半导体存储测试仪项目介绍
胜利仪器 VICTOR 6000局放测试仪说明书
目录安全须知 (2)一．简介 (3)二．技术规格 (4)三．产品图 (5)四．操作及原理 (6)1．开关机 (6)2．系统主菜单 (6)3．系统设置 (6)4．基本原理 (7)5．测试 (8)五．电池管理 (10)六．装箱单 (10)安全须知●操作者须经严格培训并获得国家相关电工操作认证才能使用本仪表进行现场测试。
●注意本仪表面板及背板的标贴文字及符号。
●操作者必须完全理解手册说明并能熟练操作本仪表后才能进行现场测试。
●使用前应确认仪表及附件完好，仪表、测试线绝缘层无破损、无裸露及断线才能使用。
●用户不可对设备进行维修。
不可打开盖板或拆解内部的零件。
本设备有高压元件可能有致命的电气冲击，其内部元件也有危险。
●本设备请在适当的地点使用，不要置于不稳定的环境，不要将仪器放置在不平稳的地基上，包括基座部分、三角支架、发射隔板等。
无论设备从何种高度跌落，都会对人员以及设备造成伤害。
细小的物理震动可能使其跌落损坏。
●如果流入的液体不属于设备内部本身的液体类型，一旦接触到电源会有危险，同时损坏仪器。
同样，如果在仪器上泼洒到液体，同样也不适合。
●长时间不用本仪表，需每6个月对电池充一次电，充电时不能进行局放检测。
●使用、拆卸、校准、维修本仪表，必须由有授权资格的人员操作。
●由于本仪表原因，继续使用会带来危险时，应立即停止使用，并马上封存，由有授权资格的机构处理。
一.简介VICTOR6000手持式局放检测仪是一种多功能的手持仪器，主要由主机、超声波传感器、地电波传感器、特高频传感器、耳机等组成，用于检测GIS绝缘子、开关柜、变压器、母排（连接处、穿墙套管，支撑绝缘件）、断路器，CT、PT、电缆接头等电气设备的局部放电情况。
是基于地电波、超声波、特高频及高频电流检测方法，测试设备的局部放电情况，可以提供可读出的局部放电幅度及图谱波形，可以提供二维、三维图谱的存储以及读出功能等，彩屏LCD显示，不同颜色灯指示检测结果，可以方便、快速评估电气设备局部放电情况。
T5503HS2高速存储器芯片测试系统 传输率高达6.4Gbps
T5503HS2高速存储器芯片测试系统传输率高达
6.4Gbps
半导体测试设备领导供应商爱德万测试（Advantest CorporaTIon）正式推出T5503HS2测试系统，专为现役最高速存储器装置，以及新世代超高速DRAM产品，提供业界最富成效的测试解决方案。
在全球存储器需求处于「超级循环」高速成长之际，其具备的灵活性，有助扩展T5503系列产品的测试能力。
此存储器超级循环拜行动电子装置与服务器终端市场成长之赐。
根据市调机构IHS Markit，自2009年至今，Mobile DRAM于整体DRAM产业的市占率已成长5倍以上。
IHS Markit更预测，至2021年，来自行动电子、资料中心、汽车、博奕游戏与显卡等各种资料处理应用所需要的DRAM总容量，将达到1，200亿个Gbit存储器。
为了满足此蓬勃成长的庞大需求，芯片制造商利用先进SDRAM技术，一举开发DDR5与LP-DDR5存储器，其资料传输率高达6.4Gbps。
爱德万T5503HS2测试系统旨在兼顾新世代存储器与既有装置，提供测试解决方案，可测试时脉精确度为±45皮秒（picoseconds），资料传输速度高达8Gbps的存储器。
此多功能测试系统共有16，256通道，用来测试新世代LP-DDR5与DDR5 SDRAM装置时，可达到半导体业界最高平行测试数量，以及最佳成本效益，同时用户仍可继续测试现有的DDR4与LP-。
USB OTG技术及其在存储测试中的应用 工业控制 解决方案
您的位置：嵌入式在线 > 解决方案 > 工业控制 > USB OTG技术及其在存储测试中的应用USB OTG技术及其在存储测试中的应用2008-01-04 嵌入式在线收藏 | 打印存储测试是在对被测对象无影响或影响在允许范围的条件下，在被测体或测试现场放置微型数据采集与存储测试仪，现场实时完成信息的快速采集与记忆，事后回收并由计算机处理和再现测试信息的一种动态测试技术。
存储测试的主要技术特点是现场实时快速完成动态数据采集与存储记忆，特别是在多种恶劣环境和紧凑设计条件下完成动态参数测试，事后回收处理再现。
