《电工电子技术》全套课件 第5章 常用半导体器件
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《电工电子技术》(曹建林) PPT课件:5.1 二极管

思考题
1. PN结二极管的重要特性是 A 。 A. 单向导电性 B.热敏性、光敏性 C.可逆性
D.杂敏性
2. 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,
好的管子应为 C 。
A. 正、反电阻相等
B.正向电阻大,反向电阻小
C.反向电阻比正向电阻大很多 D.正、反向电阻都等于无穷大
5.1 二极管
P
变窄
N
–+ –+ –+ –+
I
外电场方向 向电压 扩散运动>漂移运动
P I≈0
变宽
N
– – ++
–– ++
–– + +
–– ++
内电场方向
外电场方向
–
+
PN结加反向电压 扩散运动<漂移运动
5.1 二极管
PN结及其特性 二极管的结构与伏安特性 二极管的主要参数与应用 特殊二极管及其应用
3. 当温度升高时,少子的数量 C 。
A. 减少
B. 不变
C. 增多
4. 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是 B , N 型半导体中的电流主要是 A 。
A. 电子电流 B.空穴电流
5.1 二极管
PN结及其特性 二极管的结构与伏安特性 二极管的主要参数与应用 特殊二极管及其应用
3 PN结
P
变窄
N
–+ –+ –+ –+
I
外电场方向 +
内电场方向 –
PN结加正向电压 扩散运动>漂移运动
P I≈0
变宽
N
– – ++
《常用半导体器件》课件

反向击穿电压:二极管在反向电压作用下, 能够承受的最大电压
开关速度:二极管从正向导通到反向截止 的时间
反向漏电流:二极管在反向电压作用下, 流过二极管的电流
噪声系数:二极管在信号传输过程中产生 的噪声大小
晶体管的特性参数与性能指标
输出电阻:ro,表示晶体管 输出端的电阻
频率特性:fT,表示晶体管 能够工作的最高频率
使用注意事项:在使用二极 管时,需要注意二极管的极 性,避免接反导致电路损坏
散热问题:在使用二极管时, 需要注意二极管的散热问题, 避免过热导致电路损坏
晶体管的选用与使用注意事项
晶体管类型:根据电路需求选择合适的晶体管类型,如NPN、PNP、 MOSFET等。
工作频率:选择工作频率满足电路需求的晶体管,避免频率过高导致晶 体管损坏。
06
半导体器件的选用与使 用注意事项
二极管的选用与使用注意事项
选用原则:根据电路要求选 择合适的二极管类型和参数
正向导通电压:选择二极 管时,需要考虑正向导通 电压与电路电压的匹配
反向耐压:选择二极管时, 需要考虑反向耐压与电路电 压的匹配
反向漏电流:选择二极管时, 需要考虑反向漏电流与电路 要求的匹配
稳定性: 指集成电 路在正常 工作状态 下的稳定 性能
集成电路 的封装形 式:包括 DIP、 QFP、 BGA等
集成电路 的应用领 域:包括 消费电子、 通信、汽 车电子等
场效应管的特性参数与性能指标
栅极电压:控制场效应管的导通和关断 漏极电流:场效应管的输出电流 输入阻抗:场效应管的输入阻抗高,可以减少信号损失 输出阻抗:场效应管的输出阻抗低,可以减少信号损失 开关速度:场效应管的开关速度快,可以减少信号损失 功耗:场效应管的功耗低,可以减少能源消耗
电工电子技术基础课件:半导体器件

是用平均值来表示,记为UO,根据半波整流波形在一个周期内积
分的平均有
UO
1 T
T
uidt
0
1 2π
π 0
2Ui sin tdt
2 π
Ui
0.45Ui
在本题中因为Ui =10V,所
以
UO 0.45Ui 4.5V
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半导体器件——二极管
(2)选择整流二极管主要是选择其参数,由于在负半周时二极 管不导通,这时加在二极管上的最大反向电压为10 2V的电压。在 二极管导通期间流过二极管的电流就是流过负载电阻的电流
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半导体器件——二极管
温度变化时的特性曲线
温度升高,正向特性左移,反向特性下移
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半导体器件——二极管
