半导体三极管课件.
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完整版PNP型三极管
pn结的形成3pn结及其单向导电性演示课件p区空间电荷区n区pn结及其内电场内电场方向p区n区载流子的扩散运动多子扩散形成空间电荷区产生内电场少子漂移促使阻止扩散与漂移达到动态平衡形成一定宽度的pn结演示课件外加正向电压也叫正向偏置外加电场与内电场方向相反内电场削弱扩散运动大大超过漂移运动n区电子不断扩散到p区p区空穴不断扩散到n区形成较大的正向电流这时称pn结处于低阻导通状态
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。
〔3〕饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置
当UCE UBE时，晶体管工作于饱和状态。
截止区
IC /mA 4 3
2 1
饱和区 100μA
80μA
放
60μA
大
40μA
区 20μA
IB=0
0
36
9 12 UCE /V
演示课件
5.2.4 三极管的主要参数
V阳>V阴 二极管导通
假设忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V
否那么， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－
6.7V在这里，二极管起钳位作用。
演示课件
5.1.5稳压管和发光二极管
１、稳压管
稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压
就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很
结论:
1〕三电极电流关系 IE = IB + IC
2〕 IC
IB ， IC IE
3〕 IC
IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化，是CCCS器件。
IB < 0 以下区域为截止区，有 IC 0 。
〔3〕饱和区：发射结正向偏置，集电结正向偏置
当UCE UBE时，晶体管工作于饱和状态。
截止区
IC /mA 4 3
2 1
饱和区 100μA
80μA
放
60μA
大
40μA
区 20μA
IB=0
0
36
9 12 UCE /V
演示课件
5.2.4 三极管的主要参数
V阳>V阴 二极管导通
假设忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V
否那么， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－
6.7V在这里，二极管起钳位作用。
演示课件
5.1.5稳压管和发光二极管
１、稳压管
稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压
就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很
结论:
1〕三电极电流关系 IE = IB + IC
2〕 IC
IB ， IC IE
3〕 IC
IB
把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变
化的特性称为晶体管的电流放大作用。
实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的
变化，是CCCS器件。
三极管
N
E EB
PNP VB<VE VC<VB
EC
第一章 半导体二极管、三极管
晶体管放大的条件
发射区掺杂浓度高 1.内部条件 基区薄且掺杂浓度低 I B
集电结面积大 2.外部条件 发射结正偏 集电结反偏
RB
mA A
IC
mA
C B
3DG6
E
IE
EC
晶体管的电流分配和 放大作用
电路条件: EC>EB 发射结正偏 集电结反偏
基极开路
第一章 半导体二极管、三极管
三、极限参数
1. 集电极最大允许电流 ICM
集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值 的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 2.反向击穿电压
（1） 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。基极开 路时 C、E极间反向击穿电压。 （2）集电极－基极反向击穿电压U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B极间 反向击穿电压。 （3）发射极－基极反向击穿电压U(BR)EBO — 集电极开路时 E、B极间反 向击穿电压。
第一章 半导体二极管、三极管
一、输入特性
iC
iB f (uBE ) u
uCE 0
iB
RB + + uBE
CE常数
与二极管特性相似
RB +
B + RC + 输出 RB E uCE 输入 回路 + uBE + EC 回路 EB IE
iB
C
《三极管特性曲线》课件
极电压不得超过0.3V。
在选择三极管时，需要根据电路 需求和安全使用范围进行选择， 以确保电路的正常运行和安全。
THANKS
感谢观看
详细描述
三极管的工作原理是通过在基极输入微弱的电流信号，控制集电极和发射极之间 的电流放大。这种放大作用使得三极管在电子线路中成为一个重要的信号放大元 件。
02
CATALOGUE
三极管特性曲线
输入特性曲线
总结词