传统的存储测试仪存在着如下不足：(1)存储介质置于仪器内部，回读数据必须将整个仪器伺收。
由于存储测试所面临的测试环境复杂，往往加装了复杂、笨重的防护体或置于掩体中，给仪器的拆卸回收造成了困难。
而户外回读分析数据往往受条件所限难以续施。
(2)随着存储测试技术的发展，存储测试所面临的对豫和环境日趋复杂，测试时间和所需容量灵活多变，并逐步加大。
由于传统的存储测试仪设计结构所限，不同容量就意味着要重新设计生产新的仪器。
(3)当前的计算机主板普遍集成了USB接口，存储测试仪一贯采用的"大端口"如：并口、串口等已逐渐被抛弃。
一些新推出的主板甚至只集成了。
USB 口。
存储测试仪接口必须适应这一转变，通过一定的措施实现基于。
USB 口的通信。
本设计采用南京沁恒公司的CH 375和Atmel的ATmega32单片机所设计的存储测试仪有效克服了以上的不足，在实际应用中取得了良好的效果。
U盘作为新型移动存储设备，以体积小、速度快、抗震动、通用性强的特点备受青睐。
该系统通过单片机对U盘进行读写操作，采集数据按文件方式直接存储到U盘，可以有效提高数据保存速度及可靠性。
特别适合于长时问、大容量数据采集的场合，方便了与PC等上位机进行数据交换，从而实现现场采集数据、室内分析数据。
通过更换U盘可以灵活选择系统容量，极大地提高了存储测试仪的通用性，降低了测试成本。
晶体三极管特性曲线测试仪设计
晶体三极管特性曲线测试仪设计摘要晶体管特性曲线测试仪广泛用于科研，实验教学和工业中，论文选题具有实际意义。
本文在学习和查阅相关文件的基础上，介绍了实现一个简易晶体管伏安特性曲线测试仪基本原理和实现方案。
在系统硬件设计中，以MCS-51单片机最小系统为核心，扩展了人机对话接口、A/D转换接口；采用555振荡器实现了方波和三角波的输出信号，利用计数器74161和DAC0832产生梯形波，通过比较器LM311构成识别晶体管类型的判断。
系统的软件设计是在Keil51的平台上，使用C语言与汇编语言混合编程编写了系统应用软件；包括主程序模块、显示模块、数据采集模块和数据处理模块。
关键词：晶体管图示仪；伏安特性；单片机Crystal three transistor characteristic cure tester ABSTRACT：Transistor curve tracers used in research, teaching and industrial experiments, the practical significance of topics. In this paper, learning and access to relevant documents, based on the realization of a simple transistor introduced voltammetric curve tracers basic theory and programs.In the system hardware design to MCS-51 microcomputer as the core, extending the man-machine dialogue interfaces, A / D conversion interface; Achieved by 555 square wave oscillator and triangle wave output signal, generated using counters 74161 and DAC0832 trapezoidal wave, Constitute recognition by the comparator LM311 transistor type judgments.The software design is the platform Keil51 using C language and assembly language programming prepared hybrid system application software; Including