磁约束装置等离子体与壁的相互作用
等离子体物理与核聚变反应
等离子体物理与核聚变反应人类在追求能源问题上面临着巨大挑战，随着化石燃料的枯竭和环境污染的加剧，寻找一种清洁、可持续的能源已经成为当代科学家的共同目标。
而核聚变作为一种高效、安全、清洁的能源形式，备受全球科学家的关注。
而要实现核聚变，我们离不开等离子体物理的深入研究。
等离子体是物质的第四态，它与固体、液体和气体不同，具有高度的激发性和导电性。
我们生活中熟知的等离子体包括闪电、火焰和太阳等。
等离子体物理是研究这种特殊状态下等离子体行为规律的学科。
在核聚变反应中，等离子体处于高温、高密度状态，对于研究核聚变过程和控制反应性能至关重要。
首先，等离子体物理的研究对于核聚变的实现有着重要意义。
核聚变是通过将氢等轻元素压缩并加热到极高温度下，使其核内部原子核融合为更重的元素，并释放出巨大能量的过程。
而要实现这一过程，就必须掌握等离子体的产生和控制技术，使得等离子体能够长时间稳定地存在，并且能够实现足够的温度和密度。
等离子体物理的研究为我们提供了深入了解等离子体性质的手段，为核聚变的实现提供了重要的理论和实验基础。
其次，等离子体物理是解决核聚变中的关键问题的关键。
在核聚变中，等离子体的不稳定性和湍流是导致反应不稳定和热损失的主要原因。
湍流效应使得等离子体的温度和密度分布不均匀，从而降低了反应效率。
而等离子体不稳定性则会导致等离子体失去磁约束，并导致反应停止。
因此，通过研究等离子体物理，我们可以深入理解湍流和不稳定性的本质，从而寻找解决这些问题的方法，提高核聚变反应的效率和可控性。
此外，等离子体物理还为核聚变应用提供了重要的技术手段。
等离子体物理在聚变装置的设计和运行中发挥着重要作用。
例如，在托卡马克设备中，使用强大的磁场将等离子体限制在一个环形容器内，从而实现磁约束核聚变。
而等离子体物理研究了这些磁约束装置的设计和优化，为聚变反应的实现提供了技术支持。
另外，等离子体物理还研究了等离子体与固体壁之间的相互作用，探索如何减少等离子体与壁之间的能量损失和杂质释放，从而提高反应效率。
等离子体在磁场中的行为分析
等离子体在磁场中的行为分析等离子体是一种以高温电离气体为基础的物质状态，具有丰富的物理性质和行为。
而在磁场的作用下，等离子体表现出一系列独特的行为，这对于理解等离子体的本质以及应用等领域具有重要意义。
首先，磁场对等离子体的影响可以显著改变等离子体的运动和结构。
在强磁场环境中，等离子体受到洛伦兹力的作用，电子和离子将沿着磁场方向发生螺旋状运动，称为磁漂移。
这种运动使得等离子体内部电子和离子的分布出现差异，从而导致等离子体在横向上形成层状结构。
同时，磁场还会引起等离子体的约束，使得等离子体在磁场方向上形成稳定的束缚态，这被称为磁约束。
其次，磁场对等离子体的运动和传输过程具有重要影响。
在磁约束下，等离子体经常展示出类似于物质在固体中的粒子运动规律。
这种规律在聚变等离子体中得到广泛应用。
聚变等离子体是一种追求实现可控核聚变能源的热等离子体，而磁约束技术是实现聚变反应的主要手段之一。
通过磁约束可以限制等离子体的大小和形状，使得等离子体维持在一定的温度和压力范围内稳定运行，实现高温等离子体聚变反应。
磁约束技术的成功实现有望解决能源危机和环境问题，因此已经成为研究的热点之一。
此外，磁场对等离子体的相互作用也是一个备受关注的领域。
等离子体在磁场中的相互作用会导致诸如辐射、湍流等现象的发生。
这些现象既可以是等离子体激发态的能量散失途径，也可以是等离子体不稳定性的表现。