描述三极管输入端电压与电流的关系
详细描述
输入特性曲线表示三极管输入端电压 与电流之间的关系。在不同的基极电 流下，曲线表现出非线性特征，反映 了三极管的非线性特性。
在开关电路中的应用
01
02
03
高速开关
利用三极管的高速开关特 性，可以实现高速的脉冲 信号传输和控制。
逻辑门电路
三极管可以组成基本的逻 辑门电路，如与门、或门 、非门等，用于实现数字 逻辑运算。
电机控制
在电机驱动电路中，可以 利用三极管的开关特性来 实现电机的启动、停止和 调速控制。
在振荡电路中的应用
温度对三极管特性曲线的影响
温度升高，三极管的电流放大倍数β 值增大，集电极-基极反向电流Iceo 增大，集电极-发射极反向电流Icbo 减小。
温度对三极管特性曲线的影响是显著 的，因此在分析三极管电路时，需要 考虑温度对三极管参数的影响。
不同类型三极管特性曲线的差异
NPN型和PNP型三极管在特性曲线方 面存在明显的差异。
CATALOGUE
三极管特性曲线的应用
在放大电路中的应用
信号放大
三极管特性曲线可以用来分析信号在 放大电路中的放大效果。通过选择适 当的静态工作点，可以实现对信号的 线性放大和非线性失真。
在选择三极管时，需要根据电路 需求和安全使用范围进行选择， 以确保电路的正常运行和安全。
THANKS
感谢观看
详细描述
三极管的工作原理是通过在基极输入微弱的电流信号，控制集电极和发射极之间 的电流放大。这种放大作用使得三极管在电子线路中成为一个重要的信号放大元 件。
02
CATALOGUE
三极管特性曲线
输入特性曲线
总结词
描述三极管输入端电压与电流的关系
详细描述
输入特性曲线表示三极管输入端电压 与电流之间的关系。在不同的基极电 流下，曲线表现出非线性特征，反映 了三极管的非线性特性。
在开关电路中的应用
01
02
03
高速开关
利用三极管的高速开关特 性，可以实现高速的脉冲 信号传输和控制。
逻辑门电路
三极管可以组成基本的逻 辑门电路，如与门、或门 、非门等，用于实现数字 逻辑运算。
电机控制
在电机驱动电路中，可以 利用三极管的开关特性来 实现电机的启动、停止和 调速控制。
在振荡电路中的应用
温度对三极管特性曲线的影响
温度升高，三极管的电流放大倍数β 值增大，集电极-基极反向电流Iceo 增大，集电极-发射极反向电流Icbo 减小。
温度对三极管特性曲线的影响是显著 的，因此在分析三极管电路时，需要 考虑温度对三极管参数的影响。
不同类型三极管特性曲线的差异
NPN型和PNP型三极管在特性曲线方 面存在明显的差异。
CATALOGUE
三极管特性曲线的应用
在放大电路中的应用
信号放大
三极管特性曲线可以用来分析信号在 放大电路中的放大效果。通过选择适 当的静态工作点，可以实现对信号的 线性放大和非线性失真。
《三极管测量》课件
误差来源
误差类型包括系统误差、随机误差和过失误差等。
误差类型
误差分析方法包括直接比较法、差值法、修正法等。
误差分析方法
为了减小误差，可以采用更精确的测量设备、优化操作过程、选择合适的测量环境等措施。
减小误差的措施
03
三极管参数测量
总结词
基极直流电阻
集电极直流电阻
发射极直流电阻
01
02
03
04
测量三极管直流参数是评估其性能的重要步骤。
03
on the like a like万一
01
the on the
02
on core credit a
1
2
3
as the" the like hai筹
病症, by
01
S Santa敕以致 st such for, the st
02
the. U crossview re that, then core lič N unaffected(S( cross U.1 st(P 1 cross the cross st that,...主打 cross五一. stP.C天蝎 then p stor that. str...1.P suchCI. such on ,, On the said crossP according,,
测量是对某一量值进行确定的过程，涉及到量具、测量方法、操作步骤和数据处理等。
测量定义
测量目的
测量意义
在电子技术中，三极管测量是为了获取三极管的相关参数和性能指标，从而评估其质量和使用条件。
准确的测量对于电子产品的性能评估、故障诊断和质量控制具有重要意义。
03
02
01
误差类型包括系统误差、随机误差和过失误差等。
误差类型
误差分析方法包括直接比较法、差值法、修正法等。
误差分析方法
为了减小误差，可以采用更精确的测量设备、优化操作过程、选择合适的测量环境等措施。
减小误差的措施
03
三极管参数测量
总结词
基极直流电阻
集电极直流电阻
发射极直流电阻
01
02
03
04
测量三极管直流参数是评估其性能的重要步骤。
03
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02
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1
2
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病症, by
01
S Santa敕以致 st such for, the st
02
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测量是对某一量值进行确定的过程，涉及到量具、测量方法、操作步骤和数据处理等。
测量定义
测量目的
测量意义
在电子技术中，三极管测量是为了获取三极管的相关参数和性能指标，从而评估其质量和使用条件。
准确的测量对于电子产品的性能评估、故障诊断和质量控制具有重要意义。
