模拟电子技术习题答案(1)
模拟电子技术习题及答案
模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1．1 填空题1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成 N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成 P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于 650 Ω，交流电阻等于 26 Ω。
1．2 单选题1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。
A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由( D )构成。
A．价电子 B．自由电子 C．空穴 D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而( B )。
A．减小 B．基本不变 C．增大4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。
A．增大 B．基本不变 C．减小5．变容二极管在电路中主要用作( D )。
、A．整流 B．稳压 C．发光 D．可变电容器1．3 是非题1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
( √ )2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )3．二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。
( × )4．只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。
( × )1．4 分析计算题1．电路如图T1．1所示，设二极管的导通电压UD(on)=0.7V，试写出各电路的输出电压Uo值。
模拟电子技术课后习题及答案1
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B.T U U I e S C. )1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS 管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
模拟电子技术基础习题及答案
第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。
如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？ 解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。
（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。
此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？ 解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。
已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。
试求： （1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。
解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？ 解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。
模拟电子技术(王成华第二版)课后习题及答案_1
习 题题1.1 求硅本征半导体在温度为250K 、300K 、350K 时载流子的浓度。
若掺入施主杂质的浓度317d cm 10=N ，分别求出在250K 、300K 、350K 时电子和空穴的浓度。
解：当K 250=T 时，有:38221.123162231i 1i cm 10057.12501087.3)()(go ⨯=⨯⨯⨯=⋅==−−kTkTE ee TA T p T n ，同理，当K 300=T 时，有: 3102i 2i cm 10095.1)()(⨯==T p T n ，当K 350=T 时，有: 3113i 3i cm 10060.3)()(⨯==T p T n ， 当掺入施主杂质后，电子浓度：d N n =，空穴浓度：n n p 2i =，当K 250=T 时，317cm 10=n ,31712i cm 112.010)(==T n p ， 当K 300=T 时，317cm 10=n ,331722i cm 10199.110)(⨯==T n p ， 当K 350=T 时，317cm 10=n ,351732i cm 10364.910)(⨯==T n p 。
题1.2 若硅PN 结的317a cm 10=N ，316d cm 10=N ，求K 300=T 时PN 结的内建电位差。
解：)ln(2i da T n N N U U ⋅⋅=ϕ， 当K 300=T 时，mV 26T =U ，310i cm 1043.1⨯=n ,代入得：76.0)cm 101.43(cm 10cm 10ln V 026.023********=⎥⎦⎤⎢⎣⎡⨯⨯⨯=ϕU V 。
题1.3 已知锗PN 结的反向饱和电流为610−A ，当外加电压为0.2V 、0.36V 及0.4V 时流过PN 结的电流为多少？由计算结果说明伏安特性的特点。
解：根据PN 结方程，流过PN 结的电流)1(TS −⋅=U U eI I ，6S 10−=I A ，26T =U mV ，2.01=U V 时，3S 11019.2)1(T1−⨯=−⋅=U U eI I A ，36.02=U V 时，03.1)1(T2S 2=−⋅=U U e I I A ，4.03=U V 时，8.4)1(T3S 3=−⋅=U U eI I A ，2.04−=U V 时，04=I ，反向截止， 36.05−=U V 时，05=I ，反向截止， 4.06−=U V 时，06=I ，反向截止，由此可见，PN 结外加正向电压时，斜率稍有增加就引起正向电流明显增加。
电路与模拟电子技术习题集(模拟电子技术部分)答案1.
