抛光片标准规格及术语.
抛光等级、表面粗糙度对应表
抛光尺寸与粗糙度精度等级对照表之南宫帮珍创作
Ra是在取样长度内轮廓偏距绝对值的算术平均值Rmax是在取样长度内最大峰高与最大谷深的高度差Rmax和Ra没有直接关系，统计上两者间的关系大概是Rmax = 4Ra
国标新旧尺度对照：
概况光洁度14级=Ra 0.012
概况光洁度13级=Ra 0.025
概况光洁度12级=Ra 0.050
概况光洁度11级=Ra 0.1
概况光洁度10级=Ra 0.2
概况光洁度9级=Ra 0.4
概况光洁度8级=Ra 0.8
概况光洁度7级=Ra 1.6
概况光洁度6级=Ra 3.2
概况光洁度5级=Ra 6.3
概况光洁度4级=Ra 12.5
概况光洁度3级=Ra 25
概况光洁度2级=Ra 50
概况光洁度1级=Ra 100
以上概况粗糙度单位均为μm,即微米。
抛光等级、表面粗糙度对应表之欧阳育创编
抛光尺寸与粗糙度精度等级对照表
Ra是在取样长度内轮廓偏距绝对值的算术平均值Rmax是在取样长度内最大峰高与最大谷深的高度差Rmax和Ra没有直接关系，统计上两者间的关系大概是Rmax = 4Ra
μin是半导体方面的单位与1μm=39.37μin
倒三角是日本的粗糙度，一个三角是是1.6μm，两个三角就是3.2μm
国标新旧标准对照：
表面光洁度14级=Ra 0.012
表面光洁度13级=Ra 0.025
表面光洁度12级=Ra 0.050
表面光洁度11级=Ra 0.1
表面光洁度10级=Ra 0.2
表面光洁度9级=Ra 0.4
表面光洁度8级=Ra 0.8
表面光洁度7级=Ra 1.6
表面光洁度6级=Ra 3.2
表面光洁度5级=Ra 6.3
表面光洁度4级=Ra 12.5
表面光洁度3级=Ra 25
表面光洁度2级=Ra 50
表面光洁度1级=Ra 100
以上表面粗糙度单位均为μm,即微米。
ADS光纤连接器抛光片介绍
（ｃ）抛光研磨後
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４．ＡＤＳ研磨条件＜参考＞
1. 使用研磨機 ：Low-Load Polisher 2. 使用陶瓷插芯：φ１．２５ｍｍ 3. 研磨工序
【ＭＵ条件】 研磨胶片 1.清洗黏合剂 2.一次研磨
研磨剤
研磨圧力 研磨時間 橡胶硬度
没有指南（独自精査）
3.二次研磨
（１μＤｉａ）
（純水）
无
（３０秒） （HS55）
陶瓷插芯
Ｂａｓｅ ＰＥＴ 4
２．ＡＤＳ抛光片的特点
（１）长寿命=防止割痕出现
・改变粒子形状，粒子直径和二氧化硅的涂敷方法。
メカニズム
＜最初＞
・在底层全部涂满二氧化硅粒子。
＜使用数次后 ＞
・上层粒子凋落，下层的粒子出现进行补充， 保持研磨性能的持久。
研磨液（SIO2＋EtOH）
Ｂａｓｅ ＰＥＴ
Ｂａｓｅ ＰＥＴ
◇在擦去研磨后的研磨液时请不要用空气压缩机进行吹风，请用无纺布等擦拭。
空气压缩机里的油等物质可能会对光纤的凹陷部分产生较大影响。
◇If the compressed air is used to clean the film after polishing, there is a possibility that it should contain small amount of oily contamination, even it is filtered, which may enlarge dent of the fiber (凹). Therefore, It is recommended that the film be cleaned by the KimWipe etc. and pure water, not by the compressed air.