特别是在核聚变等离子体研究中，辐射损失和湍流功率耗散是制约聚变反应可持续性和效率的重要因素。
因此，准确预测和控制等离子体在磁场中的相互作用是聚变研究的关键之一。
最后，磁场对等离子体的行为也为一些应用领域提供了可能性。
例如，等离子体在磁场中的运动规律和特性使其成为一种理想的加速器和粒子束传输媒介。
通过磁约束技术，可以将等离子体作为加速器的束流稳定传输，实现高能粒子的加速和聚焦。
此外，等离子体在磁场中的行为还可用于半导体材料的表面处理、等离子体显示技术等领域。
等离子体物理学中的磁约束与热约束
等离子体物理学中的磁约束与热约束等离子体物理学是现代物理学的一个重要分支，研究的是等离子体的性质、行为以及其相关的物理现象。
在等离子体物理学中，磁约束和热约束是两个核心概念，它们在等离子体操控和应用中起着至关重要的作用。
磁约束是指通过外部磁场来限制等离子体运动的一种方法。
等离子体是由高温电离气体中的带电粒子组成的，其特点是带有正电荷的离子和自由电子数量相等。
由于带电粒子的相互作用力很强，单靠热运动很难使其稳定存在，因此需要一种约束机制来维持等离子体的稳定。
磁约束的基本原理是将等离子体置于适当的外部磁场中，通过磁场对带电粒子施加力的作用，限制其运动轨迹。
磁场的选择和调整对于达到良好的磁约束效果至关重要。
常见的磁约束机制包括磁镜约束、托卡马克约束和磁圈约束等。
磁镜约束是一种利用非均匀磁场的方法。
当等离子体沿着磁场线运动时，磁场的非均匀性会使得运动轨迹受到限制，从而实现对等离子体的约束。
磁镜约束的优点是约束效果好，但由于磁场的非均匀性，容易导致径向不稳定性的出现。
托卡马克约束是一种利用环状磁场的方法。
在托卡马克装置中，采用了强大的磁场来限制等离子体运动，使之沿着环状轨道旋转。
托卡马克约束的优点是稳定性较好，但缺点是设备复杂、耗能较大。
磁圈约束是一种在磁场中形成环形约束的方法。
通过将等离子体包裹在环形磁场中，实现对其运动的约束。
磁圈约束的优点是结构简单、可靠性高，因此在实际应用中得到了广泛采用。
除了磁约束外，热约束也是等离子体物理学中重要的概念。
热约束是通过向等离子体注入能量来维持其稳定存在的一种方法。
等离子体的稳定需要维持一定的温度，过低或过高的温度都会导致等离子体的失稳。
因此，通过向等离子体注入适量的热能，可以调节等离子体的温度，从而实现热约束。
热约束的实现主要依靠等离子体物理中的热运输过程。
热约束既可以通过激光、微波等外部能量源向等离子体注入能量，也可以通过等离子体内部的能量转输来实现。
热约束的关键是找到合适的能量传导途径，使得能量在等离子体中得到均匀分布，并达到热平衡。
悬浮偶极场磁约束dipole field magnetic confinement
悬浮偶极场磁约束dipole field
magnetic confinement
悬浮偶极场磁约束（Dipole Field Magnetic Confinement）是一种重要的磁约束技术，在核聚变研究中扮演着至关重要的角色。
该技术通过特定的磁场配置，实现对高温等离子体的稳定悬浮和约束，从而为核聚变反应提供了必要的条件。
在悬浮偶极场磁约束中，一个关键要素是偶极磁场（dipole field）的创建。
这种磁场通常由一对相对的磁极产生，它们之间的磁力线形成一个封闭的环路。
当等离子体被注入到这个磁场中时，由于洛伦兹力的作用，带电粒子会沿着磁力线运动，并被限制在磁场的特定区域内。
这种约束作用有助于防止等离子体与容器壁的直接接触，从而减少了能量损失和杂质污染。
