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模拟电路的性能指标包括电压增益、电流增益、带宽、噪声系数等，通过合理选择元件参数和优化电路结构，可以提升这些性能指标，从而提高电路的整体性能。
模拟电路的性能指标与优化
模拟电子电路设计
04
模拟电路设计的基本原则与方法
总结词：掌握模拟电路设计的基本原则和方法是设计出高效、稳定、可靠的模拟电路的关键。
详细描述
模拟电路的制程与工艺
模拟电子技术实践应用
05
信号调制与解调
通过模拟电路实现信号的调制和解调，以实现信号的传输和接收。
信号放大
模拟电路可用于放大微弱信号，为通信系统提供稳定、可靠的信号源。
滤波处理
模拟电路可用于对信号进行滤波处理，以提取有用信号并抑制噪声干扰。
模拟电路在通信系统中的应用
模拟电路可用于放大音频信号，为音响设备提供足够的功率。
按工作频带可分为窄带放大器和宽带放大器。
放大器的分类
增益、通频带、输入输出阻抗等。
放大器的主要参数
放大器基础
提取有用信息，抑制噪声和干扰。
信号处理的目的
滤波器的种类
滤波器的工作原理
低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
利用电路的频率特性实现对信号的过滤和处理。
03
02
01
信号处理与滤波器
音频信号放大
通过模拟电路实现音频效果的添加，如混响、均衡器等。
音频效果处理
模拟电路在音频录制和编辑过程中起到关键作用，如调音台等设备。
音频录制与编辑
模拟电路在音频处理中的应用
信号转换与接口
模拟电路用于实现不同系统之间的信号转换与接口连接。
控制系统稳定性
模拟电路有助于提高控制系统的稳定性和可靠性。

模拟电子技术第1章PPT课件

多数载流子——自由电子施主离子
少数载流子—— 空穴
7
8
2. P型半导体
在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。
硅原子
+4
空穴
+4
硼原子
+4
8
电子空穴对
空穴
+4 +4
P型半导体
－－－－
+3 +4
－－－－
－－－－
+4 +4
受主离子
多数载流子—— 空穴少数载流子——自由电子 9
杂质半导体的示意图
(1) 稳定电压UZ ——
在规定的稳压管反向工作电流IZ下UZ，所对应的Iz反min 向工作电u压。
(2) 动态电阻rZ ——
△I
rZ =U /I
rZ愈小，反映稳压管的击穿特性△愈U 陡。
I zmax
(3) 最小稳定工作电流IZmin——
保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。
(4) 最大稳定工作电流IZmax——
17
EW
R
18
(2) 扩散电容CD
当外加正向电压
不同时，PN结两 + 侧堆积的少子的数量及浓度梯度也不同，这就相当电容的充放电过程。
P区耗尽层 N 区－
P 区中电子浓度分布
N 区中空穴浓度分布
极间电容（结电容）
Ln
Lp
x
电容效应在交流信号作用下才会明显表现出来
18
19
1.2 半导体二极管
30
31
四、稳压二极管
稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管
பைடு நூலகம்

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9.1.1 功率放大电路的特点
一、主要技术指标 1. 最大输出功率Pom 输出功率 PO ：输入为正弦波且不失真。
注：交流功率，PO=UOIO POm=UOmIOm
第九章功率放大电路
2. 转换效率η
直流功率：直流电源电压和其输出电流平均值的乘积
二、功率放大电路中的晶体管
晶体管工作在极限应用状态（ICM ; U(BR)CEO ; PCM）。大功率管，散热，保护
静态：
动态：
电容电压：
T1导通，T2截止 T2导通，T1截止
甲乙类工作状态
第九章功率放动态电阻很小，R2 的阻值也较小。
第九章功率放大电路
若静态工作点失调，如虚焊
第九章功率放大电路
三、OCL电路的输出功率和效率
-Vcc
第九章功率放大电路
二、集电极最大电流
第九章功率放大电路
三、集电极最大功耗
四、参数选择：
第九章功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行
9.4.1 功放管的二次击穿 9.4.2 功放管的散热问题
第九章功率放大电路
9.4 功率放大电路的安全运行 9.4.1 功放管的二次击穿
第九章功率放大电路
9.4.2 功放管的散热问题
有效值：最大输出功率：
第九章功率放大电路
若忽略UCES：在忽略基极回路电流的情况下,电源提供的电流
第九章功率放大电路
电源在负载获得最大交流信号时所消耗的平均功率：
若忽略UCES：
第九章功率放大电路
两种互补功率放大电路性能指标的比较：
OCL电路
OTL电路
第九章功率放大电路
四、 OTL电路中晶体管的选择一、最大管压降

