国家半导体产品命名规则
美国国家半导体(NS)产品命名规则
概述
美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。
这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号。
下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。
特别代码
标准制造信息（第一行）
小组件制造信息（第一行）
典型元件描述（第二行）
其他的信息（第三行和第四行）
极小组件标记
军用/航空标记
强化塑料标记
其他标记
晶圆制造厂代码
装配厂代码
制造日期代码
裸片批次代码
元件系列，产品线和元件类型
电气等级信息
温度范围代码
封装代码
ROM 代码标记
特别代码
元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”
的真正字元。
NS = 标准NS商标
U = 晶圆制造厂代码
Z = 装配厂代码
X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本
XY = 两个位的日期代码
XYY = 三个位的日期代码
XXYY = 四个位的日期代码
TT = 两个位的裸片批次代码
E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97)
BBBBB= 五个位的裸片批次代码
DD = 一或两个位的Die Step Rev
SS = 晶圆筛选代码
C = 版权标记
M = 印在圈内的M
> = ESD标记
EP = 强化塑料识别
A = 检查批次号码
DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码
I = 微型 SMD 引脚1指示
V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程
样品“ES”
* - 假如空间容许
标准制造信息（第一行）
元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
顶端小组件制造信息（第一行）
在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
顶端典型元件描述（第二行）
标记的第二行描述封装中的特定电路。下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q” 字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括：
顶端
其他信息, 第三行和第四行
根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括：
元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳）
特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号
与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项
顶端
极小组件标记
某些极小型封装（例如 SOT-23、SOT-223、SC70 和 SC90）太小，无法包含上述所有信息。元件标识有不同的分配，可以在总产品汇集的链接中找到个别元件的供货、型号、样品和定价等标记信息。其它日期代码信息(通常可以在标记的第一行找到)标识在包装标签上。/p>
顶端
军用/航空标记
美国国家半导体的军用/航空产品的顶端标记信息。军用/航空标记指南 (pdf 63KB).
顶端
强化塑料
美国国家半导体的强化塑料(EP)产品是专针对比较高的系统要求而设，该些系统需要从现成的标准商用产品升级，但对于QML系统则无附加要求。强化塑料产品可为客户提供更大的工作温度范围、品质数据、可靠数据及基准控制等，协助他们改进现成器件的内部品质监控。如欲获取进一步的信息请点击这里。
顶端
其它标记
由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息：
特殊可靠性工艺处理 (/A+)
处理MIL-STD-883C (/883)
指示可调整的输出元件 (-ADJ)
指示输出电压级别 (-5.0)
指示工作频率 (-33)
产品推出状态代码 (ES)
上面各项以外的其它信息
一般情况下， 总产品汇集中的标记信息, 是确认最终标记版本的最佳资源。
顶端
晶圆制造厂代码
下表列出了美国国家半导体的晶圆制造厂的单字母代码。本表中未列出的字母表示晶圆由美国国家半导体认可的外包生产商制造。
代码
制造地点
E 德克萨斯州的阿林顿
H 英国 Greenock
J 英国 Greenock
V 缅因州的南波特兰 代码 制造厂 2 台湾 4 台湾 6 台湾 7 台湾
顶端封装厂代码
下表列出了美国国家半导体的元件封装厂的单字母代码。本表中未列出的字母表示元件由美国国家半导体认可的外包生产商封装。
顶端
制造日期代码
单位日期代码：
单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。4 位日期代码通常用于军事/航空元件。3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。
商用元件：
定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。
6 周日期代码如下所示。
顶端
裸片批次代码
裸片批次代码是由两个字母组成，由内部制造系统自动分配给每批裸片。当元件出现任何问题时，可以根据此代码追溯到有关的工艺流程，来制订补救和修正措施。这些措施最终可减少或完全消除对客户的负面影响。
顶端
元件系列，产品线和元件类型
基本元件标识通常在元件标记的第二行中提供。如上所述，标识的常规格式是产品线加上特定元件的数字描述。下表列出了元件系列代码的一个样本。元件的完整列表（按元件系列前缀排列）可在总產品匯集中找到。
顶端
电气等级信息
个别产品有可能再细分, 这可视作产品的不同“等级”。这些“等级”的标志会出现在元件标识字符与封装代码之间。它们可能代表：
更高的精度
改进的裸片修订
更宽或更窄的规格范围
不同温度下的精度
这些产品“等级”的性质定义刊载于数据表中，可通过总产品汇集中的链接进行查看。
顶端
温度范围代码
元件工作的指定温度范围可能因元件的不同版本而所有不同。在这些情况下，一个温度范围代码表示指定的范围。尽管下表列出了最常见的一些范围，但是客户应尽可能通过总产品汇集中的产品链接数据表，确认这些数据。
0°C 至+70°C (代码 C)
-40°C 至+85°C (代码 I)
-55°C 至+125°C (无代码)
顶端
封装代码
为了满足客户的需求，美国国家半导体为其产品提供了多个封装选项。每个元件类型的各个封装选项可在定价与供货中查看。从该网页中，可以通过链接获得关于每个封装类型的详细信息（例如机械和温度规格）。
其中在元件说明标记中找到的封装代码的少量样件，于下表中列出：
顶端
ROM 标记代码
产品（例如单芯片微处理器）使用具有不同板载编程的同一基本元件实现多种功能。ROM 代码标记根据内部编程标识某一特定元件。
顶端
*以上资料收集于美国国家半导体官方网站.
