RAMTRON铁电存储器选型表
NCC 黑金刚电容产品选型表
5×5.8 5×5.8 5×5.7 6.3×5.7 6.3×5.7 6.3×4.5 5×5.8 8×6.7 8×6.7
25 22 30 26 35 19 17 25 30
2150 2610 1490 2450 2450 2780 3390 3020 3020
180 220
270
PXT PXE
5×5.8 6.3×5.8
560
680
PXF
6.3×5.8
12
3500
PXT PXK PXF PXF PXF PXE PXE PXA PXH PXF PXE PXA
6.3×5.8 6.3×5.8 6.3×5.8 6.3×7.7 8×6.7 6.3×7.7 8×6.7 8×6.7 8×6.7 8×6.7 8×6.7 8×12
26 16 10 9 10 13 13 23 30 10 13 12
25Vdc
公称 铝壳尺寸 (φD×L) ESR＊1 纹波 电流＊2
10 15 22 27 33 39 PXS PXA PXA PXE PXA PXG PXS PXS PXE PXA PXH 5×5.8 5×5.7 6.3×4.4 5×5.8 6.3×5.7 5×4.5 5×5.8 6.3×5.8 5×5.8 6.3×5.7 6.3×5.7 90 45 45 35 37 50 35 37 35 37 50 1060 1210 1490 2070 2050 1860 1820 2050 2070 2050 2050 PXA PXA PXH PXG PXA 6.3×4.4 6.3×5.7 6.3×5.7 5×4.5 8×6.7 57 50 60 55 45 1300 1650 1650 1770 2000 PXA 6.3×4.4 57 1300
铁电存储器FM1808
铁电存储器FM1808铁电存储器是Ramtron公司近年来推出的一款掉电不挥发的存储器，它结合了高性能和低功耗的操作，能在没有电源的情况下保存数据。
FRAM克服了EEPROM 和Flash写入时间长、擦写次数少的特点。
其价格又比相同容量的不挥发锂电SRAM低很多，已在工控仪表、办公复印机、高档服务器等系统中应用，具有广阔的应用前景。
本文介绍一种并行接口铁电存储器FM1808的特点。
同时根据某军用装备中数字信号处理系统对该存储器的应用实例，给出了一种双CPU模拟读写时序控制铁电的设计方案。
实现了软件根据数据处理速度需要控制铁电存储器的系统设计。
1.FM1808铁电存储器FM1808是Ramtron公司近年推出的一款低电压，容量为32k×8bitFRAM，其主要特点如下，并行接口；提供SOIC和DIP两种封装；功耗低，静态电流小于15μA，读写电流小于10mA；非易失性，掉电后数据能保存10年；100亿次以上的读写次数。
其内部结构如图1所示。
2.引脚说明附表为FM1808各个引脚的功能。
（1）片选使能端，CE（低电平有效），用于对器件的选择控制。
与众不同的是，CE（低电平有效）端在下降沿对地址数据进行锁存，同时选通器件。
如果地址数据在CE（低电平有效）端呈稳定状态时改变，将会被忽略，不会记录在铁存中。
（2）写使能端，WE（低电平有效），在地址数据被所存后，将数据总线上的数据写入铁存。
读操作时必须保持高电平。
（3）读使能端，OE（低电平有效），控制把数据放到I/O总线上。
读操作时必须保持高电平。
（4）地址端口（A0~A14），15根地址线用以选择铁存中32768个字节单元中的任一个。
（5）数据端口（D0~D7），8根数据线，双向用于记录数据进出铁存。
3.读/写操作FM1808的读操作开始于CE（低电平有效）的下降沿，在这个时刻，地址被锁存同一个内存周期被初始化。
一旦开始，一个完整的内存周期将在内部完成，即使CE（低电平有效）被置为无效。
变压器选型手册.