the main program module, display module, data acquisition module and data processing module KEY WORDS: Transistor Tracer , V olt-ampere characteristics, Single slice of machine目录第1章前言 (1)1.1 设计的背景及意义 (1)1.2 晶体管及晶体管特性曲线测试仪历史及研究现状 (1)第2章晶体管特性曲线测试仪的系统设计 (3)2.1 晶体三极管原理及工作状态分析 (3)2.2 系统整体框图设计 (4)2.3 各模块方案设计与选择 (5)2.3.1 555振荡器方波和阶梯波发生模块 (5)2.3.2 晶体管放大倍数的显示模块 (5)2.3.3 电源供电模块 (6)第3章系统的硬件设计 (7)3.1 MCS-51单片机最小系统 (7)3.2 电源电路的设计 (8)3.3 AD采样电路设计 (9)3.3.1 ADC0809的内部逻辑结构 (9)3.3.2 ADC0809引脚结构 (9)3.3.3 ADC0809应用说明 (10)3.3.4 A/D电路的设计原理 (11)3.4 波形电路的设计 (11)3.4.1阶梯波与三角波产生电路 (11)3.4.2 555振荡器的管脚功能 (12)3.5 显示电路设计 (13)第4章系统的软件设计 (17)4.1 系统的软件结构图 (17)4.2数据采集电路的软件设计 (17)4.3显示电路的软件设计 (19)第5章系统的调试与测试 (21)5.1调试和测试仪器 (21)5.2 系统的调试 (21)5.3测试结果与分析 (23)结论 (27)致谢 (28)参考文献 (28)附录 (29)第1章前言1.1 设计的背景及意义晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
元器件测量仪器及应用
电容器的主要参数有电容量及其误差、额定电压、损 耗因数、温度系数等，实际应用中需要测量的主要参数是电 容量和损耗因数。
电容器的损耗因数定义为损耗功率P与存储功率PC之比， 用D表示。具体表达式为： D = P/PC=1/ωCR，D 值越小，损 耗越小，电容器的质量越好。
项目6 元器件测量仪器及应用
2．电子元器件的主要参数 电子元器件的主要参数包括特性参数、规格参数和质 量参数。这些参数从不同角度反映了一个电子元器件的电 气性能及其完成的功能。 (1) 电子元器件的特性参数 特性参数用于描述电子元器件在电路中的电气功能， 通常用该元器件的名称来表示，例如电阻特性、电容特性、 电感特性、二极管特性、三极管特性等。一般可用伏安特 性即元器件两端的电压与通过的电流之间的关系来表达该 元器件的特性参数。电子元器件的伏安特性大多是一条直 线或曲线，在不同的测试条件下，伏安特性也可以是一条 折线或一簇曲线，如图7-1所示。
2．电容器 电容器也是一个储能元件，它不消耗能量，只 与电源进行能量交换，通过电容的电流与其两端电 压的乘积为无功功率(存储功率PC)，电容器在交流 电路中的电抗 Xc=1/jωC。
项目6 元器件测量仪器及应用
实际电容器由于极板间的电介质存在漏电阻，会使电 容器消耗一定的能量，这种能量损耗称为电容器的介质损耗。
项目6 元器件测量仪器及应用
图7-2 电路元件的高频等效电路
项目6 元器件测量仪器及应用
知识 1.3 电子元器件测量仪器的分类
不同类型、不同用途的电子元器件，需要使用不同的 测量仪器进行测量。测量仪器可按元器件的类型分类。
Acery LS1500 基于B15001505的半导体器件自动测试系统
HeadlineAcery LS1500 基于B1500A/1505A的FET器件测试自动测试系统——解决圆片级半导体器件直流参数全自动测试问题——北京航天新锐科技有限责任公司IMAGE OF SOLUTIONBody Copy系统概述随着市场对半导体功率器件需求量的增加，传统的测试封装功率器件的方法已经不能满足市场量的需求，功率器件的测试逐步延伸至晶圆片级的测试，从而为半导体器件生产质量提高及生产工艺改进提供大量测量数据。
