电力电子技术复习重点

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1按照能够被控制电路信号所控制的程度

半控型器件

晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。

?器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。

全控型器件

?目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。

?通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断。

不可控器件

?电力二极管(Power Diode)

?不能用控制信号来控制其通断。

2常见电力电子器件的符号,英文表示

3晶闸管正常工作时的特性

a:当晶闸管承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。 b:当晶闸管承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 c:晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用,不论门极触发电流是否还存在,晶闸管都保持导通。

d:若要使已导通的晶闸管关断,只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。

4维持电流IH擎住电流IL

维持电流是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流,一般为几十到几百毫安。

结温越高,则IH越小。

擎住电流是晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流。

约为IH的2~4倍

5、变压器漏感对整流电路的影响的结论 P61

?出现换相重叠角 ,整流输出电压平均值Ud降低。

?整流电路的工作状态增多。

?晶闸管的di/dt减小,有利于晶闸管的安全开通,有时人为串入进线电抗器以抑制晶闸管的di/dt。

?换相时晶闸管电压出现缺口,产生正的du/dt,可能使晶闸管误导通,为

此必须加吸收电路。

?换相使电网电压出现缺口,成为干扰源。

γ随其它参数变化的规律:

⑴Id越大则γ越大;

⑵XB越大γ越大;

⑶当α≤90?时,α越小γ越大。

6电阻性负载。阻感性负载的特点、基本整流电路中控制角的移相范围

电阻性负载双反型整流电路中基本数量关系(最大反应移相范围)三单半全7三相全控桥,三相半波整流电路的脉动频率

8单相全控桥整流电路带阻性负载时的分析计算P95 3 5

9由晶闸管构成的可逆调速系统中,逆变角βmin选择

30~35

10电力电子装置中无功功率对电网的影响P69

a、无功功率导致电流增大和实在功率增加,导致设备容量增加。

b、无功功率增加,会使总电流增加,使设备和线路的损耗增加。

c、无功功率使线路压降增大,冲击性负载使电压剧烈波动。

11实现有源逆变,应采用什么整流电路P84

1:要有直流电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,

其值应大于变流器直流侧的平均电压。

2:要求晶闸管的控制角α>π/2,使Ud为负值。

?两者必须同时具备才能实现有源逆变

12逆变电路中的直流环节的储能元件。

电压(电容)电流(电阻)

13在单相交交变频电路阻感负载情况下,一个输出电压周期有4种状态P151 ?t1~t3期间:io 处于正半周,正组工作,反组被封锁。

t1~t2阶段:uo 和io 均为正,正组整流状态,输出功率为正。 t2~t3阶段:uo 反向,io 仍为正,正组逆变状态,输出功率为负 ?t3~t5期间:io 处于负半周,反组工作,正组被封锁。

t3~t4阶段:uo 和io 均为负,反组整流状态,输出功率为正。 t4~t5阶段:uo 反向,io 仍为负,反组逆变状态,输出功率为负。 ◆结论

?哪组变流电路工作由io 方向决定,与uo 极性无关。

?变流电路工作在整流还是逆变状态,根据uo 方向与io 方向是否相同来确定。

14换流方式分类 P99

器件换流 电网换流 负载换流 强迫换流

15无源逆变电路和有源逆变电路有何不同

交流侧接电网,为有源逆变。

交流侧接负载,为无源逆变

16三相电流型桥式逆变电路采用横向换流方式时的电路特点 P109

a :输出电流波形和负载性质无关,正负脉冲各120°的矩形波。

b:输出电流和三相桥整流带大电感负载时的交流电流波形相同,谐波分析表达式也相同。

c:输出线电压波形和负载性质有关,大体为正弦波,但叠加了一些脉冲。 d: 输出交流电流的基波有效值IU1和直流电流Id 的关系为

17电压源型逆变电路采用多重化的目的P112

减少矩形波当中所含的谐波 d

d 1U 78.06I I I ==π

18什么电压型逆变电路?有什么特点?P101

电压型逆变电路:直流侧是电压源。

直流侧为电压源或并联大电容,直流侧电压基本无脉动。

由于直流电压源的钳位作用,输出电压为矩形波,输出电流因负载阻抗不同而不同。

阻感负载时需提供无功功率,为了给交流侧向直流侧反馈的无功能量提供通道,逆变桥各臂并联反馈二极管。

19复合斩波电路、多相多重斩波电路组成。p129

复合斩波电路 降压斩波电路和升压斩波电路组合构成。

多相多重斩波电路 相同结构的基本斩波电路组合构成

20升压斩波电路的原理。p123

工作原理

?假设L 和C 值很大。

? V 处于通态时,电源E 向电感L 充电,电流恒定I1,电容C 向负载R 供电,因C 值很大,输出电压基本保持Uo 恒定。

? V 处于断态时,电源E 和电感L 同时向电容C 充电,并向负载提供能量。

因为T/t>=1,输出电压高于电源电压,故称为升压斩波电路。

21斩波电路的三种控制方式

脉冲宽度调制(PWM ):T 不变,改变ton 。

频率调制:ton 不变,改变T 。 ()off o on t I E U t EI 11-=E t T E t t t U off

off off on o =+=

混合型:ton和T都可调,改变占空比

22交流调压电路的计算。a:α角的变化范围; P161 /2

23在三相交交变频电路中,采用梯形波输出控制的好处是什么?为什么?P161第7题

好处:可以改善输入功率因数

因为梯形波的主要成分是二次谐波,在线电压中,三次谐波相互抵消,结果线电压uAB仍为正弦波。

在这种控制方式中,因为桥式电路能够较长时间工作在高输出电压区域,α角较小,因此输入功率因数可提高约15%。

24什么是异步调制?什么是同步调制?P168 P184 第5题

同步调制载波比N等于常数,并在变频时使载波和信号波保持同步的方式称为同步调制。

异步调制载波信号和调制信号不保持同步的调制方式称为异步调制

25软开关电路可以分为哪几类。 P187

根据电路中主要的开关元件是零电压开通还是零电流关断,可以将软开关电路分成零电压电路和零电流电路两大类,个别电路中,有些开关是零电压开通的,另一些开关是零电流关断的。