抛光片标准规格及术语ppt课件
• SEMI M1 Specifications for polished monocrystalline silicon wafers • SEMI M2 Specification for silicon epitaxial wafers for discrete device applications • SEMI M6 Specification for silicon wafers for use as photocoltaic solar cells • SEMI M8 Specification for polished monocrystalline silicon test wafers • SEMI M11 Specifications for silicon epitaxial wafers for integrated circuit application • SEMI M12 Specification for serail alphanumeric marking of the front surface of wafers • SEMI M16 Specification for polycrystalline silicon • SEMI M17 Guide for a universal wafer grid • SEMI M18 Format for silicon wafer specification form for order entry • SEMI M20 Practice for establishing a wafer coordinate system
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SEMI 标准内容
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Table of contents-Topical
300mm硅单晶及抛光片标准
4.0 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 4.6 4.7 4.8 4.9 5.0 5.0 5.2 5.3 5.5
结构特性 位错蚀坑密度 滑移 系属结构 孪晶 漩涡 浅蚀坑 氧化层错（OISF） 氧化物沉淀 硅片制备特性 晶片ID标志 正表面薄膜 洁净区 非本征吸除 背封 见注2 无 无 无 无 见注1 无 无 无 不规定 不规定 不规定 不规定
6.0 6.1 6.2 6.3 6.6 6.7 6.8 6.9 6.11 6.12 6.14 7.0 7.1
机械特性 直径 主基准位置 主基准尺寸 边缘轮廓 厚度 厚度变化（TTV） 晶片表面取向 翘曲度 峰——谷差 平整度／局部 正表面化学特性 表面金属沾污 钠/铝/铬/铁/镍/铜/锌/钙 ≤5×1010／cm2 300±0.2mm 见SEMI M1 见SEMI M1 见SEMI M1 775±25μm 10μm max 1-0-0±1° 50μm max 用户规定 见注3
表1 尺寸和公差要求
特 直 性 径 尺 寸 300.00 725 1.00 90 100 10 ≥0.80 公差 ±0.20 ±20 ＋0.25, －0.00 ＋5，－1 单位A mm μm mm ° μm μm
厚 度，中 心 点 切 口 （见图7） 深 角 翘 曲 度 最 大 值B 总厚度变化（GBIR）C 最大值 背面光泽度D 抛光的边缘轮廓表面加 工度E 边缘轮廓 座标:（见图4） 表3 Cy Cx 度
300mm硅单晶及抛光片标准
有研半导体材料股份有限公司 孙燕
一、300 mm硅单晶及抛光片现状
300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。 而在我国起步较晚，还处于试验阶段。 因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、 金属污染和缺陷控制、表面形态与质量、成本等都面临着新 的挑战。硅材料的生产工艺、技术、检测方法已成为今后研 究的主要内容，同时也是推动产业发展的关键所在。 随着300mm硅单晶及抛光片的诞生，我们也面临一个制定 相应的国家标准的问题。
抛光等级、表面粗糙度对应表
抛光尺寸与粗糙度精度等级对照表
Ra 是在取样长度内轮廓偏距绝对值的算术平均值
Rmax 是在取样长度内最大峰高与最大谷深的高度差
Rmax 和Ra没有直接关系，统计上两者间的关系大概是Rmax = 4Ra
μin是半导体方面的单位与1μm=39。
37μin
倒三角是日本的粗糙度，一个三角是是1.6μm，两个三角就是3。
2μm
国标新旧标准对照:
表面光洁度14级=Ra 0。
012
表面光洁度13级=Ra 0.025
表面光洁度12级=Ra 0。
050
表面光洁度11级=Ra 0。
1
表面光洁度10级=Ra 0。
2
表面光洁度9级=Ra 0.4
表面光洁度8级=Ra 0.8
表面光洁度7级=Ra 1.6
表面光洁度6级=Ra 3.2
表面光洁度5级=Ra 6。
3
表面光洁度4级=Ra 12。
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表面光洁度3级=Ra 25
表面光洁度2级=Ra 50
表面光洁度1级=Ra 100
以上表面粗糙度单位均为μm，即微米。
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数
单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数新闻来源：中国太阳能电池资讯网作者：未知日期：2006-6-1 9:26:00 点击数：269厚度（T）200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（W ARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。
背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕。
（2）加工工艺知识多晶硅加工成单晶硅棒：多晶硅长晶法即长成单晶硅棒法有二种：CZ（Czochralski）法FZ（Float-Zone Technique）法目前超过98％的电子元件材料全部使用单晶硅。
其中用CZ法占了约85％，其他部份则是由浮融法FZ生长法。
CZ法生长出的单晶硅，用在生产低功率的集成电路元件。
而FZ 法生长出的单晶硅则主要用在高功率的电子元件。
CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。
另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。
