第1章1.3 微电子技术
微电子工艺基础绪论

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微电子工艺基础绪论
1.为什么要学这门课?
³ 提高显示芯片的制造工艺具有重大的意义,因为更先进的制 造工艺会在显示芯片内部集成更多的晶体管,使显示芯片实 现更高的性能、支持更多的特效;更先进的制造工艺会使显 示芯片的核心面积进一步减小,也就是说在相同面积的晶圆 上可以制造出更多的显示芯片产品,直接降低了显示芯片的 产品成本,从而最终会降低显卡的销售价格使广大消费者得 利;更先进的制造工艺还会减少显示芯片的功耗,从而减少 其发热量,解决显示芯片核心频率提升的障碍.....显示芯片自 身的发展历史也充分的说明了这一点,先进的制造工艺使显 卡的性能和支持的特效不断增强,而价格则不断下滑,例如 售价为1500左右的中端显卡GeForce 7600GT其性能就足以 击败上一代售价为5000元左右的顶级显卡GeForce 6800Ultra。
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微电子工艺基础绪论
第1章 绪论
一、微电子产业
• 1、微电子业在国民经济中的作用* • 2、半导体工业的诞生* • 3、分立器件、集成电路*** ➢ 4、微电子工艺的发展**** • 5、微电子产业的分类***
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微电子工艺基础绪论
第1章 绪论 一、微电子产业
4、微电子工艺的发展概况
•70年代,离子注入技术,实现了浅结掺杂。
•新工艺新技术不断出现,例如:等离子技术,电子束光刻, 分子束外延等。(参照教材P10~P15)
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微电子工艺基础绪论
第1章 绪论 一、微电子产业
4、微电子工艺的发展概况
•(1)平面工艺的诞生***** •(2)平面工艺的发展** ✓(3)工艺及产品趋势** •(4)微电子工艺的特点*****
半导体物理与器件(尼曼第四版)答案

半导体物理与器件(尼曼第四版)答案第一章:半导体材料与晶体1.1 半导体材料的基本特性半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的基本特性包括:1.带隙:半导体材料的价带与导带之间存在一个禁带或带隙,是电子在能量上所能占据的禁止区域。
2.拉伸系统:半导体材料的结构是由原子或分子构成的晶格结构,其中的原子或分子以确定的方式排列。
3.载流子:在半导体中,存在两种载流子,即自由电子和空穴。
自由电子是在导带上的,在外加电场存在的情况下能够自由移动的电子。
空穴是在价带上的,当一个价带上的电子从该位置离开时,会留下一个类似电子的空位,空穴可以看作电子离开后的痕迹。
4.掺杂:为了改变半导体材料的导电性能,通常会对其进行掺杂。
掺杂是将少量元素添加到半导体材料中,以改变载流子浓度和导电性质。
1.2 半导体材料的结构与晶体缺陷半导体材料的结构包括晶体结构和非晶态结构。
晶体结构是指材料具有有序的周期性排列的结构,而非晶态结构是指无序排列的结构。
晶体结构的特点包括:1.晶体结构的基本单位是晶胞,晶胞在三维空间中重复排列。
2.晶格常数是晶胞边长的倍数,用于描述晶格的大小。
3.晶体结构可分为离子晶体、共价晶体和金属晶体等不同类型。
晶体结构中可能存在各种晶体缺陷,包括:1.点缺陷:晶体中原子位置的缺陷,主要包括实际缺陷和自间隙缺陷两种类型。
2.线缺陷:晶体中存在的晶面上或晶内的线状缺陷,主要包括位错和脆性断裂两种类型。
3.面缺陷:晶体中存在的晶面上的缺陷,主要包括晶面位错和穿孔两种类型。