根据软开关技术发展的历程可以将软开关电路分成准谐振电路、零开关PWM 电路和零转换PWM电路。

26软开关技术在逆变电路中的典型应用p191

谐振直流环

27电力电子装置的内因过压类型。P201

过电压分为外因过电压和内因过电压两类。

外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外部原因,包括

操作过电压:由分闸、合闸等开关操作引起的过电压。

雷击过电压:由雷击引起的过电压。

内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程,包括

换相过电压:晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后,反向电流急剧减小,会由线路电感在器件两端感应出过电压。

关断过电压:全控型器件在较高频率下工作,当器件关断时,因正向电流的迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。

28.驱动电路一般采用什么隔离方法

驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节,一般采用光隔离或磁隔离。

光隔离一般采用光耦合器

光耦合器由发光二极管和光敏晶体管组成,封装在一个外壳内。

有普通、高速和高传输比三种类型。

磁隔离的元件通常是脉冲变压器

当脉冲较宽时,为避免铁心饱和,常采用高频调制和解调的方法。

29.什么调速系统的恒压频比控制。P217

异步电动机的转速主要由电源频率和极对数决定,改变电源(定子)频率可对电动机进行调速,同时为了不使电动机因频率变化导致磁饱和而造成励磁电流增大,引起功率因数和效率的降低,需对变频器的电压和频率的比率进行控制,使该比率保持恒定,即恒压频比控制,以维持气隙磁通为额定值。

30什么是UPS?试简要说明其工作原理。P218

不间断电源(Uninterruptible Power Supply — UPS)是当交流输入电源(习惯称为市电)发生异常或断电时,还能继续向负载供电,并能保证供电质量,使负载供电不受影响的装置。

广义地说,UPS包括输出为直流和输出为交流两种情况,目前通常是指输出为交流的情况UPS是恒压恒频(CVCF)电源中的主要产品之一,广泛应用于各种对交流供电可靠性和供电质量要求高的场合。

基本工作原理是,当市电正常时,由市电供电,当市电异常乃至停电时,由蓄电池向逆变器供电,因此从负载侧看,供电不受市电停电的影响;在市电正常时,负载也可以由逆变器供电,此时负载得到的交流电压比市电电压质量高,即使市电发生质量问题时,也能获得正常的恒压恒频的正弦波交流输出,并且具有稳压、稳频的性能,因此也称为稳压稳频电源。

P50 例题3-1 P95 3 5 P78

电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高 时,功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成, 由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _ 双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 7.肖特基 二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 | 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。 11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系, 其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。 14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以 上区段具有__正___温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属 于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双 极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET,属于电压驱动 的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。 . 第2章整流电路 1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。 2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续 流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为___,续流二极管承受的最大反向电压为___(设U2为相电压有效值)。 3.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O _,单个晶闸管 所承受的最大正向电压和反向电压分别为__ 和_;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O _, 单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为___和___;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。 4.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-α-_; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角=_π-2_。

电力电子技术复习提纲

第一章 电力电子技术的定义,四大类电力变换,电力电子技术的研究对象 电力电子技术的发展史 第二章 电力电子器件的定义 与信息电子器件相比,电力电子器件的特征 电力电子器件的主要工作状态,电力电子器件的主要损耗,冷却方式(哪种最常用) 应用电力电子器件的系统组成 电力电子器件的分类 电力二极管:封装类型,电气符号,工作原理,主要参数,主要类型,应用场合 晶闸管:封装类型,电气符号,工作原理,主要参数,工作时的特性,主要的派生器件,英文缩写,应用场合 门极可关断晶闸管,电力晶体管:主要参数,英文缩写,电气符号,应用场合 电力场效应晶体管:分类,工作原理,应用场合,主要参数,英文缩写,电气符号 绝缘栅双极晶体管:电气符号,工作原理,主要参数,英文缩写,应用场合 熟悉其他新型电力电子器件有哪些,当前电力电子器件的发展趋势 掌握课后P42 1~5 第三章 整流的定义,整流电路的分类 单相: 主要的典型单相可控整流电路 1)单相半波可控整流电路:电路,带阻性负载、阻感负载、有续流二极管(续流二极管的作用)的电路工作情况,对应的电路波形,相关计算,晶闸管承受正反向峰值电压,移相范围,导通角 2)单相桥式全控整流电路:电路,带阻性负载、阻感负载、反电动势负载的电路工作情况,对应的电路波形,相关计算,晶闸管承受正反向峰值电压,移相范围,导通角 3)单相全波可控整流电路:电路,带阻性负载、阻感负载电路工作情况,对应的电路波形,相关计算,晶闸管承受正反向峰值电压,移相范围,导通角,与单相桥式全控整流电路的主要区别 三相: 自然换相点的概念 1)三相半波可控整流电路:电路,带阻性负载、阻感负载电路工作情况,对应的电路波形,相关计算,晶闸管承受正反向峰值电压,移相范围,导通角,电阻负载时输出电压断续的临界触发角 2)三相桥式全控整流电路:电路,带阻性负载、阻感负载电路工作情况,对应的电路波形,相关计算,晶闸管承受正反向峰值电压,移相范围,导通角,电阻负载时输出电压断续的临界触发角 变压器漏感对整流电路的影响,换相重叠角的概念 整流电路的谐波和无功的影响 什么是逆变?为什么逆变?逆变的种类?发生有源逆变的条件?逆变失败的原因?最小逆变角 课后P95 3,4,5,6,7,9,10,11,12,13,26,29 第四章 逆变的定义,逆变的分类,有源逆变和无源逆变的概念 换流的概念,换流方式,各种换流方式适用的范围,掌握负载换流的工作原理,掌握强迫换流的工作原理及分类,哪些换流方式属于自换流,哪些属于外部换流 无源逆变电路的分类:电压型和电流型