祖尔（上海）电器制造有限公司变压器选型手册一。
为方便用户选择合适产品型号，特说明如下：SG SBK系列三相干式隔离变压器SG SBK系列三相干式隔离变压器是本厂在参照国际同类产品，结合我国国情的基础上研制生产的新一代节能型电力变压器，从300VA到1600KVA之间，符合IEC439、GB5226等国际、国家标准，绕组采用脱胎整列绕制方法；变压器进行真空浸漆，使变压器的绝缘等级达到F级或H级，产品性能达到国内外先进水平。
SG系列三相干式隔离变压器广泛适用于交流50Hz至60Hz，电压2000V以下的电路中，广泛用于进口重要设备、精密机床、机械电子设备、医疗设备、整流装置，照明等。
产品的各种输入、输出电压的高低、联接组别、调节抽头的多少及位置（一般为±5％）、绕组容量的分配、次级单相绕组的配备、整流电路的运用、是否要求带外壳等，均可根据用户的要求进行精心的设计与制造。
+ 产品特点在隔离变压器建立新的中线-接地就可解除电网中共模干扰和其它中线的困扰，隔离变压器将三线△接线转换为四线Yo系统，加屏蔽就进一步免除了由变压器内部耦合的高频脉冲干扰和噪音，虽然有屏蔽的隔离变压器对各种N-G来的干扰（脉冲和高频噪声）能有效防止，但变压器必须正确妥善接地，十分严格，否则抗共模干扰将无效果。
本公司可以为客户设计生产高质量的隔离变压器。
+ 特性优点：Ø 高度隔离Ø N-G性能良好Ø 高度共模干扰抑制Ø 将△转换为Y或Y至△Ø 电压抽头容易转换Ø 按用户的特殊性能要求设计+隔离变压器加装在稳压电源的应用一、在电源输入端接入隔离变压器（三角/星形）1、若电网三次谐波和干扰信号比较严重，采用△/Yo隔离变压器，可以去掉三次谐波和减少干扰信号。
2、可以采用△/Yo隔离变压器产生新的中性线，使设备与电网中性线无关，避免由于电网中性线不良造成设备运行不正常。
FeRAM铁电存储器魏双
结构原理
铁电存储器器件结构
目前铁电存储器最常见的器件结构是 Planar (平面式)和Sபைடு நூலகம்ack(堆叠式)结 构，两者的区别在于铁电电容的位置 和电容与MOS管互连的方式。在平面式 结构中，将电容置于场氧上面，通过 金属铝，将电容上电极和MOS管有源区 相连，工艺相对简单，但单元面积较 大；而在堆叠式结构中，将电容置于 有源区，通过塞子(Plug)将电容下电 极和MOS管源端相连，需要CMP工艺， 集成密度较高。另外，堆叠式结构可 以采用铁电电容制作在金属线上的做 法，从而减少铁电电容在形成过程中 对工艺的相互影响。
应用
三、非易失性缓冲
铁电存贮器（FeRAM）可以在其它存储器之前快速存储数据。在此情况 下，信息从一个子系统非实时地传送到另一个子系统去。由于资料的 重要性, 缓冲区内的数据在掉电时不能丢失，在某些情况下，目标系 统是一个较大容量的存储装置。FeRAM以其擦写速度快、擦写次数多使 数据在传送之前得到存储。 典型应用：工业系统、银行自动提款机 (ATM), 税控机, 商业结算系 统 (POS), 传真机，未来将应用于硬盘非易失性高速缓冲存储器。
应用
二、参数设置与存储 FeRAM通过实时存储数据帮助系统设计者解决了突然断电数据丢失的问 题。参数存储用于跟踪系统在过去时间内的改变，它的目的包括在上电 状态时恢复系统状态或者确认一个系统错误。总的来说，数据采集是系 统或子系统的功能，不论何种系统类型，设置参数存储都是一种底层的 系统功能。 典型应用： 影印机,打印机,工业控制,机顶盒,网络设备和大型家用电 器
制造工艺
铁电存储器技术和标准的CMOS制造工艺相兼容。铁电薄膜被放置 于CMOS基层之上，并置于两电极之间，使用金属互连并钝化的方 法完成铁电存储器的制造。
铁电存储器 [自动保存的]
![铁电存储器 [自动保存的]](https://img.taocdn.com/s3/m/11a7c8076529647d2628523c.png)
二、FRAM原理及特点
写入方法与DRAM稍有不同。DRAM利用电容器中有无电荷记录数据，因此使用名 为位线的布线单向加压。而FeRAM由于必须双向加压，因此除位线以外，还添加 了名为板线的线路。写入“1”时，由板线向位线加压。写入“0”时则反过来由 位线向板线加压。 读取方法也不同于DRAM。DRAM根据电容器中有无电荷判定 “1”或“0”。而FeRAM则不能直接读出电容器的状态。因此读取时通过强行写 入“1”，来判定“0”还是“1”。数据为1时由于状态不变，因此电荷移动少。 而数据为0时由于状态发生反转，因此会产生大的电荷移动。利用这种电荷差判 定1和0， FeRAM在读取时也进行写入动作。
铁电存储器成品图
五、FRAM与其它存储技术比较