悬浮偶极场磁约束的另一个显著特点是其悬浮能力。
通过精确控制磁场的强度和分布，可以使得等离子体在磁场中达到一种动态平衡状态，即悬浮状态。
在这种状态下，等离子体既不会接触到容器壁，也不会因自身重力而塌缩，从而保证了聚变反应的持续进行。
然而，悬浮偶极场磁约束也面临着一些挑战。
例如，由于等离子体的不稳定性和磁场的不均匀性，可能会导致等离子体的逃逸和能量损失。
此外，高温等离子体中的热辐射和粒子输运也会对磁约束效果产生不利影响。
为了克服这些难题，研究人员正在不断改进磁场设计、优化等离子体参数以及探索新的磁约束技术。
总的来说，悬浮偶极场磁约束是一种具有广阔应用前景的磁约束技术。
随着科学技术的不断进步和创新，相信在未来会有更高效、更稳定的磁约束方案问世，为核聚变能源的发展提供有力支持。
等离子体物理讲义07_磁约束与稳定性
1
1
00
0
1
8
由于轴对称 0，环型磁场为
角向磁场为
在环型约束位形中，取 沿 方向。 1 00
在天体物理和空间物理学中，选取 沿球位形的径向 ，在球坐标
系 ， ， 中，取 环型磁场
，任意矢量 的旋度为
sin 1
sin
sin
1
sin
1
sin
在环形约束中，在柱坐标系中 ， ， 中，定义磁面为 ，如 图 7.1，在轴对称系统中
11
，
磁场的分量为
图 7.1 磁面
和电流
， 因此， 也称作磁通量函数。由关系式 ·
0，得到
0 压强 因此也只是 的函数
类似地，由关系式 ·
0和
，得到
0 意味着压强 因此也只是 的函数
其中 是穿过圆截面 得到 的方程
在等离子体波的分析中，假定了一个未扰动态，它是一种理想 的热力学平衡：粒子具有 Maxwell 速度分布，密度和磁场是均匀的．在
4
这样一种熵最大的状态中、不存在用来激发波的自由能。现在，必须 考虑由外部方法激发的波．考虑不处于理想热力学平衡的状态，在所 有力抵消以及可能存在与时间无关的解的意义上，虽然它们是处于平 衡的．可利用的自由能引起波的自激发。因此平衡是一种不稳定的平 衡．不稳定性总是一种减少白由能的运动，并且使等离子体更接近于 真实的热力学平衡。不稳定性可以按照用来驱动它的自由能类型来分 类．有四种主要类型的不稳定性．
3．普遍不稳定性．即便不存在明显的驱动力，如电场或重力场， 只要等离子体被约束，就会不处于理想热力学平衡．等离子体压力使 等离子体趋于膨胀，而膨胀能量能驱动一种不稳定性．在任何有限等 离子体中，总是存在这种类型的自由能，产生的波称做普遍不稳定性．
托卡马克装置的核反应物理过程
托卡马克装置的核反应物理过程托卡马克装置是一种磁约束聚变实验装置，用于研究核融合反应，是人类追求可控核融合能源的一大希望。
它的核反应物理过程主要包括等离子体加热、限制和维持等几个关键环节。
首先，等离子体加热是托卡马克装置的第一步。
为了实现核融合反应，需要将氢同位素（如氘、氚）加热到极高的温度，使其达到等离子体的状态。
常见的加热方法有射频加热和中性束加热。
射频加热通过射频电场的作用，使等离子体中的电荷粒子加速并提高动能，从而增加等离子体的温度。
中性束加热则是使用加速器将中性粒子速度加快，通过与等离子体碰撞而传递能量，从而使等离子体加热。
接下来是等离子体限制的过程。
等离子体是一种高温的带电粒子云，其自然趋势是扩散。
为了保持等离子体的稳定，必须采取适当的限制措施。
最常用的方法是利用磁场约束等离子体。
托卡马克装置采用了托卡马克线圈产生强大的磁场，借助洛伦兹力使等离子体沿着磁场线运动，并受到磁场约束。