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三、主要参数
半导体器件——二极管
1.最大整流电流 IOM(IF)
二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流
当输入为正半周时二极管D导通,负载上得到正弦波 正半周信号。当输入为负半周时二极管D截止,在负载上 得到是一个单向脉动的电压。
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半导体器件——二极管
[例题]如图中 ui (t) 10 2 sin 31试4t,求R输L 出 4电压, 平均值,并选
择整流二极管。
[解](1)由于整流后的输出电压是脉动直流电压,通常它的大小
最大耗散功率PZM (电流IZM )
稳压管不因为过热而损坏的最大功率损耗值(电
流值),它取决于PN结面积和散热条件。IZm= PZM/UZ
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分的平均有
UO
1 T
T
uidt
0
1 2π
π 0
2Ui sin tdt
2 π
Ui
0.45Ui
在本题中因为Ui =10V,所
以
UO 0.45Ui 4.5V
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半导体器件——二极管
(2)选择整流二极管主要是选择其参数,由于在负半周时二极 管不导通,这时加在二极管上的最大反向电压为10 2V的电压。在 二极管导通期间流过二极管的电流就是流过负载电阻的电流
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半导体器件——二极管
温度变化时的特性曲线
温度升高,正向特性左移,反向特性下移
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半导体器件——二极管
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三、主要参数
半导体器件——二极管
1.最大整流电流 IOM(IF)
二极管长期使用时,允许流过二极管的最大正向平均电流
当输入为正半周时二极管D导通,负载上得到正弦波 正半周信号。当输入为负半周时二极管D截止,在负载上 得到是一个单向脉动的电压。
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半导体器件——二极管
[例题]如图中 ui (t) 10 2 sin 31试4t,求R输L 出 4电压, 平均值,并选
择整流二极管。
[解](1)由于整流后的输出电压是脉动直流电压,通常它的大小
最大耗散功率PZM (电流IZM )
稳压管不因为过热而损坏的最大功率损耗值(电
流值),它取决于PN结面积和散热条件。IZm= PZM/UZ
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电工电子技术课件:半导体器件及其应用

5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
1.单相整流电路 (2)单相桥式整流电路 单相桥式整流电路如图5-8 a)所示,四只整流二极管D1- D4 接成电桥的形式,所以此电路被称为桥式整流电路。图5-8 b) 是其简化画法。
T
a D4
iD1,3
io
D1
u1
u2
RL
uo
v2
D3
D2
b
iD2,4
RL
vo
图5-8 单相桥式整流电路图
电工电子技术
半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
(2)选择滤波电容C
取
RLC
5
T 2
,而
T 1 1 0.02S,
f 50
所以
C 1 5 T 1 5 0.02 417μ F
RL
2 120
2
可以选用C = 500μF,耐压值为50V的电解电容器。
电工电子技术
电工电子技术
半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