（本资料素材和资料部分来自网络，仅供参考。请预览后才下载，期待您的好评与关注！）
半导体器件工艺基础知识
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义为长1厘米、截面积为1平方厘米的物质的电阻值，单位为欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由于它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显著的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏组件（如热敏电阻等），但是由于半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身产生的热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照后导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其它元素（这个过程我们称为掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特征。例如在原子密度为5*1022/cm3的硅中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例为10-7（即千万分之一），硅的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少后，整个原子呈现正电，缺少电子的地方产生一个空位，带正电，成为电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其它元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分为电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分为两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到硅半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要为五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中后，他与邻近的4个硅原子作用，产生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要为三族元素：铝、镓、铟、硼等。 电洞和电子都是载子，在相同大小的电场作用下，电子导电的速度比电洞
绝缘子型号命名规则
绝缘子型号的含义 绝缘子型号的含义 绝缘颜色标志表 型号SC KC KC1 KX EX JK TX 正极红红红红红红红 负极绿蓝湖蓝黑棕紫白 补偿导线型号、代号及命名法表 型号规格代号含义 辅助代号附加代号 SC 配用铂铑10-铂热电偶的补偿型补偿导线 KX 配用镍铬-镍硅热电偶的延伸型补偿导线 KC 配用镍铬-镍硅热电偶的补偿型补偿导线 EX 配用镍铬铜镍热电偶的延伸型补偿导线 JX 配用铁-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 TX 配用铜-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 -G 一般用 -H 耐热用 A 精密级 B 普通级 -V 聚氯乙烯 -F 聚四氟乙烯 -B 玻璃丝 R 多股线芯（单股线芯省略） P 屏蔽 0.5 线芯标称截面0.5mm2 1.0 线芯标称截面1.0mm2 1.5 线芯标称截面1.5mm2 2.5 线芯标称截面2.5mm2 表示S型热电偶用的补偿型耐热用普通级补偿导线，绝缘层为聚氯乙烯，特征为多股软线和屏蔽型单对线芯标称截面为1.0mm2。 举例：SC-H B-V R P 2×1.0 GB4989-85 本安用热电偶补偿导线(缆)(含阻燃型) 产品型号含义 口口口口口ia 配用热电偶型号(二个字母表示) 使用分类和允差等级、GA一般用精密级，GB一般用普通级线芯股数、多股用R表示，单股可省略线芯截面，mm2 本安用 线芯绝缘层、护层着色表 补偿导线型号配用热电偶补偿导线合金丝绝缘层着色护层着色 正极负极正极负极 SC 铂铑10-铂SPC（铜）SNC（铜镍）红绿蓝 KC 镍铬-镍硅KPC（铜）KNC（康铜）红蓝蓝 KX 镍铬-镍硅KPX（镍铬）KNX（镍硅）红黑蓝
(完整word版)产品命名编码规则
深圳市佳华利道新技术开发有限公司 产品命名编码规则 修定日期：2014/08/21 批准审核修订 文件标题产品命名编 码规则 文件编号 UP201408210 1 版本 A 修订部门总经办修订日期2014-08-21 页次 4
目录 一、目的 (2) 二、造用范围 (2) 三、物料编码的组成 (2) 四、编号规则说明 (2) 4.1 一级分类 (3) 4.2 二级分类 (3) 4.3 序号 (4) 4.4 版本号 (4)
文件编号：UP20140821001 深圳市佳华利道新技术开发有限公司 物料编码规范文件版本：01 文件页码：共 4 页 生效日期：2014-8-21 一.目的： 保证公司的物料编码规范化，便于物料接收、检验、储存、请购、盘点、账目、使用 及维护等作业,及确保产品在形成的各阶段都有唯一的标示，并具有可追溯性。 二..适用范围： 公司运作中涉及的所有物料，不包含办公用品等。 三..物料编码的组成：（先分大类，在分小类） 物料编码共9位阿拉伯数字组成，分为一级分类（2位），二级分类（2位），序号 3位），版本（2位）其组成形式为： 物料名称 1 0 0 0 1 0 1 0 1 一级分类二级分类序号版本 （大类）（小类） 四．编号规则说明： 如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推（实验用材料除外）。