这样可以防止等离子体与容器壁面接触，从而保持等离子体的稳定性。
在等离子体得到限制后，还需要维持等离子体的稳定状态。
等离子体在高温下容易发生不稳定的涡旋运动现象，称为等离子体微波。
为了克服等离子体不稳定性带来的问题，科学家采取了多种措施，如外加磁场和自行磁场。
外加磁场可以通过托卡马克线圈调整，使得等离子体保持一定的基态，减小不稳定性现象。
自行磁场则是在等离子体中产生旋转磁场，使等离子体呈现自行旋转的状态，从而稳定等离子体运动。
总结起来，托卡马克装置的核反应物理过程主要包括等离子体加热、限制和维持等几个关键环节。
等离子体加热是将氢同位素加热到极高温度，使其达到等离子体状态。
等离子体限制则是通过磁场约束使等离子体保持稳定。
维持等离子体稳定性则需要采取外加磁场和自行磁场的手段。
这些核反应物理过程共同作用，为实现核融合反应提供了重要的物理基础。
grad-shafranov方程
grad-shafranov方程Grad-Shafranov方程是等离子体物理学中的一个基本方程，用于描述磁约束等离子体中的等离子稳定性。
本文将介绍Grad-Shafranov方程的定义、推导过程及其在等离子体物理学中的应用。
Grad-Shafranov方程是由两位物理学家Grad和Shafranov在1958年共同提出的。
它是描述磁约束等离子体磁场分布的基本方程，可以用来确定磁约束等离子体的横截面形状和磁场结构。
首先，我们来定义Grad-Shafranov方程。
在等离子体物理学中，磁约束等离子体可以看作是一个等离子体圈，其中等离子体沿着磁流线流动。
我们可以定义一个磁场势函数Ψ，使得磁场B可以表示为磁流函数ψ的梯度与一个磁流函数的梯度有关。
Grad-Shafranov方程的定义如下：∇^2Ψ = -μ_0R^2pj,其中，Ψ是磁场势函数，∇^2是拉普拉斯算子，μ_0是真空磁导率，R是等离子体横向坐标，p是磁压力，j是等离子体电流密度。
接下来，我们来推导Grad-Shafranov方程。
首先，我们可以用磁流函数ψ表示磁场B：B=∇ψ×∇φ,其中，φ是磁流函数的势。
然后，我们利用安培定律和拉普拉斯算子的关系，将此方程转化为等离子体物理学中常用的形式：∇^2φ-R^2p=-μ_0j,利用矢量恒等式∇(∇·A)=∇^2A-∇×(∇×A)，我们可以将上式表示为：∇^2ψ-∇ψ·(∇^2φ-R^2p)=μ_0∇ψ·j.通过对矢量恒等式的应用，我们可以将上式简化为：∇^2ψ = μ_0R^2pj.这就是Grad-Shafranov方程的最终形式。
Grad-Shafranov方程在等离子体物理学中有着广泛的应用。
它可以用来研究等离子体的磁约束性质、磁流体力学稳定性以及等离子体加热和控制等方面。
通过数值求解Grad-Shafranov方程，可以得到等离子体的磁场分布和等离子体边界形状，从而有助于设计和优化磁约束等离子体。
等离子体物理与磁约束核聚变
等离子体物理与磁约束核聚变核聚变是一种能源利用方式，其利用核反应中轻元素的聚合释放出的能量。
与核裂变不同，核聚变释放的能量更为巨大，并且产生的废物更加清洁和可控。
然而，核聚变的实现并非易事，它面临着许多技术难题和工程挑战。
其中，等离子体物理和磁约束是实现核聚变的关键要素。
等离子体物理是研究等离子体行为的科学学科，等离子体是一种由气体中带电粒子构成的物质态。
在核聚变实验中，等离子体对于核反应的发生和能量的传输起着至关重要的作用。
为了将气体加热到足够高的温度使之成为等离子体，科学家采用了各种加热手段，包括射频和微波加热、中性束注入等。