电力电子技术课程综述.doc

HefeiUniversity 合肥学院电力电子技术课程综述 系别:电子信息及电气工程系 专业:自动化 班级: 姓名: 学号:

目录 摘要: (3) 绪论 (4) 1.1电力电子技术简介: (4) 1.2电力电子技术的应用: (4) 1.3电力电子技术的重要作用: (5) 1.4电力电子技术的发展 (5) 本课程简介 (6) 2.1电力电子器件: (6) 2.1.1根据开关器件是否可控分类 (6) 2.1.2 根据门极)驱动信号的不同 (6) 2.1.3 根据载流子参与导电情况之不同,开关器件又可分为单极型器件、双极型器 件和复合型器件。 (6) 2.2 DC-DC变换器 (7) 2.2.1主要内容: (7) 2.2.2直流-直流变换器的控制 (7) 2.3 DC-AC变换器(无源逆变电路) (8) 2.3.1电压型变换器 (8) 2.3.2电流型变换器 (8) 2.3.3脉宽调制(PWM)变换器 (9) 2.4 AC-DC变换器(整流和有源逆变电路) (9) 2.4.1简介 (9) 2.4.2工作原理 (9) 2.5 AC-AC变换器 (10) 2.5.1 简介 (10) 2.5.2 分类 (10) 2.6 软开关变换器 (10) 2.6.1分类 (10) 2.6.2 重点 (10) 总结 (11) 参考文献 (11)

摘要:电力电子技术是在电子、电力与控制技术上发展起来的一门新兴交 叉学科,被国际电工委员会(IEC)命名为电力电子学(Power Electronics)或称为电力电子技术。近20年来,电力电子技术已渗透到国民经济各领域,并取得了迅速的发展。作为电气工程及其自动化、工业自动化或相关专业的一门重要基础课,电力电子技术课程讲述了电力电子器件、电力电子电路及变流技术的基本理论、基本概念和基本分析方法,为后续专业课程的学习和电力电子技术的研究与应用打下良好的基础。 关键词:电力电子技术控制技术自动化电力电子器件 Abstract: Power electronic technology is in Electronics, electric Power and control technology developed on an emerging interdisciplinary, is the international electrotechnical commission (IEC) named Power Electronics (Power Electronics) or called Power electronic technology. Nearly 20 years, power electronic technology has penetrated into every field of national economy, and have achieved rapid development. As electrical engineering and automation, industrial automation or related professional one important courses, power electronic technology course about power electronics device, power electronic circuits, the basic theory of converter technology, the basic concept and basic analysis for subsequent specialized course of study and power electronic technology research and application lay a good foundation. Keywords:Power electronic technology control technology automation power electronics device

电力电子技术-期末考试复习要点

课程学习的基本要求及重点难点内容分析 第一章电力电子器件的原理与特性 1、本章学习要求 1.1 电力电子器件概述,要求达到“熟悉”层次。 1)电力电子器件的发展概况及其发展趋势。 2)电力电子器件的分类及其各自的特点。 1.2 功率二极管,要求达到“熟悉”层次。 1)功率二极管的工作原理、基本特性、主要参数和主要类型。 2)功率二极管额定电流的定义。 1.3 晶闸管,要求达到“掌握”层次。 1)晶闸管的结构、工作原理及伏安特性。 2)晶闸管主要参数的定义及其含义。 3)电流波形系数k f的定义及计算方法。 4)晶闸管导通和关断条件 5)能够根据要求选用晶闸管。 1.4 门极可关断晶闸管(GTO),要求达到“熟悉”层次。 1)GTO的工作原理、特点及主要参数。 1.5 功率场效应管,要求达到“熟悉”层次。 1)功率场效应管的特点,基本特性及安全工作区。 1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT),要求达到“熟悉”层次。 1)IGBT的工作原理、特点、擎住效应及安全工作区。 1.7 新型电力电子器件简介,要求达到“熟悉”层次。 2、本章重点难点分析 有关晶闸管电流计算的问题: 晶闸管是整流电路中用得比较多的一种电力电子器件,在进行有关晶闸管的电流计算时,针对实际流过晶闸管的不同电流波形,应根据电流有效值相等的原则选择计算公式,即允许流过晶闸管的实际电流有效值应等于额定电流I T对应的电流有效值。 利用公式I = k f×I d = 1.57I T进行晶闸管电流计算时,一般可解决两个方面的问题:一是已知晶闸管的实际工作条件(包括流过的电流波形、幅值等),确定所要选用的晶闸管额定

