入理解计算机主存储器的功能和组成；2、学习和理解只读存储器、静态存储器芯片的读写原理，掌握计算机存储器系统的扩展方法。
二、实验说明TEC－2000教学计算机存储器系统由ROM和RAM两个存储区组成。
ROM存储区由2个EEPROM芯片58C65（8192×8）组成，容量为8192×16。
RAM存储区由2个RAM芯片6116（2048×8）组成，容量为2048×16。
TEC－2000教学计算机中还预留了2个存储器芯片插座，可以插上相应存储器芯片进行存储器容量扩展的教学实验。
TEC-2000教学计算机存储器系统组成结构图三、实验内容1、完成存储器容量扩展实验，为扩展存储器选择一个地址，注意读写和/OE等控制信号的正确状态；2、用监控程序的D、E命令对存储器进行读写，比较RAM（6116）、EEPROM（58系列）存储特性的区别以及在读写上的差异；3、用监控程序的A命令编写一段程序，对RAM（6116）进行读写，用D命令查看结果是否正确。
四、实验步骤1、RAM实验RAM（6116）支持随机读写操作，可直接用A、E命令向存储器输入程序或改变存储单元的值。
RAM中的内容在断电后会消失，重新启动教学机后会发现存储单元的值发生了改变。
1）用E命令改变内存单元的值并用D命令观察结果。
⑴在命令行提示符状态下输入：E 2020↙屏幕显示2020 内存单元原值。
按如下形式键入：2222（空格）3333（空格）4444（空格）5555⑵在命令行提示符状态下输入：D 2020↙观察屏幕显示的从2020内存单元开始的值。
⑶断电后重新启动教学实验机，用D命令观察内存单元2020-2023的值。
2）用A命令输入一段程序，执行并观察结果。
⑴在命令行提示符状态下输入：A 2000↙键入如下汇编程序：2000：MVRD R0, AAAA2002：MVRD R1, 55552004：AND R0, R12005：RET2006⑵在命令行提示符状态下输入：U 2000↙观察屏幕显示的内容。
计算机组成原理实验报告6-存储器EM实验（推荐5篇）
计算机组成原理实验报告6-存储器EM实验（推荐5篇）第一篇：计算机组成原理实验报告6-存储器EM实验2.6 存储器EM实验姓名：孙坚学号：134173733班级：13计算机日期：2015.5.29一．实验要求：利用CPTH 实验仪上的K16..K23 开关做为DBUS 的数据，其它开关做为控制信号，实现程序存储器EM 的读写操作。
二．实验目的：了解模型机中程序存储器EM 的工作原理及控制方法。
三．实验电路：存储器EM 由一片6116RAM 构成，是用户存放程序和数据的地方。
存储器EM 通过一片74HC245 与数据总线相连。
存储器EM 的地址可选择由PC或MAR 提供。
存储器EM 的数据输出直接接到指令总线IBUS，指令总线IBUS 的数据还可以来自一片74HC245。
当ICOE 为0 时，这片74HC245 输出中断指令B8。
EM原理图连接线表四．实验数据及步骤：实验1：PC/MAR 输出地址选择置控制信号为：以下存贮器EM实验均由MAR提供地址实验2：存储器EM 写实验将地址0 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H 置控制信号为：按STEP键, 将地址0 写入MAR将数据11H写入EM[0]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据11H 置控制信号为：按STEP键, 将数据11H写入EM[0]将地址1 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H 置控制信号为：按STEP键, 将地址1 写入MAR将数据22H写入EM[1]二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据22H 置控制信号为：按STEP键，将数据22H写入EM[1]实验3：存储器EM 读实验将地址0 写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H 置控制信号为：按STEP键, 将地址0 写入MAR读EM[0]置控制信号为：EM[0]被读出：11H将地址1写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H 置控制信号为：按STEP键，将地址0写入MAR读EM[1]置控制信号为：EM[1]被读出：22H实验4：存储器打入IR指令寄存器/uPC实验将地址0写入MAR 