FRAM与E2PROM FRAM可以作为E2PROM的第二种选择，它除了 E2PROM的性能外，访问速度要快得多。
FRAM与SRAM 从速度、价格及使用方便来看SRAM优于FRAM，但 是从整个设计来看，FRAM还有一定的优势。 非易失性的FRAM可以保存启动程序和配置信息。如 果应用中所有存储器的最大访问速度是70ns，那么可以 使用一片FRAM完成这个系统，使系统结构更加简单。
但是在铁电电容中反复写入会使之加速老化。
也就是说不仅是写入时，读取时FeRAM也会产生 老化，并且FeRAM在读取时与DRAM一样，是破坏 性读取，所以也需要像DRAM那样进行回写操作
FRAM的读操作
FRAM读操作过程是：在存储单元电容上施加一已 知电场，如果原来晶体的中心原子的位置和施加的电 场方向后使中心原子达到的位置相同，则中心原子不 会移动；若不相同，则中心原子将越过晶体中间层的 高能阶到达另一位置，则在充电波形上就会出现一个 尖峰，即产生原子移动的比没有产生移动的多了一个 尖峰，把这个充电波形 同参考位的充电波形进行比较， 便可以判断检测的存储单元中的内容是“1”或“0”。。
铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究
铁电存储器激光微束单粒子效应试验研究魏佳男;郭红霞;张凤祁;罗尹虹;潘霄宇;丁李利;赵雯;刘玉辉【摘要】利用脉冲激光微束单粒子效应(SEE)模拟装置,研究了铁电存储器(FRAM)工作频率对其单粒子翻转(SEU)的影响.研究结果表明,随工作频率的降低,被测器件SEU截面显著增大,且翻转是由外围电路引发的.被测芯片1→0翻转截面明显大于0→1翻转截面.对FRAM工作时序及不同芯片使能信号(CE)占空比下SEU截面的分析表明,频率降低导致的CE有效时间延长与SEU截面的增大有直接关系.本文同时开展了FRAM不同功能模块的单粒子锁定(SEL)敏感性试验,获得了相应的SEL阈值能量和饱和截面,并研究了静态和动态工作模式下由SEL引发的数据翻转情况,发现动态模式下被测器件更易受SEL影响而发生翻转.%The influence of operating frequency on single event upset (SEU) in ferro-electric random access memory (FRAM) was studied using the pulsed laser microbeam single event effect (SEE) facility.The experiment results show that the SEU cross section of FRAM increases notably with the decrease of operating frequency, and the SEU is caused by peripheral circuit.The cross section from 1 to 0 upset is larger than that from 0 to 1.The analysis of the function timing of FRAM and the SEU cross section under different duty cycles of chip enable (CE) signal indicates that the extension of CE active time due to reduced operating frequency has a direct relationship with the increase of SEU cross section.The experiment on single event latch-up (SEL) sensitivity of function block in FRAM was also studied and the SEL energy threshold and saturated SEL cross section were presented.Data upsets caused by SEL at both static and dynamic modes were discussed at thesame time respectively.It's found that the test device is more susceptible to SEL-induced upsets at dynamic mode.