《电力电子技术课程标准

《电力电子技术》课程标准 一、课程信息 课程名称:电力电子技术课程类型:电气自动化专业核心课 课程代码:0722006 授课对象:电气自动化专业 学分:3.0 先修课:电路、电子技术 学时:50 后续课:交流调速系统 制定人:杨立波制定时间:2010年10月10日 二、课程性质 电力电子技术是一门新兴技术,它是由电力学、电子学和控制理论三个学科交叉而成的,已成为现代电气工程与自动化专业不可缺少的一门专业基础课,在培养本专业人才中占有重要地位。通过本课程的学习,使学生熟悉各种电力电子器件的特性和使用方法;各种电力电子电路的结构、工作原理、控制方法、设计计算方法及实验技能;熟悉各种电力电子装置的应用范围及技术经济指标。为后续课程打好基础。 三、课程设计 1、课程目标设计 (1)能力目标 总体目标:1、培养学生综合分析问题、发现问题和解决问题的能力。 2、培养学生运用知识的能力和工程设计的能力。 具体目标:1、单相、三相可控整流技术的工程应用 2、降压斩波变换技术的工程应用 3、升压斩波变换技术的工程应用 4、交流调压或交流调功技术的工程应用 5、变频技术的工程应用 6、有源、无源逆变技术的工程应用 (2)知识目标 1、熟悉和掌握晶闸管、电力MOSFET、IGBT等电力电子器件的结构、原理、特性和使用方法; 2、熟悉和掌握各种基本的整流电路、直流斩波电路、交流—交流电力变换电路和逆变电路的结构、工作原理、波形分析和控制方法。 3、掌握PWM技术的工作原理和控制特性,了解软开关技术的基本原理。

4、了解电力电子技术的应用范围和发展动向。 5、掌握基本电力电子装置的实验和调试方法。 2、课程内容设计 (1)设计的整体思路:以工作过程和教学进程为设计依据,以相对独立的知识为模块。(2)模块设计表:

电力电子技术期末复习资料汇总

电力电子技术复习题库 第二章: 1.使晶闸管导通的条件是什么? ①加正向阳极电压;②加上足够大的正向门极电压。 备注:晶闸管承受正向阳极电压,并在门极施加触发电流。 2.由于通过其门极能控制其开通,但是不能控制其关断,晶闸管才被称为(半控型)器件。 3.在电力电子系统中,电力MOSFET通常工作在( A )状态。 A. 开关 B. 放大 C. 截止 D. 饱和 4.肖特基二极管(SBD)是( A )型器件。 A. 单极 B. 双极 C. 混合 5.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度可以分为: ①不可控器件;②半控型器件;③全控型器件 6.下列电力电子器件中,(C)不属于双极型电力电子器件。 A. SCR B. 基于PN结的电力二极管 C. 电力MOSFET D. GTR 7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质,可以将电力电子器件(电力二极管除外)分为(电流驱动型)和(电压驱动型)两类。 8.同处理信息的电子器件类似,电力电子器件还可以按照器件部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为(单极性器件)、(双极型器件)和(复合型器件)。 9.(通态)损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。当器件的开关频率较高时,(开关)损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素。(填“通态”、“断态”或“开关”) 10.电力电子器件在实际应用中,一般是由(控制电路)、(驱动电路)和以电力电子器件为核心的(主电路)组成一个系统。 11. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,肖特基二极管(SBD)属于(不可控)

型器件。 12.型号为“KS100-8”的晶闸管是(双向晶闸管)晶闸管,其中“100”表示(额定有效电流为100A ),“8”表示(额定电压为800V)。 13.型号为“KK200-9”的晶闸管是(快速晶闸管)晶闸管,其中“200”表示(额定有效电流为200A),“9”表示(额定电压为900V )。 14.单极型器件和复合型器件都是(电压驱动)型器件,而双极型器件均为(电流驱动)型器件。(填“电压驱动”或“电流驱动”) 15. 对同一晶闸管,维持电流I H<擎住电流I L。(填“>”、“<”或“=”) 16.维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:维持晶闸管导通的条件是使晶闸管阳极电流大于维持电流(保持晶闸管导通的最小电流); 要使晶闸管由导通变为关断,可使阳极电流小于维持电流可以使晶闸管由导通变为关断。在实际电路中,常采用使阳极电压反向、减小阳极电压,或增大回路阻抗等方式使晶闸管关断。 17.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能? 答:CTO的开通控制方式与晶闸管相似,但是可以通过门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2,分别具有共基极电流增益1 a 和2 a ,由普通晶闸管的分析可得:1 a + 2 a =1 是器件临界导通的条件。 1 a + 2 a >1,两个等效晶体管过饱和而导通;1 a + 2 a <1,不能维持饱和导通而关断。 GTO 之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO 与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同: ②GTO 在设计时2 a 较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO 关断; ②GTO 导通时的1 a + 2 a 更接近于1,普通晶闸管1 a + 2 a 31.15,而GTO 则为1 a + 2 a 1.05,GTO 的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件; ③多元集成结构使每个GTO 元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区