LS1500系列圆片级半导体器件直流参数全自动测试系统有两个系列型号：LS1500A和B1505A功率器件图示仪/分析仪和B1500A半导体器件分析仪是是德公司生产的在半导体测试领域的功能强大的测试仪器，可以根据需要选配不同的测试模块，以适应不同器件的测试需要。
E5250A低泄漏矩阵开关在LS1500自动测试系统中的作用是实现了多通道的自动切换功能，使得B1505A/B1500A的高品质特性得到完美延伸。
LS1500自动测试系统将B1505A/B1500A、低泄漏开关矩阵E5250A及探针台完美地结合在一起，客户仅在EasyFET软件上设置一个或多个测试项目，即可完成整个圆片的直流参数的全自动测试，测试结果形成测试报告，并完成圆片的打点工作。
系统特点通过系统输出的高电压、大电流，精确评估功率器件的输出特性随输入电压电流的变化情况；测试参数涵盖了半导体线性工作特性和其截止区工作特性，直流条件和脉冲条件下的工作特性；测试过程中，可以根据每个参数不同的测试特点，切换系统中不同模块的输出参数，从而保证全部测试参数连续测试，提高了测试效率；系统具有数据回放功能，方便测试数据分析；参数测试、测试报告、圆片打点可以全自动完成；EasyFET生成的圆片图与探针台圆片图一致，并能在测试过程中明确显示当前测试状态和测试结果；航天新锐科技提供定制服务，概据客户在研发与生产不同阶段的特点进行二次开发，使得客户无论在研发阶段还是生产阶段均可以得到大量真实可靠的数据，有效缩短功率器件的研发周期，以及对生产工艺改进的可能。
微电子器件测试与封装-第四章
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内容|半导体器件的测试
8.測試項目(GMP)，測試線路如右：
測試方法： GD Short，從DS間灌入一個電流(一般為250uA)量測IDS及VGS,用ID/VGS 得到GFS
GMP：又叫GFS.代表輸入與輸出的關係即GATE 電壓變化,DRAIN電流變化值,單位為S.當汲極電流愈大,GFS也會增大.在切換動作的電路中,GFS值愈高愈好.
VFSD：此為內嵌二極管的正向導通壓降，VFSD=VS-VD
測試目的： 1.檢測晶圓製程中的異常，如背材脫落 2.檢測W/B過程中有無Source wire球脫現象
Remark：Tesec 881中，VFSD+ 可以寫成VGS=0V,VFSD代表G腳Open
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内容|半导体器件的测试
内容|半导体器件测试
热阻测试仪TESEC KT-9614热阻测试仪TESEC KT-9414热阻测试仪EAS测试系统ITC5500 EAS测试系统TESEC 3702LV测试系统觉龙 T331A EAS测试系统SOATESEC SOA测试仪其他DY-2993晶体管筛选仪
内容|半导体器件测试
双极晶体管开关参数测试仪：伏达UI9600 UI9602晶体管测试仪KF-2晶体管测试仪觉龙（绍兴宏邦）晶体管开关参数测试系统肯艺晶体管开关参数测试系统DTS-1000分立器件测试系统MOSFET动态参数测试ITC5900测试系统觉龙 T342栅极等效电阻测试系统
VFVRIR
内容|半导体器件测试
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半导体器件测试的目的：检验产品能否符合技术指标的要求剔除不良品根据参数进行分选可靠性筛选测试内容：静态电参数动态电参数热阻可靠性测试按阶段分芯片测试（中测）成品测试（成测）
半导体存储行业专题报告
半导体存储行业专题报告1投资分析根据WSTS数据，2021年全球存储市场规模1582亿美元，占半导体市场份额的比重为28.61%，为全球半导体行业重要的组成部分。
与之对比的是，国内存储产业相对弱小，在全球份额不高，2020年中国大陆存储器的国产化率为1%。
基于国内6家主要存储器上市公司，近五年存储板块加速增长，总营收规模由2017年的34.06亿元增长至2021年的188.87亿元，CAGR达53.45%；总归母净利润由2017年4.12亿元增长至2021年的42.17亿元，CAGR达78.87%。
