模电第1章答案常用半导体器件(精)
模电综合复习题
模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时，三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。
已量出I1=-，I2=-，I3=。
此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。
模电1--常用半导体器件PPT课件
.5ຫໍສະໝຸດ 1.1.0 半导体特性常用的半导体导体材料有如：：金属 物元体素分半类导绝体缘：体硅（如S：i）橡、胶锗、（云G母e、）塑料等。
化合物半半导导体体：—砷化导镓电（能G力aA介s于）导体和绝缘体之间。 掺杂材料：硼(B)、铟(In)；磷(P)、锑(Sb)。
• 半导体特性
掺杂特性 掺入杂质则导电率增加几百倍
2. 在外电场的作用下，产生电流 — 电子流和空穴流 电子流 自由电子作定向运动形成的
与外电场方向相反
自由电子始终在导带内运动
空穴流 价电子递补空穴形成的
用空穴移动产
与外电场方向相同
生的电流代表束缚电
始终在价带内运动
子移动产生的电流
.
10
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体
掺入三价元素如B、Al、In等， 形成P型半导体，也称空穴型半导体
+4
.
8
本征半导体
共价键内的电子 挣脱原称子为核束束缚缚电的子 价带中电留子下称的为自由电子 空位称为空穴
导带
自由电子定向移 动形成电外子电流场E
禁带EG
束缚电子填补空穴的 定向移动形成空穴流
价带
.
9
本征半导体
1. 本征半导体中有两种载流子 — 自由电子和空穴 电子浓度ni = 空穴浓度pi
空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。
定其化学性质和导电性能 .
7
1.1.1 本征半导体
本征半导体
完全纯净、结构完整的半导体晶体。 纯度：99.9999999%，“九个9” 它在物理结构上呈单晶体形态。
T=常0K用且的无本外征半界导激体发，只有束缚电子，没有自由电子，本征 半导体相当于绝缘体；T=300K，本征激发，少量束缚电子
模电第1章作业答案
模拟电子技术作业答案班级_________ _ 学号_____ __ 姓名_____________ 第1章半导体二极管及其应用电路1．二极管电路如图1所示，设二极管是理想的。
试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压U AO。
(a) (b)图1解：图a：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，U AO=0 V。
图b：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使V A＝－6V；D1反偏而截止，故U AO＝－6V。
2．电路如图2所示，设二极管为理想的，输入电压为正弦波，试分别画出各图输出电压的波形。
(a) (b)图2解：图（a）：图（b）：3．电路如图3所示，已知u i=5sin t(V)，二极管导通电压U D＝。
试画出u i与u O的波形，并标出幅值。
图3解：4．电路如图4所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图4（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
(a) (b)图4解：5．电路如图5所示，所有稳压管均为硅稳压管，稳定电压U Z1=6V，U Z2=8V，假设输入信号U I足够大，二极管正向导通压降为0.7V。
试分析图5所示各电路的工作情况，并求输出电压U O的值。
(a) (b)(c) (d)图5解：一般情况下，稳定电压不同的稳压管在电路中是不能直接并联使用的。
本题主要涉及稳压二极管在电路中串联使用的问题。
在起稳压作用时，稳压管应反向接入电路，以保证其工作在反向击穿区。
如果稳压管正向接入电路，那么它在电路中的作用相当于普通二极管，工作在正向特性区间，导通压降为0.7V。
电路中电阻R为限流电阻，保证各稳压管正常工作。
图5(a)所示电路中，稳压管D Z1和D Z2均反向接入电路，可以判定两个稳压管均工作在反向击穿区，在电路起稳压的作用。
模电练习题2021-第1章试题及答案
模电练习题2021-第1章试题及答案1. 纯净的半导体称为本征半导体。
[判断题]对错(正确答案)2. 自由电子带负电，空穴带正电。
[判断题]对(正确答案)错3. 自由电子是载流子，空穴不是。
[判断题]对错(正确答案)4. 本征半导体导电性能很差。
[判断题]对(正确答案)错5. 在半导体内部，只有自由电子是载流子。
[判断题]对错(正确答案)6. 在 P 型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。
[判断题]对(正确答案)错7. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
[判断题]对错(正确答案)8. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。
[判断题]对(正确答案)错9. 与多数载流子相比，少数载流子的浓度受温度影响大。
[判断题]对(正确答案)错10. 因电场作用所产生的运动称为扩散运动。
[判断题]对错(正确答案)11. PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
[判断题]对(正确答案)错12. 在 PN 结中，P 区的电势比 N 区高。
[判断题]对错(正确答案)13. 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。
[判断题]对错(正确答案)14. PN 结具有单向导电性，施加正向电压时处于导通，施加反向电压时处于截止，其导通电流的方向由 P 区流向 N 区。
[判断题]对(正确答案)错15. 在 PN 结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从 P 区到 N 区。
[判断题]对(正确答案)错16. 漂移运动方向是从 N 区到 P 区。
[判断题]对(正确答案)错17. PN 结形成后，参与扩散运动的载流子数量大于参与漂移运动的载流子数量。
[判断题]对错(正确答案)18. PN 结外加正向电压变化时，结电容近似为扩散电容。