5.1.1二极管类型及电路符号 1.二极管类型 按材料来分,最常用的有硅管和锗管两种; 按结构来分,有点接触型、面接触型和硅平面型等几种; 按用途来分,有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多
种。
电工电子技术
半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
2.滤波电路 (2)电感滤波电路 在桥式整流电路和负载电阻间串入一个电感器L,如图5-12所
示。利用电感的储能作用可以减小输出电压的纹波,从而得到 比较平滑的直流。
~
电工电子技术课件PPT课件

利用傅里叶级数将非正弦周期性函数展开成正弦 函数之和的方法,然后分别对各个正弦分量进行 分析。
非线性交流电路的分析
利用图解法和相量法等分析非线性交流电路的方 法。
03
电机与变压器
电机的基本原理
电机的工作原理
电机是利用电磁感应原理工作的, 主要包括发电机和电动机两种类 型。发电机是将机械能转换为电 能,而电动机则是将电能转换为
风力发电控制系统
电工电子技术在风力发电 控制系统中发挥着关键作 用,确保风能的高效利用。
电动汽车驱动系统
电工电子技术为电动汽车 驱动系统的研发提供了支 持,推动了电动汽车的普 及和发展。
THANKS
感谢观看
电工电子技术课件
• 电工电子技术概述 • 电路分析基础 • 电机与变压器 • 半导体器件与集成电路 • 信号处理与电子测量 • 电工电子技术的未来发展
01
电工电子技术概述
电工电子技术的发展历程
19世纪末至20世纪初
01
电工电子技术的萌芽阶段,主要涉及简单电学原理的应用和早
期电子管的发明。
20世纪中期
戴维南定理
表示一个线性有源二端网络可以用一个电压源和 一个电阻串联来表示,其中电压源的电压等于网 络的开路电压,电阻等于网络中所有独立源置零 后的等效电阻。
电路的分析方法
支路电流法
以支路电流为未知量,根据基尔霍夫 定律列出方程组求解的方法。
节点电位法
以节点电位为未知量,根据基尔霍夫 定律列出方程组求解的方法。
在交通领域,变压器用于供电和控制系统 ,如地铁、高铁、动车等轨道交通系统和 电动汽车充电桩等。
04
半导体器件与集成电路
半导体器件的基本原理
01
非线性交流电路的分析
利用图解法和相量法等分析非线性交流电路的方 法。
03
电机与变压器
电机的基本原理
电机的工作原理
电机是利用电磁感应原理工作的, 主要包括发电机和电动机两种类 型。发电机是将机械能转换为电 能,而电动机则是将电能转换为
风力发电控制系统
电工电子技术在风力发电 控制系统中发挥着关键作 用,确保风能的高效利用。
电动汽车驱动系统
电工电子技术为电动汽车 驱动系统的研发提供了支 持,推动了电动汽车的普 及和发展。
THANKS
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电工电子技术课件
• 电工电子技术概述 • 电路分析基础 • 电机与变压器 • 半导体器件与集成电路 • 信号处理与电子测量 • 电工电子技术的未来发展
01
电工电子技术概述
电工电子技术的发展历程
19世纪末至20世纪初
01
电工电子技术的萌芽阶段,主要涉及简单电学原理的应用和早
期电子管的发明。
20世纪中期
戴维南定理
表示一个线性有源二端网络可以用一个电压源和 一个电阻串联来表示,其中电压源的电压等于网 络的开路电压,电阻等于网络中所有独立源置零 后的等效电阻。
电路的分析方法
支路电流法
以支路电流为未知量,根据基尔霍夫 定律列出方程组求解的方法。
节点电位法
以节点电位为未知量,根据基尔霍夫 定律列出方程组求解的方法。
在交通领域,变压器用于供电和控制系统 ,如地铁、高铁、动车等轨道交通系统和 电动汽车充电桩等。
04
半导体器件与集成电路
半导体器件的基本原理
01
2024版电工电子技术全套课件(完整版)

介绍电气控制技术的定义、作用、应用领域等基本概念。
电气控制原理
详细阐述电气控制的基本原理,包括电气控制系统的组成、 工作原理、控制方式等。
基本控制环节
深入讲解电气控制中的基本控制环节,如启动、停止、保 护、联锁等,并分析其实现方法和特点。
2024/1/29
24
可编程控制器(PLC)原理及应用
PLC概述
简要介绍PLC的定义、发展历程、 应用领域等基本概念。
PLC原理
详细阐述PLC的工作原理,包括硬 件组成、软件编程、工作原理等方 面。
2024/1/29
PLC应用
深入讲解PLC在工业自动化领域的 应用,如顺序控制、过程控制、运 动控制等,并分析其实现方法和特 点。