兆易创新、北京君正和聚辰股份分别在NORFlash、车规DRAM和EEPROM等领域具有全球竞争力。
我们选取国内竞争力较强的NORFlash产业，借鉴其崛起路径并分析当前国内Fabless存储企业的布局以及利基存储产业进阶的可能性。
行业供需关系突发性变化导致参与企业资源再配置，而产品技术迭代弱化进入壁垒。
以IDM为主的存储行业在面对产品进入生命周期末端时，其资本开支计划日趋谨慎，在面对外部冲击时，资源条件的约束将迫使其放弃低端产线甚至完全放弃市场。
产品标准化和技术迭代弱化降低了进入壁垒，这将给新企业补位空间。
国内企业通过成本优势和市场机遇切入市场，并逐步形成从低到高的替代。
通过抓住SPINOR渗透率提升和消费电子机遇，兆易创新完成了容量与单价的快速上升并跻身产业前三；普冉股份利用SONOS工艺的成本优势以及中小容量需求的增长，其出货量超过26亿颗。
新增需求提供空间，与国内企业优势匹配，而国内晶圆代工产能自给率上升带来产能保障。
物联网与可穿戴设备的快速增长提供了行业新的空间，而此类下游对中小容量的需求更匹配国内企业的竞争优势，而国内晶圆代工产能自给率上升为Fabless企业提供产能保障，但同时一定程度上带来行业集中度的分散。
DDR3市场变化与2016-2017年NORFlash变化具有相似性，国内企业有望复制该路径实现产业进阶。
《半导体物理》实验指导书(2022年版)
《半导体物理》实验指导书（2022年版）半导体物理实验指导书信息工程学院电子科学与技术教研室2022目录实验一：霍尔效应1实验二：四探针法测量半导体电阻率及薄层电阻6实验三：椭偏法测薄膜厚度和折射率9附录A:《RTS-8型双电测四探针测试仪用户手册》11附录B:《WJZ/WJZ-Ⅱ型多功能激光椭圆偏振仪使用手册》30I实验一霍尔效应一、实验目的1.了解霍尔器材对材料要求的知识；2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响，测量试样的VH~IS曲线；3.学会确定试样的导电类型，载流子浓度以及电导率。
二、仪器设备QS-H型霍尔效应实验组合仪三、实验原理1.导体材料霍尔系数的确定由霍尔电压VH与磁感应强度B的关系，VHB和d，可计算出霍尔系数RHISB知，只要测出VH以及知道IS、dRHVHd（1）ISB2.导体材料导电类型的确定若实验中能测出IS、B的方向，就可判断VH的正负，决定霍尔系数的正负，从而判断出半导体的导电类型。
当RH0时，样品属N型（载流子为电子），反之则为P型（载流子为空穴）。
3.导体材料载流子浓度的确定由霍尔系数RH如果知道VH、IS、B，就可确定该材料的载流子浓度。
根据电导率与载流子浓度n以及迁移率之间的关系ne知，通过实验测出值即可求出1VHd，可得neISBIBnS（2）VHdeRH（3）4.霍尔组件对材料的要求根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率高、电阻率亦较高）的材料。
因RH，就金属导体而言，和均很低，而不良导体虽高，但极小，因而上述两种材料的霍尔系数都很小，不能用来制造霍尔组件。
半导体高，适中，是制造霍尔元件较理想的材料，由于电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔元件都采用N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔组件的输出电压较片状要高得多。
5.实验中的副效应及其消除方法在产生霍尔效应的同时，还存在一些与温度、电极与半导体接触处的接触电阻有关的效应，这些效应也会在霍尔元件的上下侧面产生电位差。
半导体产业分类
半导体产业分类半导体产业是当今全球经济增长的主要驱动力之一，也是现代生活的重要基础设施。
全球半导体产业面临着日趋激烈的竞争，因此将其分类，以便更好地了解它们的特性和功能，是有必要的。
在本文中，我们将为您介绍半导体产业的分类，并讨论每类半导体产业的特点和作用。
首先，可以将半导体产业分为三大类，分别是：电子元件、设备和服务。