[判断题]对(正确答案)错19. PN 结的单向导电性与外加电压频率无关。
[判断题]对错(正确答案)20. 结电容是常量。
[判断题]对错(正确答案)21. 本征半导体在温度升高后（） [单选题]自由电子和空穴数目都不变自由电子和空穴数目都增加且增量相同(正确答案)22. 在杂质半导体中，温度变化时，（） [单选题]载流子的数目变化(正确答案)少子与多子变化的数目不相同少子与多子浓度的变化相同23. N 型半导体中多数载流子是（） [单选题]空穴自由电子(正确答案)24. 内部自由电子数量和空穴数量相等的半导体是（） [单选题] P 型半导体N 型半导体本征半导体(正确答案)25. 下列半导体材料热敏特性突出的是（） [单选题]本征半导体(正确答案)P 型半导体N 型半导体26. 半导体获得广泛应用的原因是（） [单选题]半导体的电阻介于导体与绝缘体之间半导体可以制作成非常纯净的晶体半导体可以通过掺杂工艺制成 N 型半导体和 P 型半导体半导体具有热敏性、光敏性和特殊的掺杂特性(正确答案)27. 本征半导体中，自由电子和空穴的数目（） [单选题]相等(正确答案)自由电子比空穴的数目多自由电子比空穴的数目少28. P 型半导体的空穴数目多于自由电子，则 P 型半导体呈现的电性为（） [单选题]负电正电电中性(正确答案)29. PN 结加正向电压时，空间电荷区将（） [单选题]变窄(正确答案)基本不变变宽30. 当 PN 结达到动态平衡时，参与扩散运动的载流子数目（）漂移运动的载流子数目。
模电复习要点概要
模电复习重点第1章常用半导体器件自测题一、判断以下说法能否正确，用“×〞和“√〞表示判断结果填入空内。
( 1)在N型半导体中假如掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
(√)( 2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
(×)〔电中性〕(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
(√)( 4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)〔基区非平衡少子〕( 5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层蒙受反向电压，才能保证其R GS大的特色。
(√)(6 )假定耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零，那么其输入电阻会显然变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。
(2 )稳压管的稳压区是其工作在C。
(3 )当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C。
管习题选择适合答案填入空内。
在本征半导体中参加(A)元素可形成N型半导体，参加(C)元素可形成P型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度高升时，二极管的反向饱和电流将(A)。
A.增大B.不变C.减小工作在放大区的某三极管，假如当I B从12uA增大到22uA时，I C从lmA变成2mA，那么它的β约为(C)。
-1-(4)就地效应管的漏极直流电流I D从2mA 变成4mA时,它的低频跨导g m将(A)。
A.增大；B.不变；C.减小电路以下列图，u i10sin t(V)，试画出u i与u o的波形。
设二极管导通电压可忽视不计。
图解图解：u i与u o的波形如解图所示。
电路以下列图,二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T26mV，电容C对沟通信号可视为短路；u i为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的沟通电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D (VU D)/R其动向电阻:r D U T/I D 10 图故动向电流的有效值：I d U i/r D1mA现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正导游通电压为。
模电复习要点概要
模电复习要点第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×) （电中性）(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)（基区非平衡少子）(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管习题1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B.四价C.三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B从12 uA 增大到22 uA 时，I C从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V)，试画出i u 与o u 的波形。
北理工模电第01章半导体器件
三、杂质半导体的示意表示法
－ － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P 型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N 型半导体
§1.2 PN结及半导体二极管
2.1.1 PN 结的形成
内电场越强，就使漂移 运动越强，而漂移使空 间电荷区变薄。 P型半导体
漂移运动 漂移运动 内电场 E + + + + N型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 内电场 E N型半导体
+ +
+ +
+ + + + + + + + + + + +