电力电子技术复习题及答案汇编

电力电子技术试题 1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO ;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。 3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。。 4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。 5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。 6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。 9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移 相使输出电压下降。(写出四种即可) 10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压 型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180o 度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120o 度。 11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路;升压斩波电路;升降压斩波电路。 12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。 13、按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。 14、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管;200表示表示200A,9表 示900V。 15、单结晶体管产生的触发脉冲是尖脉冲脉冲;主要用于驱动小功率的晶闸管;锯齿波同 步触发电路产生的脉冲为强触发脉冲脉冲;可以触发大功率的晶闸管。 19、由波形系数可知,晶闸管在额定情况下的有效值电流为I Tn等于 1.57倍I T(AV),如果I T(AV)=100安培, 则它允许的有效电流为157安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5—2倍的裕量。 20、通常变流电路实现换流的方式有器件换流,电网换流,负载换流,强迫换流四种。 21、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是0,负载是阻感性时移相范围是 。 22、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有避雷器;阻容吸收;硒堆;压敏电阻;整流式阻容吸收等几种。 23、。晶闸管的维持电流I H是指在温度40度以下温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到 刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。 25、普通晶闸管的图形符号是,三个电极分别是阳极A,阴极K和门极G晶闸管的导通条件是阳极加正电压,阴极接负电压,门极接正向电压形成了足够门极电流时晶闸管导通;关断条件是当晶闸管阳极电流小于维持电流I H时,导通的晶闸管关断。.。 27、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极;作为栅极,以以电力晶体管集电极和发射极复合而成。 29、晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α;变压器漏抗X B;平均电流I d;电源相电压U2。等到参数有关。

现代电力电子技术的发展、现状与未来展望综述上课讲义

现代电力电子技术的发展、现状与未来展 望综述

课程报告 现代电力电子技术的发展、现状与 未来展望综述 学院:电气工程学院 姓名: ********* 学号: 14********* 专业: ***************** 指导教师: *******老师 0 引言

电力电子技术就是使用电力半导体器件对电能进行变换和控制的技术,它是综合了电子技术、控制技术和电力技术而发展起来的应用性很强的新兴学科。随着经济技术水平的不断提高,电能的应用已经普及到社会生产和生活的方方面面,现代电力电子技术无论对传统工业的改造还是对高新技术产业的发展都有着至关重要的作用,它涉及的应用领域包括国民经济的各个工业部门。毫无疑问,电力电子技术将成为21世纪的重要关键技术之一。 1 电力电子技术的发展[1] 电力电子技术包含电力电子器件制造技术和变流技术两个分支,电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础。电力电子器件的发展对电力电子技术的发展起着决定性的作用,电力电子技术的发展史是以电力电子器件的发展史为纲的。 1.1半控型器件(第一代电力电子器件) 上世纪50年代,美国通用电气公司发明了世界上第一只硅晶闸管(SCR),标志着电力电子技术的诞生。此后,晶闸管得到了迅速发展,器件容量越来越大,性能得到不断提高,并产生了各种晶闸管派生器件,如快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管等。但是,晶闸管作为半控型器件,只能通过门极控制器开通,不能控制其关断,要关断器件必须通过强迫换相电路,从而使整个装置体积增加,复杂程度提高,效率降低。另外,晶闸管为双极型器件,有少子存储效应,所以工作频率低,一般低于400 Hz。由于以上这些原因,使得晶闸管的应用受到很大限制。 1.2全控型器件(第二代电力电气器件) 随着半导体技术的不断突破及实际需求的发展,从上世纪70年代后期开始,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(Power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展。全控型器件的特点是,通过对门极(基极、栅极)的控制既可使其开通又可使其关断。此外,这些器件的开关速度普遍高于晶闸管,可用于开关频率较高的电路。这些优点使电力电子技术的面貌焕然一新,把电力电子技术推进到一个新的发展阶段。 1.3电力电子器件的新发展 为了解决MSOFET在高压下存在的导通电阻大的问题,RCA公司和GE公司于1982年开发出了绝缘栅双极晶体管(IGBT),并于1986年开始正式生产并逐渐系列化。IGBT是MOS?FET和BJT得复合,它把MOSFET驱动功率小、开关速度快的优点和BJT通态压降小、载流能力大的优点集于一身,性能十分优越,使之很快成为现代电力电子技术的主导器件。与IGBT 相对应,MOS 控制晶闸管(MCT)和集成门极换流晶闸管(IGCT)都是MOSFET和GTO的复合,它们都综合

电力电子技术复习要点

电力电子技术复习要点 第一章 电力电子器件及其应用 一、一般性概念 1、什么是场控(电压控制)器件、什么是电流控制器件?什么是半控型器件?什么是全控型器件?什么是复合器件? 2、波形系数的概念,如何利用波形计算相关的平均值、有效值 3、什么是器件的安全工作区,有何用途? 4、什么是器件的开通、关断时间,器件开关速度对电路工作有何影响? 二、二极管 1、常用二极管有哪些类型?各有什么特点? 2、二极管额定电流、额定电压的概念,如何利用波形系数选择二极管额定电流? 三、晶闸管 1、晶闸管的开通、关断条件、维持导通的条件 2、维持电流、擎住电流的概念 3、晶闸管额定电流、额定电压的概念,如何利用波形系数选择晶闸管额定电流? 四、GTR 1、GTR 如何控制工作? 2、GTR 正常工作对控制电流有何要求?为什么? 3、GTR 的安全工作区有何特别?什么是二次击穿现象,有何危害? 4、GTR 额定电流、额定电压的概念,如何利用波形系数选择GTR 额定电流? 五、MOSTFET 、IGBT 1、MOSTFET 、IGBT 如何控制工作? 2、MOSTFET 、IGBT 正常工作对控制电压有何要求?为什么? 3、MOSTFET 、IGBT 额定电流、额定电压的概念,如何利用波形系数选择MOSTFET 、IGBT 管额定电流? 六、如何设计RCD 缓冲电路的参数?各个约束条件的含义?如果增加m ax dt dU 、 瞬态冲击电流I max 限制,其约束条件如何表达?