洛阳理工学院 模拟电子技术 试卷（总）一、单选题1. 杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（B ）。
A.温度；B.杂质浓度；C.电子空穴对数目；D 其它 2. 稳压二极管稳压时应工作在（C ）状态。
A ．正向导通；B ．反向截止；C ．反向电击穿 ；D ．反向热击穿3. N 型半导体是在本征半导体中掺入（C ）；P 型半导体是在本征半导体中掺入（A ）。
A.三价元素，如硼等； B.四价元素，如锗等；C.五价元素，如磷等4.PN 结加正向电压时，有（A ）形成电流，其耗尽层（D ）；加反向电压时，由（B ）形成电流，其耗尽层（C ）。
A.扩散运动； B.漂移运动； C. 变宽； D.变窄5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流（A ）。
A.增大； B.不变； C.减小6.一个平衡PN 结，用导线将P 区和N 区连起来，而导线中（ B ）。
A.有微弱电流B.无电流C.有瞬间微弱电流 7.晶体管在大电流工作时，随Ic 的增加β值将（ B ）。
A.增加； B.下降； C.不变8.某三极管各电极电位如图1.1所示，由此可判断该三极管处于（A ）。
A ．放大状态B ．截止状态C ．饱和状态 9. 双极型三极管用于放大时，应使（B ）。
A ．发射结正偏、集电结反偏；B ．发射结、集电结均正偏；C ．发射结反偏、集电结正偏；D ．发射结、集电结均反偏10. 共射放大电路输出电压出现饱和失真时，是由于（B ）造成的。
A ．静态工作点过低； B.静态工作点过高； C.信号频率过高； D.信号频率过低11．共射、共基、共集三种组态放大电路中，既有电压放大作用，又有电流放大作用的是（A ）组态。
A ．共射； B. 共基； C. 共集； D.三种都是12. 测得NPN 型三极管各电极对地的电位分别为V e =2.1V ，V b =2.8V ，V c =4.4V ，说明此三极管工作在（A ）。
A ．放大区；B ．饱和区；C ．截止区；D ．反向击穿区 13. 下列放大电路输入电阻高、输出电阻低的是（B ）。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
（2） A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开， Re 有电流串联负反馈，（ Aum 下降）， Ri 增加， R0 不变；
（1） 画出直流通路和微变等效电路 （6 分）。 （2）设 U BEQ 0.7V ，求静态工作点
I CQ 、 U CEQ （4 分）
（3）求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
，设 =30，
rbb' =19 4 （6 分）
（4） I CEO 、U CES 忽略不计，估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
（3） Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图， C1 ~ C4 足够大，
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
（3） R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B；A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A（2）B；A；C（3)B；C；C (4) C，B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
模拟电子技术习题答案1
模拟电子技术习题答案电工电子教学部2012.2第一章 绪论一、填空题：1. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。
2. 信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的 频谱 。
3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。
4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。
5. 各种信号各频率分量的 相位 随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。
6. 周期信号的频谱都由 直流分量 、基波分量 以及 无穷多项高次谐波分量 组成。
7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。
8. 在时间上和幅值上均是离散的信号 称为数字信号。
9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路 四类。
10. 输入电阻 、输出电阻 、增益 、 频率响应 和 非线性失真 等主要性能指标是衡量放大电路的标准。
11. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能量 的能力。
12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是 dB lg 20v A =电压增益 、dB lg 20i A =电流增益 。
13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化 的稳态响应。