1.3 半导体制备与加工半导体制备与加工是指将半导体材料制备成具有特定电性能的器件的过程。
它包括晶体生长、掺杂、薄膜制备和微电子加工等步骤。
晶体生长是将半导体材料从溶液或气相中生长出来的过程。
常用的晶体生长方法包括液相外延法、分子束外延法和气相外延法等。
掺杂是为了改变半导体材料的导电性能,通常会对其进行掺杂。
常用的掺杂方法包括扩散法、离子注入和分子束外延法等。
第一章 计算机控制系统概述

第一章计算机控制系统概述§1.1概述随着科学技术的进步,人们越来越多地用计算机来实现控制系统。
近几年来,计算机技术、自动控制技术、检测与传感技术、CRT显示技术、通信与网络技术、微电子技术的高速发展,促进了计算机控制技术水平的提高。
本章主要介绍计算机控制系统及其组成、工业控制机的组成结构及特点、计算机控制系统的发展概况和趋势。
1.1.1计算机控制技术研究的内容及特点1、研究的内容:主要研究控制理论、计算机技术(软、硬件技术)、网络通信技术、测量技术、信号处理技术等在微机控制中的应用、以及微机的控制方法及其应用。
2、主要的特点:1)理论性强:应用各种控制理论、信号处理理论等2)综合性强:应用有控制理论、计算机硬件技术、编程技术、网络技术、测量技术、信号处理技术、电子技术等3)实践性强:所有设计、计算必须要反复进行实验;在实践中积累了大量的经验方法、经验数据等4)理论与实践相结合5)实用性强6)应用广泛等1.1.2计算机控制技术这门课所应用到的技术:计算机技术、自动控制技术、微电子技术、信息处理技术、检测与传感技术、通信与网络技术、CRT显示技术等等1.1.3计算机控制技术的现状与发展趋势计算机控制技术是一种运用控制理论、仪器仪表、计算机和其它信息技术,对工业生产过程实现检测、控制、优化、调度、管理和决策,达到增加产量、提高质量、降低消耗、确保安全等目的的综合性技术,主要包括工业自动化软件、硬件和系统三大部分1.1.4目前,计算机控制技术正在向智能化、网络化和集成化方向发展。
一、以工业PC为基础的低成本工业控制自动化将成为主流二、PLC在向微型化、网络化、PC化和开放性方向发展三、面向测控管一体化设计的DCS系统四、控制系统正在向现场总线(FCS)方向发展五、仪器仪表技术在向数字化、智能化、网络化、微型化方向发展六、数控技术向智能化、开放性、网络化、信息化发展七、工业控制网络将向有线和无线相结合方向发展八、工业控制软件正向先进控制方向发展► 1.2. 计算机控制系统的组成► 1.3 计算机控制系统分类► 1.4 计算机控制系统中的计算机► 1.5 微型计算机控制系统的发展趋势§1.2 计算机控制系统的组成★自动控制:在没有人直接参与的情况下,通过控制器使生产过程自动地按照预定的规律运行。
EDA概述

第一章EDA概述1.1EDA技术的涵义一、EDA技术的涵义EDA(Electronic Design Automation)即电子设计自动化是指利用计算机完成电子系统的设计。
二、 EDA技术的分类EDA技术分:广义的EDA技术和狭义的EDA技术广义的EDA技术是指以计算机和微电子技术为先导,汇集了计算机图形学、数据库管理、图论和拓扑逻辑、编译原理、微电子工艺与结构学和计算数学等多种计算机应用学科最新成果的先进技术。
狭义的EDA技术是指以大规模可编程逻辑器件为载体,以硬件描述语言HDL为系统逻辑的主要表达方式,借助功能强大的计算机,在EDA 工具软件平台上,对用HDL描述完成的设计文件,自动完成用软件方式设计的电子系统到硬件系统的逻辑编译、逻辑简化、逻辑分割、逻辑综合及优化、逻辑布局布线、逻辑仿真,直至对特定目标芯片的适配编译、逻辑映射、编程下载等工作,最终形成集成电子系统或专用集成芯片ASIC(Application Specific Integrated Circuits)的一门新技术。