【期刊名称】《原子能科学技术》【年(卷),期】2017(051)005【总页数】7页(P902-908)【关键词】铁电存储器;单粒子效应;激光微束;工作频率【作者】魏佳男;郭红霞;张凤祁;罗尹虹;潘霄宇;丁李利;赵雯;刘玉辉【作者单位】湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭 411105;湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭 411105;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;西北核技术研究所,陕西西安 710024;湘潭大学材料科学与工程学院,湖南湘潭 411105【正文语种】中文【中图分类】TN406在航天电子系统中，半导体存储器在信息的获取和存储方面具有重要作用。
MCU及常见MCU外围电路
电子系统设计与实践
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2013/5/12
Cortex-M3
电子系统设计与实践
29
2013/5/12
Cortex-M4
电子系统设计与实践
30
2013/5/12
CMSIS
ARM Cortex 微控制器软件接口标准
(CMSIS) 是 Cortex-M 处理器系列的与 供应商无关的硬件抽象层。 使用 CMSIS，可以为接口外设、实时操作系 统和中间件实现一致且简单的软件接口， 从而简化软件的重用、缩短新微控制器 开发人员的学习过程，并缩短新产品的 上市时间。
电子系统设计与实践
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2013/5/12
嵌入式处理器（常见）
ADI
ADSP-BF53x/56x （Blackfin 16bits） TI OMAP2、DM64x、达芬奇 （ARM+TI DSP） Intel Pentium-M C-M 、 Core-Duo （x86） Via C7 （x86） Altera NiosII （NiosII soft core） Xilinx PowerPC（硬核）/MicroBlaze 软核 Magiceyes MMSP2 MP25xx （Dual ARM9） ARM Cortex内核（Cortex-A8/Cortex-A9）
Cortex-M核芯片
意法半导体-- STM STM32 F0xx系列（M0 48MHZ） STM32 Lxxx系列(M3 32MHZ) STM32 F1xx系列(M3 72MHZ) STM32 F2xx系列(M3 120MHZ) STM32 F4xx系列(M4 168MHZ)
电子系统设计与实践
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2013/5/12
FM24CL64中文资料,无延迟写周期,铁电存储器
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源正常或者没有新的地址被写入，那么内部地址将一 直保持。读操作总是使用当前地址，如果要执行一个 随机地址读操作，那么必须执行一个写操作，这一点 将在下面进行描述。 每一个字节传送后，FM24CL64内部地址锁存器在应答 前递增。这样在没有另外的寻址要求情况下，就可以
访问下一个顺序字节。在最后一个地址１ＦＦＦＨ到达后， 地址计数器的内容又返回到００００Ｈ。在一个读写操作
主机每次应答一个字节后，标明ＦＭ２４ＣＬ６４将读出 下一个顺序字节。 有四种方式可以正确的终止读操作，失败地终止 读操作就很有可能会造成总线竞争，此时 FM24CL64总是试图读出额外的数据送到总线上。
数据/地址传送
所有数据传送（包括地址）都发生在SCL为高电平 的时候，除了以上两种情况外，SDA信号在SCL 为高电平时不能改变。
应答
在任何传送中，应答信号出现在第8位数据位被传 送之后，在这个状态下，发送方应该释放SDA信号 以便由接收方驱动。接受方驱动SDA为低电平，以
应答收到一个字节数据。如果接收方没有发出 应答信号，那么这是一个无应答状态，操作 将被中止。有两个明显的理由使得接收方没有发
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总体概述
FM24CL64是一种串行非易失存储器，它的 结构容量为8，192*8位，接口方式为工业标准二 线制造串行接口，与串行EEPROM的功能操作相 似，与EEPROM具有相同的引脚排列，不同之处 在于，FM24CL64具有非常出色的写操作性能。