【2017年整理】二极管习题
第1章(2)二极管例题及图解分析法
ui
uO
15
O
t
ui
uO
分析二极管的限幅作用。 例3 ui = 2 sin ωt (V), 分析二极管的限幅作用。
R
ui 较小，宜采用恒压降模型 较小，
V2
ui
V1 ui / V 2
O
uO ui < 0.7V V1、V2均截止 uO＝ ui ui ≥ 0.7V V2导通 １截止 uO＝ 0.7V 导通V ui < − 0.7V t V1导通 2截止 uO＝− 0.7V 导通V
例2 画出硅二极管构成的桥式整流电路在 ui =15 sinωt (V)作用下输出 uO的波形。 (按理想模型 作用下输出 的波形。 按理想模型 按理想模型) ui
V1 V3 A B RL uO V2 V4 S1 A S2 S1 A S2 S3 B S4 S3 B S4 ui / V 15
O
t uO/ V
uO/ V 0.7
− 0.7
O
t
小 结
理想二极管： 理想二极管：
正偏导通 电压降为零 相当开关合上 反偏截止 电流为零 相当开关断开
恒压降模型： 恒压降模型：
等效为恒压源U 正偏电压 ≥ UD(on)时导通 等效为恒压源 D(on) 否则截止， 否则截止，相当于二极管支路断开
例1 试求电路中电流 I1、I2、IO和输出电压UO的值。 和输出电压 的值。 解：假设二极管断开 P N UP = 15V R R 3 I2 1kΩ L Ω UN = × 12 = 9 (V) 15V U 1+ 3 3kΩ O Ω VDD1 VDD2 12V UP > UN 二极管导通 等效为0.7 等效为 V 的恒压源 UO= VDD1 − UD(on)= 15 − 0.7 = 14.3 (V) IO= UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA) I1 I2 = (UO − VDD2) / R = (14.3 − 12) / 1 = 2.3 (mA) I1= IO + I2= 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA) IO
晶体二极管及应用练习题
第一题晶体二极管及应用练习题一、填空题。
1、物质按其导电性能分为、、。
2、半导体具有、、。
3、本征半导体是指的半导体。
其内部自由电子数空穴数。
4、自由电子带一个单位的电荷，空穴带一个单位的电荷，它们电性，电量。
5、运载电荷，形成电流的微粒称为。
6、半导体中的载流子有和两种。
7、N型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
8、P型半导体是在中掺入微量的价元素形成一种型半导体。
其内部自由电子数空穴数。
9、在一块本征半导体基片上，采用特殊方式，使一边形成P型半导体区域，另一边形成N型区域，在P区和N区交界面附近形成一个特殊薄层。
这个薄层就是。
10、PN结的内电场方向是。
11、如果给PN结加上电压称为给PN结以。
12、若PN结的P区接电源的极，N区接电源极，称为正向偏置，简称；若PN结的P区接电源的极，N 区接电源极，称为反向偏置，简称。
13、PN结的特性是。
即。
14、二极管的内部结构，究其本质而言，它就是一个。
15、二极管的伏安特性是指：。
16、在直角坐标系中，用横轴表示，纵轴表示。
将流过二极管的电流随偏置电压变化而变化的关系特性，以曲线的形式描述出来，这个曲线称为。
17、二极管的正向特性是指：在偏置电压作用下，流过二极管的电流随电压变化而变化的关系特性。
其正向特性是：在正偏压较低（即：低于）时，正向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内，正向电流正偏压变化而变化，其等效电阻；当正偏压大于后，流过二极管的正向电流随正偏电压变化而变化，此区域为，其等效电阻。
在此区域，二极管两端的正偏电压变化不大，近似为一个固定值，硅管约为，鍺管约为。
18、二极管的反向特性是指：在偏置电压的作用下，流过二极管的随电压的变化而变化的关系特性。
其反向特性是指：在反偏压较低（即低于）时，流过二极管的反向电流，近似为，这个区域称为。
在此区域内流过二极管的反向电流反偏压变化，其等效电阻。
当反偏压大于后，流过二极管的反向电流，此区域称为。
二极管习题分析
第一章整流滤波电路一、填空题1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、（1-1，低）利用二极管的，可将交流电变成。
