第四章 存储器习题
(完整word版)第四章存储器习题
第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的,随机访问存储器的访问速度与无关.√2。
主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3。
存储器中用来区分不同的存储单元，1GB= KB。
√4。
半导体存储器分为、、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式.√6。
双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。
√7。
若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式,地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了 ,串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关，其容量为。
11。
要组成容量为4M×8位的存储器,需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时，若首地址为00000H,那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ,MB= ;表示硬盘容量时,KB= ，MB= 。
16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种.18 SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息.23 EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲.24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
第4章全部习题参考答案
超流水线以增加流水线级数的方法来缩短机器周期，使相同时间内超流水线能执行更多的机器指令。
3.4第4章习题解答1、简要解释下列名词述语虚拟存储器：依靠操作系统的支持来实现的，为用户提供一个比实际内存大的可访问存储器空间，即在软件编程上可使用的存储器，称为虚拟存储器。
随机存储器RAM：按给定地址随机地访问任一存储单元，访问时间与单元位置无关。
只读存储器ROM：在正常工作中只能读出，不能写入的存储器。
存取周期：指存储器做连续访问操作过程中一次完整的存取操作所需的全部时间。
数据传输率：是数据传入或传出存储器的速率。
动态刷新：对动态存储器中原存信息为1的电容补充电荷，称为动态刷新。
直接映像Cache：将主存与Cache的存储空间划分为若干大小相同的页，每个主存页只能复制到某一个固定的Cache页中。
全相联映像Cache：将主存与Cache的存储空间划分为若干大小相同的页，主存的每一页可以映象到Cache的任一页上。
组相联映像Cache：将主存与Cache都分组，主存中一个组内的页数与Cache的分组数相同。
每一组Cache中含有若干页（一般页数较少）；则主存中的各页与Cache的固定组号有映象关系，可自由映象到对应的Cache组中任一页。
段页式虚拟存储器：将程序按其逻辑结构分段，每段再分为若干大小相同的页，主存空间也划分为若干同样大小的页。
相应地建立段表与页表，分两级查表实现虚实地址的转换。
以页为单位调进或调出主存，按段共享与保护程序及数据。
相联存储器：是一种按内容寻址的存储器，它是根据所存信息的全部特征或部分特征进行存取的存储器，称为相联存储器。
2．请简计算机系统中的三级存储体系结构模式，并分析这种模式的优点和缺点。
答：三级存储体系包括缓存（cache）、内存和外存，这种模式的优点是层次体系清晰、便于设计实现，也利于系统调度管理，能提高存储系统性能；缺点是结构复杂，管理和控制都比较复杂，硬件成本高。
3．何谓随机存取？何谓顺序存取？何谓直接存取？请各举一例进行说明。
计算机组成与结构部分习题及答案
计算机组成与结构部分习题及答案（仅供参考）第四章主存储器一、选择题1、关于主存下列叙述正确的是（C ）A 主存的速度可与CPU匹配。