4.1 一级分类：（如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推） 10 ：电池箱组件 20 ：电机 30 ：动力系统控制器 40 ：低压元件零件 50 ：高压零部件 60 ：电子零部件 70 ：普通材料 80 ：杂类 4.2 二级分类：（如有新开发的电池产品型号，按照阿拉伯数字的顺序以此类推） 物料类别（10-90）零件属性代码 （01-99） 序号 （001-999） 版本 （01-99） 10 电池箱组件01 电池芯001 3.2V/25Ah 02 电池模块 03 电池箱 001 箱体构件01 002 箱体构件02 003 箱体构件02 004 左侧构件 005 右侧构件 006 滚轮支撑板01 007 滚轮支撑板02 008 支承滚轮 009 固定块01 010 固定块02 011 顶盖 012 塑料卡扣6×3 013 塑料卡扣6×2 014 拉紧扣带 015锁紧扣 016 桥接片01 017 桥接片02 018 前汇流铜片 019 后汇流铜片 020负极连接片01 021 负极连接片02 022 负极连接片03 023 负极连接片04 024 正极连接片
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式
半导体电子元器件的有哪些以及命名方式 半导体器件(semiconductor device)通常，这些半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN 结。利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换。晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。三端器件一般是有源器件，典型代表是各种晶体管(又称晶体三极管)。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战、C(U3)I等系统中已得到广泛的应用。 1、物质的分类 按照导电能力的大小可以分为导体、半导体和绝缘体。导电能力用电阻率衡量。 导体：具有良好导电性能的物质，如铜、铁、铝电阻率一般小于10-4Ω?cm 绝缘体：导电能力很差或不导电的物质，如玻璃、陶瓷、塑料。 电阻率在108Ω?cm以上 半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，如锗、硅。 纯净的半导体硅的电阻率约为241000Ω?cm 2、半导体的特性 与导体、绝缘体相比，半导体具有三个显著特点： (1)电阻率的大小受杂质含量多少的影响极大，如硅中只要掺入百万分之一的杂质硼，硅的电阻率就会从241000Ω?cm下降到0.4Ω?cm，变化了50多万倍; (2)电阻率受环境温度的影响很大。 例如：温度每升高8℃时，纯净硅的电阻率就会降低一半左右;金属每升高10℃时，电阻率只增加4%左右。
国家半导体产品命名规则
美国国家半导体(NS)产品命名规则 概述 美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。 这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号。 下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。 特别代码 标准制造信息（第一行） 小组件制造信息（第一行） 典型元件描述（第二行） 其他的信息（第三行和第四行） 极小组件标记 军用/航空标记 强化塑料标记 其他标记 晶圆制造厂代码 装配厂代码 制造日期代码 裸片批次代码 元件系列，产品线和元件类型 电气等级信息 温度范围代码 封装代码 ROM 代码标记 特别代码 元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C” 或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43ABE”
的真正字元。 NS = 标准NS商标 U = 晶圆制造厂代码 Z = 装配厂代码 X = 1-日期或 + 号代表“ES” 工程样本 XY = 两个位的日期代码 XYY = 三个位的日期代码 XXYY = 四个位的日期代码 TT = 两个位的裸片批次代码 E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97) BBBBB= 五个位的裸片批次代码 DD = 一或两个位的Die Step Rev SS = 晶圆筛选代码 C = 版权标记 M = 印在圈内的M > = ESD标记 EP = 强化塑料识别 A = 检查批次号码 DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码 I = 微型 SMD 引脚1指示 V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+” 号表示為工程 样品“ES” * - 假如空间容许 标准制造信息（第一行） 元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。 顶端小组件制造信息（第一行） 在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。
IC命名 封装 批号 常识等大全
IC命名封装批号常识等大全IC基本认 识 德州仪器( TI ), 安森美( ON ), 国半( NSC ), 国半( NSC ),德意志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )志半导体( STM ),恩智浦 (NXP ),欧司朗( OSRAM ),威世半导体( VISHAY ),英飞凌( INFINEON ),飞兆半导体( FAIRCHILD ),东芝( TOSHIBA )