模拟电子技术课件

等。
音频领域
在音频系统中，模拟电子技术主要用于信号的放大和处理，如音频放大器、混响器等。
视频领域
在视频系统中，模拟电子技术主要用于信号的传输和处理，如视频放大器、矩阵切换器等。
控制领域
在控制系统中，模拟电子技术主要用于信号的转换和处理，如模拟控制器、模拟仪表等。
02
模拟电路基础
电阻、电容、电感等元件介绍
放大器的分类
根据工作原理和应用领域，放大器可分为电压放大器、电流放大器和功率放大器等。
放大器的工作原理
放大器通过改变输入信号的电压或电流，以获得所需的输出信号。
滤波器设计与应用
滤波器的作用
滤波器用于提取有用信号并抑制无用信号，提高信号质量。
滤波器的分类
根据频率响应特性，滤波器可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等。
电源效率
优化电源设计，提高电源转换效率，减少能源浪费。
电磁兼容性
考虑电源的电磁兼容性，采取措施减小电源产生的电磁干扰对其他电路的影响。
06
实验操作与案例分析环节
实验操作步骤及注意事项说明
搭建电路
按照实验指导书的要求，正确搭建电路，注意电源极性、元件参数等细节。
记录数据
将测量数据记录在实验报告中，并进行分析和整理。
发展历程与现状
发展历程
自20世纪初以来，模拟电子技术经历了从基础理论到应用的发展过程，目前已经形成了完整的理论体系和成熟的应用领域。
现状
随着电子技术的不断进步，模拟电子技术也在不断发展，目前正朝着高速、高精度、高可靠性方向发展。
模拟电子技术的应用领域
通信领域
在通信系统中，模拟电子技术主要用于信号的发送、接收和处理，如调制解调器、滤波器

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扩散运动加强形成正向电流 IF 。外电场使多子向 PN 结移动, 中和部分离子使空间电荷区变窄。限流电阻
+
U

R
IF = I多子 I少子 I多子
2. 外加反向电压(反向偏置) — reverse bias IR 漂移运动加强形成反向电流 IR
P区 N区
U R PN 结的单向导电性：正偏导通，呈小电阻，电流较大; 反偏截止，电阻很大，电流近似为零。
C (cathode)
点接触型按结构分面接触型平面型
正极引线 PN 结 N型锗金锑合金
正极负极引线引线
引线
P N
P 型支持底衬
外壳
触丝
负极引线
点接触型
面接触型
底座
集成电路中平面型
1.2.2 二极管的伏安特性一、PN 结的伏安方程
玻尔兹曼常数
i D I S (e
反向饱和电流
模块1
常用半导体器件
1.1 半导体的基本知识
1.2 半导体二极管
1.3 半导体三极管
1.4 场效应管 1.5 晶闸管及应用
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 本征半导体半导体 — 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质。本征半导体 — 纯净的半导体。如硅、锗单晶体。载流子 — 自由运动的带电粒子。共价键 — 相邻原子共有价电子所形成的束缚。
uD / UT
1)
温度的电压当量
kT UT q
电子电量
当 T = 300(27C)：
UT = 26 mV
二、二极管的伏安特性
iD /mA
0 U Uth
uD /V
iD = 0

《模拟电子技术》课件

《模拟电子技术》PPT课件
CATALOGUE
目录
模拟电子技术概述模拟电子技术基础知识模拟电路分析模拟电子技术实践应用模拟电子技术面临的挑战与解决方案模拟电子技术未来展望
01
模拟电子技术概述
总结词
模拟电子技术是研究模拟电子电路及其应用的科学技术，具有模拟信号处理的特点。
详细描述
模拟电子技术主要涉及对模拟信号的处理，即对连续变化的电压或电流信号进行处理，实现信号的放大、滤波、转换等功能。与数字电子技术相比，模拟电子技术具有处理连续信号、实时性强、精度高等特点。
例如，石墨烯、氮化镓等新型材料具有优良的导电性能和热稳定性，可以应用于高性能的电子器件中。
此外，还有一些新型复合材料也逐渐被应用于模拟电子技术中，以提高器件的性能和稳定性。
03
此外，还需要加强人才培养和技术交流，提高电路设计师的技术水平和创新能力。
01
高性能电路设计是模拟电子技术的重要组成部分，也是实现高性能电子器件的关键。
二极管的结构
二极管由一个PN结和两个电极组成，其结构简单、可靠，应用广泛。
正向导通特性
当二极管正向偏置时，电流可以通过PN结，表现出低阻抗的导通特性。
反向截止特性
当二极管反向偏置时，电流很难通过PN结，表现出高阻抗的截止特性。
03
02
01
1
2
3
三极管由三个半导体组成，包括两个N型和一个P型半导体，具有三个电极。
总结词
滤波电路是一种根据特定频率范围对信号进行筛选和处理的电路，主要用于提取有用信号、抑制噪声和干扰。
详细描述
滤波电路通过利用电感器和电容器的频率特性，将信号中特定频率范围内的成分保留或滤除，从而实现信号的处理和控制。常见的滤波电路有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器等。

