电磁场与电磁波公式总结
高中物理电磁学公式大全总结

高中物理电磁学公式大全总结以下是一些高中物理电磁学中常用的公式总结:
1. 电荷和电场:
库仑定律,F = k |q1 q2| / r^2。
电场强度,E = F / q。
电势能,U = k |q1 q2| / r。
电势差,V = U / q。
2. 电流和电路:
电流强度,I = Q / t。
电阻定律,V = I R。
电功率,P = V I。
电阻与电导,R = ρ (L / A),G = 1 / R。
3. 磁场和磁感应强度:
洛伦兹力,F = q (v × B)。
磁场强度,B = F / (q v sinθ)。
磁感应强度,B = μ H。
安培环路定理,∮B·dl = μ I。
4. 电磁感应:
法拉第电磁感应定律,ε = -dΦ / dt。
楞次定律,ε = -N dΦ / dt。
自感系数,L = N Φ / I。
电磁感应电动势,ε = B l v sinθ。
5. 电磁波:
光速,c = λ f。
波长和频率关系,λ = c / f。
光的能量,E = h f。
光的强度,I = P / A。
以上是一些高中物理电磁学中常用的公式总结,这些公式可以
帮助我们理解和计算电磁学中的各种现象和问题。
需要注意的是,
在具体应用时,还需要结合具体情况和问题进行适当的变形和推导。
电磁场与电磁波课程知识点总结和公式

电磁场与电磁波课程知识点总结与主要公式1 麦克斯韦方程组的理解和掌握 (1)麦克斯韦方程组⎰⎰⎰⎰⎰⎰=•=•∇=•=•∇•∂∂-=•∂∂-=⨯∇•∂∂+=•∂∂+=⨯∇ss l s l s s d B B Q s d D D s d t B l d E t B E s d tD J l d H t D J H 0)(ρ本构关系: E J H B EDσμε===(2)静态场时的麦克斯韦方程组(场与时间t 无关)⎰⎰⎰⎰=•=•∇=•=•∇=•=⨯∇=•=⨯∇ss l l s d B B Q s d D D l d E E I l d H JH 000ρ2 边界条件(1)一般情况的边界条件nn n sT t t sn s n n sn tt n B B B B a J H H J H H a D D D D a E E E E a 21212121212121210)())(0)==-•=-=-⨯=-=-•==-⨯((ρρ(2)介质界面边界条件(ρs = 0 J s = 0)nn n t t n n n n t t n B B B B a H H H H a D D D D a E E E E a 21212121212121210)(0)0)(0)==-•==-⨯==-•==-⨯((3 静电场基本知识点 (1)基本方程0022=•==∇-=∇=•=•∇=•=⨯∇⎰⎰⎰A Apsl ld E Qs d D D l d E E ϕϕϕερϕρ本构关系: E Dε=(2)解题思路● 对称问题(球对称、轴对称、面对称)使用高斯定理或解电位方程(注意边界条件的使用)。
● 假设电荷Q ——> 计算电场强度E ——> 计算电位φ ——>计算能量ωe =εE 2/2或者电容(C=Q/φ)。
(3)典型问题● 导体球(包括实心球、空心球、多层介质)的电场、电位计算;● 长直导体柱的电场、电位计算;● 平行导体板(包括双导体板、单导体板)的电场、电位计算; ● 电荷导线环的电场、电位计算; ● 电容和能量的计算。
电磁场与电磁波期末复习知识点归纳

哈密顿算子:矢量微分算子( Hamilton、nabla、del )
ex
x
ey
y
ez
z
★ 标量场的梯度
gradu u u xˆ u yˆ u zˆ ( xˆ yˆ zˆ)u x y z x y z
★ 矢量场的散度计算公式:
divA= • A Ax Ay Az x y z
1
2=∞ nˆ • D1 s
nˆ E1 0 nˆ B1 0
nˆ H1 Js
2、理想介质表面上 的边界条件
1=0
2=0
nˆ • (D1 D2) 0 nˆ (E1 E2 ) 0
nˆ B1 B2 0
nˆ H1 H2 0