二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据00H 置控制信号为：按STEP键，将地址0写入MAR读EM[0]，写入IR及uPC置控制信号为：EM[0]被读出：11H 按STEP键，将EM[0]写入IR及uPC，IR=11H，uPC=10H将地址1写入MAR二进制开关K23-K16用于DBUS[7:0]的数据输入，置数据01H 置控制信号为：按STEP键，将地址1写入MAR读EM[1]，写入IR及uPC置控制信号为：EM[1]被读出：22H 按STEP键，将地址EM[1]写入IR及uPC，IR=22H，uPC=20H实验5：使用实验仪小键盘输入EM1．连接J1，J22．打开电源3．按TV/ME键，选择EM4．输入两位地址，00 5．按NEXT，进入程序修改6．按两位程序数据7．按NEXT选择下个地址/按LAST选择上个地址8．重复6，7 步输入程序 9．按RST结束五．心得体会：通过此次实验，我了解了模型机中程序存储器EM 的工作原理及控制方法。
存储器实验实验报告结论(3篇)
第1篇一、实验概述本次实验以计算机组成原理课程为基础，通过实验加深对存储器原理的理解，掌握静态随机存取存储器（SRAM）和只读存储器（ROM）的工作特性及使用方法。
实验内容主要包括：设计实验电路图、使用Quartus软件进行原理图输入和编辑、编写MIF文件进行ROM存储单元初始化、读出ROM存储单元数据，并对实验结果进行分析。
二、实验结果分析1. 实验电路设计根据实验要求，我们设计了由1288位的ROM构成的只读存储器系统。
实验电路图包括lpmrom、lpmramdq、lpmramio、7408、NOT、AND2、74273b、74374b、74244b、input、output、BIDIR等器件。
通过Quartus软件进行原理图输入和编辑，编译通过，无错误。
2. ROM存储单元初始化利用MIF文件对ROM的存储单元00H~05H进行初始化。
通过分析仿真波形，检查数据的正确性。
实验结果表明，初始化数据正确写入ROM存储单元。
3. 读出ROM存储单元数据给定ROM存储区的地址00H~05H，读ROM存储单元。
通过分析仿真波形，检查数据的正确性。
实验结果表明，读出的数据与初始化数据一致，数据正确。
4. 实验数据分析通过本次实验，我们掌握了以下知识：（1）静态随机存取存储器（SRAM）和只读存储器（ROM）的工作原理及特性；（2）使用Quartus软件进行原理图输入和编辑的方法；（3）编写MIF文件进行ROM存储单元初始化的方法；（4）读取ROM存储单元数据的方法。
三、实验结论1. 通过本次实验，我们成功地设计了一个由1288位的ROM构成的只读存储器系统，并实现了对存储单元的初始化和读取数据。
2. 实验结果表明，我们掌握了静态随机存取存储器（SRAM）和只读存储器（ROM）的工作原理及特性，能够熟练使用Quartus软件进行原理图输入和编辑，编写MIF文件进行ROM存储单元初始化，读取ROM存储单元数据。
储存器实验报告
储存器实验报告储存器实验报告一、引言储存器是计算机中重要的组成部分，它用于存储和读取数据。
在计算机科学领域，储存器的设计和性能对计算机的运行速度和效率有着重要的影响。
本实验旨在通过设计和实现一个简单的储存器，来深入了解储存器的工作原理和性能指标。
二、实验目的1. 了解储存器的基本概念和分类；2. 掌握储存器的存储原理和读写操作；3. 分析和评估储存器的性能指标。
三、实验过程1. 储存器的分类储存器按照存储介质的不同可以分为随机存储器（RAM）和只读存储器（ROM）。
RAM是一种易失性存储器，它可以随机读写数据。
ROM则是一种非易失性存储器，主要用于存储固定的程序和数据。
2. 储存器的存储原理储存器的存储原理是通过电子元件的状态来表示数据的存储状态。
在RAM中，每个存储单元由一个电容和一个晶体管组成。
当电容充电时表示存储单元存储的是1，当电容放电时表示存储单元存储的是0。
在ROM中，存储单元由一组可编程的开关组成，每个开关的状态决定了存储单元存储的数据。
3. 储存器的读写操作储存器的读操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要读取的存储单元，然后将存储单元的数据输出。
储存器的写操作是通过将地址信号传递给储存器来选择要写入的存储单元，然后将要写入的数据输入。
四、实验结果在实验中，我们设计并实现了一个8位的RAM储存器。
通过对储存器进行读写操作，我们成功地将数据存储到储存器中，并成功地从储存器中读取数据。