4、（1-1，低）根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、（1-1，低）杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、（1-1，中）发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、（1-2，中）整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、（1-1，中）设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压U L（A V）= ，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L（A V）= ，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压U L（A V）= 。
14、（1-1，中）除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：，。
15、（1-1，低）常用的整流电路有和。
16、（1-2，中）为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、（1-2，难）电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、（1-2，中）桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。
二极管习题
12、５习题详解１2—1电路如图12-15所示，求电位U0，二极管得正向压降忽略不计。
解：因为压差大得二极管优先导通，所以ＶD1先导通，导通后U O＝0V，VD２、VD３截止。
12-2 在图12-１6中,试求下列几种情况下得输出端电位V0及各元件中流过得电流：(1)ＵA=+10V，U B＝0V;（2)UＡ=+6V,U B＝+５、８Ｖ；（３）U A＝UＢ=＋5V。
设二极管得正向电阻为零，反向电阻为无穷大。
解：（1)二极管ＶD1导通，则VＤ2截止,。
（２)设VＤ1与ＶD2两管都导通，应用结点电压法计算UＯ：可见VD２管能导通。
(3)VＤ1与VD２两管都能导通1２—3 求图12—１7所示各电路得输出电压值，设二极管正向压降ＵＤ＝0、7V。
解:U O1≈3Ｖ-0、7V＝２、３V (VＤ导通）；UＯ2＝０(VD截止)；U O３≈—3V+０、7V=—２、3V （VＤ导通)；U O４≈３V （ＶD截止）;U O５≈3V—0、7V=2、3V（VD导通);U O6≈—3V（VD 截止)。
1２-４电路如图12—1８所示，已知u i ＝５ｓｉn ωt （V ）,二极管压降不计，试画出u ｉ与ｕO 得波形，并标出幅值。
解：（ａ）u ｉ＞２V 时,VD 导通,；ｕi 〈２V 时,V Ｄ截止，u o =ｕi 。
(b) u i 〉２V 时，ＶＤ截止，；u ｉ〈2V 时，ＶＤ导通，u o =u i .(c) u i 〉2Ｖ时,VD 导通，u o =u ｉ；ｕi 〈2Ｖ时,VD 截止,u o ＝2V. 波形分别如图12-1９中（a ）、（b)与（c ）所示. １2－5 现有两只稳压管，它们得稳定电压分别为６Ｖ与8V ，正向导通电压为0、7Ｖ。
试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值?各为多少？(2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少？分别画出电路图。
解：(1)两只稳压管串联时如图1２-2０中（a ）、(b ）、（c)、(d)所示,分别得出稳压值为1、４Ｖ、6、7V 、8、7V 与14V 等四种稳压值. (2）两只稳压管并联时如图１２-２0（ｅ）、（ｆ)、（g)所示，稳压值为0、７Ｖ;如图12-20(h ）所示就是，稳压值为6V.以上得稳压管电路在使用中要接限流电阻，这里未画出. 12-6在图12－２1所示电路中，已知，2CW4稳压管得参数为：稳定电压，最大稳定电流，求:5V -5V2V2V2Vu i u ou ou o(a)(b)(c)图12-19 习题12-4的波形tttt（1）开关S断开时，流过稳压管得电流就是多少？（2）开关S闭合，电压表V与电流表、得读数各为多少？,流过稳压管得电流又就是多少?（3）开关S闭合，当电压升高１0%,再求各表读数。
1.2二极管练习题
1.2练习题
一、选择题
1、二极管内部是由所构成的。
A 一个PN结
B 两个PN结
C 两块N型半导体 D两块P型半导体
2、硅二极管的死区电压未。
A 0.2V B0.3V C 0.5V D 0.7V
3、硅二极管的导通电压为。
A 0.3V B0.4V C 0.7V D 1.0V
4、锗二极管的死区电压为。
A 0.2V B0.3V C 0.5V D 0.7V
5、锗二极管的导通电压为。
A 0.1V B0.3V C 0.5V D 0.7V