14. 幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系 。
15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率 之间的关系 。
二、某放大电路输入信号为10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电路？ 解： Ω105A10V 50pA 10mV 5001011i o r ⨯====-.i v A 属于互阻放大电路 三、某电唱机拾音头内阻为1MΩ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Ω扬声器连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路，它的输入电阻R i =1MΩ，输出电阻R o =10Ω，电压增益为1，试求这时扬声器上的电压。
模拟电子技术第一章 习题与答案
第一章习题与答案1.什么是PN结的偏置？PN结正向偏置与反向偏置时各有什么特点？答：二极管（PN结）阳极接电源正极，阴极接电源负极，这种情况称二极管正向偏置，简称正偏，此时二极管处于导通状态，流过二极管电流称作正向电流。
二极管阳极接电源负极，阴极接正极，二极管处于反向偏置，简称反偏，此时二极管处于截止状态，流过二极管电流称为反向饱和电流。
把二极管正向偏置导通、反向偏置截止的这种特性称之为单向导电性。
2.锗二极管与硅二极管的死区电压、正向压降、反向饱和电流各为多少？答：锗管死区电压约为0.1V，硅管死区电压约为0.5V。
硅二极管的正向压降约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3V。
硅管的反向电流比锗管小，硅管约为1uA，锗管可达几百uA。
3.为什么二极管可以当作一个开关来使用？答：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
4.普通二极管与稳压管有何异同？普通二极管有稳压性能吗？答：普通二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
稳压二极管的稳压原理：稳压二极管的特点就是加反向电压击穿后，其两端的电压基本保持不变。
而普通二极管反向击穿后就损坏了。
这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。
因此，普通二极管在未击穿的条件下具有稳压性能。
5.选用二极管时主要考虑哪些参数？这些参数的含义是什么？答：正向电流IF：在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
正向电压降VF：二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
最大整流电流（平均值）IOM：在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
反向击穿电压VB：二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
正向反向峰值电压VRM：二极管正常工作时所允许的反向电压峰值。
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模拟电子技术习题答案(1)
第一章常用半导体器件1
习题答案
〖题1.1〗（1）杂质浓度，温度（2）呈圆形电中性，呈圆形电中性（3）等同于，大于，变宽，大于，变窄（4）逆向打穿（5）减小，减小，增大（6）左移，下移，加高（7）、发射结，erf（8）一种载流子参予导电，两种载流子参予导电，压控，流控。
〖题1.2〗二极管电路如图t1.2所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出端电压uo。
设二极管的导通压降为ud=0.7v。
adbadr10v5vcb?uo??r5v10vuo?(a)b1d1a?r12v9v?uob1b2(b)d1d2r10v15vuoab2d2??(c)(d)
图t1.2
解：（a）uo=ua－ud=－5v－0.7v=－5.7v（b）uo=ub=uc=－5v（c）uo=ua=－0.7v（d）uo=ua=－9.3v
〖题1.3〗二极管电路例如图t1.3(a)右图，未知ui?10sin?t(mv)，e?1.2v，
ui电容c和直流电源e对交流视为短路，二极管的伏安特性曲线如图t1.3(b)所示，r?100?，
谋二极管两端的电压和穿过二极管的电流。
解：id?id?id?(5?1.92sin?t)ma
ud?ud?ud?(0.7?0.01sin?t)v
+redcid/ma12id8400.30.60.91.2ud/v??ud(a)(b)图t1.3
第一章常用半导体器件2
〖题1.4〗设图t1.4中的二极管d为理想二极管，试通过计算判断它们是否导通？。
6k?d4k??5k?1k?4k?5kb20v?18kd?20k?14kb?1k5k?15v10vaa10v?2k(a)(b)图t1.4解：(a)ua??10?41?(?20)9v4?61?45ub??2010v,ua?ub,二极管导通；
5?525?(?15)4v(b)ua??10?2?185?201ub??151v,ua?ub,二极管截至。
1?141k?1k??d5v?(a)d??〖题1.5〗在图t1.5所示电路中，已知ui=10sinωt(v),二
极管的正向压降和反向电流均可忽略。
分别画出它们的输出波形和传输特性曲线uo=f(ui)。
求解：