本书中提到的EDA技术指的是狭义的EDA技术。
1.2EDA技术的发展历史EDA技术的发展,大致经历了三个发展阶段:1.计算机辅助设计CAD 2.计算机辅助工程设计CAE 3.电子设计自动化EDA1.3 EDA技术的基本特征EDA技术的基本特征主要包括:1.EDA技术采用自顶向下的设计方法2.EDA技术的设计语言是硬件描述语言3.EDA技术具有逻辑综合和优化的功能4.EDA技术采用开放性和标准化的软件框架1.4 EDA的主要内容EDA技术主要这几方面的内容: 1.可编程逻辑器件2.硬件描述语言3.软件开发工具1.可编程逻辑器件可编程逻辑器件是一种由用户编程以实现某种逻辑功能的新型件。
可编程逻辑器件也称为可编程ASIC,它是EDA技术的物质基础。
2.硬件描述语言HDL语言是EDA技术的重要组成部分,它是一种用于描述硬件电子系统的计算机语言,它用软件编程的方式来描述电子系统的逻辑功能、电路结构和连接形式。
机电一体化概论

1.1机电一体化的定义和基本概念(2)
■ [例1-1]机械手 组织教学 建议:①参观机械手及其动作,结合讲授。 ②重点介绍机电一体化共性的各关键技术及其含义。
1.2机电一体化系统的基本结构和功能 (1)
■ 基本结构:机械部分、控制及信息处理部分、动力部分、传感检测部分、驱动部 分等五个部分(或系统)。
3.5全自动洗衣机
■ 简介: 全自动洗衣机是广泛应用于家用电器中典型的机电一体化设备。
■ 种类: 波轮式、滚筒式、搅拌式等。 洗衣基本原理 基本结构: 洗涤系统、给排水系统、脱水系统、电动机与传动系统、控制系统、箱体与支撑机构 等。
3.5全自动洗衣机
■ 新型洗衣机----模糊洗衣机 几个概念:模糊逻辑、控制原理、模糊控制推理系统、推理规则等。 组织教学 建议:在教学中尽量多结合实际例子或实物进行讲授。
2.7接口技术(1)
■ 概念: 接口----指将机电一体化系统的各部分连接起来的连接电路。 设置接口电路的原因。 接口电路的主要作用、功能。 接口电路的类型:人机接口与机电接口两大类。
2.7接口技术(1)
■ 人机接口-----指人与计算机之间建立联系、实现交换、传输信息的输入/输出设备 的控制电路。 两个任务:信息形式的转换和信息传输的控制。 机电接口---指计算机与机械装置或设备之间联系的控制电路。
■ 组织教学 建议:①结合[例1-2]平面关节型机械手,重点掌握机电一体化系统的结构。 ②结合实物----机械手,介绍机电一体化系统的结构。
1.3机电一体化产品(系统)的种类
■ 按功能来划分: 数控机械类;电子设备类;机电结合类;信息处理类;其它类。
■ 按用途来划分: 生产用类;运输、包装及工程用类;存储、销售用类;社会服务性用类;家庭用 类;科研及பைடு நூலகம்程控制用类;其它用类。 组织教学 建议:在教学中结合日常生活和工作的实际例子进行讲授。
高中信息技术粤教版必修二01第一章 走进信息社会

各小组根据项目选题,参照项目范例的样式,利用思维导图工具,制订相应的项目方案。
➢ 方案交流
各小组将完成的方案在全班进行展示交流,师生共同探讨、完善相应的项目方案。
1.1 信息社会及其特征
1.1 信息社会及其特征
➢ 1946年,世界上的早期计算机ENAC在美国问世。 ➢ 1982年,微电脑开始大量进入学校和家庭。 ➢ 2003年12月,联合国在瑞士召开第一次“信息社会世界峰会”,通过了 《原则宣言》建设信息社
➢ 目前,”信息社会”已成为当代学者们研究的重点和热点,很多思想和理念逐渐影响人们的思维模式和行为方式,开 始引起政府的关注。不同领域的学者们从经济、社会、网络、技术以及文化等多个维度对信息社会展开探索,主要 的研究观点如表1-2所示。
维度
主要研究观点