实验结果表明，储存器的读写操作是可靠和有效的。
五、实验分析1. 储存器的性能指标储存器的性能指标包括存储容量、存取时间和存储器的可靠性。
存储容量是指储存器可以存储的数据量，通常以位或字节为单位。
存取时间是指从发出读写指令到数据可以被读取或写入的时间间隔。
存储器的可靠性是指储存器的故障率和故障恢复能力。
2. 储存器的应用储存器广泛应用于计算机、手机、平板电脑等电子设备中。
在计算机中，储存器用于存储程序和数据，是计算机的核心组件之一。
计组存储器实验实验报告(3篇)
第1篇一、实验目的1. 理解存储器的基本组成和工作原理；2. 掌握存储器的读写操作过程；3. 熟悉存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 了解存储器与CPU的交互过程。
二、实验环境1. 实验设备：TD-CMA计算机组成原理实验箱、计算机；2. 实验软件：无。
三、实验原理1. 存储器由地址线、数据线、控制线、存储单元等组成；2. 地址线用于指定存储单元的位置，数据线用于传输数据，控制线用于控制读写操作；3. 存储器芯片的引脚功能：地址线、数据线、片选线、读线、写线等；4. 存储器与CPU的交互过程：CPU通过地址线访问存储器，通过控制线控制读写操作，通过数据线进行数据传输。
四、实验内容1. 连线：按照实验原理图连接实验箱中的存储器芯片、地址线、数据线、控制线等；2. 写入操作：将数据从输入单元IN输入到地址寄存器AR中，然后通过控制线将数据写入存储器的指定单元；3. 读取操作：通过地址线指定存储单元，通过控制线读取数据，然后通过数据线将数据输出到输出单元OUT；4. 实验步骤：a. 连接实验一（输入、输出实验）的全部连线；b. 按实验逻辑原理图连接两根信号低电平有效信号线；c. 连接A7-A0 8根地址线；d. 连接13-AR正脉冲有效信号线；e. 在输入数据开关上拨一个地址数据（如00000001，即16进制数01H），拨下开关，把地址数据送总线；f. 拨动一下B-AR开关，实现0-1-0”，产生一个正脉冲，把地址数据送地址寄存器AR保存；g. 在输入数据开关上拨一个实验数据（如10000000，即16进制数80H），拨下控制开关，把实验数据送到总线；h. 拨动控制开关，即实现1-0-1”，产生一个负脉冲，把实验数据存入存储器的01H号单元；i. 按表2-11所示的地址数据和实验数据，重复上述步骤。
五、实验结果与分析1. 通过实验，成功实现了存储器的读写操作；2. 观察到地址线、数据线、控制线在读写操作中的协同作用；3. 理解了存储器芯片的引脚功能及连接方式；4. 掌握了存储器与CPU的交互过程。
计算机组成原理——存储器和总线实验精选全文完整版
可编辑修改精选全文完整版实验六存储器和总线实验一、实验目的熟悉存储器和总线组成的硬件电路。
二、实验要求按照实验步骤完成实验项目，利用存储器和总线传输数据三、实验内容实验原理图如下（省略图）：（1）实验原理按照实验所用的半导体静态存储器电路图进行操作，该静态存储器由一片6116（2K x 8）构成，其数据线（D0-D7）已和数据总线（BUS-DISP UNIT）相连接，地址线由地址锁存器（74LS273）给出，该锁存器的输入已连接至数据总线。
地址A0-A7与地址总线相连，显示地址内容。
数据开关经一三态门（74LS245）已连接至数据总线，分时给出地址和数据。
因为地址寄存器为8位，接入6116的地址A7-A0，而高三位A8-A10本实验装置已接地，其容量为256字节。
6116有三根控制线：/CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。
当片选有效（/CS=0）时，同时OE=0时，（WE=0）时进行读操作。
本实验中将OE引脚接地，在此情况下，当/CS=0、WE=1时进行写操作，/CS=0、WE=0时进行读操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。
实验时T3脉冲由“单步”命令键产生，其他电平控制信号由二进制开关模拟，其中/CE(存储器片选信号)为低电平有效，WE为写/读（W/R）控制信号，当WE=0时进行读操作、当WE=1时为写操作。
（2）实验步骤1、控制信号连接：位于实验装置右侧边缘的RAM片选端（/CE）、写/读线、（WE）、地址锁存信号（LDAR）与位于实验装置左上方的控制信号（/CE、WE、LDAR）之间对应相连接。
位于实验装置左上方CTR-OUT 的控制信号（/SW-B）与左下方INPUT-UNIT(/SW-B)对应相连接。