↑ IC封装如上 IC产品的命名规则： 大部分IC产品型号的开头字母，也就是通常所说的前缀都是为生产厂家的前两个或前三个字母，比如：MAXIM公司的以MAX为前缀，AD公司的以AD为前缀，ATMEL公司的以AT 为前缀，CY公司的以CY为前缀，像AMD，IDT，LT，DS，HY这些公司的IC产品型号都是以生产厂家的前两个或前三个为前缀。但也有很生产厂家不是这样的，如TI的一般以SN，TMS，TPS，TL，TLC，TLV等字母为前缀；ALTERA（阿尔特拉）、XILINX（赛灵斯或称赛灵克斯）、Lattice（莱迪斯），称为可编程逻辑器件CPLD、FPGA。ALTERA的以EP，EPM，EPF为前缀，它在亚洲国家卖得比较好，XILINX的以XC为前缀，它在欧洲国家卖得比较好，功能相当好。Lattice一般以M4A，LSP，LSIG为前缀，NS的以LM为前缀居多等等，这里
就不一一做介绍了。 紧跟前缀后面的几位字母或数字一般表示其系列及功能，每个厂家规则都不一样，这里不做介绐，之后跟的几位字母（一般指的是尾缀）表示温度系数和管脚及封装，一般情况下，C 表示民用级，I表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级 下面几个介比较具有代表性的生产厂家，简单介绍一下： AMD公司FLASH常识： AM29LV 640 D（1）U（2）90R WH（3）I（4） 1：表示工艺： B=0.32uM C=0.32uM thin-film D=0.23uM thin-film G=0.16uM thin-film M=MirrorBit 2：表示扇区方式： T=TOP B=BOTTOM H=Unifom highest address L=Unifom lowest address U、BLANK=Unifom 3：表示封装： P=PDIP J=PLCC S=SOP Z=SSOP E/F=TSSOP M/P/W=FPGA 4：温度范围 C=0℃TO+60℃ I=-40℃TO+85℃ E=-55TO℃+85℃ MAXIM MAXIM产品命名信息(专有命名体系) MAXIM推出的专有产品数量在以下相当可观的速度增长.这些器件都按以功能划分的产品类别进行归类。MAXIM目前是在其每种产品的唯一编号前加前缀“MAX”、“MX”“MXD”等。在MAX公司里带C的为商业级，带I的为工业级。现在的DALLAS被MAXIM收购，表以原型号形式出现，这里不做介绍。 三字母后缀： 例如：MAX232CPE C=等级（温度系数范围）P=封装类型（直插）E=管脚数（16脚） 四字母后缀： 例如：MAX1480BCPI B=指标等级或附带功能C=温度范围P=封装类型（直插）E=管脚数（28脚） 温度范围： C= 0℃至60℃（商业级）I=-20℃至85℃（工业级）E=-40℃至85℃（扩展工业级）A=-40℃至82℃（航空级）M=-55℃至125℃（军品级） 封装类型： A—SSOP；B—CERQUAD；C—TO-200，TQFP；D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP，H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP；N—DIP；Q—PLCC；R—窄陶瓷DIP（300mil）;S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100；U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型（300mil）；X—SC-60（3P，5P，6P）；Y—窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封；/W-晶圆。 管脚数：
服务器系统安装规范
服务器系统安装规范（win2000/win2003）
目录 一、概述 (3) 二、操作系统及应用软件的安装 (3) 1、安装前的准备 (3) 2、服务器硬盘分区规范 (3) 3、服务器软件安装目录规范 (3) 4、系统安装顺序 (3) 5、系统安装步骤 (4) 6、应用软件及其他安装 (10) 三、安全策略的设置 (10) 1、操作系统安全策略的设置 (11) 2、应用系统的安全设置 (12) 四、联网后的操作 (12) 1、升级杀毒软件 (12) 2、操作系统的升级 (13) 五、远程测试 (13) 1、远程控制软件的测试 (13)
一、概述 本规范包括服务器系统安装（win2000/win2003）规范，主要是对公司服务器系统(包括操作系统和应用软件系统)的安装，配置，安全等方面的介绍； 公司所有维护人员和相关人员必须严格遵守此规范 二、操作系统及应用软件的安装 1、安装前的准备 首先应准备服务器的网络配置参数，及要装的应用程序清单。以下软件为服务器上必装的软件，安装前应做好准备： (1)操作系统 windows2000 Server、Service Pack 4、windows2000 Server操作系统安装补丁 windows2003 Server、Service Pack 2、windows2003 Server 操作系统安装补丁 2、服务器硬盘分区规范 建立基于windows的网络，服务器磁盘至少分成三个区,用途分别为系统分区、安装软件分区、数据备份分区，每个分区格式大小根据服务器空间而定，类型为NTFS： (1)。 3、服务器软件安装目录规范 4、系统安装顺序 如没有特殊说明，则按系统安装步骤一步步进行安装，在安全策略设置完
美国半导体元件命名规则
标准制造信息（第一行） 元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。 小组件制造信息（第一行） 在较小的封装（例如 SOIC、8 引脚 MDIP 和 20 引脚 PLCC）中，编码的信息可能稍有不同，以容纳下图中所示的较小可用区域。 典型元件描述（第二行） 标记的第二行描述封装中的特定电路。下面的图显示典型元件以及编程元件的信息。