➢ 上述观点表明,在信息社会中,人人可以创造、获取、使用和分享信息及知识,个人、社会和各国人民均能充分发 挥各自的潜力,促进实现可持续发展并提高生活质量。这样的社会,是一个以人为本、具有包容性和面向全面发展 的社会。
➢ 综上所述,信息社会是指通过创造、分配、使用、整合和处理信息进行社会经济、政治和文化活动的社会形本。信 息社会成员通过创新、高效使用信息系统及其信息技术等手段,获得较高的个人或组织生存与发展优势。信息社会 本质是“以信息活动为基础”的社会。
➢ 讨论
查阅学习资源包“第一章\课本素材\《原则宣言》.doc”,检索表1-2中各个维度的专著或论文,深入了解其中的观点, 与小组中的同学讨论,阐述对表1-2中各个维度观点的理解。
获取数据信息的渠道决定了信息检索的质量,从官方网站获得可靠的文档 数据,从期刊网站中检索专业的信息或进行数据资料查新。 理解调查研究的实施过程。
集成电路制造工艺原理-《集成电路制造工艺原理》
《集成电路制造工艺原理》课程教学教案山东大学信息科学与工程学院电子科学与技术教研室(微电)张新课程总体介绍:1.课程性质及开课时间:本课程为电子科学与技术专业(微电子技术方向和光电子技术方向)的专业选修课。
本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等课程的前修课程。
本课程开课时间暂定在第五学期。
2.参考教材:《半导体器件工艺原理》国防工业出版社华中工学院、西北电讯工程学院合编《半导体器件工艺原理》(上、下册)国防工业出版社成都电讯工程学院编著《半导体器件工艺原理》上海科技出版社《半导体器件制造工艺》上海科技出版社《集成电路制造技术-原理与实践》电子工业出版社《超大规模集成电路技术基础》电子工业出版社《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》电子工业出版社3.目前实际教学学时数:课内课时54学时4.教学内容简介:本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的,与微电子技术相关的器件(硅器件)、集成电路(硅集成电路)的制造工艺原理和技术;介绍了与光电子技术相关的器件(发光器件和激光器件)、集成电路(光集成电路)的制造工艺原理,主要介绍了最典型的化合物半导体砷化镓材料以及与光器件和光集成电路制造相关的工艺原理和技术。
5.教学课时安排:(按54学时)课程介绍及绪论2学时第一章衬底材料及衬底制备6学时第二章外延工艺8学时第三章氧化工艺7学时第四章掺杂工艺12学时第五章光刻工艺3学时第六章制版工艺3学时第七章隔离工艺3学时第八章表面钝化工艺5学时第九章表面内电极与互连3学时第十章器件组装2学时课程教案:课程介绍及序论( 2学时)内容:课程介绍:1 教学内容1.1与微电子技术相关的器件、集成电路的制造工艺原理1.2 与光电子技术相关的器件、集成电路的制造 1.3 参考教材2教学课时安排3学习要求序论:课程内容:1半导体技术概况1.1 半导体器件制造技术1.1.1 半导体器件制造的工艺设计1.1.2 工艺制造1.1.3 工艺分析1.1.4 质量控制1.2 半导体器件制造的关键问题1.2.1 工艺改革和新工艺的应用1.2.2 环境条件改革和工艺条件优化1.2.3 注重情报和产品结构的及时调整1.2.4 工业化生产2典型硅外延平面器件管芯制造工艺流程及讨论2.1 常规npn外延平面管管芯制造工艺流程2.2 典型 pn隔离集成电路管芯制造工艺流程2.3 两工艺流程的讨论2.3.1 有关说明2.3.2 两工艺流程的区别及原因课程重点:介绍了与电子科学与技术中的两个专业方向(微电子技术方向和光电子技术方向)相关的制造业,指明该制造业是社会的基础工业、是现代化的基础工业,是国家远景规划中置于首位发展的工业。
