电子材料导论各章复习汇总
电子材料课后题
第一章电子材料概论1.晶体有哪些基本特征？简述晶体与非晶体的异同。
答：晶体的宏观特征:（1）有规则的外形（自范性）；（2）晶体的均匀性，来源于晶体中原子排布的周期性规则，宏观观察中分辨不出微观的不连续性；（3）物理性质的各异向性；（4）稳定性，晶体有固定的熔点；（5）解理性非晶态的特点：原子的空间排列不具有周期性，长程无序，短程有序;物理性能各向同性；介稳状态。
2.晶体中的缺陷及其类型有哪些？答：晶体中的缺陷，是指实际晶体与理想的点阵结构发生偏离的地区。
由于点阵结构具有周期性和对称性，所以凡使晶体中周期性势场畸变的因素称为缺陷。
类型：电子缺陷，原子缺陷。
原子缺陷:杂质、位错、空位等。
原子缺陷按几何形状分为:点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷、微缺陷。
3.什么是晶粒间界？大角度晶界有哪些常用模型？相界有哪些类型？答：单相多晶材料中，晶粒与晶粒间的过渡区，称晶粒间界（GB）。
大角度晶界常用模型：过冷液体模型，小岛模型。
相界：系统内含有两个或两个以上的相，当处于热力学平衡时，不同相之间的界面。
类型:非共格相界，共格相界，准共格相界，分界面。
4.简述X射线结构分析的基本原理和常用方法。
答：由于晶体中原子排列的对称性和周期性，X射线对晶体来说是天然光栅，所以当X射线通过晶体时，就会出现衍射现象，因而通过对衍射花样的分析和计算，就可以获得晶体结构的各种参数。
常用方法：单晶衍射法，粉末法。
5.简述近代表面分析方法的基本原理和常用表面分析方法。
答：用一定能量的某种射线或粒子束去激发固体表面后，将产生带有某种表面信息的表面射线，用这种射线进行能量分布的分析。
常用表面分析方法：透射电子显微镜，扫描电子显微镜。
6.简述纳米材料的结构与性能特征。
答：纳米材料是指材料中颗粒（晶粒）尺寸处于纳米范围（2~10nm）的金属、合金、金属氧化物、无机物或聚合物等材料，包括纳米微粒、纳米结构、纳米复合材料；材料本身具有量子尺寸效应、表面界面效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应。
材料科学导论复习要点(完结篇)
复习要点(Emphasis of revision)1. 考试是以PPT 和上述参考书内容为主。
2. 试题一共10题，有一半简单计算一半概念题。
3. 试题内容包含在上述复习要点中。
的部分为重点复习内容 ◆ PPT 第二讲 (英文参考书第二章） 原子结构的回顾电子，质子，中子，原子的量子力学，电子态，周期表 固体中的原子键合键能键能（Bond Energy ）通常是指在101.3KPa 和298K 下将1mol 气态分子拆开成气态原子时，每个键所需能量的平均值，键能用E 表示。
是表征化学键强度的物理量，可以用键断裂时所需的能量大小来衡量。
基本的原子键离子键，共价键，金属键正负离子间的静电相互作用是离子键的根源。
共价键的本质在于两个原子各有一个自旋相反的未成对的电子，由于原子轨道相重叠而构成价键轨道，导致体系的能量下降。
金属键在本质上和共价键有类似的地方，但是其外层电子比共价键更公有化，电子自由游移于正离子之间，遍及整个晶体，构成近自由电子，这就像是正离子浸在近自由电子的海洋之中。
金属键和共价键最明显的区别就是金属键缺乏方向性和饱和性。
二次键（范德华力） ◆ PPT 第三讲 (英文参考书第三章）结构基元：通过周期性重复排列而组成晶体的最基本的重复单元。
晶体结构−−−−−−→偶极矩的感作用近原子相互作用→荷位移→偶极子(dipoles ）范德力面心立方结构，体心立方结构，六角密堆结构原子堆积因素原子堆积系数APF=原子总体积／结构基元体积配位数：相邻原子周围没有电子轨道重叠的参考原子（离子）的数量。