电子元件类包括电子元件及其他关键元件，如存储器、处理器、集成电路、集成电路芯片等，它们起着非常重要的作用，包括存储、处理和传输数据。
设备类包括半导体设备、测试设备和生产设备，这些设备用于制造半导体产品以及维护和改进半导体设备的性能。
服务类包括技术服务、工程服务和其他服务，这些服务可以提供必要的支持，以改善半导体产品的性能。
其次，在电子元件类中，可以将电子元件划分为三类。
第一类是半导体元件，包括集成电路元件、晶体管、可控硅、普遍存储器、逻辑芯片以及光电子元件等，这些元件可以用于控制和传输电路信号。
第二类是计算元件，包括处理器、存储器、嵌入式系统等，这些元件可以用于存储、处理和转发数据。
第三类是通信元件，包括无线网卡、蓝牙模块、光纤收发器、传感器等，这些元件可以用于传输电子信号。
接下来，在设备类中，可以将半导体设备划分为三类，即焊接设备、测试设备和生产设备。
焊接设备包括熔焊机、焊锡机、气体保护焊机以及焊枪等，这些设备可以用于焊接半导体器件。
测试设备包括功率测试仪、电性测试仪、信号源仪、热释电仪等，这些设备可以用于测试和检测半导体器件的性能参数。
生产设备包括切割机、注塑机、烧结机以及封装机等，这些设备可以用于制造半导体产品。
最后，在服务类中，可以将服务划分为三类，即技术服务、工程服务和其他服务。
技术服务包括维修服务、认证服务、技术培训服务等，它们可以提供帮助，改善客户的产品性能和服务质量。
工程服务包括设计服务、工艺流程服务、产品检测服务等，它们可以提供必要的支持，实现半导体产品的质量控制。
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新型半导体存储器测试仪项目介绍
一、 技术背景
存储器产品在整个信息产业中占据了市场的60%，其主流产品为DRAM、
SRAM、FLASH以及硬盘和光盘等。截至2012年，存储器产品的产值在全球已
达3千亿美元。一些新型非易失性存储器的出现，如FRAM、PCRAM、RRAM
等，可以将FLASH存储密度提高10－100倍，擦写速度提高106倍，擦写电压
由目前9－17V降低到1.5V以下，同时可以替代DRAM和SRAM等，形成一种
通用存储器。
针对以上新型存储器技术开发，需要有专用可靠性测试设备，模仿存储器读
写方脉冲，在纳秒量级时间范围内进行存储器的存储能力、擦写时间、擦写次数、
数据保持时间等可靠性测试。现有半导体存储器（FLASH，RRAM，PCRAM等）
的可靠性测试设备一般采用最快至毫秒量级的三角脉冲，而不是存储器直接读写
的纳秒量级的方脉冲，只能测量秒至毫秒量级的电流－电压曲线，通过以上毫秒
量级的测量结果预言纳秒量级中存储器所读出逻辑信息，导致读出信息的严重失
真。尤其是，在铁电存储器（FRAM）及铁电功能材料性能测试研究领域，由于
铁电功能材料具有较高的自发极化强度和较大的介电常数特性,它作为一种极其
重要的功能性材料可应用于非挥发随机读取存储器(FRAM)、动态随机读取存储
器(DRAM)、非制冷红外探测器、薄膜介质电容器、电场调制的微波器件、AC
电致发光器件和薄膜传感器等。
二、市场情况
根据前期市场调查，中国大陆的铁电测试仪需求量大约是100台/年，每台
价格在25-30万元；而全球的年需求量超过1000台。目前商业主流铁电测试仪
（美国Radiant公司Premier系列和德国aixACCT公司的TF 2000系列）的测试
原理都是基于Sawyer-Tower或Virtual Ground电路，只能测量一些高度绝缘的铁
电薄膜电容器的电位移－电压等信息，无法表征漏电铁电薄膜，且材料的测试电
压为三角脉冲，测量频率低于100kHz，这极大限制科研工作者进一步研究铁电
功能材料原理及存储器件应用。这也迫使市场需要一款新型高性能的铁电功能材
料测试仪。
目前，尽管样机正在试制，但中科院上海技术物理所、中科院半导所、清华
大学、复旦大学、韩国首尔国立大学等国内外科研机构已明确了购买意愿。
三、 已有技术积累
我们在新型非易失性存储器电学测试领域已有超过10年的研究经历，并开
发了一系列先进的电学测量技术和平台，已申请了9项中国发明专利（已授权5
项），2项美国发明专利（即将授权）。以上关于铁电功能材料测试技术发明专利