B 存是RAM，不包括ROMC 辅存的程序调入主存中才能执行D辅存中不能存放程序，只能存放数据2、断电后将丢失信息的是（B ）A）ROM B）RAM C）磁盘D）光盘3、关于主存下列叙述正确的是（A ）A CPU可直接访问主存，但不能直接访问辅存B CPU可直接访问主存，也直接访问辅存C CPU不能直接访问主存，也不能直接访问辅存D CPU不能直接访问主存，但能直接访问辅存4、16K×32位存储芯片的数据线有（C ）A）5条B）14条C）32条D）46条5、16K×32位存储芯片的地址线有（B ）A）5条B）14条C）32条D）46条6、半导体静态存储器SRAM的存储原理是（A ）A）依靠双稳态电路保存信息B) 依靠定时刷新保存信息C）依靠读后再生保存信息D）信息存入后不在变化7、动态RAM是指（C ）A）存储容动态变化B) 需动态改变访问地址C）需对存储容定时动态刷新D）每次读都要重写动态RAM的基本单元电路。
常见的动态RAM基本单元电路有三管式和单管式两种，它们的共同特点都是靠电容存储电荷的原理来寄存信息的。
若电容上存有足够多的电荷表示存“1”，电容上无电荷表示存“0”。
电容上的电荷一般只能维持1～2ms，因此即使电源不掉电信息也会自动消失。
为此，必须在2ms对其所有存储单元恢复一次原状态，这个过程叫再生或刷新。
由于它与静态RAM相比，具有集成度更高、功耗更低等特点，因此目前被各类计算机广泛应用。
由T l、T2，T3三个MOS管组成的三管MOS动态RAM基本单元电路：读出时，先预充电使读数据线达高电平V DD，然后由读选择线打开T2，若T l的极间电荷Cg存有足够多的电荷(被认为原存“1”)，使T1导通，则因T2、T l导通接地，使读数据线降为零电平，读出“0”信息。
计算机操作系统(习题集)第四章 答案
第四章存储器管理一、单项选择题1、存储管理的目的是（C ）。
A.方便用户B.提高内存利用率C.方便用户和提高内存利用率D.增加内存实际容量2、在（ A）中，不可能产生系统抖动的现象。
A.固定分区管理B.请求页式管理C.段式管理D.机器中不存在病毒时3、当程序经过编译或者汇编以后，形成了一种由机器指令组成的集合，被称为（B ）。
A.源程序B.目标程序C.可执行程序D.非执行程序4、可由CPU调用执行的程序所对应的地址空间为（D ）。
A.符号名空间B.虚拟地址空间C.相对地址空间D.物理地址空间5、存储分配解决多道作业[1C]划分问题。
为了实现静态和动态存储分配，需采用地址重定位，即把[2C]变成[3D]，静态重定位由[4D]实现，动态重定位由[5A]实现。
供选择的答案：[1]：A 地址空间 B 符号名空间 C 主存空间 D 虚存空间[2]、[3]： A 页面地址 B 段地址 C 逻辑地址 D 物理地址 E 外存地址 F 设备地址[4]、[5]： A 硬件地址变换机构 B 执行程序 C 汇编程序D 连接装入程序E 调试程序F 编译程序G 解释程序6、分区管理要求对每一个作业都分配（A ）的内存单元。
A.地址连续B.若干地址不连续C.若干连续的帧D.若干不连续的帧7、（C ）存储管理支持多道程序设计，算法简单，但存储碎片多。
A.段式B.页式C.固定分区D.段页式8、处理器有32位地址，则它的虚拟地址空间为（ B）字节。
A.2GBB.4GBC.100KBD.640KB9、虚拟存储技术是（ A）。
A.补充内存物理空间的技术B.补充相对地址空间的技术C.扩充外存空间的技术D.扩充输入输出缓冲区的技术10、虚拟内存的容量只受（ D）的限制。
A.物理内存的大小B.磁盘空间的大小C.数据存放的实际地址D.计算机地址字长11、虚拟存储技术与（A ）不能配合使用。
A.分区管理B.动态分页管理C.段式管理D.段页式管理12、（B ）是指将作业不需要或暂时不需要的部分移到外存，让出内存空间以调入其他所需数据。
第四章 存储器系统习题
4.2半导体存储器4.2.1填空题1．计算机中的存储器是用来存放__①___的，随机访问存储器的访问速度与___②___无关。
答案：①程序和数据②存储位置2．对存储器的访问包括______和________两类。
答案：①读②写3．计算机系统中的存储器分为__①___和___②____。
在CPU执行程序时，必须将指令存在____③____中。
答案：①内存②外存③内存4．主存储器的性能指标主要是①、②、存储周期和存储器带宽。
答案：①存储容量②存取时间5．存储器中用①来区分不同的存储单元，1GB=②KB。
答案：①地址②1024X1024(或220)6．半导体存储器分为①、②、只读存储器(ROM)和相联存储器等。
答案：①静态存储器(SRAM) ②动态存储器(DRAM)7．RAM的访问时间与存储单元的物理位置①，任何存储单元的内容都能被②答案：①无关②随机访问8．存储揣芯片由①、②、地址译码和控制电路等组成。
