红外测距系统设计(光电系统设计)分解

嫁广东诲译大学本科生课程论文

论文题目红外光电测距系统设计

课程名称光电系统设计

学生姓名谷幸东、郭晓龙、何志毅、胡健辉

学号201211911309、10、11、12

所在学院理学院

所在班级电科1123班

指导教师汤照

25

第一章 绪论 ..................... 1.1 红外线概述 .............. 1.2 红外传感器的分类 ........ 1.3 红外传感器的应用 ........ 1.4 A T89C52单片机概述 ........ 1.5 MCP3001 简介 .............. 第二章 红外测距的工作原理与基本结构

2.1 红外测距传感器简介 ...... 2.2 红外线测距的工作原理 .... 2.4 红外测距传感器接线 ...... 2.5 红外测距系统的基本结构 .. 第三章 红外测距的硬件设计 ......

3.1 红外测距的实现构想 ...... 3.2 系统硬件结构电路图 ...... 3.3 各硬件电路设计 .......... 3.3.1 复位电路 .......... 3.3.2 时钟电路 .......... 3.3.3

........................................ A/D 转换电路 ................... 3.3.4 ........................................ LCD 显示电路 ...................

第四章 红外测距的软件设计 ...... 4.1 系统软件结构框图 ........ 4.2 软件程序设计 ............ 4.3 源代码 .................. 第五章 仿真测试 ................ 10 11 11 11 12 13 13 13 14 15 15 15 16 17 22 5.1 系统的软件的调试仿真 第六章

PCB 图及元器件清单. 22 23 6.1 PCB 图 ...................

6.2 元器件清单 ................

第七章 课程设计任务分工及个人心得体

会

7.1 任务分工 .................. 7.2 设计心得体会 ..............

23 24 25 25

第一章绪论

1.1 红外线概述

红外辐射俗称红外线，又称红外光，它是一种人眼看不见的光线。

但实际上它和其他任何光线一样，也是一种客观存在的物质。任何物体，只要它的湿度高于绝对零度，就有红外线向周围空间辐射。它的波长介于可见光和微波之间。红外辐射的物理本质是热辐射。物体的温度越高，辐射出来的红外线越多，红外辐射的能量就越强。研究发现，太阳光谱各种单色光的热效应从紫色光到红色光是逐渐增大的，而且最大的热效应出现在红外辐射的频率范围内，因此人们又将红外辐射称为热辐射或热射线。

目前红外发射器件（红外发光二极管）发出的是峰值波长

0.88uM~0.94uM之间的近红外光，红外接收器件（光敏二极管、光敏

三极管）的受光峰值波长为0.88uM~0.94uM之间，恰好与红外发光二极管的光峰值波长相匹配。红外线在通过云雾等充满悬浮离子的物质时不易发生散射，有较强的穿透能力，还具有抗干扰能力强、易于产生、对环境影响小、不会干扰临近的无线电设备的特点，因而被广泛应用。

1.2红外传感器的分类

常见红外传感器可分为热传感器和光子传感器。

1）热传感器

热传感器是利用入射红外辐射引起传感器的温度变化，进而使有关物理参数发生相应的变化，通过测量有关物理参数的变化来确定红外传感器所吸收的红外辐射。热探测器的主要优点是相应波段宽，可以在室温下工作，使用简单。但是，热传感器相应时间较长，灵敏度较低，一般用于低频调制的场合。

热传感器主要类型有：热敏传感器型，热电偶型，高莱气动型和热释放电型四种。

2）光子传感器

光子传感器是利用某些半导体材料在入射光的照射下，产生光子效应，使材料电学性质发生变化。通过测量电学性质的变化，可以知道红外辐射的强弱。利用光子效应所制成的红外传感器。统称光子传感器。光子传感器的主要特点灵敏度高，响应速度快，具有较高的响应频率。但其一般须在低温下工作，探测波段较窄。

按照光子传感器的工作原理，一般可分为内光电和外光电传感器两种，后者又分为光电导传感器、光生伏特传感器和光磁电传感器等三种。

1.3红外传感器的应用

红外技术是最近几十年中发展起来的一门新兴技术。它已在科技、国防和工农业生产等领域获得广泛的应用。

红外传感器的应用主要体现在以下几个方面：

红外辐射计：用于辐射和光谱辐射测量。

1）搜索和跟踪系统：用于搜索和跟踪红外目标，确定其空间

位置并对其运动进行跟踪。

2) 热成像系统：能形成整个目标的红外辐射分布图像。

3) 红外测距系统：实现物体间距离的测量。

4) 通讯系统：红外线通信作为无线通信的一种方式。

5) 混合系统：是指以上各类系统中的两个或多个的组合。

1.4 AT89C52 单片机概述

AT89C52 是美国Atmel 公司生产的低电压、高性能CMOS 8位单

片机，片内含8KB的可反复檫写的程序存储器和12B的随机存取数据存储器（RAM,器件采用Atmel公司的高密度、非易失性存储技术生产，兼容标准MCS-5指令系统，片内配置通用8位中央处理器（CPU 和Flash存储单元，功能强大的AT89C52单片机可灵活应用于各种控制领域。AT89C52单片机属于AT89C51单片机的增强型，与Intel公司的80C52在引脚排列、硬件组成、工作特点和指令系统等方面兼容。