一、N 型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷 （或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被 杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子， 其中四个与相邻的半导体原子形成共价键， 必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚， 很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子 就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原 子给出一个电子，称为施主原子。
Ge
Si
硅和锗的晶 体结构：
通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。
(1-5) (1-6)
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模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
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一、选择题(6小题,共10.0分)(02 分)1.从括号中选择正确答案，用A、B、C、…填空。
在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成____（A．P型B．N型）半导体；其导电率（C．增大，D．减小，E．不变）；这种半导体的多数载流子是____，少数载流子是____ （F．空穴，G．自由电子）。
(01 分)2.选择正确的答案用A、B、C填空。
随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在I B不变的情况下b-e结电压U BE____。
（A．增大，B．减小，C．不变）(02 分)3.选择正确的答案用A、B、C…填空。
随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________，输出特性曲线将_______________，输出特性曲线的间隔将_______________。
（A．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）(01 分)4.用“大”、“小”填空：场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。
二、是非题(3小题,共6.0分)(02 分)1.判断以下说法的正误，用√表示正确，用×表示错误。
1．晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。
（）2．测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。
（）3．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
（）(02 分)2.判断以下说法的正误，在相应括号内画√表示正确，画×表示错误。
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
（）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
（）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。
（）(02 分)3.判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。
用双极型晶体管组成的共射放大电路与用场效应管组成的共源放大电路相比，前者的输入电阻比后者大（）；前者的噪声系数比后者小（）；前者静态工作点的温度漂移比后者大（）。
三、填空题(3小题,共4.0分)(01 分)1.结型场效应管的栅源之间通常加________________偏置电压，因此栅极电流很小；绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层________________，因此栅极静态电流几乎等于零。
(02 分)2.填空：双极型晶体管的发射极电流放大系数反映了________________极电流对________________极电流的控制能力；而单极型场效应管常用________________参数反映________________对________________的控制能力。
(01 分)3.填空：场效应管的________________极电流远小于双极型管的基极电流，因此共源放大的电路的输入电阻远________________于共射放大电路的输入电阻。
四、解答题(7小题,共49.0分)(06 分)1.试确定图（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压U1和U2的值（设二极管正向导通电压为0.7V）(06 分)2.试确定图（a）和图（b）中的二极管是否导通，并计算电压U1和U2的值（设二极管正向导通电压为0.7V）。
(06 分)3.电路中VD均可视为理想二极管，试判断它们是否导通，并求出U O的值。
(06 分)4.电路中VD均可视为理想二极管，试判断它们是否导通，并求出U O的值。
(10 分)5.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为0.7V，试判断VD是否导通，并计算U O的值。
(10 分)6.设图中VD为普通硅二极管，正向压降为0.7V，试判断VD是否导通，并计算U O的值。
(05 分)7.已知电路中稳压管VDZ1和VDZ2的稳定电压分别为5V和9V，求电压U O 的值。
五、填空题(08 分)1.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U Z＝5V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝30mA，正向导通电压U D＝0.7V；U I＝16V。
在不同情况下，分别测得输出电压U O为①0.7V，②4V，③5V，④8V，请选择一个答案填入空内。
（如左下图）1．当R＝1kΩ且R L＝1kΩ时，U O＝；2．当R＝3kΩ，R L＝1kΩ时，U O＝；3．当R＝R L＝2kΩ，且VD Z开路时，U O＝；4．当R＝3kΩ，且VD Z接反时，U O＝。
(08 分)2.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝35mA，正向导通电压U D＝0.7V；U I＝20V。