答案：①存储体②读写电路9．地址译码分为①方式和②方式。
答案：①单译码②双译码10．双译码方式采用①个地址译码器，分别产生②和③信号。
答案：①两②行选通③列选通11．若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有①条输出线；用双译码方式，地址译码器有②条输出线。
答案：①1024 ②6412．静态存储单元是由晶体管构成的①，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要②。
答案：①双稳态电路②刷新(或恢复)13．存储器芯片并联的目的是为了①，串联的目的是为了②。
答案：①位扩展②字节单元扩展14．计算机的主存容量与①有关，其容量为②。
答案：①计算机地址总线的根数②2地址线数15．要组成容量为4MX8位的存储器，需要①片4MXl位的存储器芯片并联，或者需要②片1MX3的存储器芯片串联。
答案：①8 ②416．内存储器容量为256K时，若首地址为00000H，那么末地址的十六进制表示是答案：3FFFFH17．主存储器一般采用①存储器件，它与外存比较存取速度②、成本③。
计算机组成原理第四章存储系统(一)(含答案)
计算机组成原理第四章存储系统(一)(含答案)4.1存储系统层次结构随堂测验1、哈弗结构（Harvard Architecture）是指（）（单选）A、数据和指令分别存放B、数据和指令统一存放C、指令和数据分时存放D、指令和数据串行存放2、如果一个被访问的存储单元，很快会再次被访问，这种局部性是（）（单选）A、时间局部性B、空间局部性C、数据局部性D、程序局部性3、下列关于存储系统层次结构的描述中正确的是（）（多选）A、存储系统层次结构由Cache、主存、辅助存储器三级体系构成B、存储系统层次结构缓解了主存容量不足和速度不快的问题C、构建存储系统层次结构的的原理是局部性原理D、构建存储系统层次结构还有利于降低存储系统的价格4、下列属于加剧CPU和主存之间速度差异的原因的是（）（多选）A、由于技术与工作原理不同，CPU增速度明显高于主存增速率B、指令执行过程中CPU需要多次访问主存C、辅存容量不断增长D、辅存速度太慢5、下列关于局部性的描述中正确的是（）（多选）A、局部性包括时间局部行和空间局部性B、局部性是保证存储系统层次结构高效的基础C、顺序程序结构具有空间局部性D、循环程序结构具有时间局部性4.2主存中的数据组织随堂测验1、设存储字长为64位,对short变量长度为16位，数据存储按整数边界对齐，关于short变量j在主存中地址的下列描述中正确的是（）（此题为多选题）A、j的物理地址mod 8 = 0B、j的物理地址mod 8 = 1C、j的物理地址mod 8 = 2D、j的物理地址mod 8 = 312、设存储字长为64位,对char变量长度为8位，数据存储按整数边界对齐，关于char变量j在主存中地址的下列描绘中精确的是（）（此题为多项选择题）A、j的物理地址mod 8 = 0B、j的物理地址mod 8 = 1C、j的物理地址mod 8 = 2D、j的物理地址mod 8 = 33、下列关于大端与小端模式的描述中，正确的是（）（此题为多选题）A、大端模式(Big-endian)是指数据的低位保存在内存的高地址中，而数据的高位，保存在内存的低地址中B、小端形式(Little-endian)是指数据的低位保存在内存的低地址中，而数据的高位保存在内存的高地址中C、0xxxxxxxxx按大端模式存放时，其所在存储单元最低字节单元存放的数据是0x12D、0xxxxxxxxx按小端模式存放时，其所在存储单元最高字节单元存放的数据是0x124、下列关于存储字长的描述中正确的是（）（此题为多选题）A、主存一个单元能存储的二进制位数的最大值B、存储字长与所存放的数据类型有关C、存储字长等于存储在主存中数据类型包含的二进制位数D、存储字长普通应是字节的整数倍5、某计算机按字节编址，数据按整数边界存放，可通过设置使其采用小端方式或大端方式，有一个float型变量的地址为FFFF C000H。
操作系统考试必备第四章习题(存储器管理)
一、单项选择题1．在存储管理方案中，可与覆盖技术配合。
A. 页式管理B．段式管理C．段页式管理D．可变分区管理2．在存储管理中，采用覆盖与交换技术的目的是。
A. 节省主存空间B．物理上扩充主存容量C. 提高CPU效率D．实现主存共享3．动态重定位技术依赖于。