其主要工作特性是：

片内程序存储器内含8KB的Flash程序存储器，可擦写寿命为

1000 次；片内数据存储器内含256字节的RAM；

具有32 根可编程I/O 口线；具有3 个可编程定时器；中断系统是

具有8个中断源、6个中断矢量、2 个级优先权的

中断结构；串行口是具有一个全双工的可编程串行通信口；具有一个数据指针DPTR；

低功耗工作模式有空闲模式和掉电模式；具有可编程的3 级程序锁定

位；

AT89C52工作电源电压为5 (1+0.2) V,且典型值为5V;

AT89C52最高工作频率为24MHz

AT89C52的各引脚功能:

? P0 口：P0 口是一组8位漏极开路型双向I/O 口，也即地址/ 数据总线复用口。作为输出口用时, 每位能吸收电流的方式驱动8 个

TTL逻辑门电路，对端口P0写“1”时，可作为高阻抗输入端用。在

访问外部数据存储器或程序存储器时,这组口线分时转换地址(低8

Flash 编位)和数据总线复用,在访问期间激活内部上拉电阻。在程时, P0

口接收指令字节,而在程序校验时,输出指令字节,校验时,要求外接上拉电阻。

? P1 口：P1是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O 口，P1的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑门电路。对端口写

1”,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,此时可作输入口。

作输入口使用时,因为内部存在上拉电阻,某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流(IIL) 。与AT89C51

不同之处是，P1.0和P 1.1还可分别作为定时/计数器2的外部计数

输入(P 1.0/T2)和输入(P1.1/T2EX)，Flash编程和程序校验期间,

P1接收低8位地址。

?P2 口：P2是一个带有内部上拉电阻的8位双向I/O 口，P2的输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对端口

P2 写“1”，通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平，此时可作输入口，作输入口使用时，因为内部存在上拉电阻，某个引脚被外部信号拉低时会输出一个电流（IIL）。在访问外部程序存储器或16 位地址的外部数据存储器（例如

执行MOV@DPTR旨令）时，P2 口送出高8 位地址数据。在访问8 位地址的外部数据存储器（如执行MOVX@RI 旨令）时，P2 口输出P2锁存器的内容。Flash编程或校验时，P2亦接收高位地址和一些控制信号。

P3 口：P3 口是一组带有内部上拉电阻的8 位双向I/O 口。P3

口输出缓冲级可驱动（吸收或输出电流）4 个TTL 逻辑门电路。对

P3 口写入“ 1 ”时，它们被内部上拉电阻拉高并可作为输入端口。此时，被外部拉低的P3 口将用上拉电阻输出电流（IIL ）。P3 口除了作为一般的I/O 口线外，更重要的用途是它的第二功能，P3 口还接收一些用于Flash 闪速存储器编程和程序校验的控制信号。

-RST复位输入。当振荡器工作时，RST引脚出现两个机器周期

以上高电平将使单片机复位。

-ALE/PROG当访问外部程序存储器或数据存储器时，ALE （地址锁存允许）输出脉冲用于锁存地址的低8 位字节。一般情况下，ALE

仍以时钟振荡频率的1/6 输出固定的脉冲信号，因此它可对外输出时钟或用于定时目的。要注意的是：每当访问外部数据存储器时将跳过一个ALE 脉冲。对Flash 存储器编程期间，该引脚还用于输入编程脉冲（PROG。如有必要，可通过对特殊功能寄存器（SFR区中的8EH 单元的D0 位置位，可禁止ALE 操作。该位置位后，只有一

MOVX^ MOVC旨令才能将ALE激活。此外，该引脚会被微弱拉高,

单片机执行外部程序时，应设置ALE 禁止位无效。

-PSEN程序储存允许（PSEN输出是外部程序存储器的读选通信

号，当AT89C52由外部程序存储器取指令（或数据）时，每个机器周期两次PSEN有效，即输出两个脉冲。在此期间，当访问外部数据存储器，将跳过两次P SEN言号。

-EA/VPP外部访问允许。欲使CPU仅访问外部程序存储器（地

址为0000H—FFFFH），EA 端必须保持低电平（接地）。需注意的是：如果