第三章 静态电磁场及其边值问题的解
静电场中: E 0
圆柱坐标和球坐标的公式了解:
Bx By Bz
圆柱坐标系中的体积微元: dV=(d)(d)(dz)= d d dz
分析的问题具有圆柱对称性时可表示为:dV=2ddz
球坐标系中的体积微元: dV=(rsind)(rd)(dr)
分析的问题具有球对称性 时可表示为:
=r2sindrdd dV=4r2dr
★ 标量场的等值面方程 u x, y, z 常数C
程的解都是唯一的。这就是边值问题的唯一性定理
◇ 唯一性定理的意义:是间接求解边值问题的理论依据。
● 镜像法求解电位问题的理论依据是“唯一性定理”。
点电荷对无限大接地导体平面的镜像
z
r1
P
q h
r r2 介质
x
h
介质
q
点电荷对接地导体球面的镜像。
P
r
a
r2
o θ q
d
’d
电磁场与电磁波1-6章公式总结

三种坐标下的位矢表示:333222111d d d d g h g h g h e e e r ++=直角坐标系: z y x z y x d d d d e e e r ++= 圆柱坐标系: z z d d d d e e e r ++=φρρφρ 球坐标系:φθθφθd sin d d d r r r r e e e r ++=标量的梯度:u g h g h g h u ⎪⎪⎭⎫⎝⎛∂∂+∂∂+∂∂=333222111111 grad e e e 矢量的散度:()()()⎥⎦⎤⎢⎣⎡∂∂+∂∂+∂∂=⋅∇3213231213213211F h h g F h h g F h h g h h h F 矢量的旋度:3322113213322113211F h F h F h g g g h h h h h h ∂∂∂∂∂∂=⨯∇e e e F 散度定理:⎰⎰⋅=⋅∇SVV S F F d d斯托克斯定理:⎰⎰⋅=⋅⨯∇CSl F S F d d拉普拉斯运算符:⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂+⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛∂∂∂∂=∇33213223121132132121g h h h g g h h h g g h h h g h h h 标量拉普拉斯运算: u 2∇矢量拉普拉斯运算: 3232221212F F F ∇+∇+∇=∇e e e F 电流的连续性方程:⎰⎰-=⋅V SV t d d d d ρS J , 0=∂∂+⋅∇tρJ恒定电流场:(要电流不随时间变化,即要电荷在空间分布不随时间变化) 0=⋅∇J电场强度:()()⎰--=--==VV''''''q Rq d 414433030r r r r r r r r r R r E ρπεπεπε高斯定理:()0ερ=⋅∇r E电场性质:()0=⨯∇r E磁感应强度:()()()()⎰⎰--⨯=--⨯=VCV''''''I d 4d 43030r r r r r J r r r r l r B πμπμ安培环路定理: ()()r J r B 0μ=⨯∇磁场性质:()0=⋅∇r B媒质的传导特性:v E J ρσ==(v 表示电荷的运动速度)法拉第电磁感应定律:()⎰⎰⎰⋅⨯+⋅∂∂-=⋅=C s C t l B v S Bl E d d d in ξ麦克斯韦方程组与磁场的边界条件:ρ=⋅=⋅⋅∂∂-=⋅⋅∂∂+⋅=⋅⎰⎰⎰⎰⎰⎰⎰SS S CS SCttS D S B S B l E S D S J l H d 0d d d d d dρ=⋅∇=⋅∇∂∂-=⨯∇∂∂+=⨯∇D B BE D J H 0tt()()()()Sn n n S n D D e B B e E E e J H H e ρ=-⋅=-⋅=-⨯=-⨯2121212100静电场和恒定磁场的基本方程和边界条件如上可查(电场与磁场不相互影响,故有略去项) 电位函数: ()()r r E ϕ-∇=()()C V'''r V'+-=⎰d 41r r r ρπεϕ ϕd d )(-=⋅l r E微分方程: ερϕ)()(2r r =∇ 边界方程:21ϕϕ= S nn ρϕεϕε-=∂∂-∂∂2211系统电容:1取适合坐标;2设带等量相反电荷;3求出电场;4求出电位差;5计算荷差比。