25
典型电气控制系统案例分析
案例分析一
信号发生器
信号发生器的分类、工作原理及 性能指标。
晶体管毫伏表
晶体管毫伏表的工作原理及使用 注意事项。
6
02
直流电路与交流电路
2024/1/29
7
直流电路分析方法
01
02
03
基尔霍夫定律
介绍基尔霍夫电流定律和 电压定律,以及其在电路 分析中的应用。
2024/1/29
电阻的串并联
详细讲解电阻的串联、并 联及混联电路的分析方法, 包括等效电阻、电压和电 流的计算。
介绍一个典型的电气控制系统案例,分析其控制需求、设计方案、 实现方法等。
案例分析二
再介绍一个不同类型的电气控制系统案例,同样分析其控制需求、 设计方案、实现方法等。
案例总结
对两个案例进行总结,归纳出电气控制系统的设计思路、实现方法、 注意事项等。
2024/1/29
26
电气控制原理
详细阐述电气控制的基本原理,包括电气控制系统的组成、 工作原理、控制方式等。
基本控制环节
深入讲解电气控制中的基本控制环节,如启动、停止、保 护、联锁等,并分析其实现方法和特点。
2024/1/29
24
可编程控制器(PLC)原理及应用
PLC概述
简要介绍PLC的定义、发展历程、 应用领域等基本概念。
PLC原理
详细阐述PLC的工作原理,包括硬 件组成、软件编程、工作原理等方 面。
2024/1/29
PLC应用
深入讲解PLC在工业自动化领域的 应用,如顺序控制、过程控制、运 动控制等,并分析其实现方法和特 点。
25
典型电气控制系统案例分析
案例分析一
信号发生器
信号发生器的分类、工作原理及 性能指标。
晶体管毫伏表
晶体管毫伏表的工作原理及使用 注意事项。
6
02
直流电路与交流电路
2024/1/29
7
直流电路分析方法
01
02
03
基尔霍夫定律
介绍基尔霍夫电流定律和 电压定律,以及其在电路 分析中的应用。
2024/1/29
电阻的串并联
详细讲解电阻的串联、并 联及混联电路的分析方法, 包括等效电阻、电压和电 流的计算。
介绍一个典型的电气控制系统案例,分析其控制需求、设计方案、 实现方法等。
案例分析二
再介绍一个不同类型的电气控制系统案例,同样分析其控制需求、 设计方案、实现方法等。
案例总结
对两个案例进行总结,归纳出电气控制系统的设计思路、实现方法、 注意事项等。
2024/1/29
26
《电工电子技术》(曹建林) PPT课件:5.2 三极管

56 58
60
59
58
5.2 晶体管
晶体管的结构与特性曲线
3 特性曲线
(1)输入特性曲线
IB /μA 80 60
UCE≥1V
40
20
0
0.4 0.8
UBE /V
3DG6晶体管的输入特性曲线
晶体管的主要参数
C
+
B
UBE
-
E
UCE=0
C B
E
5.2 晶体管
晶体管的结构与特性曲线
3 特性曲线
(2)输出特性曲线
②饱和区 UCES ≈0 集电极和发射极之间相当于一个闭合的开关。
③放大区 IC=βIB 具有电流放大作用
5.2 晶体管
晶体管的结构与特性曲线
晶体管的主要参数
3 特性曲线
(2)输出特性曲线
工作 状态
放大
PN结偏置
发射结正偏 集电结反偏
特点 IC=βIB
等效
电流控制 器件
饱和 发射结正偏 UCES ≈0 闭合开关 集电结正偏
晶体管的主要参数
2 电流放大作用
IC mA
IB VT
C
µA
3DG6
+
B IE
E
UCC
RB
–
+ UBB –
mA
三极管电流放大实验电路
晶体管电流放大实验测试数据
实
验
电流
1
2
3
次
数
4
5
6
IB/μA 0 IC/mA ≈0 IE/mA ≈0
10 20 30 40 50 0.66 1.14 1.74 2.33 2.91 0.67 1.16 1.77 2.37 2.96
《电工电子技术基础》_电子技术中常用半导体器件

体
•硅和锗 的简化 原子模 型。
•这是硅和锗构成的 共价键结构示意图 • 晶体结构中的 共价键具有很强的 结合力,在热力学 零度和没有外界能
量激发时,价电子
没有能力挣脱共价
•一般情况下,本征半导体中的载流子浓
键束缚,这时晶体 中几乎没有自由电
度很小,其导电能力较弱,且受温度影响 子,因此不能导电
很大,不稳定,因此其用途还是很有限的
•第3 页
•第3 页
•讨论题
•半导体导电机理 •和导体的导电机
• 半导体的导电机理与金属导体 的导电机理有本质的区别:金属 导体中只有一种载流子—自由电
•理有什么区别?
