ipd集成无源器件 集成电路 关系
半导体工艺及芯片制造技术问题答案(全).
常用术语翻译active region 有源区2.active component有源器件3.Anneal退火4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积5.BEOL（生产线）后端工序6.BiCMOS双极CMOS7.bonding wire 焊线，引线8.BPSG 硼磷硅玻璃9.channel length沟道长度10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化12.damascene 大马士革工艺13.deposition淀积14.diffusion 扩散15.dopant concentration掺杂浓度16.dry oxidation 干法氧化17.epitaxial layer 外延层18.etch rate 刻蚀速率19.fabrication制造20.gate oxide 栅氧化硅21.IC reliability 集成电路可靠性22.interlayer dielectric 层间介质（ILD）23.ion implanter 离子注入机24.magnetron sputtering 磁控溅射25.metalorganic CVD(MOCVD)金属有机化学气相淀积26.pc board 印刷电路板27.plasma enhanced CVD(PECVD) 等离子体增强CVD28.polish 抛光29.RF sputtering 射频溅射30.silicon on insulator绝缘体上硅（SOI）第一章半导体产业介绍1. 什么叫集成电路？写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量？(15分)集成电路：将多个电子元件集成在一块衬底上，完成一定的电路或系统功能。
集成电路芯片/元件数产业周期无集成 1 1960年前小规模(SSI) 2到50 20世纪60年代前期中规模(MSI) 50到5000 20世纪60年代到70年代前期大规模(LSI) 5000到10万 20世纪70年代前期到后期超大规模(VLSI) 10万到100万 20世纪70年代后期到80年代后期甚大规模(ULSI) 大于100万 20世纪90年代后期到现在2. 写出IC 制造的５个步骤？(15分)Wafer preparation(硅片准备)Wafer fabrication (硅片制造)Wafer test/sort (硅片测试和拣选)Assembly and packaging (装配和封装)Final test(终测)3. 写出半导体产业发展方向？什么是摩尔定律？(15分)发展方向：提高芯片性能——提升速度(关键尺寸降低,集成度提高,研发采用新材料)，降低功耗。
ipd薄膜工艺技术
ipd薄膜工艺技术
IPD (Integrated Passive Devices)薄膜工艺技术是一种用于制造
集成被动器件的工艺技术。
被动器件是指不包含主动器件（如晶体管）的电子器件，包括电阻器、电容器、电感器等。
IPD薄膜工艺技术利用薄膜沉积和薄膜剥离等技术，将多种被
动器件集成在一片芯片上，从而实现电路的集成化和微型化。
该工艺技术可以提高电路的集成度、降低电路的尺寸和重量，以及提高电路的性能和可靠性。
IPD薄膜工艺技术通常包括以下几个主要步骤：
1. 薄膜沉积：使用化学气相沉积、物理气相沉积或溅射等方法，在芯片表面上沉积薄膜材料，如金属、绝缘体或导体材料。
2. 薄膜剥离：通过化学腐蚀或机械剥离等方法，将多层薄膜从芯片的表面剥离下来，形成被动器件。
3. 薄膜加工：对剥离下来的薄膜进行刻蚀、电镀、退火等加工工艺，形成具有特定电气性能的被动器件。
4. 封装：将被动器件封装在芯片上，保护其免受外界环境的影响，并提供外部接口，以便与其他电子器件连接。
IPD薄膜工艺技术广泛应用于无线通信、消费电子、医疗设备、汽车电子等领域，可以实现小型化、高性能和低功耗的电子产品设计。
超宽带高抑制无反射带通滤波器的设计
超宽带高抑制无反射带通滤波器的设计刘赣; 邢孟江; 李小珍; 代传相; 徐珊【期刊名称】《《电子元件与材料》》【年(卷),期】2019(038)010【总页数】6页(P79-84)【关键词】集成无源器件技术; 小型化; 无反射; 高带外抑制; 超宽带; 级联【作者】刘赣; 邢孟江; 李小珍; 代传相; 徐珊【作者单位】昆明理工大学信息工程与自动化学院云南昆明 650500; 昆明学院信息技术学院云南昆明 650500【正文语种】中文【中图分类】TN713随着集成电路的高速发展,对于无源器件的性能要求不断提高,高性能、低成本、小型化成为无源器件设计的重点[1]。