（1）面心立方结构：配位数CN=12每个结构基元的原子数，n=4面上：6×1／2=3角上原子数：8×1／8=1原子堆积系数APF=0.68总体积:结构基元的体积:（2）体心立方结构：a=4R √3配位数CN=8每个结构基元的原子数，n=2中间原子数：1×1=1角上原子数：8×1／8=1原子堆积系数APF=0.68 （3）六角密堆结构：配位数CN=12每个结构基元的原子数，n=6中间原子数：1×3=3角上原子数：12×1／6=2角上原子数：2×1／2=1原子堆积系数APF=0.7 原子堆积系数密度计算：其中：Vc=a 3(FCC 和BCC)， a=2R √2(FCC)；a=4R √3(BCC)；n —原子中的结构基元数；A---分子量；N A =6.023×1023atoms/mol.晶面指数结晶取向◆ PPT 第四讲 (英文参考书第四、五章）点缺陷：包括（空缺，间隙，杂质）晶体中的点缺陷是在晶体晶格结点上或邻近区域偏离其正常结构的一种缺陷。
模电各章重点内容及总复习
模电各章重点内容及总复习《模电》第一章重点掌握内容:概念半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。
本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。
本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。
它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。
P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。
N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。
PN结形成:浓度差?多子扩散,空间电荷区(杂质离子) 内电场促使少子漂移阻止多子扩散?当多子扩散和少子漂移达到动态平衡，形成PN 结。
PN结=空间电荷区=耗尽层=内电场=电阻。
PN结特点:具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏)，PN结正向导通，P接负、N接正时(称反偏)，PN结反向截止。
所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。
二极管按材料分有硅管(S管)和锗管(G管)，按功能分有普通管，开关管、整流ie管、稳压管等。
二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。
其死区电压:S管约0。
5V，G管约为0。
1ie1/19页V ，其死区电压:S管约0.5V，G管约为0.1 V 。
ie其导通压降:S管约0.7V，G管约为0.2 V 。
这两组数也是判定材料的依据。
ie10、稳压管是工作在反向击穿状态的:加正向电压时，相当正向导通的二极管。
(压降为0.7V，)加反向电压时截止，相当断开。
加反向电压并击穿(即满足U，U)时便稳压为U 。
ZZ11、二极管主要用途:整流、限幅等。
二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U 。
电子材料知识点总结
电子材料知识点总结一、电子材料的种类电子材料的种类非常多，主要包括金属材料、半导体材料和绝缘体材料三大类。
1. 金属材料金属材料是一种常见的电子材料，其导电性能良好，适用于制造电子设备中的导电线路、电子元件等。
常见的金属材料包括铜、铝、铁等。
2. 半导体材料半导体材料是一种电导率介于金属和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料包括硅、锗等。
由于其导电性能可控，可根据需要设计出不同的电子器件，因而被广泛应用于电子领域。
3. 绝缘体材料绝缘体材料是一类导电性很差的材料，其主要作用是绝缘、隔离电路。
常见的绝缘体材料包括玻璃、陶瓷、塑料等。
在电子设备中，绝缘体材料主要用于制造电子设备的外壳、绝缘层等。