电磁场与电磁波公式

θsin AB =B ⨯A n e()()()B C C C⨯A ⋅=A ⨯⋅B =⨯B ⋅A()()()B A C C A B C B A ⋅-⋅=⨯⨯通量S d e F S d F SSn⎰⎰⋅=⋅=ψ散度VSd F F div SV ∆⋅=⎰→∆lim散度计算式F F div⋅∇=散度定理⎰⎰⋅=⋅∇SVS d F V d F环流⎰⋅=ΓCl d F环流面密度Sl d F F rot CS n ∆⋅=⎰→∆0lim旋度max 01lim ⎰⋅∆=→∆C S l d F S n F rot计算式F F rot⨯∇=托克斯定理⎰⎰⋅=⋅⨯∇SCl d F S d F无旋场0=⨯∇F 无散场0=⋅∇F格林定理dS e F dV F VSn ⎰⎰⋅=⋅∇电荷体密度()''lim0'dV dqV q r V ∆∆=→∆ρ体电流dSdi e S i e J n S n =∆∆=→∆0lim电荷守恒定律⎰⎰-=-=⋅V S dV dtddt dq S d J ρ 电流连续方程的微分形式0=∂∂+⋅∇tJ ρ恒流电场0,0=⋅∇=⋅⎰J S d J S库仑定律R R q q R q q e F R202120211244πεπε== R R q q R q q e F R 202120211244πεπε== ()R R qq F r E 3004πε==高斯定理微分形式0ερ=⋅∇E 高斯定理微分形式⎰⎰=⋅SVdV S d E ρε01安培力定律 ()[]⎰⎰--⨯⨯=213121211220124C C r r r r l d I l d I Fπμ电流密度J 和E 的关系E J σ=⎰=vdV E P 2σ静止回路法拉第微分形式tBE ∂∂-=⨯∇一般形式()B v tBE ⨯⨯∇+∂∂-=⨯∇安培环路定理微分J H=⨯∇位移电流密度tDJ d ∂∂=麦克斯韦第一方程S d t D S d J l d H C S S⋅∂∂+⋅=⋅⎰⎰⎰麦克斯韦第二方程S d t B l d E C S⋅∂∂-=⋅⎰⎰麦克斯韦第三方⎰=⋅SS d B 0麦克斯韦第四方⎰⎰=⋅SSdV S d D ρ。
大学物理电磁学公式总结(精选2024)

05
交流电路中的电磁学公式应用
正弦交流电三要素及有效值概念
要点一
正弦交流电的三要素
要点二
有效值概念
最大值(峰值)、角频率(或频率、周期)和初相位。
正弦交流电的有效值等于其最大值的√2/2倍,用于描述交 流电做功能力的大小。
复数表示法及相量图解法在交流电路中应用
复数表示法
用复数表示正弦交流电,实部表示有效值,虚部表示 电导线在磁场中所受的力,公式为F = BIL,其中B为磁感应强度,I为电 流,L为导线长度。
麦克斯韦方程组
高斯定理
表示电场中电通量与电荷量的关系,公式 为∮E·dS = Q/ε0,其中E为电场强度,dS 为面积元,Q为电荷量,ε0为真空介电常
数。
法拉第电磁感应定律
表示磁场变化时产生的感应电动势,公式 为ε = -dΦ/dt,其中ε为感应电动势,Φ为
电磁辐射的相对论效应
高速运动电荷产生的电磁辐射在频率、方向等方面会发生变化。
统一场论思想及其发展
01
爱因斯坦的统一场论思想
试图将引力场和电磁场统一在一个理论框架内,尽管未能实现,但为后
世研究提供了重要启示。
02
弦理论与M理论
现代物理理论试图通过更高维度的空间和时间来实现场论的统一,弦理
论和M理论是其中的代表。
库仑定律
描述两个点电荷之间的相互作用力,公式为$F = kfrac{q_1q_2}{r^2}$,其中$k$为库仑常数,$q_1$和 $q_2$为两个点电荷的电荷量,$r$为它们之间的距离。
电场强度
描述电场中某点的电场力作用效果,公式为$E = frac{F}{q}$,其中$F$为试探电荷所受的电场力,$q$为试 探电荷的电荷量。
电磁场与电磁波1-6章公式总结.