在不同情况下，分别测得输出电压U O为①0.7V，②5V，③6V，④10V，请选择一个答案填入空内。
（如右上图）1．当R＝R L＝1kΩ时，U O＝；2．当R＝R L＝3kΩ且VD Z开路时，U O＝；3．当R＝3kΩ且VD Z接反时，U O＝；4．当R＝3kΩ且R L＝1kΩ时，U O＝。
(10 分)3.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U Z＝5V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝30mA。
选择正确答案填入空内。
1．U I＝12V，R＝2k，R L＝1k，则U O＝。
A．0V B．4V C．5V 2．U I＝16V，R＝R L＝1k，则U O＝。
A．4V B．5V C．8V 3．若I L＝35mA，则I R的下限值应取。
A．40mA B．65mA C．35mA 4．若U I＝12V，R＝200，则I L的最大值I Lmax= ， A．5mA B．35mA C．30mAI L的最小值I Lmin= 。
A．5mA B．10mA C．0mA(10 分)4.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝30mA。
选择正确答案填入空内。
（如左上图）1．U I＝12V，R＝2k，R L＝1k，则U O＝。
A．0V B．4V C．5V 2．U I＝20V，R＝2k，R L＝3k，则U O＝。
A．4V B．6V C．12V 3．若I L＝40mA，则I R的下限值应取。
A．45mA B．40mA C．70mA4．若U I＝15V，R＝300，则I L的最大值I Lmax= ， A．30mA B．5mA C．25mAI L的最小值I Lmin= 。
A．0mA B．5mA C．10mA(10 分)5.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U Z＝6V，最大耗散功率P ZM＝240mW，最小稳定电流I Zmin＝5mA，正向导通电压U D＝0.7V。
选择正确答案填入空内。
（如左下图）1．U I＝15V，R＝2k，R L＝1k，则U O＝。
A．6V B．5V C．0.7VD．0V2．U I＝20V，R＝R L＝1k，则U O＝。
A．0.7V B．5V C．6VD．10V3．若U I＝20V，R＝0.5k，则限流电阻R的电流I R＝；A．40mA B．35mA C．28mAD．12mA为保证电路正常工作， I L的最大值不应超过；A．40mA B．35mA C．28mAD．23mAI L的最小值应大于。
A．18mA B．10mA C．5mAD．0mA(10 分)6.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U Z＝5V，最大耗散功率P ZM＝200mW，最小稳定电流I Zmin＝5mA，正向导通电压U D＝0.7V。
选择正确答案填入空内。
（如右上图）1．U I＝12V，R＝2k，R L＝1k，则U O＝。
A．0V B．0.7V C．4V D．5V2．U I＝15V，R＝R L＝1k，则U O＝。
A．0.7V B．4V C．5V D．7.5V3．若U I＝15V，R＝200，则R中的电流I R＝；A．75mA B．50mA C．40mA D．25mA为保证电路正常工作，I L的最大值不应超过；A．45mA B．35mA C．30mA D．25mAI L的最小值应大于。
A．0mA B．5mA C．10mA D．35mA(05 分)7.如图所示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1＝6.3V， VD Z2的稳定电压U Z2＝7.7V，它们的正向导通电压U D均为0.7V，U I和R的取值合理，U I的实际极性和U O1～U O4的假设极性如图中所标注。
填空：U O1＝ V，U O2＝ V，U O3＝ V，U O4＝ V。
(05 分)8.在图示电路中，已知稳压管VD Z1的稳定电压U Z1＝5.3V，VD Z2的稳定电压U Z2＝6.7V，它们的正向导通电压U D均为0.7V，U I和R的取值合理，U I的极性如图中所标注。
填空：U O1＝ V，U O2＝ V，U O3＝ V，U O4＝ V。
(08 分)9.在图示稳压电路中，稳压管的稳定电压U Z＝6V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，正向导通电压U D＝0.7V；U I＝15V。
填空：1．当R＝R L＝1kΩ时，U O＝； 2．当R＝R L＝3kΩ且VD Z开路，U O＝；3．当R＝3kΩ且VD Z接反时，U O＝； 4．当R＝2kΩ且R L＝1kΩ时，U O ＝。
(12 分)10.在如图所示稳压电路中，已知稳压管的稳定电压U Z＝5V，最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax＝35mA，其余参数如图中所标注。
1．求解允许负载电阻R L的变化范围；2．若R L开路，将会出现什么现象？（如左下图）(10 分)11.在如左下图所示稳压电路中，已知：稳压管的最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax=25mA，其余参数如图中所标注。
求解为保证电路正常工作所允许的U I的变化范围。
(10 分)12.在如右上图所示稳压电路中，已知：稳压管的最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax=25mA，其余参数如图中所标注。
求解为保证电路正常工作所允许的U I的变化范围。
(08 分)13.在如左下图所示稳压电路中，已知稳压管的最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax=35mA，I L＝20mA，其余参数如图中所标注。
求解限流电阻R的取值范围。
(08 分)14.在如右上图所示稳压电路中，已知稳压管的最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax=25mA，I L=20mA，其余参数如图中所标注。
求解限流电阻R的取值范围。
(08 分)15.在如左下图所示稳压电路中，已知稳压管的最小稳定电流I Zmin＝5mA，最大稳定电流I Zmax=35mA，负载电流I L＝5～25mA，其余参数如图中所标注。