二、电子材料的特性1. 导电性导电性是电子材料的一个重要特性，金属材料是最好的导电材料之一，其导电性能优良，适用于制造电子设备中的导电线路、电子元件等。
半导体材料的导电性能可控，可根据需要设计出不同的电子器件。
绝缘体材料的导电性很差，主要用于绝缘、隔离电路。
2. 光电性光电性是一种在光照射下产生电子运动的性质，常见的光电材料有硅和锗等半导体材料。
光电材料主要应用于光电器件领域，如太阳能电池、光电传感器等。
3. 热电性热电性是一种在温度变化下产生电流的性质，常见的热电材料有铋锑合金、硅锗合金等。
热电材料主要应用于制造热电器件，如热电散热器、热电发电器等。
4. 磁性磁性是电子材料的另一个重要特性，磁性材料主要包括铁、镍、钴等金属材料，其主要应用于制造电磁器件，如电磁铁、电磁感应器等。
5. 其他特性除了上述特性外，电子材料还具有许多其它特性，如机械性能、化学稳定性、耐磨性等。
三、电子材料的应用领域电子材料在各种电子设备中都有广泛的应用，主要应用领域包括电子通信、计算机、消费电子产品等。
1. 电子通信电子通信设备是电子材料的一个重要应用领域，其中包括手机、电视、无线网络设备等。
在这些设备中，电子材料主要用于制造电路板、电子元件、天线等。
微电子材料复习大纲
一、微电子材料概述1、摩尔定律：集成度每3年乘以4，加工工艺的特征线宽每6年下降一半。
摩尔定律中提到的减少成本是集成电路最大的吸引力之一，并且随着技术发展，集成化程度越高，低成本的优点更为明显。
2、3、2010年10月5日，瑞典皇家科学院将2010年的诺贝尔物理学奖授予英国曼彻斯特大学的两位教授Andre Geim 和Konstantin Novoselov，以表彰他们对石墨烯的研究。
石墨烯是至今发现的厚度最薄和的强度最高的材料。
4、目前全球最主要的晶圆代工厂包括TSMC、三星、台联电、GlobalFoundries、IBM、SMIC、华虹宏力等。
5、特征尺寸继续缩小所面临的挑战包括：1、微细加工——光刻技术；2、互连技术——铜互连；3、新型器件结构&材料体系——高、低K介质、金属栅电极、SOI材料等。
6、在半导体中存在着自由电子和空穴两种载流子，而导体中只有自由电子这一种载流子，这是半导体与导体的不同之处。
7、在掺入杂质后，载流子的数目都有相当程度的增加。
因而对半导体掺杂是改变半导体导电性能的有效方法。
二、硅和锗的化学制备1、根据物质的导电性,物质可以分为金属、半导体及绝缘体，人们发现，电子在最高能带的占有率决定此物质的导电性。
2、根据材料的重要性和开发成功的先后顺序,半导体材料可以分为三代：第一代半导体材料---硅(Si)；第二代半导体材料---砷化镓(GaAs)；第三代半导体材料---氮化镓(GaN)。
3、（物理性质）硅的禁带宽度比锗大，电阻率也比锗大4个数量级，因此硅可制作高压器件且工作温度比锗高。
但是锗的迁移率比硅大，可做低压大电流和高频器件4、硅的主要来源是石英砂，另外，在许多的矿物中含有大量的硅酸盐，也是硅的来源之一。
通常把95%-99%纯度的硅称为粗硅或工业硅。
5、制备高纯硅主要采用两种方法：三氯氢硅氢还原法和硅烷法，两种方法各有利弊。
其中三氯硅烷法（SiHCl3)☞产量大、质量高、成本低，是目前国内外制取高纯硅的主要方法。
电子功能材料知识点总结
电子功能材料知识点总结一、电子功能材料的分类1. 金属材料：金属材料具有良好的导电性和导热性，通常用于制造电子器件的导线、电极、散热器等部件。
典型的金属材料包括铜、铝、铁、钴、镍等。
2. 半导体材料：半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的电导性能，广泛应用于电子器件中。
常见的半导体材料包括硅、锗、氮化镓、碳化硅等。
3. 绝缘体材料：绝缘体材料具有很高的电阻和介电常数，通常用于电子器件的绝缘层和封装材料。
常见的绝缘体材料包括玻璃、陶瓷、塑料等。
4. 导电聚合物材料：导电聚合物材料具有良好的导电性能和可塑性，可用于制造柔性电子器件和导电涂料。