03
02
01
三极管的结构及工作原理解读ppt课件
2
1
T
1
3
1
T
2
1
3
(a)
(b)
唐东自动化教研室
电子技术基础 主编 吴利斌
例2图所示的电路中，晶体管均为硅管,β=30，试分析各晶体管的
工作状态。 解: （1）因为基极偏置电源+6V大于管子的导通电压，
故管子的发射结正偏，管子导通,基极电流：
+6V 5K IB
+10V 1K IC
-2V 5K IB
IC
10 0.3
+2V
9.7mIBA
5K
1K IC
因为IC ICS ,所以饱和
(a)
(b)
(c)
（2）因为基极偏置电源-2V小于管子的导通电压，管
子的发射结反偏，管子截止，所以管子工作在截止区。
(3)因为基极偏置电源++21V0V大于管子的导通电压+，10故V管
+10
子的发射结正偏,管子导通基极电流:：
UCC
继续增
增大大UUCCCC 0
U特U特C性EC性=E曲0=曲.15线VV线的的 UCE>1V的 特性曲线
UBE /V
继续增大UCC使UCE=1V以上的多个值，结果发现：之后 的所有输入特性几乎都与UCE=1V的特性相同，曲线基本不 再变化。
实用中三极管的UCE值一般都超过1V，所以其输入特性通 常采用UCE=1V时的曲线。从特性曲线可看出，双极型三极 管的输入特性与二极管的正向特性非常相似。
电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
0
IB=0 UCE / V
3 三极管
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
IE/mA
0
0.72
1.14
1.52
2.82
2.88
3.6
3.72
3.74
（2）观察与分析IB 、IC、两者之间的电流关系? 实验表明： 放大状态
在三极管型号命名方法中，涉及到材料、 结构、功率等(P126) 如3DG6、2DW7
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
常用三极管引脚按一定顺序排列，例 如C90系列的三极管，平面朝向自己时， 从左到右分别是ebc排列
三、半导体三极管分类
(1) 按材料 Si管 Ge管
(2) 按排列顺序
NPN管
PNP管
(3) 按功率： 小、大、中功率管 (4) 按工作频率 ： 低频管、高频管 (5) 按用途分： 普通放大三极管、开关三极管
• 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大；
这些特点使BJT不同于 两个单独的PN结，而呈 现出极间电流放大作用。
二、半导体三极管的电流分配和放大原理 实验电路接线图
输出 回路
输入 回路
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
三种工作状态的应用
在模拟电路中，BJT工作在放大区；（线性放大小 信号） 在数字电路中，BJT工作在截止区、饱和区（做 数字开关）。
数字开关：
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
IE/mA
0
0.72
1.14
1.52
2.82
2.88
3.6
3.72
3.74
（2）观察与分析IB 、IC、两者之间的电流关系? 实验表明： 放大状态
在三极管型号命名方法中，涉及到材料、 结构、功率等(P126) 如3DG6、2DW7
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
常用三极管引脚按一定顺序排列，例 如C90系列的三极管，平面朝向自己时， 从左到右分别是ebc排列
三、半导体三极管分类
(1) 按材料 Si管 Ge管
(2) 按排列顺序
NPN管
PNP管
(3) 按功率： 小、大、中功率管 (4) 按工作频率 ： 低频管、高频管 (5) 按用途分： 普通放大三极管、开关三极管
• 集电区c掺杂浓度低于发射区，且面积大；
这些特点使BJT不同于 两个单独的PN结，而呈 现出极间电流放大作用。
二、半导体三极管的电流分配和放大原理 实验电路接线图
输出 回路
输入 回路
三极管电流关系的一组典型实验数据
IB/mA IC/mA
0 0 0.02 0.7 0.03 1.11 0.04 1.48 0.06 2.75 0.08 2.8 0.1 3.5 0.12 3.6 0.14 3.6
三种工作状态的应用
在模拟电路中，BJT工作在放大区；（线性放大小 信号） 在数字电路中，BJT工作在截止区、饱和区（做 数字开关）。
数字开关：
6、半导体三极管(精品)(二)公开课教案教学设计课件
(e) (f)(f)
放大、饱和、截止 截止、饱和、放大
思考
测得某型号三极管工作在放大状态时三个极的电 流，以下示意图中正确的是
A
B
C
D
三极管（T）——种类、外形、电路符号
按内部结构分：有 NPN 型和 PNP 型管； 按半导体材料分：有锗管和硅管。
锗二极管（导通压降0.3V）和硅二极管（导通压降0.7V）。
三极管（T）——引脚分布规律
1.塑料封装三极管
◇识别引脚时，将管脚朝下，切口朝自己，从左向右依次为E、B、C脚。
2 三极管（T）——引脚分布规律
金 属 封 装 的 三 极 管
◇它们的外壳上有一个突出的定位销，识别时各引脚朝上，
从定位销开始顺时针方向依次为E、B、C脚。
三极管（T）——引脚分布规律
截止状态 反偏/零偏
集电结bc
反偏(加反向电压)
正偏
反偏
在电路中的等效作用 电阻(阻值可变)
开关(导通状态) 开关(断开状态)
应用范围
放大器
数字电路