三种坐标下的位矢表示:直角坐标系:圆柱坐标系:球坐标系:标量的梯度:矢量的散度:矢量的旋度:散度定理:斯托克斯定理:拉普拉斯运算符:标量拉普拉斯运算:矢量拉普拉斯运算:电流的连续性方程:,恒定电流场:(要电流不随时间变化,即要电荷在空间分布不随时间变化)电场强度:高斯定理:电场性质:磁感应强度:安培环路定理:磁场性质:媒质的传导特性:(表示电荷的运动速度)法拉第电磁感应定律:麦克斯韦方程组与磁场的边界条件:静电场和恒定磁场的基本方程和边界条件如上可查(电场与磁场不相互影响,故有略去项)电位函数:微分方程:边界方程:系统电容:1取适合坐标;2设带等量相反电荷;3求出电场;4求出电位差;5计算荷差比。
静电场的能量:能量密度:矢量磁位:,微分方程:边界方程:标量位矢:微分方程:边界方程:系统电感:恒定磁场的能量:能量密度:恒定电场分析:本构以,电荷密度对恒定电场无影响可以置零。
对比电容与漏电导:唯一性定理:在场域的边界面上给定或的值,则泊松方程或拉普拉斯方程在场域内具有唯一解。
镜像法遵循的原则:1所有镜像电荷必须位于所求的场域以外的空间中;2镜像电荷的个数、位置及电荷量的大小以满足场域边界面上的边界条件来确定。
波动方程:达朗贝尔方程(依洛仑兹规范):洛仑兹规范:库仑规范:电磁能量守恒:(坡印廷定理)时谐电磁场的复数表示:复矢量的麦克斯韦方程:,,,亥姆霍兹方程(波动方程的复数化):,,时谐场的位函数:洛仑兹条件变为达朗贝尔方程变为平均能流密度:平均电、磁场能量密度:理想介质中的均匀平面波函数:,第一项为方向,第二项为方向理想介质中的均匀平面波的传播特点:沿任意方向传播的均匀平面波:合成波的极化形式取决于和分量的振幅和相位之间的关系:有:,直线极化波:或圆极化波:电场的和分量的振幅相等;,左旋极化波;,右旋极化波椭圆极化波:振幅和相位都不等,最简单而形成。
均匀平面波在导电媒质中的传播():,称为衰减常数,称为相位常数(与波数相近),速度变为平均坡印廷矢量:弱导电媒质中的均匀平面波:,,良导体中的均匀平面波:趋肤深度群速与相速的关系:①,无色散;②,正常色散;③,反色散均匀平面波对分界面的垂直入射:定义:反射系数,透射系数且有关系:对理想导体平面的垂直入射:媒质1为理想介质,媒质2为理想导体,得,故有,对理想介质分界面的垂直入射:媒质1与2均为理想介质,,得,,故有,均匀平面波对多层介质分界面的垂直入射:自右起,算出第2个分界面右边的等效阻抗,连续计算至自左起的第1个分界面右边。
电磁场与波公式
sin pπ l
z
Hx
=
j
H1
sin
mπ a
x
cos nπ b
y
cos pπ z l
谐振频率
Ey
=
E2sin
mπ a
x
cos
nπ b
y
sin pπ z l
Hy
=
j
H2
cos
mπ a
x
sin
nπ b
y
cos pπ z l
Ez
=
E3
sin
mπ a
x
sin
nπ b
y
cos pπ z l
Hz
=
jH3cos
mπ a
p Eϑ = 4πε0r3 sinθ
9 静电场的能量密度
ω = 1 εE2 2
Eϕ = 0
10 标量电位的边界条件(《电磁场理论基础》P44)
金属表面
φ1|s = φ2|s
ε1
∂φ1 ∂n
s
=
ε2
∂φ2 ∂n
s
φ|s = const
∂φ
ρ
=−
∂n s
ε
11 电位方程 Poisson 方程
Laplace 方程
13 时变场的坡印亭定理(《电磁场理论基础》P184)
瞬时坡印亭矢量
S=E×H
一般时变场的坡印亭定理
‹
˚
˚
− S · nˆdS =
J · EdV + ∂
( 1 εE2 + 1 µH2)dV
S
V
∂t V 2
2
复数坡印亭矢量 平均能流密度
S˙ = 1 E(r) × H∗(r) 2
高中物理电磁公式大全总结
高中物理电磁公式大全总结电场基本概念电荷与电场关系•库仑定律$F=\\frac{k \\cdot |q_1 \\cdot q_2|}{r^2}$其中,F为电荷间的作用力,k为常数,q1, q2为两电荷大小,r为它们之间的距离。
•电场强度$E = \\frac{F}{q}$其中,E为电场强度,F为电荷受到的电场力,q为电荷量。
磁场基本概念定义和基本公式•磁场强度$B = \\frac{F}{q \\cdot v \\cdot \\sin{\\theta}}$其中,B为磁场强度,F为磁力,q为电荷量,v为速度,$\\theta$为磁场与速度的夹角。