第二章直流―直流变换电路 一、基本分析基础 1、电路稳态工作时,一个周期电容充放电平衡原理 2、电路稳态工作时,一个周期电感伏秒平衡原理 3、电路稳态工作时,小纹波近似原理 二、Buck、Boost、Buck-Boost、Flyback、Forward电路 1、电感电流连续时,电路稳态工作波形分析 2、利用工作波形分析计算输入输出关系 3、开关元件(VT、VD)的峰值电流、额定电流、承受的电压如何计算? 4、输出纹波如何计算? 第三章直流-交流变换电路 一、单相方波逆变电路 1、单相方波逆变电路控制规律、工作波形分析 2、利用波形分析计算单相方波逆变电路输入电流、电压、功率和输出的电流、 电压、功率 3、单相方波逆变电路移相调压、矩形波调制调压的原理 二、单相SPWM逆变 1、SPWM调制的原理 2、自然采样法、规则采样法、同步调制、异步调制、分段同步调制、幅度调制 比、载波比(频率调制比)的概念 3、桥式电路双极性SPWM逆变的控制方法、输入输出电压关系、如何实现输出 基波的调频调压 4、桥式电路单极性倍频SPWM逆变的控制方法、输入输出电压关系、如何实现 输出基波的调频调压 三、三相逆变 1、三相方波逆变的控制原理、纯电阻负载工作波形分析 2、三相方波逆变纯电阻负载输入、输出的电流、电压、功率计算 3、三相SPWM逆变的控制原理,纯电阻负载工作波形分析

电力电子技术课程重点知识点总结

1.解释GTO、GTR、电力MOSFET、BJT、IGBT,以及这些元件的应用范围、基本特性。 2.解释什么是整流、什么是逆变。 3.解释PN结的特性,以及正向偏置、反向偏置时会有什么样的电流通过。 4.肖特基二极管的结构,和普通二极管有什么不同 5.画出单相半波可控整流电路、单相全波可控整流电路、单相整流电路、单相桥式半控整流电路电路图。 6.如何选配二极管(选用二极管时考虑的电压电流裕量) 7.单相半波可控整流的输出电压计算(P44) 8.可控整流和不可控整流电路的区别在哪 9.当负载串联电感线圈时输出电压有什么变化(P45) 10.单相桥式全控整流电路中,元件承受的最大正向电压和反向电压。 11.保证电流连续所需电感量计算。 12.单相全波可控整流电路中元件承受的最大正向、反向电压(思考题,书上没答案,自己试着算) 13.什么是自然换相点,为什么会有自然换相点。 14.会画三相桥式全控整流电路电路图,波形图(P56、57、P58、P59、P60,对比着记忆),以及这些管子的导通顺序。

15.三相桥式全控整流输出电压、电流计算。 16.为什么会有换相重叠角换相压降和换相重叠角计算。 17.什么是无源逆变什么是有源逆变 18.逆变产生的条件。 19.逆变失败原因、最小逆变角如何确定公式。 做题:P95:1 3 5 13 16 17,重点会做 27 28,非常重要。 20.四种换流方式,实现的原理。 21.电压型、电流型逆变电路有什么区别这两个图要会画。 22.单相全桥逆变电路的电压计算。P102 23.会画buck、boost电路,以及这两种电路的输出电压计算。 24.这两种电路的电压、电流连续性有什么特点 做题,P138 2 3题,非常重要。 25.什么是PWM,SPWM。 26.什么是同步调制什么是异步调制什么是载波比,如何计算 27.载波频率过大过小有什么影响 28.会画同步调制单相PWM波形。 29.软开关技术实现原理。

电力电子技术复习资料

电力电子技术 复习资料 一、名词解释 (每小题2分,共10分) 1.自然换相点 2.GTR 3.换相重叠角γ 4.同步 5.脉宽调制法 二、填空题(每空1分,共20分) 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt 和通态电流临界上升率等,若du/dt 过大,就会使晶闸管出现________,若di/dt 过大,会导致晶闸管________。 2.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos φ 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。各管上承受的最大反向电压为________。 3.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时,在控制角α>30°时,负载电流出现________。晶闸管所承受的最大反向电压为________。 4.在单相全控桥整流电路带反电势负载时,若交流电源有效值为U 2,反电势为E 时,不导电角δ=________,若晶闸管不导通时,输出电压应为______。 5.三相零式可控整流电路,在电阻性负载时,当控制角α≤30°,每个晶闸管的导通角θ=________。此电路的移相范围为________。 6.三相全控桥可控整流,其输出电压的脉动频率为________,十二相可控整流,其输出电压的脉动频率为________。 7.在晶闸管触发脉冲产生电路中,常用的同步电压有________和________两种。 8.单结晶体管又称为________,利用它伏安特性的________,可作成弛张振荡器。 9.在晶闸管触发脉冲产生的电路中,为满足不会产生逆变失败所需的最小逆变角 βmin 值,常将________和________相叠加,从而有效地限制了逆变角β的大小。 10.在逆变器中,晶闸管的自然关断法,是利用负载回路中的电感L 和________在产生振荡时,电路中的电流具有________的特点,从而使晶闸管发生自然关断。 三、画图题(6分) 说明下面斩波电路的类型及其工作原理,画出输出电压o u 、输出电流o i 波形 四、问答题(第1小题6分,第2小题8分,共14分) 1.对整流电路的输出电压进行谐波分析后,能得出什么结论?