第1章 电力拖动自动控制系统 运动控制系统(第5版)
硬件电路标准化程度高 控制规律体现在软件上,修改灵活 方便 拥有信息存储、数据通信和故障诊 断等功能
运动控制系统的控制器
模拟控制器
并行运行,控制器的滞后时间小。 微处理器数字控制器 串行运行方式,其滞后时间比模拟 控制器大得多,在设计系统时应予以 考虑。
运动控制系统的信号检测与处理
信号检测
1.2 运动控制系统的历史与发展
直流调速系统
直流电动机的数学模型简单,转 矩易于控制。 换向器与电刷的位置保证了电枢 电流与励磁电流的解耦,使转矩与 电枢电流成正比。
1.2 运动控制系统的历史与发展
交流调速系统
交流电动机(尤其是笼型感应电 动机)结构简单 交流电动机动态数学模型具有非 线性多变量强耦合的性质,比直流电 动机复杂得多。
交流调速系统
基于稳态模型的交流调速系统
转速开环的变压变频调速 转速闭环的转差频率控制系统 动态性能无法与直流调速系统相比
交流调速系统
基于动态模型的交流调速系统
矢量控制系统 直接转矩控制系统 动态性能良好,取代直流调速系统
1.2 运动控制系统的历史与发展
同步电动机交流调速系统
TL 常数
图1-3 恒转矩负载
恒功率负载
负载转矩与转 速成反比,而 功率为常数, 称作恒功率负 载
TL
mห้องสมุดไป่ตู้
PL
常数
m
图1-4 恒功率转矩负载
风机、泵类负载
负载转矩与转速 的平方成正比, 称作风机、泵类 负载
TL n
2 m
2
图1-5 风机、泵类负载
1.4 生产机械的负载转矩特性
生产机械的负载转矩是一个必然存
集成电路芯片封装技术第1章
(50~90)%
封装效率
封装效率
=2-7%(1970-) =10-30%(1980-)
封装效率
=20-80%(1990-)
封装效率
=50-90%(1993-)
封装效率的改进
35
表2.封装厚度的变化
封装形式
封装厚度
(mm)
PQFP/PDIP TQFP/TSOP UTQFP/UTSOP
解决途径:
1、降低芯片功耗:双极型-PMOS-CMOS-???
2、增加材料的热导率:成本
微电子技术发展对封装的要求
三、集成度提高 适应大芯片要求
热膨胀系数(CTE)失配—热应力和热变形
解决途径:
1、采用低应力贴片材料:使大尺寸IC采用CTE接近
Si的陶瓷材料,但目前环氧树脂封装仍为主流
2、采用应力低传递模压树脂 消除封装过程中的热应
目的
使各种元器件、功能部件相组合形成功能电路
难易程度
依据电路结构、性能要求、封装类型而异
需考虑的问题
ห้องสมุดไป่ตู้保护
苛刻的工程条件(温度、湿度、振动、冲击、放射性等)
超高要求
超高性能 (3D IC)
超薄型、超小型
超多端子连接
超高功率(采用热冷、金属陶瓷复合基板等)
电子封装实现的四种功能
① 信号分配:
② 电源分配:
何将聚集的热量散出的问
题
封装保护
芯片封装可为芯片和其他连
接部件提供牢固可靠的机械
支撑,并能适应各种工作环
境和条件的变化
确定封装要求的影响因素
成本
电路在最佳
性能指标下
的最低价格
外形与结构
电科专业纳米电子学基础第一章
光年
以上
实际范围 河外星系
适用理论 尚无
宇观 宏观 微观
渺观
1021米=105 光年 102米
10-17米= 10-15厘米
10-36米= 10-34厘米
从3亿公里到 3×1014光年
从3 ×10-6厘米 到3亿公里
从3 ×10-25厘 米到3 ×10-6厘 米
3 ×10-25厘米 以下
从太阳系 到银河系 从大分子 到太阳系 从基本粒子 到大分子
§1.3 材料
纳米结构材料的基本特性
II. 小尺寸效应
特殊的力学性质
Å 陶瓷材料在通常情况下呈脆性,然而由纳米超微颗粒压制成的纳米陶瓷