•洛伦兹力$F = q \\cdot v \\cdot B \\cdot \\sin{\\theta}$其中,F为洛伦兹力,q为电荷量,v为速度,B为磁场强度,$\\theta$为磁场与速度的夹角。
电磁波公式基本特性•电磁波频率$f = \\frac{c}{\\lambda}$其中,f为频率,c为光速,$\\lambda$为波长。
•电磁波速度(光速)$c = f \\cdot \\lambda$其中,c为光速,f为频率,$\\lambda$为波长。
电路基本公式电压、电流、电阻关系•欧姆定律$V = I \\cdot R$其中,V为电压,I为电流,R为电阻。
•串联电路总电阻$R_{total} = R_1 + R_2 + \\dots + R_n$其中,R total为总电阻,$R_1, R_2, \\dots, R_n$为各个电阻。
总结以上是高中物理电磁公式的一些基本内容,涵盖了电场、磁场、电磁波和电路方面的公式。
这些公式在理解和解决物理问题时起着至关重要的作用,希望能够对学习者有所帮助。
继续努力,加油学习!。
电磁场与电磁波课程知识点总结和公式
电磁场与电磁波课程知识点总结与主要公式1 麦克斯韦方程组的理解和掌握 (1)麦克斯韦方程组⎰⎰⎰⎰⎰⎰=∙=∙∇=∙=∙∇∙∂∂-=∙∂∂-=⨯∇∙∂∂+=∙∂∂+=⨯∇ss l s l s s d B B Q s d D D s d t B l d E t B E s d tD J l d H t D J H 0)(ρ本构关系: E J HB EDσμε===(2)静态场时的麦克斯韦方程组(场与时间t 无关)⎰⎰⎰⎰=∙=∙∇=∙=∙∇=∙=⨯∇=∙=⨯∇ss l l s d B B Qs d D D l d E E Il d H J H 0000ρ2 边界条件(1)一般情况的边界条件nn n sT t t sn s n n sn tt n B B B B a J H H J H H a D D D D a E E E E a 21212121212121210)())(0)==-∙=-=-⨯=-=-∙==-⨯((ρρ(2)介质界面边界条件(ρs = 0 J s = 0)nn n t t n n n n t t n B B B B a H H H H a D D D D a E E E E a 21212121212121210)(0)0)(0)==-∙==-⨯==-∙==-⨯(((1)基本方程0022=∙==∇-=∇=∙=∙∇=∙=⨯∇⎰⎰⎰A Apsl ld E Qs d D D l d E E ϕϕϕερϕρ本构关系: E Dε=(2)解题思路● 对称问题(球对称、轴对称、面对称)使用高斯定理或解电位方程(注意边界条件的使用)。
● 假设电荷Q ——> 计算电场强度E ——> 计算电位φ ——> 计算能量ωe =εE 2/2或者电容(C=Q/φ)。
(3)典型问题● 导体球(包括实心球、空心球、多层介质)的电场、电位计算; ● 长直导体柱的电场、电位计算;● 平行导体板(包括双导体板、单导体板)的电场、电位计算; ● 电荷导线环的电场、电位计算; ● 电容和能量的计算。
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电磁场与电磁波公式总结本文是关于电磁场与电磁波的复,第一部分是知识点的归纳。
第一章是关于矢量分析的,其中介绍了三种常用的坐标系。
第一种是直角坐标系,其中包括微分线元、面积元和体积元的计算公式。
第二种是柱坐标系,其中也包括微分线元、面积元和体积元的计算公式。
第三种是球坐标系,也有相应的计算公式。
此外,还介绍了三种坐标系之间的坐标变量之间的关系,包括直角坐标系与柱坐标系的关系、直角坐标系与球坐标系的关系以及柱坐标系与球坐标系的关系。
接下来介绍了梯度的计算公式,其中包括直角坐标系、柱坐标系和球坐标系中的计算公式。
最后是散度的计算公式,其中包括直角坐标系和柱坐标系中的计算公式。
1.根据公式$\epsilon_1=\tan\theta_2/\epsilon_2$和$\Delta l=\epsilon_2\theta_2E_{t}$,可以得到分界面上$E_{t}$的边界条件。
2.静电荷系统的总能量可以分为体电荷、面电荷和线电荷三种情况,分别用积分形式表示为$\int \rho \Phi d\tau$,$\int \rho_S \Phi ds$和$\int \rho_L \Phi dl$。
导体系统的总能量为$\sum_{k}^{ }q_{k}\Phi_{k}/2$。