《模拟电子技术(童诗白)》课件ppt

V
-
uR
t
V UD
幅值由rd与R
分压决定
t
例题1：试求输出电压uo。
－12V
解：两个二极管存在优先导通现象。
R
D1 －5V
D2 0V
D2导通，D1截止。
Si : Uon 0.7V uo Ge : Uon 0.2V
Si : uo 5.7V
?
Ge : uo 5.2V
例题2：试画出电压uo的波形。
EGO：热力学零度时破坏共价键所需的能量，又称禁带宽度（Si：1.21eV，Ge：0.785eV）；
T=300K时，本征半导体中载流子的浓度比较低，导电能力差。Si：1.43×1010cm-3 Ge：2.38×1013cm-3
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二、杂质半导体
掺入微量杂质，可使半导体导电性能大大增强。按掺入杂质元素不同，可形成N型半导体和P型半导体。
晶体结构是指晶体的周期性
§1.1 半导体基础知识
结构。即晶体以其内部原子、离子、分子在空间作三维周
一、本征半导体
期性的规则排列为其最基本的结构特征
纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。
1、半导体
根据材料的导电能
si
力，可以将他们划分为
GGee
导体、绝缘体和半导体。
典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是四价元
i
u IZmin
正向导通与
一定值时，稳压管就不会因发热而损坏。
二极管相同等效电路：
D1
u
符号：
D2
UZ rz
DZ
2、主要参数
（1）稳压值UZ；
（2）稳定电流IZ（IZmin）：电流小于此值时稳压效

模拟电子技术PPT

模拟电子技术基础
3．电子技术应用 (1) 通信系统无线电通信(包括广播、电报、电视等)、有线载波通信、激光通信、光纤维通信等。
(2) 自动控制在自动化技术中，电子控制是后起之秀。特点：快速、灵敏、精确等。
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模拟电子技术基础
(3) 测量方面的应用 a. 电量测量 b. 非电量电测量
模拟电子技术基础
0 绪言 0.1 什么是电子技术
电子技术就是研究电子器件、电子电路及其应用的科学技术。 1．电子器件电子器件的发展历程
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模拟电子技术基础
第一代电子器件
电真空器件
电子管离子管
(1) 电子管
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模拟电子技术基础
电子管的结构和工作原理
a. 有密封的管壳，内部抽到高真空。 b. 在热阴极电子管中，有一个阴极。 c. 阴极可由灯丝加热，使温度升高，发射出电子。 d. 电子受外加电场和磁场的作用，在真空中运动就形成了电子管中的电流。
电测量的主要特点 a. 准确度和灵敏度高，测量范围广。 b. 可以智能化。 c. 可以进行远距离测量。
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模拟电子技术基础
(4) 电子技术对计算机的发展 20世纪40年代第一台数字电子计算机的一些参数 a. 使用了18,000个电子管 b.功率130 kW c. 质量达30 t d.占地约150 m2 e. 运算速度约5000 次/秒 f. 故障率高
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模拟电子技术基础
电子管的主要特点 a. 体积大、重量重、耗电大、寿命短。 b. 目前在一些大功率发射装置中使用。
(2) 离子管 a. 与电子管类似,也抽成高真空。 b. 管子中的电流，除了电子外，也有正离子。