目前国内主要采用CZ法CZ法主要设备：CZ生长炉CZ法生长炉的组成元件可分成四部分（1）炉体：包括石英坩埚，石墨坩埚，加热及绝热元件，炉壁（2）晶棒及坩埚拉升旋转机构：包括籽晶夹头，吊线及拉升旋转元件（3）气氛压力控制：包括气体流量控制，真空系统及压力控制阀（4）控制系统：包括侦测感应器及电脑控制系统加工工艺：加料→熔化→缩颈生长→放肩生长→等径生长→尾部生长（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。
杂质种类有硼，磷，锑，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。
（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。
300mm硅单晶及抛光片标准
一、300 mm硅单晶及抛光片现状
300mm硅抛光片的产品、工艺技术在国外已经很成熟。 而在我国起步较晚，还处于试验阶段。
因此对于集成电路所需的300mm硅片的基本参数指标、 金属污染和缺陷控制、表面形态与质量、成本等都面临着新 的挑战。硅材料的生产工艺、技术、检测方法已成为今后研 究的主要内容，同时也是推动产业发展的关键所在。
二、 国外涉及300mm产品标准的现状
SEMI的硅单晶的产品标准主要是抛光片规范SEMI M1。 它由一系列直径从2英寸、100mm，直到300mm，及直径 350mm和400mm硅单晶抛光片规格组成，其中只涉及了 最基本的尺寸指标：直径、厚度、晶向、切口或参考面尺 寸极其公差；弯曲度、翘曲度、总厚度变化的最大允许 值，以及轮廓的要求。并且参数都是最宽泛的。SEMI M1.15直径300mm硅单晶抛光片规格（切口）见下表所示。
0.5~50.0 ohm-cm 无 无 无
≤32ppma（旧版ASTMF121－79） 不规定
4.0 结构特性 4.1 位错蚀坑密度 4.2 滑移 4.3 系属结构 4.4 孪晶 4.5 漩涡 4.6 浅蚀坑 4.7 氧化层错（OISF） 4.8 氧化物沉淀 4.9 硅片制备特性 5.0 晶片ID标志 5.0 正表面薄膜 5.2 洁净区 5.3 非本征吸除 5.5 背封
SEMI M8是针对半导体器件制备中用作检验和工艺控制的硅 单晶抛光试验片。对2英寸到300mm的试验片的订货项目及要求。 以及0.13μm线宽的300mm试验片规范指南。
SEMI M24《优质硅单晶抛光片规范》是针对150-300mm直 径， 用于颗粒检测、金属沾污监控、和光刻工艺图形测量的硅单 晶抛光片。针对0.25-0.13μm不同线宽的要求的抛光片规格，给 出了三种不同用途硅片的项目要求。
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Silicon & Silicon On Insulator Silicon Material & Process Contral Package Specification & Test Method
SEMI M/T SEMI MF SEMI G
ASTM American Society for Testing and Materials
• 美国材料与试验学会 • ASTM成立于1898年，是世界上最早、最大的非盈利性标
准制定组织之一，任务是制订材料、产品、系统和服务的 特性和性能标准及促进有关知识的发展。
• 随着业务范围的不断扩大和发展，学会的工作不仅仅是研 究和制定材料规范和试验方法标准，还包括各种材料、产 品、系统、服务项目的特点和性能标准，以及试验方法、 程序等标准。100多年以来， ASTM已经满足了100多个 领域的标准制定需求，现有32000多名会员，分别来自于 100多个国家的生产者、用户、最终消费者、政府和学术 代表。
• Silicon
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Gases – Process Process Chemicals – Acids Chemical and Gas Testing
Automated Material Handling Ststems Equipment Facilities Interface Minienvironments
Tubing, Fittings, and Valves High Purity Piping Systems
拥有会员公司2300多家，会员乃从事半导体和平面显示灯 方面的研发、生产和技术供应的公司。
• SEMI (国际半导体设备材料产业协会) 是全球性的产业协 会，致力于促进微电子、平面显示器及太阳能广电等产业 供应链的整体发展。会员涵括上述产业供应链中的制造、 设备、材料与服务公司，是改善人类生活品质的核心驱动 力。自从1970年至今，SEMI不断致力于协助会员公司快速 取得市场咨询提高获利率、创造新市场、克服技术挑战。
Specifications for Polished Single Crystal Silicon Wafers
• Revision History
• SEMI M1-1109 (technical revision) • SEMI M1-0309E (editorial revision) • SEMI M1-0309 (technical revision) • SEMI M1-0707 (technical revision) • SEMI M1-0307 (technical revision) • SEMI M1-1106 (technical revision) • SEMI M1-1105E (editorial revision) • SEMI M1-1105 (technical revision) • SEMI M1-0305 • SEMI M1-0704 (designation update) • SEMI M1-1103 (designation update) • SEMI M1-0302 (technical revision) • SEMI M1-0701E (editorial revision) •
Statistical Control Safety Guidilines Terminology
SEMI C SEMI C SEMI C/F
SEMI D/E/G/S SEMI E/F SEMI E/F
SEMI F SEMI E/F
SEMI E/M SEMI S SEMI D/E/M/P
Table of contents – SEMI M Topical
JEITA
• 日本电子信息技术工业协会
• Japan Electronics and Information Technology Industries Association是一家行业团体，其宗旨在于促进电子设备、 电子元件的正常生产、贸易和消费，推动电子信息技术产 业的综合发展，为日本的经济发展和文化繁荣作出贡献。 目前，正积极致力于解决电子材料、电子元器件、最终产 品等众多领域的各种课题。JEIDA及EIAJ合并后产生。
硅片标准简介
工艺部
目录
• 标准化组织 • SEMI 标准内容 • SEMI M1-1109
标准化组织
SEMI
Semiconductor Equipment and Materials International
• 国际半导体设备材料产业协会 • SEMI是一个全全球高科技领域的专业协会，创立于1970年，