电力电子技术复习提纲

《电力电子技术》复习提纲 期末考试: 总成绩分配比例:平时10%+实验20%+期末70% 题型:填空、简答、计算、分析题(1308、1309) 第一章绪论 本章要点:1、电力电子技术概念。 2、电力变换的种类。 1电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。 2 电力变换的种类: (1)交流变直流AC-DC:整流 (2)直流变交流DC-AC:逆变 (3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现 (4)交流变交流AC-AC:一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术 4.电力电子技术的诞生1957年美国通用电气公司研制出第一个晶闸管,1904年出现电子管,1947年美国著名贝尔实验室发明了晶体管。 5 电子技术分为信息电子技术与电力电子技术。信息电子技术主要用于信息处理,电力电子技术主要用于电力变换。 第2章电力电子器件 本章要点:1、电力电子器件的分类。 2、晶闸管的基本特性和主要参数(额定电流和额定电压的确定)。 3、全控型器件的电气符号。 复习参考:P42 2、3、4 1、电力电子器件一般工作在开关状态。 2、通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。 3、电力电子器件组成的系统,一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。 4、按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。 5、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 6、属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET,属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT ;在可控的器件中,容量最大的是晶闸管,工作频

电力电子技术复习总结(王兆安)

电力电子技术复习题1 第1章电力电子器件 J电力电子器件一般工作在开关状态。 乙在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。 3. 电力电子器件组成的系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三 部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加保护电路。 4. 按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型 器件、双极型器件、复合型器件三类。 L电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通,承受反相电压截止。 6.电力二极管的主要类型有—普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。乙肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。 匕晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则 截止。 乞对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL大于IH 。 10. 晶闸管断态不重复电压UDSMt转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM大于 _UbQ 11. 逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 12(TO的_多元集成_结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。 13. MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTRft发射极接法时的输出特性中的 三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区一、前者的饱和区对应后者的_放大区_、前者的非饱和区对应后者的_饱和区_ 。 14. 电力MOSFE的通态电阻具有正温度系数。 15JGBT的开启电压UGE(th )随温度升高而_略有下降一,开关速度—小于— 电力MOSFET 16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子 器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。 IZIGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负—温度系数,在1/2或 1/3额定电流以上区段具有__正—温度系数。 18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR、门极可关断晶闸管

《电力电子技术》复习资料

电力电子技术第五版复习资料 第1章绪论 1 电力电子技术定义:是使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术,是应用于电力领域的电子技术,主要用于电力变换。 2 电力变换的种类 (1)交流变直流AC-DC:整流 (2)直流变交流DC-AC:逆变 (3)直流变直流DC-DC:一般通过直流斩波电路实现 (4)交流变交流AC-AC:一般称作交流电力控制 3 电力电子技术分类:分为电力电子器件制造技术和变流技术。 第2章电力电子器件 1 电力电子器件与主电路的关系 (1)主电路:指能够直接承担电能变换或控制任务的电路。 (2)电力电子器件:指应用于主电路中,能够实现电能变换或控制的电子器件。 2 电力电子器件一般都工作于开关状态,以减小本身损耗。 3 电力电子系统基本组成与工作原理 (1)一般由主电路、控制电路、检测电路、驱动电路、保护电路等组成。 (2)检测主电路中的信号并送入控制电路,根据这些信号并按照系统工作要求形成电力电子器件的工作信号。 (3)控制信号通过驱动电路去控制主电路中电力电子器件的导通或关断。 (4)同时,在主电路和控制电路中附加一些保护电路,以保证系统正常可靠运行。 4 电力电子器件的分类 根据控制信号所控制的程度分类 (1)半控型器件:通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件。如SCR晶闸管。(2)全控型器件:通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关断的电力电子器件。如GTO、GTR、MOSFET和IGBT。 (3)不可控器件:不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件。如电力二极管。 根据驱动信号的性质分类 (1)电流型器件:通过从控制端注入或抽出电流的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如SCR、GTO 、GTR。 (2)电压型器件:通过在控制端和公共端之间施加一定电压信号的方式来实现导通或关断的电力电子器件。如MOSFET、IGBT。 根据器件内部载流子参与导电的情况分类 (1)单极型器件:内部由一种载流子参与导电的器件。如MOSFET。 (2)双极型器件:由电子和空穴两种载流子参数导电的器件。如SCR、GTO、GTR。 (3)复合型器件:有单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件。如IGBT。 5 半控型器件—晶闸管SCR 晶闸管的结构与工作原理

电力电子技术考试试题(doc 8页)