典型的导电聚合物材料包括聚苯胺、聚噻吩、聚对苯二酮等。
5. 光电功能材料：光电功能材料能够将光能转换为电能或者将电能转换为光能，常用于光电器件和太阳能电池。
典型的光电功能材料包括硅、铟镓砷化物、有机光电材料等。
6. 磁电功能材料：磁电功能材料可以实现磁场与电场的相互转换，常用于传感器和电子存储器件。
典型的磁电功能材料包括铁电材料、铁磁材料、多铁材料等。
7. 储能功能材料：储能功能材料能够存储电能并具有可持续释放的特性，常用于储能器件和超级电容器。
典型的储能功能材料包括电解质、导电聚合物、石墨烯等。
二、电子功能材料的功能1. 电导率：电子功能材料具有不同的电导率，可用于制造导线、电极、晶体管等电子器件。
2. 磁性：电子功能材料具有不同的磁性，可用于制造磁记录器、传感器、电磁铁等磁性器件。
3. 光学：电子功能材料具有不同的光学性能，可用于制造光电器件、激光器件、光纤通信器件等。
4. 导热：电子功能材料具有不同的导热性能，可用于制造散热器、导热材料、热敏器件等导热器件。
5. 储能：电子功能材料具有不同的储能性能，可用于制造超级电容器、锂电池、太阳能电池等储能器件。
6. 传感：电子功能材料具有不同的传感性能，可用于制造温度传感器、压力传感器、湿度传感器等传感器。
三、电子功能材料的应用1. 电子器件：电子功能材料可用于制造电阻器、电容器、电感器、晶体管、集成电路等电子器件。
电子材料与电子元器件期末复习
3.HBT、HEMT 名称含义、类别（单双极）、特性 （1）HBT：异质结双极型晶体管 HBT 器件的直流特性
即使是在 NE 远小于 NB 的时候，也能获得很高的βmax 值。 HBT 器件的高频特性：
5
功率增益与截至频率成正比，与基区寄生电阻和集电极-基极结电容成反比 （2）HEMT 调制掺杂场效应晶体管（MODFET）又称为高电子迁移率晶体管（HEMT）、二维 电子气场效应晶体管（TEGFET）。 MODFET 的独特性在于异质结构，在该结构中对宽能隙材料进行掺杂，载流子扩 散到未掺杂的窄能隙材料中，并在此形成沟道，沟道中电子在垂直方向上的动量 是量子化的（即二维电子气） 。 这种调制掺杂的实际结果是，未掺杂异质界面上的载流子在空间上与掺杂区隔离， 且由于不存在杂质散射而具有极高的迁移率。 4.半导体光电器件分类及其定义
（5）P 型（受主杂质）： • 以受主杂质掺杂为主的半导体，其导电性主要由受主激发到价带顶的空穴 决定，这种主要依靠空穴导电的半导体叫 P 型半导体。
（6）费米能级: 由杂质能级或满带所激发的电子，使导带产生电子或使价带产生空穴，这些电子 或空穴致使半导体导电，统称为载流子。 导带中电子的分布遵循费米分布的一般规律。 （7）非平衡载流子： 在外界作用下，有可能使电子浓度和空穴浓度偏离平衡值。例如，在光照下，由 价带激发电子至导带而产生电子空穴对，使电子密度增加 Δn，空穴密度增加 Δp， 多余的载流子称为非平衡载流子。 （8）霍尔效应： 当电流垂直于外磁场通过导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会 产生一附加电场，从而在导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应。 2.半导体性质： （1）光电效应 在高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形 成电流，即光生电。 （2）压阻效应 压阻效应，是指当半导体受到应力作用时，由于应力引起能带的变化，能谷的能 量移动，使其电阻率发生变化的现象。 （3）磁阻效应
电工电子复习知识点总结
电工电子复习知识点总结第一章电工基础知识1. 电流电流是电子运动形成的，单位是安培。
电流的方向是电子流动的方向。
2. 电压电压是电流的推动力，单位是伏特。
电压的方向是电子流动的方向与电流方向相反。
3. 电阻电阻是电流通过的阻力，单位是欧姆。