材料却具有良好的韧性。因为纳米材料具有大的界面,界面的原子排列是 相当混乱的,原子在外力变形的条件下很容易迁移,因此表现出甚佳的韧 性与一定的延展性,使陶瓷材料具有新奇的力学性质。美国学者报道氟化 钙纳米材料在室温下可以大幅度弯曲而不断裂。研究表明,人的牙齿之所 以具有很高的强度,是因为它是由磷酸钙等纳米材料构成的。呈纳米晶粒 的金属要比传统的粗晶粒金属硬3~5倍。至于金属一陶瓷等复合纳米材料 则可在更大的范围内改变材料的力学性质,其应用前景十分宽广。
纳米电子学基础
主讲人:杨红官
课程内容:
第一章 绪 论 第二章 纳电子学的物理基础 第三章 共振隧穿器件 第四章 单电子晶体管 第五章 量子点器件 第六章 碳纳米管器件 第七章 分子电子器件 第八章 纳米级集成系统原理 第九章 纳电子学发展中的问题
参考资料:
1. 纳电子学导论,蒋建飞 编著,科学出版社。 2. 纳米电子学,杜磊 庄奕琪 编著,电子工业出版社。 3. 纳电子器件及其应用,蔡理 编著,电子工业出版社。 4. 纳电子学与纳米系统,陈贵灿 等译,西安交通大学 出版社。
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(3)集成电路的发展趋势 (3)集成电路的发展趋势
• 集成电路的工作速度主要取决于晶体管的尺寸。 集成电路的工作速度主要取决于晶体管的尺寸。 主要取决于晶体管的尺寸 晶体管的尺寸越小,其极限工作频率越高, 晶体管的尺寸越小,其极限工作频率越高,门电路 的开关速度就越快,相同面积的晶片可容纳的晶体 的开关速度就越快, 管数目就越多。 管数目就越多。 • 所以从集成电路问世以来,人们就一直在缩小晶 所以从集成电路问世以来, 体管、电阻、电容、连接线的尺寸上下功夫。 体管、电阻、电容、连接线的尺寸上下功夫。
4
第1章 信息技术概述
什么是集成电路? 什么是集成电路?
集成电路 (Integrated Circuit,简称 : ,简称IC): 以半导体单晶片作为基片,采用平面工艺, 以半导体单晶片作为基片 采用平面工艺, 采用平面工艺 将晶体管、电阻、 将晶体管、电阻、电容等元器件及其连线 所构成的电路制作在基片上所构成的一个 微型化的电路或系统 集成电路的优点: 集成电路的优点:
元器件数目 <100 100~3000 3000~10万 万 10万~几十亿 万 几十亿 >100万 万
第1章 信息技术概述
按电路的功能分: 按电路的功能分:
数字集成电路 模拟集成电路 双极型( 双极型(Bipolar)电路 ) 金属氧化物半导体(MOS)电路 金属氧化物半导体 电路 ······
按晶体管结构、电路和工艺分: 按晶体管结构、电路和工艺分 :
IC集成度提高的规律 集成度提高的规律
Moore定律: 单块集成电路的集成度平均每 个月 定律:单块集成电路的集成度平均每18个月 定律 翻一番 (Gordon E.Moore,1965年) 年 例:Intel微处理器集成度的发展 微处理器集成度的发展
酷睿2双核 酷睿 双核 (2006) 291~410M晶体管 ) ~ 晶体管 酷睿2四核 酷睿 四核 (2007) 820M 晶体管 ) Core i7 六核(2010) >10亿 晶体管 六核( ) 亿
14
第1章 信息技术概述
进一步提高集成度的问题与出路
问题: 问题:
线宽进一步缩小后, 晶体管线条小到纳米级 纳米级时 线宽进一步缩小后 , 晶体管线条小到 纳米级 时 , 其电流微弱 到仅有几十个甚至几个电子流动, 到仅有几十个甚至几个电子流动 , 晶体管将逼近其物理极限 而无法正常工作
出路: 出路:
2001
0.13 47.6 1.6 340 7 12
2004
0.09 135 2.0 390 8 14
2008
0.045 539 2.655 468 9 16