6、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管的关系曲线。
A V D-I D
B V D-r D
C I D-r
D D f-I D
7、若把二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电源实行正向连接，则该管。
A 击穿 B电流为零 C 电流过大而损坏 D 正向电压偏低而截止
二、填空题
1、二极管加上正向偏置是将电源正极与二极管的极相连，电源负极与二极管的相连，此时二极管呈现电阻，可等效为开关。
2、二极管处于反向偏置时，呈现的内阻，可等效为开关。
3、二极管的最大整流电流含义是。
4、晶体管手册中V RM通常规定为反向击穿电压的。
5、二极管的反向饱和电流I R会随升高而增大。
6、2AP系列二极管是半导体材料制成的，2CP系列二极管是半导体材料制成的。
三、问答题
1、二极管的选用原则是什么？
2、分析在气温较高的夏季，电视机、收音机等家用电器为什么较容易出现电路故障？。
二极管例题及图解分析法
ui
AV1 V2
V3 BV4RL
uO
ui / V 15
O
t
ui
S1 A
S3 B
uO/ V
uO 15
S2 S4
O
t
ui
S1 A
S3 B
uO
S2 S4
第2页/共4页
例3 ui = 2 sin t (V), 分析二极管的限幅作用。
R
ui 较小，宜采用恒压降模型
ui
V1
ui / V 2
O
V2
uO
-0.7<ui < 0.7V V1、V2均截止
第4页/共4页
IO= UO / RL= 14.3 / 3 = 4.8 (mA)
I2 = (UO VDD2) / R = (14.3 12) / 1 = 2.3 (mA)
I1= IO + I2= 4.8 + 2.3 = 7.1 (mA)
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例2 画出硅二极管构成的桥式整流电路在
ui =15 sint (V)作用下输出 uO的波形。 (按理想模型)
uO＝ ui
ui 0.7V V2导通V１截止 uO＝ 0.7V
t
ui < 0.7V
V1导通V2截止
uO＝ 0.7V
uO/ V
0.7
O
t
0.7
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小结
理想二极管：
正偏导通 电压降为零 相当开关合上 反偏截止 电流为零 相当开关断开
恒压降模型：
正偏电压 UD(on)时导通 等效为恒压源UD(on) 否则截止，相当于二极管支路断开
例1 试求电路中电流 I1、I2、IO和输出电压UO的值。
模电二极管试题及答案
模电二极管试题及答案
一、选择题
1. 下列哪个选项不是二极管的特性？
A. 单向导电性
B. 双向导电性
C. 整流作用
D. 稳压作用
答案：B
2. 二极管的正向导通电压约为：
A. 0.2V
B. 0.6V
C. 0.7V
D. 1.5V
答案：C
3. 在电路中，二极管的正极应该连接到：
A. 电源的正极
B. 电源的负极
C. 负载的正极
D. 负载的负极
答案：A
二、填空题
1. 二极管是由半导体材料______制成的。
答案：P型和N型
2. 二极管的正向导通电压一般为______V。
答案：0.7
3. 在电路中，二极管的负极通常标记为______。
答案：K
三、简答题
1. 简述二极管的工作原理。
答案：二极管是由P型和N型半导体材料组成的器件，具有单向导电性。
当正向偏置时，二极管导通，允许电流通过；当反向偏置时，二极管截止，阻止电流通过。
2. 二极管在电路中有哪些应用？
答案：二极管在电路中的应用包括整流、稳压、开关、信号调制等。
四、计算题
1. 已知一个二极管的正向导通电压为0.7V，反向击穿电压为50V，求该二极管在正向偏置时的导通电流。
答案：导通电流取决于电路中的电流源和二极管的正向电阻，仅凭导通电压无法计算导通电流。
2. 如果一个电路中二极管的反向电流为10μA，求该二极管的反向电阻。
答案：反向电阻R=V/I，其中V为反向电压，I为反向电流。
由于题目中没有给出反向电压，所以无法计算反向电阻。
1.2.1 二极管及整流电路习题
u tV 3.电路如图所示，设4 E，6V i 1s2in ( 5 )，二极管
u 的正向压降忽略不计，试在图中分别画出 o2的波形。 1
u i/V
+
+
12
6
VD R
ui
uo2
0 -6
t
_
E
D
_
-12
u o/V
12 6
0
-6
t
-12
4．二极管正向导通的最小电压称为__死__区__电压， 使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为 __击__穿___电压.