滤波器作为射频前端的重要器件,对通信系统的稳定性、抗干扰性、抗毁性等具有至关重要的作用。
常规的滤波器是反射式滤波器,是通过把不需要的频率成分的能量反射回信号源而达到滤波的目的,实现频率的选择。
在非线性系统中,反射回的信号与已有的信号混叠会产生许多干扰信号,从而对系统的性能造成巨大的影响。
为了解决常规滤波器带来的负面影响,许多电子工程师一般会在常规滤波器前面级联衰减器,在其后再级联放大器,从而最大限度地消除常规滤波器的反射信号带来的影响。
无反射滤波器,就能解决常规滤波器所出现的问题,它可以将带外信号通过电阻有效地吸收掉,再以热量的形式散发掉,减少带外信号的返回能量,从而提高了系统的整体性能。
因此,越来越多的学者开始研究无反射滤波器,无反射滤波器逐渐成为一个研究热点[2-5]。
文献[6]中提出了三个三阶无反射带通滤波器的级联结构,将带外抑制提高到了42 dB,中心频率为200 MHz,达到了良好的吸收效果,但是其元器件数目过多,代价太高。
文献[7]中用传输线的形式,替代了集总元件,设计了一款中心频率为50 GHz,3 dB带宽约为10 GHz的无反射带通滤波器,然而,其带外抑制衰减不是很理想。
文献[8]中研究一阶无反射带通滤波器,采用集总式表面贴装器件(Surface Mounted Devices,SMD),设计并加工了一款中心频率为95 MHz,BW-3dB≤30 MHz的无反射带通滤波器,然而,其过渡带较差。
集成电路的定义、特点及分类介绍
集成电路的定义、特点及分类介绍集成电路（integratedcircuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。
采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，这样，整个电路的体积大大缩小，且引出线和焊接点的数目也大为减少，从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。
它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。
集成电路特点集成电路具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。
它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。
用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。
集成电路的分类（一）按功能结构分类集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。
模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。
例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。
而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。
例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号）。
（二）按制作工艺分类集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。
膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。
（三）按集成度高低分类集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。
（四）按导电类型不同分类集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路,他们都是数字集成电路.双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。
模拟光耦HCNR200、HCNR201应用笔记
HCNR200和HCNR201模拟光电耦合器SPICE电路仿真应用笔记AN5545Jamshed Namdar Khan，安华高科技(Avago Technologies)隔离应用产品事业部光电耦合器应用工程师介绍本应用笔记的目的是展示PSpice软件如何通过使用安华高科技(Avago Technologies)提供的PSpice宏模型精确预测和仿真Avago公司HCNR200和HCNR201模拟光电耦合器的行为，聚焦集成电路仿真程序(SPICE, Sim-ulation Program with Integrated Circuit Emphasis)目前被认为是模拟电路设计工程师不可或缺的工具。