2010
0.032 1000 3.8 600 9 16
2014
0.014 3500 10 901 10 18
12
第1章 信息技术概述
IC技术发展——减小蚀刻尺寸 技术发展—— 技术发展
80486 80386 80286 8086 8080 Pentium
晶体管数
CORE i7 CORE 2 Quad CORE 2 Duo Pentium 4 Pentium III Pentium II
1000x106 100x106 10x106 106 100 000 10 000
8008 4004
体积小、 体积小、重量轻 功耗小、 功耗小、成本低 速度快、 速度快、可靠性高
5
小规模集成电路
超大规模集成电路
第1章 信息技术概述
IC是所有电子产品的核心 是所有电子产品的核心
6
第1章 信息技术概述
集成电路的分类
按用途分: 按用途分:
通用集成电路 专用集成电路( 专用集成电路(ASIC) )
集成电路规模 小规模集成电 路(SSI) ) 中规模集成电 路(MSI) ) 大规模集成电 路(LSI) ) 超大规模集成 电路( 电路(VLSI) ) 极大规模集成 电路( 电路(ULSI) )
18
第1章 信息技术概述
Байду номын сангаас
IC卡的类型 按使用方式分类 卡的类型(按使用方式分类 卡的类型 按使用方式分类)
接触式IC卡 如电话 如电话IC卡 接触式 卡(如电话 卡) 表面有方型镀金接口, 个或6个镀金触点 表面有方型镀金接口 , 共 8个或 个镀金触点 。 个或 个镀金触点。 使用时必须将IC卡插入读卡机 卡插入读卡机, 使用时必须将 卡插入读卡机 , 通过金属触点 接触式IC卡 接触式 卡 传输数据。 传输数据。 用于信息量大、读写操作比较复杂的场合,但易 用于信息量大、读写操作比较复杂的场合 但易 磨损、怕脏、 磨损、怕脏、寿命短 非接触式IC卡 射频卡 感应卡) 射频卡、 非接触式 卡(射频卡、感应卡 接触式IC卡的结构 接触式 卡的结构 采用电磁感应方式无线传输数据, 采用电磁感应方式无线传输数据 , 解决了无源 卡中无电源) (卡中无电源)和免接触问题 操作方便,快捷,采用全密封胶固化,防水、 操作方便 , 快捷 , 采用全密封胶固化 , 防水 、 防污, 防污,使用寿命长 用于读写信息较简单的场合, 用于读写信息较简单的场合,如身份验证等 非接触式IC卡 非接触式 卡 代居民身份证—见 材料1.6) 如公交卡、 ( 如公交卡 、 第 2代居民身份证 见 P33材料 )第1章 信息技术概述 代居民身份证 材料
电子电路中元器件的发展演变
电子管 (1904) 晶体管 (1948) 中/小规模 小规模 集成电路 (1950’s) 大规模/超大规模 大规模 超大规模 集成电路(1970’s) 集成电路
• 微电子技术是以集成电路为核心的电子技术, 微电子技术是以集成电路为核心的电子技术, 集成电路为核心的电子技术 它是在电子元器件小型化、 它是在电子元器件小型化、微型化的过程中 发展起来的。 发展起来的。
酷睿i7六核的蚀刻尺寸为 0.032µm(32纳米) 酷睿 六核的蚀刻尺寸为 ( 纳米) 纳米
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第1章 信息技术概述
IC技术发展——增大晶圆面积 技术发展—— 技术发展
增大硅晶圆的面积: 增大硅晶圆的面积:使每块晶 圆能生产更多的芯片
比如,使用 比如,使用0.13微米的工艺在 微米的工艺在 200mm的晶圆上可以生产大 的晶圆上可以生产大 个处理器核心, 约179个处理器核心,而使用 个处理器核心 同样工艺在300mm的晶圆可 的晶圆可 同样工艺在 以制造大约427个处理器核心, 个处理器核心, 以制造大约 个处理器核心 而实际成本提高不多