电阻越大，电流越小，电压越大，成正比关系，符合欧姆定律。
4. 电阻的串并联串联电阻相加，并联电阻倒数相加再取倒数。
5. 电功率电功率是电路中消耗的能量，单位是瓦特。
电流乘以电压即为电功率。
6. 电路定律基尔霍夫定律：节点电流定律和环路电压定律。
第二章电线制作和连接1. 电线的制作电线可以分为导线和绝缘层，可以采用铜线或铝线作为导线，绝缘层可以采用PVC材料。
2. 电线连接电线连接可以采用螺丝端子连接、焊接连接或压接连接。
3. 电缆电缆由若干根电线和绝缘层构成，可以分为单芯、双芯、多芯等。
4. 插头插座插头插座分为三脚插头插座和两脚插头插座，分为家用插座和工业插座。
第三章电子元件1. 电阻电阻的颜色编码和功率计算。
2. 电容电容的单位是法拉，可以分为电解电容、陶瓷电容和瓷介电容。
3. 电感电感的单位是亨利，可以分为铁磁电感和非铁磁电感。
4. 二极管二极管有正向导通和反向截止的特性，可以分为硅二极管和锗二极管。
5. 晶体管晶体管分为NPN型和PNP型，可以分为功率管和小信号管。
6. 可控硅可控硅可以进行触发控制，分为普通可控硅和双向可控硅。
第四章电路分析1. 直流电路分析直流电路的基本分析方法为基尔霍夫定律和节点电流法。
2. 交流电路分析交流电路中需要考虑阻抗，采用复数法进行分析。
第五章电路原理1. 电压放大器电压放大器可以采用晶体管或运放进行放大。
2. 电流放大器电流放大器可以采用二极管、管子或晶体管进行放大。
3. 信号发生器信号发生器可以产生正弦波、方波、三角波等信号。
4. 功率放大器功率放大器可以采用管子、晶体管或集成电路进行放大。
第六章电子工艺学1. 电路板制作电路板制作分为点胶、曝光、蚀刻、热转印、钻孔、脱膜等工艺。
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电子材料复习资料 第一章 名词解释 1、电子材料：是指与电子工业有关的、在电子学与微电子学中使用的材料，是制作电子元器件和集成电路的物质基础。结构电子材料是指能承受一定压力和重力，并能保持尺寸和大部分力学性质（强度、硬度及韧性等）稳定的一类材料；功能电子材料是指除强度性能外，还有特殊性能，或能实现光、电、磁、热、力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料；先进电子材料是指具有优异的性能的高科技产品，正在进行商业化或研制之中，并具有一定的保密性。 2、晶胞：对于实际的三维晶体，将其恰当地划分成一个个完全等同的平行六面体，叫晶胞。 3、晶面：由不同位置原子组成的平面 4、对于固体-固体界面，当这些固体属同一晶相，仅结晶取向不同时，这种界面称为晶界(grain boundary)或晶体边界(crystal boundary)，当这些固体晶相不同，即组成和晶体构造都不相同时，其界面称为相界(phase boundary)。 5、理想表面是为分析问题方便而设定的一种理想的表面结构。 6、实际表面是指材料经过一般的加工（切割、研磨、抛光、清洗）后，保持在常温、常压下的表面，当然有时也可能在低真空或高温之下。 7、不存在吸附物也不存在氧化层的固体表面，称为清洁面 8、驰豫结构是指表面区晶格结构保持不变，只是晶格常数变化 。 9、表面结构重构：是指表面结构和体结构出现了本质的不同。 10、在一些单晶金属的表面区原子的重新排列时，它与内部（衬底）原子的排