具体信号连接：/CW,WE,LDAR,/SW-B2、完成上述连接，仔细检查无误后方可进入本实验。
在闪动上的“P.”状态下按动增址命令键，使LED显示自左向右第一位显示提示符“H”，表示本装置已进入手动单元实验状态。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
福建农林大学计算机与信息学院信息工程类实验报告
级 2007专业：系：年级：计算机系计算机科学与技术
计算机组成原理实验课程：姓名：学号：日月11 2009实验设备号： 1 实验时间：年5实验室号：__
成绩：指导教师签字：
存储器实验实验二
．实验目的和要求1RAM工作特性。
1.掌握静态随机存储器RAM的数据读写方法。
2.掌握静态随机存储器 2．实验原理实验中的双端口静态存储所示，2-1实验所用的半导体双
端口静态存储器电路原理如图）和控-I/O-A）、数据线（I/O器的左端口和右端口，它们分别具有各自独立的地址线（A7900结构图。
在实验系统的大多数实中的7130）。
它的结构参考附录制线（R/W,CE,OE,BUSY1控制线，使用方法与通用的单端口静态存该芯片仅使用了右端口的数据线、地址线、验中，右端口数本节实验中左、储器相同；在做与流水相关的实验中同时用到了它的左、右端口。
LI08LI01—）给出。
地址灯据线接至数据总线，左、右端口地址由地址锁存器（74LS273）连至数据总74LS245与地址总线相连，显示地址内容。
输入单元的数据开关经一三态门（线，分别给出地址和数据。
2-1 图存储器实验原理
地址总线为8位，接入IDT7130的地址AL7—AL0与AR0—AR7，将IDT7130的高两位AR8－AR9接地，所以其实际容量为256字节。
IDT7130两个端口分别有三个独立的控制线，如右边有：CER（右端口片选线）、OER（右端口读线）、R/WR（右端口写线）。
本实验中将左、右
端口的读线OER常接地，在此情况下，当CER=0、R/WR=0时进行右端口写操作，CER=0、R/WR=1时进行右端口读操作，其写时间与T3脉冲宽度一致。
原理图中右端口的地址线AR8—AR9接地，其访问实际容量为256字节。
同时由于左端口的写信号R/WL常接地=高电平，所以左端口的写功能被封锁了，故实验时输入数据从右端口写入，从左端口读出。
实验时，将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插针中，其它电平控制信号由开关单元的二进制开关给出，其中SW_G为低电平有效，LDAR为高电平有效。
3．主要仪器设备（实验用的软硬件环境）
ZY15Comp12BB计算机组成原理教学实验箱一台，排线若干。
4．操作方法与实验步骤
1．形成时钟脉冲信号T3，具体接线方法和操作步骤如下：
①将S信号单元中的TS3和T3用排线相连。
②将控制台单元中的两个二进制开关“SP03”设置为“STEP”状态、“SP04”设置为“RUN”状态（当“SP03”开关设置为“RUN”状态、“SP04”开关设置为“RUN”状态时，每按动一次触动开关START，则T3的输出为连续的方波信号。
当“SP03”开关设置为“STEP”状态、“SP04”开关设置为“RUN”状态时，每按动一次触动开关START，则T3输出一个单脉冲，其脉冲宽度与连续方式相同。
）
2．按图3-2连接实验线路，仔细检查无误后接通电源。
（图中箭头表示需要接线的地方，接总线和控制信号时要注意高低位一一对应，可用彩排线的颜色来进行区分）
图3-2 存储器实验接线图
3．从右端口给存储器的00、01、02、03、04地址单元中分别写入数据11、22、33、44、55，具体操作步骤如下：（以向00号单元写入11为例）
首先使各个控制电平的初始状态为：SW_G=1，CE=1，WE=1，LDAR=0，CLR= l→0→1，并将控制台单元的开关SP05打在“NORM”状态，然后按下面框图所示步骤进行操作来完成数据的写入。
图中方括号中的控制电平变化要按照从上到下的顺序来进行，其中T3的正脉冲是通过按动一次控制台单元的触动开关START来产生的，而WE_R的负脉冲则是通过让开关单元的WE开关做l→0→1变化来产生的。
4．从左端口依次读出第00、01、02、03、04号单元中的内容，在数据总线单元的指示灯上进行显示，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。
具体操作步骤如下：（以从00号单元读出11数据为例）
其中地址寄存器AR的值在地址总线单元的指示灯上显示，双端口RAM相应单元的值从左端口读出，在数据单元的指示灯上显示。