同时，为了保持等离子体的稳定，还需要采取措施来控制等离子体的粒子运动和热输运。
等离子体物理的研究可以帮助我们更好地理解和控制等离子体，在核聚变实验中起到了关键的作用。
磁约束是一种将等离子体困在磁场中的方法，通过磁力线的环形束缚，将等离子体保持在一个封闭的容器中。
这种方法有助于保持等离子体的稳定，并防止其与容器壁的接触，从而避免了能量的浪费和杂质的产生。
目前常用的磁约束设备包括托卡马克型、磁镜型和螺旋型等。
其中，托卡马克型磁约束装置是目前最为主流和进展最快的一种。
它采用了扭曲的磁力线配置来保持等离子体的稳定，并通过外部加热手段提供足够的能量维持核聚变的发生。
磁约束技术的发展和应用大大推动了核聚变研究的进展。
在核聚变实验中，等离子体物理和磁约束技术的发展进展迅速，但仍面临着一些挑战和难题。
一方面，等离子体的研究需要高度复杂的实验装置和先进的诊断手段，这对于科研人员的技术水平和资源投入提出了较高的要求。
另一方面，磁约束技术在工程应用上仍需要进一步的改进和优化，以提高磁约束性能和聚变效率。
这些挑战需要科学家、工程师和政府机构的共同努力和支持，才能够实现核聚变技术的商业化应用。
尽管核聚变面临许多挑战，但它作为一种清洁、高效的能源来源具有巨大的潜力和前景。
核聚变能够提供可持续的能源供应，并且不会产生二氧化碳等温室气体，有助于减少对环境的污染和气候变化的影响。
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ASIPP
聚变装臵用石墨材料研究进展
到80年代中期许多托卡马克装臵在运行时都采用石墨 限制器或偏滤器板 与此同时，实验室中针对石墨材料的测试和模拟开始 广泛进行，旨在阐明石墨与氢等离子体的化学反应 炭的化学腐蚀和RES行为； 中子辐照下炭材料的一些性能和结构变化； 炭与氢的同位素的共沉积行为； 目前炭材料仍然是世界范围内大型托卡马克的主要面 对等离子体材料 除了作为限制器和偏滤器，炭材料还在扩大其使用 范围，如覆盖整个真空壁 象TFTR，DIII-D，JT-60U，Tore Supra，ASDEX-U （现在在发展高Z的W）等采用全炭壁。
18
19 17 3
28
Partial pressure (×
• Te: He 4~10eV H2 2~5eV • Ti :H2: 0.5~ 2keV, D2: 0.3~0.5 keV high tail up to 30keV • ne~ 0.5 ~ 3x1017m-3
2
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0
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ASIPP
石墨材料的发展：掺杂及功能镀层
低化学溅射，抗RES，高热通量炭基复合材料 成为过去十年的研究重点 炭材料内部改性（添加B，Si，Ti，V，Zr， Ni，W或其炭化物等）； 表面涂层（B4C，SiC，TiC，W等）； 高导热率石墨和CFC复合材料； 石墨（CFC材料）和铜热沉的连接技术及其 性能评价。 HT7/EAST： 掺杂石墨
Particle Removing
RGA ICRF Cleaning Under the different RF Power
0.00005
Partial Pressure (Pa)
0.00004
M/e=28 M/e=44 M/e=16 M/e=18
Power off P = 30kw