A. 重定位装入程序B．重定位寄存器C. 地址机构D．目标程序4. 虚拟存储器的最大容量。
A. 为内外存容量之和B．由计算机的地址结构决定C．是任意的 D. 由作业的地址空间决定5．在虚拟存储系统中，若进程在内存中占3块(开始时为空)，采用先进先出页面淘汰算法，当执行访问页号序列为1、2、3、4、l、2、5、1、2、3、4、5、6时，将产生次缺页中断。
A．7 B．8 C．9 D．106．很好地解决了“零头”问题的存储管理方法是。
A. 页式存储管理B．段式存储管理C. 多重分区管理D．可变式分区管理7．系统“抖动”现象的发生是由引起的。
A. 置换算法选择不当B．交换的信息量过大C. 内存容量不足D. 请求页式管理方案8．分区管理中采用“最佳适应”分配算法时，宜把空闲区按次序登记在空闲区表中。
A. 长度递增B．长度递减C. 地址递增D. 地址递减9．在固定分区分配中，每个分区的大小是。
A. 相同B.随作业长度变化C. 可以不同但预先固定D．可以不同但根据作业长度固定10．实现虚拟存储器的目的是。
A. 实现存储保护D．实现程序浮动C．扩充辅存容量D．扩充主存容量11．采用段式存储管理的系统中，若地址用24位表示，其中8位表示段号，则允许每段的最大长度是。
A．224B．216C．28D．23212．作业在执行中发生了缺页中断，经操作系统处理后，应让其执行指令。
A. 被中断的前一条B．被中断的C．被中断的后一条D．启动时的第一条13．把作业地址空间中使用的逻辑地址变成内存中物理地址的过程称为。
A. 重定位B．物理化C．逻辑化D．加载14．首次适应算法的空闲区是。
第4章 存储器管理_习题
第4章存储器管理4.4自测题4.4.1基本题一．判断题(正确的在括号中记√,错误的记×)1.为了减少内部碎片,页应偏小为好。
( )2.为了减少缺页中断率,页应该小一些。
( )3.为提高对换空间的利用率,一般对其使用离散的分配方式。
( )4.用户程序中出错处理部分不必常驻内存。
( )5.使用预分页的原因是每个进程在最初运行时需要一定数量的页面。
( )6.可变分区法可以比较有效地消除外部碎片,但不能消除内部碎片。
（）7.分页存储管理方案易于实现用户使用内存空间的动态扩充。
( )8.LRU页面调度算法总是选择在主存驻留时间最长的页面被淘汰。
( )9.最佳适应算法比首次适应算法具有更好的内存利用率。
( )10.请求分段存储管理中,分段的尺寸要受主存空间的限制。
( )二．单项选择题，在每小题的四个备选答案中选出一个正确答案，并将其代码写在题干后面的括号内。
不选、错选或多选者该题无分。
1.在可变式分区管理中,最佳适应算法是将空白区在空白区表中按______次序排列。
A.地址递增B.地址递减C.容量递增D.容量递减2.动态重定位技术依赖于_______.A.重定位装入程序B.重定位寄存器C.地址机构D.目标程序3.请求分页存储管理方案的主要特点是__________。
A.不要求将作业装入内存B.不要求将作业全部装入内存C.不要求使用联想存储器D.不要求缺页中断的处理4.在存储管理方案中,___________可与覆盖技术配合。
A.页式管理B.段式管理C.段页式管理D.可变分区管理5.一个计算机系统虚存的最大容量是由__________决定的。
A.主存的容量B.辅存的容量C.主存容量+辅存容量D.计算机的地址机构6.在存储管理中,采用覆盖与交换技术的目的是_________。
A.节省主存空间B.物理上扩充主存容量C.提高CPU效率D.实现主存共享7.在可变式分区分配方案中,只需要进行一次比较就可以判定是否满足作业对主存空间要求的是______。
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第四章存储器一、填空题1. 计算机中的存储器是用来存放的，随机访问存储器的访问速度与无关。
√2. 主存储器的性能指标主要是、存储周期和存储器带宽。
√3. 存储器中用来区分不同的存储单元，1GB= KB。
√4. 半导体存储器分为、、只读存储器（ROM）和相联存储器等。
√5. 地址译码分为方式和方式。
√6. 双译码方式采用个地址译码器，分别产生和信号。
√7. 若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器将有条输出线；用双译码方式，地址译码器有条输出线。
√8. 静态存储单元是由晶体管构成的，保证记忆单元始终处于稳定状态，存储的信息不需要。
√9. 存储器芯片并联的目的是为了，串联的目的是为了。