子参与导电,半导体中有两种载
流子—自由电子和空穴参与导电
,而且这两种载流子的浓度可以
•杂质半导体中的多数载
通过在纯净半导体中加入少量的
• 面接触型二极管PN结面积大,因而能通过较大的电流,但其
•第3 页
•3. PN结
• P型和N型半导体并不能直接用来制造半导体器件。通常是在N型或 P型半导体的局部再掺入浓度较大的三价或五价杂质,使其变为P型或N 型半导体,在P型和N型半导体的交界面就会形成PN结。
•PN结是构成各种半导体器件的基础。
• 左图所示的是一块晶片,两边分别形成 P型和N型半导体。为便于理解,图中P区仅 画出空穴(多数载流子)和得到一个电子的 三价杂质负离子,N区仅画出自由电子(多 数载流子)和失去一个电子的五价杂质正离 子。根据扩散原理,空穴要从浓度高的P区 向N区扩散,自由电子要从浓度高的N区向P 区扩散,并在交界面发生复合(耗尽),形 成载流子极少的正负空间电荷区如图中间区 域,这就是PN结,又叫耗尽层。
•第3 。
页
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7
电工电子技术III
可见因热激发而出现的自由电子和空穴是 同时成对出现的,称为电子空穴对。
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8
电工电子技术III
归纳
本征半导体的导电机理
❖ 本征半导体中存在数量相等的两种载流
子,即自由电子和空穴。
❖ 本征半导体的导电能力取决于载流子的
浓度。
❖温度越高载流子的浓度越高本征半
14
电工电子技术III 5.1.2 PN 结的形成
在同一片半导体基片上,分别制造P型半导体和 N型半导体,经过载流子的扩散,在它们的交界面 处就形成了PN结。
因浓度差
多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区
空间电荷区形成内电场
内电场促使少子漂移 内电场阻止多子扩散
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15
+4
+4
+4
+4
共价键有很强的结合力, 使原子规则排列,形成晶体。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价 键中,称为束缚电子,常温下束缚电子很难 脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体 中的自由电子很少,所以本征半导体的导电 能力很弱。
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5
电工电子技术III
3)在绝对0度和没有 外界激发时,价电子完全 被共价键束缚着,本征 半导体中没有可以运动 的带电粒子(即载流子 ),它的导电能力为0 ,相当于绝缘体。
P型半导体中空穴是多子,电子是少子。
◆ 5、杂质半导体对外并不显示电性。
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13
电工电子技术III
杂质半导体的示意表示法
---- - - ---- - - ---- - - ---- - -
P型半导体
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
N型半导体
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青岛大学电工电子实验教学中心
10
电工电子技术III
N型半导体
磷原子
+4
+4
多余电子
+5
+4
青岛大学电工电子实验教学中心
11
电工电子技术III
2)P型半导体
在硅或锗晶体(四价)中掺入少量的三价元素硼, 使空穴浓度大大增加。
多数载流子(多子):空穴。取决于掺杂浓度; 少数载流子(少子):电子。取决于温度。
+4
+4
4)在热或光激发 下,使一些价电子获 得足够的能量而脱离 共价键的束缚,成为 自由电子,同时共价 键上留下一个空位, 称为空穴。
空
穴
+4
+4
自由 电子
+4
+4
+4
+4
束缚 电子
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6
电工电子技术III
5)自由电子和空穴的运动形成电流
+4 +4 +4 +4
在其它力的作用下,空 穴吸引临近的电子来填 补,这样的结果相当于 空穴的迁移,而空穴的 迁移相当于正电荷的移 动,因此可以认为空穴 是载流子。
电工电子技术III
第5章 常用半导体器件
5.1 PN结及其单向导电性
5.2 半导体二极管 5.3 稳压二极管 5.4 半导体三极管 5.5 绝缘栅场效应管 5.6 光电器件