任意一点的能量密度为$\omega_e=D\cdot E=\epsilon E^2/2$,总静电能可以用$\int\epsilon E d\tau$来计算。
3.恒定电场的基本变量为电场强度$E$和电流密度$J$,其中$J=\sigma E$,$\sigma$为媒质的电导率。
电流连续性方程可以用积分形式$J\cdot dS=-\int \partial q/\partial t d\tau$和微分形式$\nabla\cdot J=-\partial\rho/\partial t$表示。
恒定电场中不能有电荷的增减,因此电流连续性方程变为$\int J\cdotdS=0$和$\nabla\cdot J=0$,再加上$\int E\cdot dl=0$和$\nabla\times E=0$,就得到了恒定电场的基本方程的积分和微分形式。
4.恒定电场的边界条件包括电流密度和电场强度在分界面上的法向和切向分量相等,即$J_{1n}=J_{2n}$和$E_{1t}=E_{2t}$,以及应用欧姆定律可得$\sigma_1E_{1n}=\sigma_2 E_{2n}$和$\sigma_1 J_{1t}=\sigma_2 J_{2t}$。
此外,恒定电场的焦耳损耗功率密度为$p=\sigma E^2$,储能密度为$\omega_XXX。
5.磁场的特性由磁感应强度$B$和磁场强度$H$来描述,真空中磁感应强度的计算公式为$B=\mu_0I/2\pi r$。
对于线电流和面电流,可以分别用积分形式$\int Idl\times a/4\pi r^2$和$\int J\times a/\mu_0 dS$来表示磁感应强度$B$。
恒定磁场的基本方程恒定磁场的积分形式为:$\int_S{\vec{B}\cdotd\vec{S}}=0$,其中$S$为任意闭合曲面。
根据安培环路定理,恒定磁场的微分形式为$\nabla\times\vec{B}=\mu\vec{J}$。
磁介质的基本方程为:$\int_S{\vec{B}\cdot d\vec{S}}=0$,$\nabla\cdot\vec{B}=0$,$\int_l{\vec{H}\cdot d\vec{l}}=I$,$\nabla\times\vec{H}=\vec{J}$。
磁介质的本构方程为:$\vec{B}=\mu_r\mu_0\vec{H}$,$\vec{H}=\frac{\vec{B}}{\mu_r\mu_0}-\vec{M}$,其中$\vec{M}$为磁化强度矢量。
磁介质的磁化磁介质在磁场中被磁化,其磁化程度用磁化强度$\vec{M}$表示。
磁介质中的束缚体电流密度为$\vec{J_m}=\nabla\times\vec{M}$,磁介质表面上的束缚面电流密度为$\vec{J_{mS}}=\vec{M}\times\vec{n}$。
恒定磁场的矢量磁位恒定磁场的矢量磁位为$\vec{A}=\nabla\times\vec{B}$。
在库仑规范条件下,场与源的关系方程为$\nabla^2\vec{A}=-\mu\vec{J}$。
恒定磁场的边界条件分界面上法向分量$B_n$的边界条件为$B_{1n}=B_{2n}$,其中$B_{1n}$和$B_{2n}$分别为分界面两侧的法向分量。
分界面上切向分量$H_t$的边界条件为$n\times(\vec{H_1}-\vec{H_2})=\vec{J_S}$,其中$n$为分界面的单位法向量矢量,$\vec{J_S}$为分界面上的面电流密度。
1、法拉第电磁感应定律感应电动势为:$\epsilon=-\frac{d\Phi}{dt}$。
积分形式为:$\oint E \cdot dl = -\frac{\partial}{\partial t}\int\int_S B \cdot dS$。
微分形式为:$\nabla \times E = -\frac{\partial B}{\partial t}$。
这说明时变的磁场会激励电场,而且这种感应电场是一种旋涡场,即感应电场不再是保守场。
感应电场$E$在时变磁场中的闭合曲线上的线积分等于闭合曲线围成的面上磁通的负变化率。
2、麦克斯韦位移电流假说按照XXX提出的位移电流假说,电位移矢量对时间的变化率可视为一种广义的电流密度,称为位移电流密度,即$J_d = \frac{\partial D}{\partial t}$。
位移电流一样可以激励磁场,从而可以得出时变场中的安培环路定律:$\oint H \cdot dl =\int\int_S (J + \frac{\partial D}{\partial t}) \cdot dS$。