数字电路
思考
根据各电路图中所测的电压值判断三极管的工作状态（饱和或截止）
0V
10.V1V
硅 锗管 管硅管
0V
－5V
Hale Waihona Puke 1.1V0V锗硅 管 硅 锗 管管 管
－－0.9－ 1V V0.1V
－－ 96－ V V09.1VV
6V －
锗 硅管 管锗管
硅硅 管 锗 硅 管管 管
硅硅 管 硅管 管
饱和 －－ 0.35－ V V0.3V
0V
0V －60V V ((de)) (d)
－－ 35V0－ V.35VV
(d)
放大、饱和、截止 截止、饱和、放大
思考
测得某型号三极管工作在放大状态时三个极的电 流，以下示意图中正确的是
A
B
C
D
三极管（T）——种类、外形、电路符号
按内部结构分：有 NPN 型和 PNP 型管； 按半导体材料分：有锗管和硅管。
锗二极管（导通压降0.3V）和硅二极管（导通压降0.7V）。
三极管（T）——引脚分布规律
1.塑料封装三极管
◇识别引脚时，将管脚朝下，切口朝自己，从左向右依次为E、B、C脚。
2 三极管（T）——引脚分布规律
金 属 封 装 的 三 极 管
◇它们的外壳上有一个突出的定位销，识别时各引脚朝上，
从定位销开始顺时针方向依次为E、B、C脚。
三极管（T）——引脚分布规律
截止状态 反偏/零偏
集电结bc
反偏(加反向电压)
正偏
反偏
在电路中的等效作用 电阻(阻值可变)
开关(导通状态) 开关(断开状态)
应用范围
放大器
数字电路
数字电路
思考
根据各电路图中所测的电压值判断三极管的工作状态（饱和或截止）
0V
10.V1V
硅 锗管 管硅管
0V
－5V
Hale Waihona Puke 1.1V0V锗硅 管 硅 锗 管管 管
－－0.9－ 1V V0.1V
－－ 96－ V V09.1VV
6V －
锗 硅管 管锗管
硅硅 管 锗 硅 管管 管
硅硅 管 硅管 管
饱和 －－ 0.35－ V V0.3V
0V
0V －60V V ((de)) (d)
－－ 35V0－ V.35VV
(d)
半导体二极管和三极管
流为Izmin 。
iห้องสมุดไป่ตู้
iL
R
ui
DZ
iZRL uo
iIzm inRULZ 10mA
0 .8 u iiR U z 1R 0 10——方程2
联立方程1、2，可解得：
ui1.7 8V 5 , R0.5k
(1-40)
光电二极管
反向电流随光照强度的增加而上升。
I U
照度增加
(1-41)
发光二极管
RL 2k
要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压
基本不变。求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。
解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电
流为Izmax
iIzmax RULZ 25mA
1 .2 u iiR U z2R 5 10——方程1
(1-39)
令输入电压降到下限 时，流过稳压管的电
二极管：死区电压=0 .5V，正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0
二极管的应用举例1：二极管半波整流
ui
t
ui
RL
uo
uo
t
(1-34)
二极管的应用举例2： ui
ui
R
uR RL
uR
t
uo t
uo
t
(1-35)
15.4 稳压二极管
-
曲线越陡， I
电压越稳
+
定。
PN结加反向电压时，具有很小的反 向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。
由此可以得出结论：PN结具有单向 导电性。
(1-25)
15.3 半导体二极管
15.3.1基本结构
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。
iห้องสมุดไป่ตู้
iL
R
ui
DZ
iZRL uo
iIzm inRULZ 10mA
0 .8 u iiR U z 1R 0 10——方程2
联立方程1、2，可解得：
ui1.7 8V 5 , R0.5k
(1-40)
光电二极管
反向电流随光照强度的增加而上升。
I U
照度增加
(1-41)
发光二极管
RL 2k
要求当输入电压由正常值发生20%波动时，负载电压
基本不变。求：电阻R和输入电压 ui 的正常值。
解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电
流为Izmax
iIzmax RULZ 25mA
1 .2 u iiR U z2R 5 10——方程1
(1-39)
令输入电压降到下限 时，流过稳压管的电
二极管：死区电压=0 .5V，正向压降0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0
二极管的应用举例1：二极管半波整流
ui
t
ui
RL
uo
uo
t
(1-34)
二极管的应用举例2： ui
ui
R
uR RL
uR
t
uo t
uo
t
(1-35)
15.4 稳压二极管
-
曲线越陡， I
电压越稳
+
定。
PN结加反向电压时，具有很小的反 向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。
由此可以得出结论：PN结具有单向 导电性。
(1-25)
15.3 半导体二极管
15.3.1基本结构
PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。