P = 20kw
面对等离子体材料的研究现状
限制器、抽气限制器、各态历经偏滤器(磁限制器); 偏滤器、抽气偏滤器；
不锈钢、W、Mo、Graphite、Be、CFC、CFC+高Z （W，Mo，V，为反应堆做准备）；
目前的研究认为：高Z材料往将来聚变堆方向发展可能更有前途。
面对等离子体材料的侯选材料及其优缺点
Be 优点 -与等离子体的相容性（低 Z） -无化学溅射 -相对较高热导值 -可原位修复 -强的吸氧能力 -低活性 -低熔点 -使用寿命短 -耐中子辐照能力低 -800℃以上耐氧化性差 -有毒性，需安全措施 -尘埃易爆 CBM -低 Z 值（积累了大量经验） -优良的热冲击性（特别是 CFC 材料） -低破裂腐蚀率 -高热导率 -作为高热通量部件可以用 作限制器及偏滤器材料 -氚储存量大 -辐照增强升华 -低的抗氧化性 -中子辐照后热导降低（但通 过退火可部分恢复） -需一定焙烧和清洗技术 -与铜热沉连接时的热膨胀 时失配较大 -尘埃易爆 W -可原位修复 -可承受高热应力 -物理溅射域值高， 没 有化学腐蚀（H+） -高熔点 -高热导 -低的氚储存和肿胀 -中子辐照后发脆 -高的辐射性 -高 Z （等离子体中可 容许浓度低） -在大的聚变装置中 缺乏大量使用数据 -差的加工性 -与铜热沉连接时的 热膨胀时失配较大 -尘埃易爆
ASIPP
Why hydrogen recycling must be reduced
higher H factor due to lower recycling
•
石墨中因多孔而 吸附的H2和H2O， CO和CO2气体以及 石墨中因H粒子的 化学溅射而产生 的挥发性CHx等参 与再循环，使得 燃料粒子的再循 环有可能大于1
ASIPP
氧杂质问题
• 在石墨限制器中，氧起着特殊的作用。当高能氧离 子先滞留在植入区，直到每个碳原子+约0.25个氧 原子，而后它以CO和CO2的形态再发射，其产额接 近1。 • 这些分子不都是以热能的形式释放，而显示有 一约0.25eV的快成份。在主等离子体中有较高的穿 透几率，在吸解和电离后，CO和CO2成为等离子体 碳杂质和氧杂质源。 • 氧离子轰击碳形成CO和CO2差不多为1的产额及 其挥发性意味着：在碳壁装臵中氧以接近于1的再 循环系数再循环。
ASIPP
壁附近最基本分布图像
边界氢分布
ASIPP
基本图像及过程
ASIPP
边缘等离子体和其周围壁的相互作用将对 等离子体芯部产生重要的影响
• 边缘等离子体是热绝缘层，同时控制杂质进 入到等离子体芯部； • 壁受很强的热负荷以及来自芯部粒子的轰击， 材料腐蚀及杂质产生； • 氢的再循环过程的控制及对等离子体密度控 制的影响； • 在热和粒子作用下材料性能的稳定及使用安 全性/微观结构的变化 • 中子辐照后材料活化及变性
ASIPP
磁约束装臵 等离子体与壁的相互作用(I)
李建刚 2008.01.05-12
ASIPP
内容
• • • • • • • • • 基本概念和图像； 基本问题； 壁处理； 石墨材料； 目前该领域的前沿问题 稳态运行下的重要问题 下一代装臵的新问题 ITER PSI问题 EAST PSI 及近期重点
0.00003
P=5kw P= 10kw
0.00002
0.00001
0.00000 0 10 20 30 40 50 60
Time (s)
2000
1600
P (TorrL)
1200
H2O CO H2
800
400
0 0 40 80 120 160 200
t (min.)