微分形式为:$\nabla \times H = J + \frac{\partial D}{\partial t}$。
3、麦克斯韦方程组麦克斯韦方程组包括四个方程:$\nabla \cdot D = \rho_v$,$\nabla \cdot B = 0$,$\nabla \times E = -\frac{\partial B}{\partial t}$,$\nabla \times H = J + \frac{\partial D}{\partial t}$。
其中,$\rho_v$为自由电荷密度,$J$为传导电流密度,$D$为电位移矢量,$B$为磁感应强度,$E$为电场强度,$H$为磁场强度。
这四个方程描述了电场和磁场的产生、传播和相互作用。
其中第三个方程和第四个方程是时变电磁场的基本方程。
Maxwell's XXXXXX four ns。
which can be written in XXX.Differential Form:1.XXX: ∇×H = J + ∂D/∂t2.Faraday's law: ∇×E = -∂B/∂t3.XXX ism: ∇⋅B = 04.XXX: ∇⋅D = ρIntegral Form:1.XXX: ∮H⋅dl = ∫(J + ∂D/∂t)⋅dS2.Faraday's law: ∮E⋅dl = -∫(∂B/∂t)⋅dS3.XXX ism: ∮B⋅dl = 04.XXX: ∮D⋅dS = QIn linear and isotropic media。
XXX for the medium are:D = εEB = μHJ = σEXXX XXX:A。
The first n: XXX: the ic field is excited by electric current and time-varying electric field.B。
The second XXX: Faraday's law of XXX: it explains the fact that a time-varying ic field XXX.C。
The third XXX: the XXX: it shows that the ic field is a vortex field.D。
XXX: XXX: the divergent electric field component in time-varying XXX.XXX:1.Normal component boundary n:A。
D's boundary n: n×(D1 - D2) = ρS。
if ρS = 0.then n×(D1 - D2) = 0B。
B's boundary n: n×(B1 - B2) = 02.XXX:A。
E's boundary n: n×(E1 - E2) = 0B。
H's boundary n: n×(H1 - H2) = JS。
if JS = 0.then n×(H1 - H2) = 03.Boundary ns on the surface of an ideal conductor (σ = ∞):A。
n×H = J。
so H = J/σB。
n×E = 0.so E = 0C。
n⋅B = ρS。
if ρS = 0.then n⋅B = 0x,y,z)cos tzx,y,z)其中,axExmayEXXXazEzm为电场分量的最大值,也称为振幅;为角频率,为初相位。
同样地,磁场分量也可以用类似的方式表示。
2)波矢、波长、频率和相速度正弦电磁波的波矢k、波长、频率f和相速度vp的关系为:XXX2fvp1vp13)电磁波的偏振电磁波的偏振指电场矢量在空间中的方向。
根据电场矢量的方向,电磁波分为横波和纵波两种。
横波的电场矢量垂直于波的传播方向,纵波的电场矢量与波的传播方向平行。
2、平面电磁波平面电磁波是指电磁波的电场和磁场在空间中的分布呈平面波的形式。
平面电磁波的特点是电磁场强度在空间中任意一点的大小和方向都相同,只有相位不同。
平面电磁波的电场和磁场强度可以用复数表示,即:E(x,t) Eej(t kxEB(x,t) Bej(t kxB其中,E和B为电场和磁场的最大值,k为波矢,EXXXB为初相位。
3、能量密度和能流密度平面电磁波的能量密度和能流密度分别为:u12EBS1EB其中,为真空中的磁导率。
能量密度表示单位体积内的能量,能流密度表示单位面积内的能量传输速率。