10. 计算机的主存容量与有关，其容量为。
11. 要组成容量为4M×8位的存储器，需要片4M×1位的存储器芯片并联，或者需要片1M×8位的存储器芯片串联。
12. 内存储器容量为6K时，若首地址为00000H，那么末地址的十六进制表示是。
13 主存储器一般采用存储器件，它与外存比较存取速度、成本。
14 三级存储器系统是指这三级、、。
15 表示存储器容量时KB= ，MB= ；表示硬盘容量时，KB= ，MB= 。
16一个512KB的存储器，其地址线和数据线的总和是。
17 只读存储器ROM可分为、、和四种。
18 SRAM是；DRAM是；ROM是；EPROM是。
19半导体SRAM靠存储信息，半导体DRAM则是靠存储信息。
20半导体动态RAM和静态RAM的主要区别是。
21MOS半导体存储器可分为、两种类型，其中需要刷新。
22 广泛使用的和都是半导体③存储器。
前者的速度比后者快，但不如后者高，它们的共同缺点是断电后保存信息。
23 EPROM属于的可编程ROM，擦除时一般使用，写入时使用高压脉冲。
24 单管动态MOS型半导体存储单元是由一个和一个构成的。
25 动态半导体存储器的刷新一般有、和三种方式。
【答案】①集中式②分散式③异步式26 动态存储单元以电荷的形式将信息存储在电容上，由于电路中存在，因此需要定期的不断地进行。
27 闪速存储器能提供高性能、低功耗、高可靠性以及能力，闪速存储器特别适合于微型计算机系统，被誉为而成为代替磁盘的一种理想工具。
28．双端口存储器和多体交叉存储器属于存储器结构。
前者采用技术，后者采用技术。
29. 4体交叉存储器是一种存储器，它有个存储模块，每个模块有它自己的地址寄存器和。
30.有一个4体交叉存储器，但使用时经常遇到连续访问同一存储体的情况，会产结果。
二、选择题1. 计算机的存储器系统是指______。
√A. RAMB. ROMC. 主存储器D. cache，主存储器和外存储器2. 存储器是计算机系统的记忆设备，它主要用来______。
√A. 存放数据B. 存放程序C. 存放数据和程序D. 存放微程序3. 内存若为16兆（MB），则表示其容量为______ KB。
√A. 16B. 16384C. 1024D. 160004. 下列说法正确的是。
√A. 半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆B. 动态的RAM属非易失性存储器，而静态的RAM存储信息是易失性的C. 静态RAM、动态RAM都属易失性存储器，断电后存储的信息将消失D. ROM不用刷新，但集成度不比动态RAM高，且断电后存储的信息仍能保持5．______ 类型的存储器速度最快?A. DRAMB. ROMC. EPROMD. SRAM6．下面是关于PC计算机主存储器的一些叙述：①主存储器的基本编址单元的长度为32位②主存储器也称为内存，它是一种动态随机存取存储器③目前市场上销售的PC机的内存容量最多能达到64MB④ PC机的内存容量一般是可以扩大的其中正确的是______ 。
A．①和③ B. ①、③和④ C. ①、②、③和④ D. ②和④7．动态RAM的刷新是以______ 为单位进行的。
A. 存储单元B. 行C. 列D. 存储矩阵8. 可编程的只读存储器______ 。
A. 不一定可以改写B. 可以改写C. 不可以改写D. 以上都不对9. 组成2M×8位的内存，可以使用______ 。
A. 1M×8位进行并联B. 1M×4位进行串联C. 2M×4位进行并联D. 2M×4位进行串联10. 若SRAM芯片的容量是2M×8位，则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是______ 。
A. 21B. 29C.18D. 不可估计11. 若RAM中每个存储单元为16位，则下面所述正确的是______ 。
A. 地址线也是16位B. 地址线与16无关C. 地址线与16有关D. 地址线不得少于16位12. RAM芯片串联时可以______ 。
A. 增加存储器字长B. 增加存储单元数量C. 提高存储器的速度D. 降低存储器的平均价格13. RAM芯片并联时可以______ 。
A. 增加存储器字长B. 增加存储单元数量C. 提高存储器的速度D. 降低存储器的平均价格14. 存储周期是指______。
√A. 存储器的读出时间B. 存储器进行连续读和写操作所允许的最短时间间隔C. 存储器的写入时间D. 存储器进行连续写操作所允许的最短时间间隔15. 下面所述不正确的是______ 。