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电工电子技术III
本章学习目标
理解电子和空穴两种载流子及扩散运动和漂移运动的概念。
掌握PN结的单向导电性。
漂移运动
P型半导体
内电场E
N型半导 体
---- - - ---- - - ---- - - ---- - -
+ +++++ 内电场越强,就使漂
+ + + 移+运动+ 越+强,而漂移 + + + 使+空间+ 电+荷区变薄。 + +++++
扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽。
扩散运动
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5.1.1 半导体基础知识
导 体: 自然界中很容易导电的物质.例如金属。 绝缘体:电阻率很高的物质,几乎不导电;如橡皮、 陶瓷、塑料和石英等。
半导体:导电特性处于导体和绝缘体之间的物质, 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等
半导体的特点
当受外界热和光的作用时,它的导电能力明显变化。
往纯净的半导体中掺入某些杂质,会使它的导电能力 明显改变。
+4
+4
空穴
硼原子
+3
+4
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12
电工电子技术III
归纳
◆
1、杂质半导体中两种载流子浓度不同,分为多 数载流子和少数载流子(简称多子、少子)。
◆
2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂 浓度,少数载流子的数量取决于温度。
◆ 3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。
◆ 4、N型半导体中电子是多子,空穴是少子;
导体的导电能力越强。
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9
电工电子技术III 2. 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量杂质。 杂质半导体使某种载流子浓度大大增加。
1)N型半导体
在硅或锗晶体(四价)中掺入少量的五价元素磷, 使自由电子浓度大大增加。
多数载流子(多子):电子。取决于掺杂浓度; 少数载流子(少子):空穴。取决于温度。
电工电子技术III
PN结处载流子的运动
漂移运动
P型半导体
内电场E N型半导体
---- - - ---- - - ---- - - ---- - -
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
空间电荷区
扩散运动
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16
电工电子技术III
PN结处载流子的运动
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3
电工电子技术III
1. 本征半导体
纯净的半导体。如:硅和锗
本征半导体的导电机理
1)最外层四个价电子。
2)共价键结构
Ge
Si
+4
+4
+4
+4
+4表示除去价电子后的原子
共价键共用电子对
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4
电工电子技术III
形成共价键后,每个原子的最外层电 子是八个,构成稳定结构。
掌握二极管的伏安特性、主要参数及主要应用场合。
掌握稳压管的稳压作用、主要参数及应用。
理解三极管的工作原理、特性曲线、主要参数、放大作用 和开关作用。
会分析三极管的三种工作状态。
理解场效应管的恒流、夹断、变阻三种工作状态,了解场 效应管的应用。
青岛大学电工电子实验教学中心
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电工电子技术III
5.1 PN结及其单向导电性
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电工电子技术III
PN结处载流子的运动
漂移运动
P型半导体
---- - - ---- - - ---- - - ---- - -
内电场E N型半导体 所以扩散和漂
+ + + + + 移+ 这一对相反 的运动最终达
+ + + + + 到+ 平衡,相当 于两个区之间
+ + + + + 没+ 有电荷运动 + + + + + ,的+ 空厚间度电固荷定区不