一、填空题(11 小题,每空0.5分,共 22 分) 1、电力电子学是 由、和交叉而形成的边缘学科。 2、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类; 1) 的电力电子器件被称为半控型器件,这类器件主要是指 及其大部分派生器件。 2) 的电力电子器件被称为全控型器件,这类器件品种很多,目前常用的有和。 3) 的电力电子器件被称为不可控器件,如。 3、根据下面列出的电力电子器件参数的定义,在空格处填写该参数的名称。 4、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是_________,单管输出功率最大的是_____________,在中小功率领域应用最为广泛的是___________。 5、电力电子器件的驱动电路一般应具有电路与之间的电气隔离环节,一般采用光隔离,例如;或磁隔离,例如 。 6、缓冲电路又称为吸收电路,缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。其中缓冲电路又称为du/dt 抑制电路,用于吸收器件的过电压。缓冲电路又称为di/dt抑制电路,用于抑制器件时的电流过冲和di/dt,减小器件的损耗。

7、单相半波可控整流电路、单相桥式全控整流电路、三相半波可控整流电路和三相桥式全控整流电路,当负载分别为电阻负载和电感负载时,晶闸管的控制角移相范围分别是多少(用角度表示,如0°~180°)? 8、在单相全控桥式电阻-反电动势负载电路中,当控制角α大于停止导电角δ时,晶闸管的导通角θ=_____________。当控制角α小于停止导电角δ时,且采用宽脉冲触发,则晶闸管的导通角θ=_____________。 9、由于器件关断过程比开通过程复杂得多,因此研究换流方式主要是研究器件的关断方法。换流方式可分以下四种:,, ,。 10、正弦脉宽调制(SPWM)技术运用于电压型逆变电路中,改变_可改变逆变器输出电压幅值;改变 _ _可改变逆变器输出电压频率;改变 _ _可改变开关管的工作频率。 11、在SPWM控制电路中,根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况,PWM调制可分为与_______ _两种类型,采用_______ _调制可以综合二者的优点。 二、选择题(5 小题,每空0.5分,共3分) 1、晶闸管稳定导通的条件() A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 2、某晶闸管,若其断态重复峰值电压为500V,反向重复峰值电压700V,则该晶闸管的额定电压是() A 500V B 600V C 700V D1200V 3、()存在二次击穿问题。 A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT 4、下图所示的是()的理想驱动信号波形。 A. SCR B. GTO C. GTR D. P.MOSFET E. IGBT

电力电子技术复习题及答案(3)

电力电子技术复习 一、选择题(每小题10分,共20分) 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相 差________ A _______ 度。 A180°, B、60°, c、360 °,D、120° 2、a为______ C ______ 度时,三相半波可控整流电路,电阻性负载输出 的电压波形,处于连续和断续的临界状态。 A,0 度, B,60 度, C,30 度, D,120 度, 3、晶闸管触发电路中,若改变_______ B _________ 的大小,则输出脉冲产生相位移动,达到移相控制的目的。 A、同步电压, B、控制电压, C、脉冲变压器变 比。 4、可实现有源逆变的电路为_________ A___________ 。 A、三相半波可控整流电路, B、三相半控桥整流桥电路, C单相全控桥接续流二极管电路,D、单相半控桥整流电路。5、在一般可逆电路中,最小逆变角B min选在下面那一种范围合 理____________ A __________ 。 A、30o-35o, B、10o-15o, C、0o-10o, D、0o。 6、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几 种________________ BCD _____________________ 。 A、三相半波可控整流电路。 B、三相半控整流 桥电路。 C、单相全控桥接续流二极管电路。 D、单相半控桥整流电路。 7、在有源逆变电路中,逆变角「的移相范围应 选____________ B ______________ 为最好。 A、’:=90o s 180o, B、” =35o s 90o, C、L

电力电子技术课程设计范例

电力电子技术课程设计 题目:直流降压斩波电路的设计 专业:电气自动化 班级:14电气 姓名:周方舟 学号: 指导教师:喻丽丽

目录 一设计要求与方案 (4) 二设计原理分析 (4) 2.1总体结构分分析 (4) 2.2直流电源设计 (5) 2.3主电路工作原理 (6) 2.4触发电路设计 (10) 2.5过压过流保护原理与设计 (15) 三仿真分析与调试 (17) 3.1M a t l a b仿真图 (17) 3.2仿真结果 (18) 3.3仿真实验结论 (24) 元器件列表 (24) 设计心得 (25) 参考文献 (25) 致 (26) 一.设计要求与方案 供电方案有两种选择。一,线性直流电源。线性电源(Linear power supply)是先将交流电经过变压器降低电压幅值,再经过整流电路整流后,得到脉冲直流电,后经滤波得到带有微小波纹电压的直流电压。要达到高精度的直流电压,必须经过稳压电源进行稳压。线性电源体积重量大,很难实现小型化、损耗大、效率低、输出与输入之间有公共端,不易实现隔离,只能降压,不能升压。二,升压斩波电路。由脉宽调制芯片TL494为控制器构成BOOST原理的,实现升压型DC-DC变换器,输出电压的可调整与稳压控制的开关源是借助晶体管的开/关实现的。因此选择方案二。 设计要求:设计要求是输出电压Uo=220V可调的DC/DC变换器,这里为升压斩波电路。由于这些电路中都需要直流电源,所以这部分由以前所学模拟电路知识可以由整流器解决。MOSFET的通断用PWM控制,用PWM方式来控制MOSFET的通断需要使用脉宽调制器TL494来产生

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