车用产品拥有独特的识别码(NSID)，在标准商用产品的NSID 标记中会加入“Q”字母作识别，而在该行代码中所包含的信息包括： 顶端 其他信息, 第三行和第四行 根据元件、封装大小和客户的不同，第三行和第四行可能显示的信息包括： ?元件标识的延续部分（如果该标识太长，第二行无法容纳） ?特定客户请求和规格可能要求“加盖”编号 ?与版权（c）或商标（TM, R）有关的注意事项 其它标记 由于美国国家半导体生产多种产品，有时需要添加其它标记以表示一种不同的性能级别或标识特定功能。例如，出现在封装代码或裸片批次代码之后的某些标记可能包含下列信息： ?特殊可靠性工艺处理 (/A+) ?处理MIL-STD-883C (/883) ?指示可调整的输出元件 (-ADJ) ?指示输出电压级别 (-5.0) ?指示工作频率 (-33) ?产品推出状态代码 (ES) ?上面各项以外的其它信息
制造日期代码 单位日期代码： 单位日期代码标记为 4 位、3 位、2 位或个位数字形式。4 位日期代码通常用于军事/航空元件。3 位日期代码用于标准的商用元件，这些元件的封装标记表面足够大，可以容纳所有必要的标记信息。2 位和 1 位日期代码用于标表面有限的小型封装。 商用元件： 定制商用元件日期代码以周为单位，此类日期代码根据日历周而每周变化。标准商用元件以及所有小型封装日期代码以6周为一单位，每 6 周更换一次。尽管日期代码每 6 周进行更新, 从NSID，日期代码和裸片批次代码, 使用美国国家半导体的在线系统可以追溯产品的准确生产日期。 6 周日期代码如下所示。 2007200620052004 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0706 706 71 S0606 606 61 J0506 506 51 A0406 406 41 S 0712 712 72 T0612 612 62 K0512 512 52 B0412 412 42 T 0718 718 73 U0618 618 63 L0518 518 53 C0418 418 43 U 0724 724 74 V0624 624 64 M0524 524 54 D0424 424 44 V 0730 730 75 W0630 630 65 N0530 530 55 E0430 430 45 W 0736 736 76 X0636 636 66 60536 536 56 F0436 436 46 X 0742 742 77 Y0642 642 67 P0542 542 57 G0442 442 47 Y 0748 748 78 Z0648 648 68 80548 548 58 H0448 448 48 Z 0752 752 79 =0652 652 69 R0552 552 59 90452 452 49 = 2003200220012000 XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X XXYY XYY XY X 0306 306 31 J0206 206 21 A0106 106 11 S0006 006 01 J 0312 312 32 K0212 212 22 B0112 112 12 T0012 012 02 K 0318 318 33 L0218 218 23 C0118 118 13 U0018 018 03 L 0324 324 34 M0224 224 24 D0124 124 14 V0024 024 04 M 0330 330 35 N0230 230 25 E0130 130 15 W0030 030 05 N
AllegroPCB设计pad封装和元器件封装命名规范
基本术语 SMD:Surface Mount Devices/表面贴装元件。 RA：Resistor Arrays/排阻。 MELF：Metal electrode face components/金属电极无引线端面元件. SOT：Small outline transistor/小外形晶体管。 SOD：Small outline diode/小外形二极管。 SOIC：Small outline Integrated Circuits/小外形集成电路. SSOIC:Shrink Small Outline Integrated Circuits/缩小外形集成电路. SOP:Small Outline Package Integrated Circuits/小外形封装集成电路. SSOP:Shrink Small Outline Package Integrated Circuits/缩小外形封装集成电路. TSOP:Thin Small Outline Package/薄小外形封装. TSSOP:Thin Shrink Small Outline Package/薄缩小外形封装. CFP:Ceramic Flat Packs/陶瓷扁平封装. SOJ:Small outline Integrated Circuits with J Leads/“J”形引脚小外形集成电路. PQFP：Plastic Quad Flat Pack/塑料方形扁平封装。 SQFP：Shrink Quad Flat Pack/缩小方形扁平封装。 CQFP：Ceramic Quad Flat Pack/陶瓷方形扁平封装。 PLCC：Plastic leaded chip carriers/塑料封装有引线芯片载体。 LCC：Leadless ceramic chip carriers/无引线陶瓷芯片载体。 DIP：Dual-In-Line components/双列引脚元件。 PBGA：Plastic Ball Grid Array/塑封球栅阵列器件。 1使用说明 外形尺寸：指元件的最大外型尺寸。 主体尺寸：指元件的塑封体的尺寸=长度X宽度。 尺寸单位：英制单位为mil，公制单位为mm。 小数点的表示：在命名中用“p”代表小数点。例如：1.0表示为1p0。 注：当不同物料的封装图形名称相同时，且描述的内容不同时，可在名称后面加-1，-2等后缀加以区分。 作者：wugehao
文件服务器管理规范(精)