a列无直接关系，这种表面结构称超结构。 11、纳米材料是三维空间尺寸中至少有一维处于纳米量级（1-100nm）的尺度范围内或由此作为基本单元构成的材料。包括：纳米微粒、纳米结构、纳米复合材料； 12、表面效应：粒子直径减少到纳米级，表面原子数和比表面积、表面能都会迅速增加；处于表面的原子数增多，使大部分原子的周围（晶场）环境和结合能与大块固体内部原子有很大的不同：表面原子周围缺少相邻的原子，有许多悬空键，具有不饱和性质，易与其它原子相结合，故具有很大的化学活性。 13、当粒子尺寸下降到一定值时，金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象，纳米半导体微粒存在不连续的最高能级占据分子轨道和最低未被占据的分子轨道能级的能隙变宽现象均称为量子尺寸效应 14、体积效应: 当超细微粒的尺寸与光波波长、德布罗意波长以及超导态的相干长度或透射深度等物理尺寸相当或更小时，晶体周期性的边界条件被破坏，导致声、光、磁、热、力等特性呈现新的效应。 15、宏观量子隧道效应：微观粒子具有贯穿势垒的能力称为隧道效应 16、界面相关效应：由于纳米结构材料中有大量的界面，与单晶材料相比，纳米结构材料具有反常高的扩散率，它对蠕变、超塑性等力学性能有显著影响；可以在较低的温度对材料进行有效的掺杂，并可使不混溶金属形成新的合金相；出现超强度、超硬度、超塑性等 思考题 1、 什么是结构材料、功能材料和先进材料？(P2) 答：结构电子材料是指能承受一定压力和重力，并能保持尺寸和大部分力学性质（强度、硬度及韧性等）稳定的一类材料；功能电子材料是指除强度性能外，还有特殊性能，或能实现光、电、磁、热、力等不同形式的交互作用和转换的非结构材料；先进电子材料是指具有优异的性能的高科技产品，正在进行商业化或研制之中，并具有一定的保密性。 2、晶体有哪些基本特征？简述晶体与非晶体的异同？(P5) 答：晶体的基本特征为：（1）有规则的外形（自范性）；（2）晶体的均匀性，来源于晶体中原子排布的周期性规则，宏观观察中分辨不出微观的不连续性；（3）解离性；（4）稳定性，晶体有固定的熔点；（5）物理性质的异向性。单晶体是指在整个晶体内原子都按周期性的规则排列，而多晶体是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可以看成是由许多取向不同的小单晶体（又称为晶粒）组成的。 9、简述x射线结构分析的基本原理和常用方法？(P37-39) 答：组成物质的各种相都具有各自特定的晶体结构(点阵类型、晶胞形状与大小及各自的结构基元等)，因而具有各自的X射线衍射花样特征(衍射线位置与强度)。对于多相物质，其衍射花样则由其各组成相的衍射花样简单叠加而成。由此可知，物质的X射线衍射花样特征就是分析物质相组成的“指纹脚印”。制备各种标准单相物质的衍射花样并使之规范化（1969年成立了国际性组织“粉末衍射标准联合会(JCPDS)”，由它负责编辑出版“粉末衍射卡片”，称PDF卡片），将待分析物质(样品)的衍射花样与之对照，从而确定物质的组成相，这就是结构定性分析的基本原理。常用方法有两种：单晶体衍射法——劳厄法 和粉末法。 15简述电子材料今后的发展方向。 (P51-54) 答： 1. 先进电子材料 纳米材料、仿生智能材料、先进复合材料、生物电子材料等 2. 有机电子材料 有机导电、压电、光电、磁电等 3. 电子薄膜(主流) 4. 计算机技术与电子材料 第二章 名词解释 1、导电材料是指电流容易通过的材料，常用作电极、电刷、电线等 2、当温度每升高1℃时，导体电阻的增加值与原来电阻的比值，叫做电阻温度系数 3、合金组成物态固态下彼此相互溶解而形成的晶体，称为固溶体
思考题 4、举例说明电极及电刷材料在电子元件中的应用。(P62-66) 答;以电容器为例来说明电极在电子元件中的应用，电极是电容器的重要组成部分，它在电容器中起着形成电场，聚集电荷的作用。电极的形式随着电容器的结构不同而有变化，但作用是相同的。电刷主要用在电位器中,电刷是沿电阻体滑动的导电构件,也称接点或接触刷。 5、厚膜导电材料有何主要特征？影响其性能的因素有哪些？(P66-68) 答：厚膜导电材料应具有很低的电阻率、容易进行焊接、焊点有良好的机电完整性、与基片的粘附牢固等特征。影响厚膜导电材料性能的主要因素是功能相（导电体）和粘结剂（玻璃）的优劣。基片的化学性质和表面平整度对导体膜的粘附（常称为键合）影响也很大。厚膜导电材料用的导电相材料，要求有良好的导电性。 7、对薄膜导电体有那些要求？