第1章 信息技术概述 章
1.3 微电子技术简介
1.3 微电子技术简介
(1)微电子技术与集成电路 ) (2)集成电路的制造 ) (3)集成电路的发展趋势 ) (4)IC卡 ) 卡
2
第1章 信息技术概述
(1)微电子技术与集成电路 (1)微电子技术与集成电路
• 微电子技术是信息技术领域中的关 微电子技术是信息技术领域中的关 是信息技术领域中的 键技术, 键技术,是发展电子信息产业和各项 高技术的基础 • 微电子技术的核心是集成电路技术 微电子技术的核心是集成电路技术 集成电路
什么是 IC卡? 卡
IC卡(chip card、smart card),又称为集成电路卡,它是把 卡 、 ,又称为集成电路卡, 集成电路芯片密封在塑料卡基片内,使其成为能存储信息、 集成电路芯片密封在塑料卡基片内,使其成为能存储信息、 处理和传递数据的载体 特点: 特点:
存储信息量大 保密性能强 可以防止伪造和窃用 抗干扰能力强 可靠性高
集成电路的制造流程
硅抛光片 硅平面工艺
检测、 晶圆 检测、分类
芯片 封装 集成电路 成品测试 成品
单晶 硅锭
单晶硅锭经切 割、研磨和抛 光后制成镜面 一样光滑的圆 形薄片, 形薄片,称为 硅抛光片” “硅抛光片”
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硅平面工艺包括氧化、光刻、 硅平面工艺包括氧化、光刻、 掺杂和互连等工序, 掺杂和互连等工序,最终在 硅片上制成包含多层电路及 电子元件的集成电路。 电子元件的集成电路。通常 每一硅抛光片上可制作成百 上千个独立的集成电路, 上千个独立的集成电路,这 种整整齐齐排满了集成电路 的硅片称作“晶圆” 的硅片称作“晶圆”
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第1章 信息技术概述
(4) IC卡简介 卡简介
几乎每个人每天都与IC卡打交道, 几乎每个人每天都与IC卡打交道,例如我们的身份 IC卡打交道 证、手机SIM卡、交通卡、饭卡等等,什么是IC卡? 手机SIM卡 交通卡、饭卡等等,什么是IC卡 SIM IC 它有哪些类型和用途?工作原理大致是怎样的? 它有哪些类型和用途?工作原理大致是怎样的?下 面是简单介绍。 面是简单介绍。
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第1章 信息技术概述
IC卡的类型 按芯片分类 卡的类型(按芯片分类 卡的类型 按芯片分类)
存储器卡:封装的集成电路为存储器, 存储器卡:封装的集成电路为存储器,信息可长期保 也可通过读卡器改写。结构简单,使用方便。 存,也可通过读卡器改写。结构简单,使用方便。用 于安全性要求不高的场合,如电话卡、水电费卡、公 于安全性要求不高的场合, 如电话卡、水电费卡、 交卡、 带加密逻辑的存储器卡增加了加 交卡、医疗卡等 ( 带加密逻辑的存储器卡 增加了加 密电路) CPU卡:封装的集成电路为中央处理器(CPU)和存 卡 封装的集成电路为中央处理器( ) 储器,还配有芯片操作系统(Chip Operating System), 储器,还配有芯片操作系统 , 处理能力强,保密性更好,常用作证件和信用卡使用。 处理能力强,保密性更好,常用作证件和信用卡使用。 手机中使用的SIM卡就是一种特殊的 卡就是一种特殊的CPU卡。 手机中使用的 卡就是一种特殊的 卡
减小蚀刻尺寸,缩小晶体管、电阻、 减小蚀刻尺寸,缩小晶体管、电阻、电容和连线 的尺寸
尺寸越小,开关速度越快, 尺寸越小,开关速度越快,性能越高 相同面积晶片可容纳的晶体管数目就越多, 相同面积晶片可容纳的晶体管数目就越多,成本 越低