5．二极管最主要的特性是单向导电 ，使用时应考 虑的两个主要参数是 最大整 流电流 和 最大反向工作电压_。
6．在常温下，硅二极管的死区电压约___0_.5___V， 导通后在较大电流下的正向压降约_0_._6_-0_._7_V 。
5.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波形 如图所示，符合该波形的电路是_______。
三、判断题 1. 在二极管的反向截止区，反向电流随反向电压增大
而增大。（ × ）
2. 指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极， 黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管 的正向电阻。（ × ）
7．在常温下，锗二极管的死区电压约为_0_._1V____V，导 通后在较大电流的正向压降约为__0_.2_-0_._3_V。
8．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越 小，说明二极管的__单向_导__电__性能越好。
9．稳压管工作在伏安特性的__反_向__击_穿__区，在该区内 的反向电流有较大变化，但它两端的电压 基_ 本__不_变___。
成_为__半__波_整_。流
二、选择题： 1.二极管的导通条件是( )。
二极管试题
一、晶体二极管和二极管整流电路一、填空1 、贞洁的半导体称为，它的导电能力很。
在贞洁的半导体中掺入少量的价元素，可形成 P 型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少量载流子为。
2、在本征半导体中掺入价元素，可形成 N型半导体，其中多数载流子为，少量载流子为，它的导电能力比本征半导体。
3、如图，这是资料的二极管的 ____I(mA)曲线，在正向电压高出V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。
正常导通后，此管的正向压降约V 。
当反向电压增大到V -50为时，V(v)即称为电压。
其中稳压管一般工作在区。
4、二极管的伏安特点指和关系，当正向电压高出_____后，二极管导通。
正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为V,锗管约为V 。
5、二极管的重要特点是，详尽指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。
6、 PN 结的单导游电性指，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称。
7、二极管的主要参数有 ________ 、_________和，二极管的主要特点是。
8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，假设两次测得的阻值都较小，那么说明二极管内部；假设两次测得的阻值都较大，那么说明二极管内部。
两次测的阻值相差越大，那么说明二极管的性能越好。
9、整流是指，整流电路分可为：和电路。
将交流电变换成较牢固的直流电，一般要经过以下过程：___________ →____________ →____________ →____________10、有素来流负载R=9Ω，需要直流电压 V=45V,现有L L2CP21(I FM=3000mA,V RM=100V)和 2CP33B(I FM=500mA, V RM=50V) 两种型号的二极管 , 假设采用桥式整流电路，应采用11 、稳压二极管的稳压特点指说明稳压性能越。
12、滤波器的作用是将整流电路输出的型二极管只。
，动向电阻中的r Z越大，成分滤去，获得比较的直流电 , 平时接在电路的后边。
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【2017年整理】二极管习题二极管是一种常见的电子元件，也是电子学中最基本的元件之一。
它具有非常重要的应用，例如用于整流电路、放大电路、开关电路等。
下面是一些二极管的习题及其答案：
1.一个二极管的正向电流为10mA，反向电流为1μA。
求该二极管的导通电阻
和截止电阻。
答案：正向电流为10mA，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电压为0.7V（标准硅二极管）。
所以正向电阻为R = V/I = 0.7V/10mA = 70Ω。
反向电流为1μA，反向电压可以认为是无穷大。
所以反向电阻为R = V/I = ∞。
2.一个二极管的反向击穿电压为100V，正向电流为20mA。
求该二极管的最大
耗散功率。
答案：正向电流为20mA，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电压为0.7V（标准硅二极管）。
所以正向功率为P = IV = 0.7V * 20mA = 14mW。
反向击穿电压为100V，反向电流可以认为是无穷大。
所以反向功率为P = IV = 100V * ∞ = ∞。
因为反向击穿时，二极管可能会被损坏，所以需要注意反向击穿电压。
3.一个二极管的导通电压为0.7V，反向电压为-10V。
求该二极管的正向电流
和反向电流。
答案：正向电压为0.7V，根据二极管的特性曲线，可以找到对应的正向电流为I = V/R = 0.7V/70Ω = 10mA。
反向电压为-10V，反向电流可以认为是无穷小。
所以反向电流为I = V/R = -10V/∞ = 0A。
4.一个二极管的导通电压为0.7V，反向电流为1μA。
求该二极管的动态电
阻。
答案：动态电阻可以通过微分的方式来求解。
即动态电阻r = ΔV/ΔI。
根据二极管的特性曲线，可以找到正向电流为10mA对应的正向电压为0.7V，正向电流为11mA对应的正向电压为0.75V。
所以ΔV = 0.75V - 0.7V = 0.05V。
根据二极管的特性曲线，可以找到正向电流为10mA对应的正向电压为0.7V，正向电流为11mA对应的正向电压为0.75V。
所以ΔI = 11mA - 10mA = 1mA = 0.001A。
所以动态电阻r = ΔV/ΔI = 0.05V/0.001A = 50Ω。