列出几种常用的薄膜导体材料。(P72-81) 答：对薄膜导电材料的主要要求是：导电性好、附着性好、化学稳定性高、可焊性和耐焊接性好、成本低。薄膜导电材料分为两类单元素薄膜和多层薄膜。前者系指用单一金属形成的薄膜导电材料，其主要材料是铝膜；后者系指不同的金属膜构成的薄膜导电材料，有二元系统（如铬金）、三元系统（如钛_钯一金）；四元系统（如钛铜-镍一金）等。 8、导电聚合物按结构特征和导电机理分为哪几种类型？(P83-84) 答：这种导电聚合物如果按其结构特征和导电机理还可以进步分成以下三类：①载流子为自由电子的电子导电聚合物；②载流子为能在聚合物分子间迁移的正负离子的离子导电聚合物．③以氧化还原反应为电子转移机理的氧化还原型导电聚台物（导电能力是由于在可逆氧化还原反应中电子在分子间的转移产生的）。 第三章 名词解释 1、电阻材料是指常用的电阻器、片式电阻器、混合集成电路中的薄膜和厚膜电阻器、可变电阻器和电位器等所用的电阻体材料。 2、电阻是指材料在一定程度上阻碍电流流通，并将电能转变成热能的一种物理性质。 3、电阻率在数值上等于长lcm、横截面积为lcm2的导体所具有的电阻值，单位为Ω.cm。 4、电阻材料的噪声是电阻材料中一种不规则的电压起伏，它也是电阻材料的一项重要性能。 思考题 2、 电阻材料的电阻与哪些因素有关？在实际应用中为什么常将电阻材料做成箔、薄膜、厚膜和线状，而在成分上常用合金、合成物和氧化物？(P89-96) 答：导体的电阻是导体本身的性质，与导体的材料、长度、横截面积、（及温度）有关。公式为 R=fl/s ， 即 导体电阻=电阻率*长度/横截面积；导体的材料决定导体的 电阻率 ，在其他条件相同时，电阻率越大，导体的电阻越大。导体的长度决定导体的电阻，长度越长电阻越大。导体的横截面积决定导体的电阻，横截面积越大电阻越小。导体的温度决定导体的电阻，一般情况下温度越高电阻越大。将电阻材料做成具有一定形状、结构的实体元件，常称它为电阻器或电阻元件。电阻器在电子设备中主要功能是调节和分配电能。将电阻材料作成线状、箔状、薄膜状、厚膜状、棒状（块状）及片状。用这类形状的电阻材料所做成的电阻器，则相应称为线绕电阻器，合金箔电阻器、薄膜电阻器、厚膜电阻器、实心电阻器及片式电阻器。
3、 常用线绕电阻材料、薄膜电阻材料和厚膜电阻材料有哪些，各有何特点？(P97-135) 答：线绕电阻材料主要是指电阻合金线。用这些不同规格的电阻合金线绕在绝缘的骨架上可以制成线绕电阻器和电位器。其特点如下：耐热性优、温度系数小、质轻、耐短时间过负载、低杂音、阻值经年变化小。薄膜电阻材料主要有碳系薄膜、锡锑氧化膜、金属膜、化学沉积金属膜、镍铬系薄膜、金属陶瓷薄膜、铬硅薄膜、钽基薄膜、复合电阻薄膜、其他电阻薄膜等。它的特点是体积小、阻值范围宽、电阻温度系数小、性能稳定、容易调阻、易于散热、用料少、适合大量生产、应用广。特别适用于制造高频、高阻、大功率、小尺寸、片式和薄膜集成式电阻器。厚膜电阻材料主要包括钌系厚膜电阻材料、钯银厚膜电阻。作为厚膜电阻的材料还有很多，为了降低成本，选用一些贱金属材料作为厚膜电阻，如氧化镉电阻，氧化铟电阻、氧化铊电阻、氧化锡电阻、一氧化钼电阻。为了提高稳定性和工作温度，选用些难熔化合物作为厚膜电阻如硼化镧电阻、碳化钨电阻、二硅化钼电阻、氮化钽电阻。此外还可用锏、铝等纯金属与玻璃混合来制造厚膜电阻，另外还有一大类用有机粘合剂的厚膜电阻。具有电阻的特性。 第四章
名词解释 1、在满足临界条件(临界温度Tc、临界电流Ic、临界磁场Hc)时物质的电阻突然消失,这种现象被称为超导电性的零电阻现象。 2、处于弱磁场中的超导体会将磁场从内部排斥出来,不管加磁场的次序如何，超导体内磁感应强度总等于零。超导体即使在处于外磁场中被冷却到超导态，也永远没有内部磁场，它与加磁场的历史无关。这个效应称之为Meissner效应，即完全抗磁性。 3、当超导样品处于一外加磁场中时，既然抵消内部磁通量的屏蔽电流只能在表面层内流动，那么，在样品的边界上，磁通密度就不会突然下降为零，而是在屏