uiuouid5vuo(b)d1kui5vuoui1kuo5v(c)(d)图
t1.5uo(v)5555uo(v)5o5ui(v)uo(v)5o5ui(v)uo(v)5o5ui(v)ouo(v)5uo(v)uo(v)uo(v)5ui( v)oπ/35π/6(a)?toπ/35π/6(b)2π?toπ/35π/6(c)2π?toπ/35π/6(d)t?
第一章常用半导体器件3
〖题1.6〗有两只硅稳压管dz1、dz2，它们的正向导通电压ud=0.7v，稳压值分别为
uz1=6v，uz2=9v。
试问：
（1）将它们串联相连时可以获得几种稳压值，各为多少？（2）将它们并联相连时又
可以获得几种稳压值，各为多少？求解：（1）6.7v，9.7v，15v；（2）0.7v，6v。
〖题1.7〗已知稳压管dz的稳压值uz?6v，最小稳定电流izmin=5ma，ui?10v,求图
t1.7所示电路中uo1和uo2的值。
r?ui??r??500?dzrl2k?uo1?2k?dzrl2k?uo2?ui?图t1.7
解：(a)假设稳压管dz能够稳压则：iz?ir?irl?假设成立，所以uo1=6v；
(b)若稳压管dz能稳压则：iz?ir?irl?ui?uzuz??5ma?izmin，
rrlui?uzuz1ma?izmin，rrlrl?5v。
rl?r假设不成立，稳压管不导通，所以uo2?ui?〖题1.8〗电路如图t1.8所示，已知
e=20v，r1=400ω，r2=800ω。
稳压管的稳定电压uz=10v，稳定电流izmin=5ma，最大稳
定电流izmax=20ma求流过稳压管的电流iz=?如果r2断开，将会出现什么问题？r2的最
大值为多少？
求解：假设稳压管能稳压，则:
ei1r1i2izdze?uzuziz?i1?i212.5ma?izmin,
r1r2假设设立，且iz?izmax,iz?12.5ma，如果r2断裂，稳压管中电流过大将被损坏；iz?i1?i2?r2图t1.8e?uzuz??izmax，r2的最大值为2kω。
r1r2
第一章常用半导体器件4
〖题1.9〗测得压缩电路中的两个晶体管的两个电极电流例如图t1.9右图。
（1）另
一个电极的电流，并在图中标示出实际方向；
（2）判断它们的管型，并标出e、b、c极；
（3）估计它们的β值和?值。
2.02ma1.2ma
1.23ma0.02ma
(b)(a)
图t1.9求解：图（a）：（1）2ma，流向电极，（2）npn型管，上e左c右b，（3）β=100，α=0.99；图（b）：（1）0.3ma，从电极流入，（2）pnp型管，上c左b右e，（3）β=40，
α=0.975。
〖题1.10〗存有两只晶体管，a管及的?=200，iceo?200μa；b管及的?=50，
iceo=10μa，其它参数大致相同，用作放大时最好选用哪只管？
求解：b管。
（采用bjt时，通常期望极间逆向饱和电流尽量大些，以增大温度对
bjt性能的影响）。
〖题1.11〗在放大电路中，测得三只晶体管各个电极的电位如下，a管：①2v，
②2.7v，③6vb管：①2.2v，②5.3v，③6vc管：①－4v，②－1.2v，③－1.4v试判断晶
体管的类型、材料、电极。
解：a管：npn型，硅，①e，②b，③c；
b管：pnp型，硅，①c，②b，③e；c管：pnp型，锗，①c，②e，③b。
〖题1.12〗用万用表直流电压档测得某电路中三只晶体管各电极的电位如下，a管：uc=－18v，ub=－12.3v，ue=－12v；b管：uc=+6v，ub=+0.1v，
ue=－0.2v；c管：uc=+5.3v，ub=+5.3v，ue=+6v。
先行推论晶体管的工作状态。
解：a管：放大状态，b管：放大状态，c管：临界饱和状态。
〖题1.13〗工作在饱和状态的pnp型晶体管，三个电极电位的关系哪一组恰当？（1）ue>ub，uc>ub，ue>uc；（2）ue>ub，ucuc；
（3）ub>ue，ubuc；解：（1）组正确
第一章常用半导体器件5
〖题1.14〗电路如图t1.14所示，已知晶体管?=50，导通时ube=0.7v，试分析vbb
为0、1v、2v三种情况下晶体管t的工作状态即输出端电压uo的值。
求解：vbb=0时，t截至，uo=12v；
vbb=1v时，t放大，uo=9v；vbb=2v时，t饱和，uo<0.7v。
〖题1.15〗电路例如图t1.15右图，晶体管的?=50，
rc1k?rbvbb5k??vcc(?12v)?tuo?|ube|=0.2v，饱和管压降|uces|=0.1v；稳压管的稳定电压uz=5v，正向导通电压ud=0.5v。
试问：当ui=0v和ui=－5v时uo的值各为多少？
求解：ui=0v时uo=－uz=－5v；
ui=－5v时uo=－0.1v。
〖题1.16〗某晶体管的音速参数pcm=150mw，icm=100ma，u(br)ceo=30v。
何况：
（1）若它的工作电压uce=10v，则工作电流ic不得超过多少？
ui图t1.14?vcc(?12v)rc1k?rb10k??tuo?图t1.15（2）若工作电流ic=1ma，则工作电压uce严禁少于多少？求解：（1）ic严禁少于5ma（2）uce严禁少于30v
〖题1.17〗电路如图t1.17（a）所示，场效应管t的输出特性曲线如图（b）所示。
（1）画出t在恒流区的转移特性曲线；
（2）分析当ui为4v、8v、12v三种情况下场效应管分别工作在什么区域？
id/mard3.3k??vdd(?12v)43ugs?12v11v10v9v8v6v5v510152025uds/v?t?ui?2uo?10图t1.17
求解：（1）略
（2）ui=4v时，t工作在夹断区；
ui=8v时，t工作在恒流区；
ui=12v时，t工作在可变电阻区。