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等效电路模型
UD(on)
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
恒压
iD
降模
O uD
型
0.7 V (Si)
UD(on)= 0.2 V (Ge)
含义：
u D ＞U D(on) 时导通，二极管等效为恒压源，其值为U D(on)
u D ＞U D(on)
UD(on)
u D <U D(on) 时截止，二极管等效为开路， iD = 0
IO = UO / R = 1.3 V/ 2 kΩ = 0.65 mA
当VDD =10 V 时，同理可得采用理想模型分析法时 UO = 10V， IO =5 mA 采用恒压降模型分析法时UO = 9.3V， IO =4.65 mA
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
结论： VDD 大宜采用理想模型 VDD 小宜采用用恒压降模型
当VDD = 2 V 时采用理想模型分析法可得
UO = VDD = 2 V
IO = VDD / R = 2 V/ 2 kΩ = 1 mA
采用恒压降模型分析法可得
UO = VDD – UD(on) =（ 2 0.7 ）V= 1.3 V
IO = UO / R = 1.3 V/ 2 kΩ = 0.65 mA
模拟电子技术
Analog Circuits
模拟电子技术
耿苏燕主编
参考教材：胡宴如主编.模拟电子技术基础.高教出版社
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
第1章第2章第3章第4章第5章第6章
半导体二极管半导体三极管放大电路基础负反馈放大电路与基本运算电路线性集成电路的应用集成模拟乘法器及其应用
IO= UO / RL= 14.3 V/ 3 kΩ = 4.8mA I2 = (UO VDD2) / R = (14.3 12) V/ 1 kΩ = 2.3 mA
第7章信号产生电路
第8章直流稳压电源
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
第 1 章半导体二极管
1.1 半导体的基础知识
1.2 半导体二极管的特性及主要参数
1.3 二极管电路的分析方法
1.4 特殊二极管
1.5 半导体二极管特性的测试与应用
本章小结
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
UD(on) VDD IO R UO
（b）理想模型等效电路（c）恒压降模型等效电路
EXIT
模拟电子技术
[解]
VDD
Analog Circuits
UD(on)
IO R UO
VDD IO R UO
（d）采用理想模型后的简化电路（e）采用恒压降模型后的简化电路
VDD IO R UO
UD(on) VDD IO R UO
二极管的折
斜率1/rDiD UD(on) U
I uD
线
自学
模
型
思考题：如何理解二极
管的导通电阻rD？
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
（二）理想模型和恒压降模型应用举例
例2 试求下图硅二极管电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 值
I1
IO
解：假设二极管断开
15 V
（b）理想模型等效电路（c）恒压降模型等效电路
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
[简解称]利EV用WDDEBl）ect软IOro件nRi进cs行UOW仿o真rk实bVeD验nDc（h（I演UO电D示(o子nR)1）工U作O 台，
（d）采用理想模型后的简化电路（e）采用恒压降模型后的简化电路
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
一、二极管的理想模型分析法和恒压降模型分析法
（一）理想模型和恒压降模型的建立
理想模型
iD
含义：
O
uD 正偏导通，uD = 0
反偏截止， iD = 0 ，
符 S S号
U(BR)=
恒压
iD
降模
O uD
型
0.7 V (Si)
UD(on)= 0.2 V (Ge)
I1 0.7V IO
15 V
VDD1
PN
I2
VDD2
R
1 k
RL
3 k
12V
UO
解：假设二极管断开
UP UN
= 15
R
V RL L
R
V DD2
3 12V 9V 31
UP N >0.7V，二极管导通，
等效为 0.7 V 的恒压源
UO= VDD1 UD(on)= （15 0.7）V = 14.3 V
1.3 二极管电路的分析方法
主要要求：
掌握二极管电路的理想模型分析法和恒压降模型分析法。了解图解分析法和微变等效电路分析法。了解二极管的一般应用。
重点：
二极管理想模型和恒压降模型的含义及其应用
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
一、二极管的理想模型分析法和恒压降模型分析法
iD O uD
当VDD =10 V 时，同理可得采用理想模型分析法时 UO = 10V， IO =5 mA 采用恒压降模型分析法时UO = 9.3V， IO =4.65 mA
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
[解]EWB仿真实验结果：
UD(on)
VDD =10VVDD时，IOUO =R9.3U1VO ， IOV=D4D.65 mIOA R UO
VDD1
PN
I2
VDD2
R
1 k
RL
3 k 12V
UO
UP UN
= 15
R
V RL L
R
V DD2
3 12V 9V 31
UP N >0.7V，二极管导通，等效为 0.7 V 的恒压源
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
（二）理想模型和恒压降模型应用举例
例2 试求下图硅二极管电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 值
（VdD）D =采2用V理时想模，型U后O的=简1.化36电V路， IO （=0e.）68采m用A恒压降模型后的简化电路
当VDD = 2 V 时采用理想模型分析法可得
UO = VDD = 2 V
IO = VDD / R = 2 V/ 2 kΩ = 1 mA
采用恒压降模型) =（ 2 0.7 ）V= 1.3 V
u D <U D(on)
UD(on)
U D(on)
EXIT
模拟电子技术
Analog Circuits
例 1 硅二极管电路如下图（a）所示，R = 2 k，
试用二极管理想模型和恒压降模型求出 VDD = 2 V 和 VDD = 10 V 时 IO 和 UO 值。
VDD IO R UO
（a）电路图
VDD IO R UO