相对模拟光电耦合器数据表参数或规格，良好的宏模型应该精确预测电路性能，PSpice或SPICE仿真是任何设计工程师成功完成设计项目一个必备并且不可或缺的工具，电路仿真有助于原始设计概念的发想，从而允许工程师调整并优化原型电路取得最佳可能电路性能。
电路仿真的最大优势在于建构实体硬件或进行性能测试前可以先行验证并改善设计，极小化花费在原型测试的时间和相关费用成本。
为何需要仿真？不管电路仿真可以如何进行或带来什么，有一点它绝不可能做到的是为你提供实际的电路设计，因此我们首先列举几个吸引设计工程师进行电路仿真的原因。
进行电路仿真的主要动力是极小化预测目标电路设计性能的时间，相较于实际建立和进行原型测试等效电路的评估，使用SPICE电路进行评估所使用的时间相对上非常微小，另外，这些电路仿真也可以在各种不同温度、偏置条件以及零组件数值和误差条件下多次进行，但耗费时间仅为进行电路试验板设计并于工作台上进行评估的数分之一。
在进行光电耦合器SPICE仿真时，首先应该了解的是软件并无法仿真光电耦合器的两个基本特性，设计工程师使用光电耦合器主要有两个理由，分别是绝缘和隔离，SPICE软件并无法对这两个主要关键光电耦合器功能建立模型。
半导体集成电路常见封装缩写(精)
半导体集成电路常见封装缩写解释1. DIP(dual in-line PACkage)双列直插式封装。
插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。
DIP 是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。
引脚中心距2.54mm，引脚数从6 到64。
封装宽度通常为15.2mm。
有的把宽度为7.52mm和10.16mm 的封装分别称为skinny DIP 和slim DIP(窄体型DIP)。
但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。
另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP 也称为Cerdip(见C erdip)。
BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。
SOP小型外引脚封装Small Outline Package ro0c[hi^M 4srs?}JSSOP收缩型小外形封装Shrink Small Outline Package P-pBI%{p)与SOP的区别：近似小外形封装,但宽度要比小外形封装更窄,可节省组装面积的新型封装。
2. DIP(dual tape carrier PACkage)同上。
日本电子机械工业会标准对DTCP 的命名(见DTCP)。
QTCP(quad tape carrier PACkage)四侧引脚带载封装。
TCP 封装之一，在绝缘带上形成引脚并从封装四个侧面引出。
是利用TAB 技术的薄型封装(见TAB、TCP)。
COB(chip on board)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。
虽然COB 是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB 和倒片焊技术。
JLCC(J-leaded chip carrier)J 形引脚芯片载体。
指带窗口CLCC 和带窗口的陶瓷QFJ 的别称(见CLCC 和QFJ)。
集成电路与半导体的关系
集成电路与半导体的关系
集成电路是由大量半导体器件和其他元件组成的电路，而半导体则是制造集成电路的关键材料之一。
因此，集成电路和半导体紧密相关，是相互依存的。
半导体是指电气特性介于导体和绝缘体之间的材料，可用于制造各种电子器件。
在半导体材料的表面或内层引入掺杂物质，可以形成p型（正型）或n型（负型）半导体，而两者交接处又会出现PN结。
基于这些特性，半导体可以制造各种电子器件，例如二极管、场效应晶体管、晶体管等。
而集成电路是在半导体基础上发展起来的。
它是一种将大量的电路元件（包括半导体器件）集成在一块芯片上的电路。
通过微制造技术，将多个器件按照一定规律和方式集成在同一块芯片上，从而实现多种电子器件的功能。
集成电路是电子产品发展的重要基础，广泛应用于通讯、计算机、消费电子等领域。
因此，集成电路和半导体是相互关联的，半导体是集成电路制造的主要材料之一。
集成电路的发展又促进了半导体技术的不断提升和创新，构成了现代电子技术的核心。
TD整理