文件服务器管理规范 第一章总则 第一条本文件服务器承担共享和存储服务,有严格的权限配置来保证数据安全 第二条设立文件服务器,主要是为各部门和全体职员提供一个资源共享的平台,有利于加强各部门之间的交流与学习,便于经理、主管主任直观地了解、检查督促每位工作人员的工作。 第二章文档管理内容 第三条每位职员都必须及时将与业务工作有关的各类材料上存文件服务器,与工作无关的各类资料一律不得上传。 第四条办公室全体职员可以在以自己名字命名的文件夹下设立子文件夹,以便于文件的管理、查阅和存档。各部门工作人员根据工作需要,可以在子文件下,再设立子文件夹。 第五条办公室全体职员要树立保密意识,切实加强对文字材料的管理,坚决杜绝诸如将办公室文件贴在互联网上等泄露秘密事件的发生。一旦出现问题,视情节轻重,追究责任人的相关责任。 第六条IT组负责文件服务器的维护。各部门在使用文件服务器的过程中,出现问题,要及时通知IT,由IT负责解决。若因未及时通知而出现问题,责任自负。 第七条只允许存放工作文件,严谨与工作无关文件存储在服务器上,部门责任人有权利协助删除不符合要求的文件。 第八条重要文件必须存放在服务器上,本地保留副本,否则出现文件丢失或损坏由其本人负责。
第九条为减轻服务器压力,不允许在服务器上直接运行文件,需要提取文件时,应先复制到本地再运行。 第十条上传文件前,需要先检查病毒,确保上传的文件是干净的。 第十一条按照项目名称建立总目录,每个目录下根据用途再建立子目录,用户可以根据自身情况设计自己的存储方式,尽量整理整齐,易于查找。 第十二条目录创建和权限分配因需求变化,默认创建的目录和权限是最基本的。 第十三条各部门分别整理自己的文档,存放到各自相应的目录,对于不同阶段的文档要有区分的存放到不同目录。 第十五条所有电子文档,除非工作需要,原则上不允许跨部门传播,更不允许外借或者向第三方散播,否则发生纠纷,则公司将追究相应的法律责任,公司保留追究相应的损失赔偿的权利。 第十六条目录内要建立名称为record.txt记录文件。注明原因、更改方式、时间、文件名称等。 第三章服务器管理内容 第十七条服务器管理员负责服务器本身的安装,维护,调试,保证系统正常运行;负责建立父目录与权限分配以及整体数据的备份和恢复 第十八条服务器管理员根据需要设置文档管理员,由ITGroup组的成员来负责各部门的文档管理事务。负责临时账户的建立、修改和删除。 第十九条文档管理员拥有比普通用户更高的权限,负责平时的文档收集、整理;本部门相关文档在服务器上的增加、更新、备份和无用资料的删除;负责项目结束后文档资料的移交工作;本部门员工变动
NS国半半导体产品命名规则
NS国半半导体产品命名规则 概述 美国国家半导体在销售的元件上进行标记，以便提供元件标识和制造的追溯性信息。提供在元件上标记信息的方法取决于元件封装的大小和进行标记的可用区域，以及元件的性质和规格。 这里的信息描述了客户将观察到的大多数元件标记。特定封装标记按每个元件的部件编号, 并表列于这网页内的价格与供货部份中。 下面的链接讨论了常见的标记准则，以帮助了解与右侧示例中相类似的设备标记。 特别代码 标准制造信息（第一行） 小组件制造信息（第一行） 典型元件描述（第二行） 其他的信息（第三行和第四行） 极小组件标记 军用/航空标记 强化塑料标记 其他标记 晶圆制造厂代码 装配厂代码 制造日期代码 裸片批次代码 元件系列，产品线和元件类型 电气等级信息 温度范围代码 封装代码 ROM 代码标记 特别代码 元件上的实际标记可能会与网上的定义有出入，以下的特别代码被解译成元件编号的真正代表字元。美国国家半导体使用一些指定的字母来识别产品，例如“DD” Die Step Rev 会在元件标记中包含一个或两个“C”或“AA”，另一个例子“BBBBB”则是一个5位数字的裸片检阅号码，它可被解码成“43A BE”的真正字元。 NS = 标准NS商标
U = 晶圆制造厂代码 Z = 装配厂代码 X = 1-日期或 + 号代表“ES”工程样本 XY = 两个位的日期代码 XYY = 三个位的日期代码 XXYY = 四个位的日期代码 TT = 两个位的裸片批次代码 E# = 含铅成份种类 * (E0 - E7 per JESD97) BBBBB= 五个位的裸片批次代码 DD = 一或两个位的Die Step Rev SS = 晶圆筛选代码 C = 版权标记 M = 印在圈内的M > = ESD标记 EP = 强化塑料识别 A = 检查批次号码 DIE-RUN-## = 10个位的晶圆批次/裸片批次号码 I = 微型 SMD 引脚1指示 V = 微型 SMD 一个位的裸片批次代码或“+”号表示為工程样品“ES” * - 假如空间容许 标准制造信息（第一行） [元件标记的第一行提供如下所示的制造信息。
PDMS_元件命名规则
PDMS_元件命名规则 管道元件命名规则 Index 目录 1.Naming Components 元件命名 2. Deriving Bolt Names 螺栓命名 3. COCO Table Coding 联接兼容表命名 4. Component CATREF coding 元件CATREF命名 第 1 页共 62 页 1. Naming Components 元件命名 Size Facing Rating Component Type Standard number International Standard International Standard: 国际标准 A ANSI Standard (ANSI) B British Standard (BS) C China (中国) D Deutsche Institut für Normung (DIN) F FRAMATOME I ISO M Manufacturers Standardisation Society (MSS) P American Petroleum Institute (API) J Japanese Standards Standard 标准 BS1560, ANSI B16.9, DIN 2050，中国(如GB、JB等)etc.