ASIPP
壁处理的方法－II 镀膜
50
Pa)
Mass number (m/e) After ICRF wall conditioning
8
4
6 4
2 3 19 18
2 0 0 10
20
28
20
30
40
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Mass number (m/e)
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The cleaning efficiency is independent to RF frequency Weakly related to BT Pulsed mode is used The optimized RF power is used to remove different particles H2: 5~10 kw H2O: 12~15kW CO: 15~20 kW CO2: 20~35 kw The filling pressure in the range of 0.02~0.3 Pa is favorable
ASIPP
等离子体与壁相互作用中的基本问题
• 壁处理：除去杂质（Z>2，特别是氧）、 降底氢的再循环。 • 面对等离子体的材料低Z（主要是碳、铍） 材料、高Z材料：W、Mo。 • Erosion and redeposition; • 氚及灰的滞留和去除； • 中子辐照
ASIPP
壁处理的目的
• 1、降底杂质:Pr=ne∑nzLz(Te), ni=ne- ∑nzZ 重杂质含量小于0.02%，轻杂质控制在2-3%以下, C<5%, O<3% • 2、控制再循环 • 3、屏蔽金属（来自第一壁）杂质 • 4、去除C/D复合涂层
掺杂石墨的抗RES行为
• 抑制辐照升华现象的发生，主要是在炭材料中引入一些掺杂元素， 如硼，硅，钛；这些元素能够在炭原子扩散至表面以前将这种晶隙 间炭原子俘获生成一种稳定的炭化物，从而有效地降低了炭原子的 有效扩散系数，则可降低RES。 • 研究发现RES依赖于掺杂成分，掺杂浓度，掺杂石墨的微观结构。 RES随着掺杂组元浓度的增加而降低；Si掺杂石墨和Ti掺杂石墨的抗 RES行为要好于硼化石墨。 • 对不同种类和组成的掺杂石墨考察后发现，含13.8%B的硼化石墨及 含5.0%Ti的掺钛石墨具有最好的抗RES性能：在1800K，与纯石墨相 比，这两种石墨的RES产额分别降低2倍和4倍；与热解石墨相比， RES产额降低3倍到5倍。 • 掺杂石墨的RES行为还与掺杂粒子的大小有很大关系，USB15的RES溅 射值要比GB20的还要小，主要原因就是B4C粒子很细（粒径小于1微 米）。 启示：对于偏滤器或限制器材料，可以考虑主要是Si，Ti掺杂。原 因主要是两方面：Si，Ti掺杂石墨可以获得比较高的热导率；另一 方面就是偏滤器或限制器运行温度较高，炭的腐蚀主要取决于RES。
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石墨的化学溅射
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炭材料的化学腐蚀行为
• 在炭材料表面通常存在一些不饱和的炭原子，它们没有 处于石墨晶体六角网状体系中，而是处在炭网格的端面 处，我们通常称之为活性点部位 • 这些活性点部位通常容易和轰击的H+形成炭氢化合物， 这些炭氢化合物与炭材料的结合能较低，容易被溅射出 来或热脱附出来，形成化学溅射 • 化学溅射和轰击粒子的能量，粒子束密度，材料的表面 温度，材料本身的性质如晶体结构等有很大关系，并受 到材料中存在杂质的影响； • 炭材料的晶体结构越完整，活性点部位的数量越少，在 低温下的化学溅射产额就会降低，因为低温下的主要产 物是甲烷基，CH3的溅射域值很低，大约为2eV。
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基本概念
• PMI过程一方面会造成PFM的损伤；另一方面 会给等离子体引入杂质，此外还将对燃料粒子 的再循环产生影响。
• 损伤机制：
溅射；蒸发；解吸；起弧；背散射；表面起泡； 腐蚀；氢在晶界处析出等；中子辐照引起的体 损伤等
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面对等离子体材料和等离子体间的相 互作用非常复杂
第一是器壁（或更一般的面向等离子体 物质材料）中放出的各种粒子（包括 所吸附的工作气体、杂质气体和组成 材料本身的元素）进入等离子体约束 区后对等离子体约束特性造成的影响； 第二是物质材料本身受等离子体中粒子 长期作用后的损伤。