试卷一、填空题CSP、MCM、QFP；CSP：Chip scale packaging,MCM: Multi chip module; QFP:Quad Flat package （方形扁平式封装)MEMS：陶瓷封装、金属封装、塑料封装；MEMS:Micro electro mechanical system无源器件及三种类型；可以感知监控、传输、减弱和控制电压，但是不能区分正负极，也不能产生任何增益放大，和开关作用的元器件叫做无源器件。
包括电容电阻和电感。
分立式，集成式和嵌入式薄膜厚膜成膜技术；薄膜：真空蒸发、离子溅射是薄膜成膜的主要方法厚膜：印制、烧结、等离子喷涂（是指在陶瓷基片上用印制、烧结工艺或喷涂技术所形成的厚膜浆料）光电子组件封装的封装结构形式；双列直插式封装（DIP）碟形封装微型化双列直插式封装光电子模块封装的工艺技术（耦合工艺），优缺点；光电子模块封装主要工艺：胶合工艺、共晶焊接工艺、引线键合工艺、封焊工艺、光纤金属化与耦合封装工艺优缺点：焊膏成分、特性；焊膏是由合金焊料粉、糊状焊剂和一些添加剂混合而成的膏状体。
它是一种均相的稳定的化合物，有一定的粘性和良好的触变性“爆米花”效应；由于在存放过程中基板会从外界吸潮，当再熔焊快速加热时内部的潮气迅速产生很大压力，造成内部开裂，这一现象称为爆米花效应。
用到凸点的封装形式（凸点）；FC、BGA、TAB、倒装TAB热压键合，超声键合，热声键合的区别：从能量来源、压力、温度、引线材料等方面分析，书上有表二、简答题1，ICA ACA 的工作原理并进行比较ICA：各向同性导电胶（各个方向上导电性能相同） ACA：各向异性导电胶（XY 方向绝缘，Z方向上是导电的）比较：共同点：制作材料都是高聚物和导电粒子，都是在倒装芯片的芯片凸点和基板凸点之间形成电互连。
不同点：Ica导电粒子之间不独立，可以实现横向导电，ACA导电粒子之间独立不接触，粒子分布密度小，不会形成横向导电性，因此具有各向异性。
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IPD（Integrated Passive Devices）是一种集成了无源器件的集成电路。
它们通过在集成电路内部集成电感、电容和电阻等passives 组件，可以大幅度减小整个系统的尺寸、重量和成本。
IPD 在各种无线电和
通信设备中得到广泛应用，包括智能无线终端、平板电脑、传感器、
无线模块和射频前端等。
它们不仅能够提高系统性能，还能够增加设
备的电池寿命。
1. IPD的工作原理
IPD 是一种在集成电路内集成了 passives 组件的器件。
它们通常由多个金属层叠加在一起，通过特定的工艺步骤形成 passives 元件，例如电感、电容和电阻。
这些 passives 元件可以直接连接到集成电路中的active 元件，如功放、滤波器和天线等。
2. IPD与集成电路的关系
IPD 是一种与集成电路（IC）相关的器件。
集成电路是一种通过将多
个元器件集成在一块芯片上来完成特定功能的器件。
IPD 通过在集成
电路内部集成 passives 元件，使得整个系统的尺寸变得更小、成本更低，同时性能更优越。
3. IPD的优势
IPD 具有多种优势，使得它广泛应用于无线电和通信设备中。
IPD 可
以大幅度减小系统的尺寸和重量，尤其对于高频射频应用来说，这一
点非常重要。
IPD 的集成 passives 元件具有更低的损耗和更好的一致
性，这可以提高整个系统的性能。
IPD 还可以减少设计的复杂度和PCB 的层数，从而降低整个系统的成本。
另外，IPD 还可以提供更高
的集成度和更好的抗干扰能力，这在无线通信设备中尤为重要。
4. IPD与无线通信设备的关系
IPD 在无线通信设备中得到广泛应用。
无线通信设备的发展对器件的
功耗、尺寸和成本提出了更高的要求，而 IPD 可以很好地满足这些要求。
IPD 可以用于在无线终端射频前端模块中，减小天线匹配网络的
尺寸，提高天线的效率，从而提高了无线终端的接收和发送性能。
在
其他无线通信设备中，IPD 也被用于实现更小尺寸和更高性能的 RF 滤波器、功率放大器和混频器等。
5. 发展趋势
随着无线通信设备对尺寸、性能和成本要求的不断提高，IPD 在未来
的发展空间将会更加广阔。
未来的 IPD 将更加集成，实现更高的功能
密度和集成度。
随着半导体工艺的不断进步，IPD 的性能将更加优越，损耗更低，从而进一步推动无线通信设备的发展。
另外，随着 5G 技
术的商用化，对 IPD 的需求也将会大幅增加。
6. 总结
IPD 是一种集成了无源器件的集成电路，通过在集成电路内部集成passives 元件，可以大幅度减小整个系统的尺寸、重量和成本，提高
系统性能。
它与集成电路紧密相关，可以应用于各种无线通信设备中，并且在未来有着更广阔的发展空间。