A. 随机存储器可随时存取信息，掉电后信息丢失B. 在访问随机存储器时，访问时间与单元的物理位置无关16. 某一动态RAM芯片其容量为16K×1，除电源线、接地线和刷新线外，该芯片的最小引脚数目应为______ 。
A. 16B. 12C. 1817. 某RAM芯片，其存储容量为1024×16位，该芯片的地址线和数据线数目分别为______。
A. 10，16B. 20，4C. 1024，4D. 1024，1618. 某计算机字长16位，其存储容量为2MB，若按半字编址，它的寻址范围是______。
A. 0~8M-1B. 0~4M-1C. 0~2M-1D. 0~1M-119. 某计算机字长32位，存储容量是8MB，若按双字编址，它的寻址范围是______。
A. 0~256K-1B. 0~512K-1C. 0~1M-1D. 0~2M-120．下列关于存储器的描述，正确的有______ 。
A. CPU访存时间由存储器容量决定B. ROM和RAM在存储器中是统一编址的C. ROM中任一单元可随机访问D. DRAM是破坏性读出，因此需要读后重写21. 以下四种类型的半导体存储器中，以传输同样多的字为比较条件，则读出数据传输率最高的是______。
A. DRAMB. SRAMC. 闪速存储器D. EPROM21. 多总线结构的计算机系统采用______方法，对提高系统的吞吐率最有效。
A. 多口存储器B. 提高主存速度C. 交叉编址多模块存储器D. cache22. 闪速存储器称为______。
A. 光盘B. 固态盘C. 硬盘D. 软盘23. 双端口存储器所以能高速进行读写，是因为采用了______。
A. 高速芯片B. 两套相互独立的读写电路C. 流水技术D. 新型器件24. 双端口存储器在______情况下会发生读/写冲突。
A. 左端口与右端口的地址码不同B. 左端口与右端口的地址码相同C. 左端口与右端口的数据码不同D. 左端口与右端口的数据码相同25. 交叉存储器实质上是一种______存储器，它能_____执行______独立的读写操作。
A. 模块式，并行，多个B. 模块式，串行，多个C. 整体式，并行，一个D. 整体式，串行，多个26. 在某CPU中，设立了一条等待（WAIT）信号线，CPU在存储器周期中T的下降沿采样WAIT线，则下面的叙述中正确的是______。
A. 如WAIT线为高电平，则在T2周期后不进入T3周期，而插入一个TW周期；B. TW周期结束后，不管WAIT线状态如何，一定转入T3周期；C. TW周期结束后，只要WAIT线为低，则继续插入一个TW周期，直到WAIT线变高，才转入T3周期；D. 有了WAIT线，就可使CPU与任何速度的存储器相连接，保证CPU与存储器连接时的时序配合；三、简答题1、存储元、存储单元、存储体、存储单元地址这几个术语有何联系和区别？√2. 简述存储器芯片中地址译码的方式。
√3. 针对寄存器组、主存、cache、光盘存储器、软盘、硬盘、磁带，回答以下问题：√①按存储容量排出顺序（从小到大）；②按读写时间排出顺序（从快到慢）。
4. 说明SRAM的组成结构；与SRAM相比，DRAM在电路组成上有什么不同之处？5. DRAM存储器为什么要刷新？DRAM存储器采用何种方式刷新？有哪几种常用的刷新方式？6. 静态MOS存储元、动态MOS存储元、双极型存储元各有什么特点？7. ROM与RAM两者的差别是什么？指出下列存储器哪些是易失性的？哪些是非易失性的？哪些是读出破坏性的？哪些是非读出破坏性的？动态RAM，静态RAM，ROM，Cache，磁盘，光盘8. 下列各种存储器中，哪些是易失性存储器？哪些是非易失性存储器？磁盘，DRAM，ROM，磁带，光盘，SRAM，EPROM，PROM，EEPROM9. 指令中地址码的位数与直接访问的存储器空间和最小寻址单位有什么关系？字寻址计算机和字节寻址计算机在地址码的安排上有何区别？PC系列微机的指令系统可支持对字节、字、双字、四倍字的运算，试写出在对准边界时，字节地址、字地址、双字地址和四倍字地址有何特点？10. 目前微机中使用的半导体存储器包括哪几种类型？它们各有哪些特点？分别适用于什么场合（请从存取方式、制造工艺、速度、容量等各个方面讨论）？人们通常所说的内存是指这其中的哪一种或哪几种类型？11 若存储器的MDR为32位，读写周期为0.25μs，求存储器的带宽。
12 欲设计具有64K×2位存储容量的芯片，问如何安排地址线和数据线引脚的数目，才能使两者之和最小。
请说明有几种解答。