受到美国Radiant公司高度重视，并表明了极大的购买意愿。超快电容－电压扫
描曲线的测量技术也引起了Agilent等国际大公司的极大兴趣。
目前，我们在上述测量技术研究成果的基础上开发一款全球最新的半导体存
储器测量设备，不仅可以覆盖和超过任何一款传统铁电、电介质材料（如美国
Radiant Technologies系列，德国aixccit TF Analyers系列）的一切测量功能，还
可以实现以下功能：
(1) 可以测量ns-s（或1Hz-GHz)绝缘或半导体薄膜的电容－电压特性，如Agilent
4194A 阻抗分析仪(1-40MHz)等所不能达到的频率范围等 （～50万/台）；
(2) 可以在纳秒量级测量MOS器件的电流－电压特性等，实现市场上HP 4156
半导体参数测试仪等设备测试功能，且测量时间呈几个数量级的缩短 （～60万
/台）；
(3) 实现任何半导体存储器的可靠性功能测试，如FLASH、RRAM、PCRAM、
FeRAM等的擦写时间、信息保持时间、擦写次数等测试。
获授权发明专利：
1. 专利号：ZL 2009 1 0199381.X，“一种测量漏电铁电薄膜电滞回线的方法”;
发明人：江安全，刘骁兵；授权公告日：2012年01月18日。（授权）
2. 专利号：ZL 2009 1 0054686.1，“一种快速测量铁电薄膜印刻效应的方法”，
发明人：江安全，翁旭东；授权公告日:2012年07月04日。（授权）
3. 专利号：ZL 2009 1 0195455.2，“一种快速电压扫描测量铁电薄膜微分电容
的方法”， 发明人：江安全，刘骁兵；授权公告日：2012年05月30日。（授
权）
4. 专利号：ZL 2010 1 0102118.7“一种铁电氧化物/半导体复合薄膜二极管阻
变存储器”，发明人：江安全，刘骁兵，王灿；授权公告日：2012年07月
05日。（授权）
5. 专利号：ZL 2010 1 0175142.3，“一种极化调谐铁电薄膜二极管存储器”，
发明人：江安全，刘骁兵；授权公告日：2013年03月20日。（授权）
已申请的发明专利目录
6. 201110000987.3，“一种电畴运动速度可调的脉冲电压测量法“， 江安全，
刘骁兵， 2011.1.5。
7. 201110000987.3，“一种铁电畴运动速度可调的脉冲电压测量法”，江安全，
刘骁兵. 国际专利已申请，中國專利代理(香港)有限公司，2011 年9 月10
日。FPEL11150025P, PCT/CN2011/000578,美国发明申请号：13387044（即
将授权）
8. 201110203557.1，2011，7，30，“一种绝缘/漏电铁电薄膜电畴反转电流测
量与转换为电滞回线的方法”， 江安全，丁士进，刘骁兵，国际专利已申请
(PCT/CN2011/001858)，中國專利代理(香港)有限公司，2011 年9 月10 日
（即将授权）
9. 2012022100265650，“铁电薄膜电畴区域运动速度与矫顽电场关系的测量方
法”，江安全，陈志辉，2012年2月21日。
四、 与北京普源精电科技有限公司（普源公司）合作进行设备制造
近期合作：由于我们在部分测试方法上实现了原理性突破，与普源公司联合
生产的以铁电存储及铁电功能材料测试为主要特色的半导体存储测试仪以及全
新的超快电容－电压扫描分析仪将在国内外市场上有极强的价格竞争力和技术
竞争力。
长期合作：争取能实现联合生产测试半导体器件的半导体参数测试仪、集成
电路芯片测试设备等。一方面，普源公司的高端产品比如示波器，频谱仪等更容
易在类似于复旦大学这样的高校找到客户，拓展更大的市场。另一方面，复旦微
电子IC设计团队设计的一些芯片能够在国内代工厂流片生产，并逐步应用到普
源公司的产品上，通过普源公司有效推进国产核心芯片器件产业化，同时为普源
公司设计国际领先的电学测试设备扫清核心芯片受制欧美高端芯片出口管制的
瓶颈，建立更好的品牌效应。符合国家中长期科学发展战略重点强调的核心集成
电路芯片国产化的目标。此外，生产半导体参数测试仪，集成电路芯片测试设备
等也可使普源公司在集成电路电学测试领域打开一个新市场，从而打破目前全部
由欧美企业垄断该市场的局面。