Type 类型 PDMS 常用类型:ATTA, TEE, BEND, ELBO, REDU, FLAN, OLET, NOZZ CROSS, VALVE, INST etc. Rating 压力等级 ANSI, BS, API, MSS 125#, 150#, 300#, 600#, 900#, 1500#, 2500#, 3000#, 6000#, 9000# (#=lb/sq. in.) China(中国) 0.25MPa,0.6MPa,1.0MPa, 1.6MPa, 2.5MPa, 6.3MPa, 10.0MPa, 16.0MPa, 25.0MPa, 32.0MPa, DIN (ND=Nenndruck) 10, 16, 25, 63, 100, 160, 250, 320, 400 Facing 端面类型 ANSI,BS,API,MSS,DIN ANSI,BS,API,MSS DIN China RF Raised Face TO Tongue FE Tongue RF 凸面法兰 FF Flat Face GR Groove NU Groove FF 平面法 兰 RTJ Ring Type Joint MA Male VS Projection RTJ 环连接面法兰 SCF Screwed Female FE Female RS Recess SCF 内螺纹连接 SCM Screwed Male SCM 外螺纹连接 TUB Plain End TUB 管子 BLF Blinded BLF 盲板 BWD Buttweld End BWD 对焊连接 LIN Lined Facing Size: 公称直径 Nominal bore sizes in inches or mm 英制或公制的公称直径 Typical Catalogue Names: 典型的Catalogue命名 BARC200 = BS1640 BW CONC REDUCER AAEA200 = ANSI B16.9 BW ELBOW 90 DEG CAFWBD0= 中国国标GB12459-96 PN1.6Mpa带颈对焊法兰 DCZFBP0 = DIN 2633 FLANGED NOZZLE PN16RF DAVHBPR= DIN 3202 GLOBE VALVE PN16 RF 第 2 页共 62 页
电子元器件型号命名规则
电子元器件型号命名规则
一、中国半导体器件型号命名方法 半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件得型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分得意义分别如下: 第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2二极管、3三极管 第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得材料与极性。 表示二极管时:AN型锗材料、BP型锗材料、CN型硅材料、DP型硅材料。 表示三极管时:APNP型锗材料、BNPN型锗材料、 CPNP型硅材料、DNPN型硅材料。 第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件得内型。 P普通管、V微波管、W稳压管、C参量管、Z整流管、L整流堆、S隧道管、 N阻尼管、U光电器件、K开关管、X低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、 G高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、 A高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、 Y体效应器件、B雪崩管、J阶跃恢复管、CS场效应管、 BT半导体特殊器件、FH复合管、PINPIN型管、JG激光器件。 第四部分:用数字表示序号 第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。 二、日本半导体分立器件型号命名方法 日本生产得半导体分立器件,由五至七部分组成。 通常只用到前五个部分,其各部分得符号意义如下: 第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。 0光电(即光敏)二极管三极管及上述器件得组合管、 1二极管、 2三极或具有两个pn结得其她器件、
3具有四个有效电极或具有三个pn结得其她器件、 ┄┄依此类推。 第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。 S表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记得半导体分立器件。 第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。 APNP型高频管、 BPNP型低频管、 CNPN型高频管、 DNPN型低频管、 FP控制极可控硅、 GN控制极可控硅、 HN基极单结晶体管、 JP沟道场效应管,如2SJ KN沟道场效应管,如2SK M双向可控硅。 第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号。 两位以上得整数从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记得顺序号; 不同公司得性能相同得器件可以使用同一顺序号;数字越大,越就是近期产品。 第五部分:用字母表示同一型号得改进型产品标志。 A、B、C、D、E、F表示这一器件就是原型号产品得改进产品。 三、美国半导体分立器件型号命名方法 美国晶体管或其她半导体器件得命名法较混乱。 美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下: 第一部分:用符号表示器件用途得类型。 JAN军级、 JANTX特军级、 JANTXV超特军级、 JANS宇航级、 无非军用品。 第二部分:用数字表示pn结数目。1二极管、2=三极管、3三个pn结器件、nn个pn结器件。 第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。 N该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。 第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。 多位数字该器件在美国电子工业协会登记得顺序号。 第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄同一型号器件得不同档别。如: JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管 JAN军级、 2三极管、 NEIA注册标志、 3251EIA登记顺序号、 A2N3251A档。 四、国际电子联合会半导体器件型号命名方法 德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分得符号及意义如下:
PCB元器件封装命名规则
PIC 是单片机的一种，比如51单片机，avr单片机；而每个厂家制作的单片机都要给其起名字，名字里会有许多信息，具体的信息你可以在搜狗或百度打“pic命名规则”，或到相应公司网站查查 PIC XX XXX XXX (X) -XX X /XX 1 2 3 4 5 6 7 8 1．前缀: PIC MICROCHIP 公司产品代号，特别地：dsPIC为集成DSP功能的新型PIC单片机 2．系列号:10、12、16、18、24、30、33、32，其中 PIC10、PIC12、PIC16、PIC18为8位单片机 PIC24、dsPIC30、dsPIC33为16位单片机 PIC32为32位单片机 3．器件型号（类型）： C CMOS 电路 CR CMOS ROM LC 小功率CMOS 电路 LCS 小功率保护 AA 1.8V LCR 小功率CMOS ROM LV 低电压 F 快闪可编程存储器 HC 高速CMOS FR FLEX ROM 4．改进类型或选择 54A 、58A 、61 、62 、620 、621 622 、63 、64 、65 、71 、73 、74 42 、43 、44等 5．晶体标示： LP 小功率晶体， RC 电阻电容， XT 标准晶体/振荡器 HS 高速晶体 6．频率标示： -20 2MHZ， -04 4MHZ， -10 10MHZ， -16 16MHZ -20 20MHZ， -25 25MHZ， -33 33MHZ 7．温度范围： 空白 0℃至70℃， I -45℃至85℃， E -40℃至125℃ 8．封装形式：
L PLCC 封装 JW 陶瓷熔封双列直插，有窗口 P 塑料双列直插 PQ 塑料四面引线扁平封装 W 大圆片 SL 14腿微型封装-150mil JN 陶瓷熔封双列直插，无窗口 SM 8腿微型封装-207mil SN 8腿微型封装-150 mil VS 超微型封装8mm×13.4mm SO 微型封装-300 mil ST 薄型缩小的微型封装-4.4mm SP 横向缩小型塑料双列直插 CL 68腿陶瓷四面引线，带窗口 SS 缩小型微型封装 PT 薄型四面引线扁平封装 TS 薄型微型封装8mm×20mm TQ 薄型四面引线扁平封装
半导体基础知识和半导体器件工艺
半导体基础知识和半导 体器件工艺 Standardization of sany group #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#
半导体基础知识和半导体器件工艺 第一章半导体基础知识 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类爲导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其他一些物体。第二类爲绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类爲半导体，其导电能力介於导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si矽等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。 物体的导电能力可以用电阻率来表示。电阻率定义爲长1厘米、截面积爲1平方厘米的物质的电阻值，单位爲欧姆*厘米。电阻率越小说明该物质的导电性能越好。通常导体的电阻率在10-4欧姆*厘米以下，绝缘体的电阻率在109欧姆*厘米以上。 半导体的性质既不象一般的导体，也不同于普通的绝缘体，同时也不仅仅由於它的导电能力介於导体和绝缘体之间，而是由於半导体具有以下的特殊性质： (1) 温度的变化能显着的改变半导体的导电能力。当温度升高时，电阻率会降低。比如Si在200℃时电阻率比室温时的电阻率低几千倍。可以利用半导体的这个特性制成自动控制用的热敏元件（如热敏电阻等），但是由於半导体的这一特性，容易引起热不稳定性，在制作半导体器件时需要考虑器件自身産生的
热量，需要考虑器件使用环境的温度等，考虑如何散热，否则将导致器件失效、报废。 (2) 半导体在受到外界光照的作用是导电能力大大提高。如硫化镉受到光照後导电能力可提高几十到几百倍，利用这一特点，可制成光敏三极管、光敏电阻等。 (3) 在纯净的半导体中加入微量（千万分之一）的其他元素（这个过程我们称爲掺杂），可使他的导电能力提高百万倍。这是半导体的最初的特徵。例如在原子密度爲5*1022/cm3的矽中掺进大约5X1015/cm3磷原子，比例爲10-7（即千万分之一），矽的导电能力提高了几十万倍。 物质是由原子构成的，而原子是由原子核和围绕它运动的电子组成的。电子很轻、很小，带负电，在一定的轨道上运转；原子核带正电，电荷量与电子的总电荷量相同，两者相互吸引。当原子的外层电子缺少後，整个原子呈现正电，缺少电子的地方産生一个空位，带正电，成爲电洞。物体导电通常是由电子和电洞导电。 前面提到掺杂其他元素能改变半导体的导电能力，而参与导电的又分爲电子和电洞，这样掺杂的元素（即杂质）可分爲两种：施主杂质与受主杂质。 将施主杂质加到矽半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多自由电子参与导电，而杂质本身失去电子形成正离子，但不是电洞，不能接受电子。这时的半导体叫N型半导体。施主杂质主要爲五族元素：锑、磷、砷等。 将施主杂质加到半导体中後，他与邻近的4个矽原子作用，産生许多电洞参与导电，这时的半导体叫p型半导体。受主杂质主要爲三族元素：铝、镓、铟、硼等。
绝缘子型号命名规则
绝缘子型号的含义绝缘子型号的含义 绝缘颜色标志表 型号SC KC KC1 KX EX JK TX 正极红红红红红红红 负极绿蓝湖蓝黑棕紫白 补偿导线型号、代号及命名法表 型号规格代号含义 辅助代号附加代号 SC 配用铂铑10-铂热电偶的补偿型补偿导线 KX 配用镍铬-镍硅热电偶的延伸型补偿导线 KC 配用镍铬-镍硅热电偶的补偿型补偿导线 EX 配用镍铬铜镍热电偶的延伸型补偿导线 JX 配用铁-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 TX 配用铜-铜镍热电偶的延伸型补偿导线 -G 一般用 -H 耐热用 A 精密级 B 普通级 -V 聚氯乙烯 -F 聚四氟乙烯 -B 玻璃丝 R 多股线芯（单股线芯省略） P 屏蔽 0.5 线芯标称截面0.5mm2 1.0 线芯标称截面1.0mm2 1.5 线芯标称截面1.5mm2 2.5 线芯标称截面2.5mm2
表示S型热电偶用的补偿型耐热用普通级补偿导线，绝缘层为聚氯乙烯，特征为多股软线和屏蔽型单对线芯标称截面为1.0mm2。 举例：SC-H B-V R P 2×1.0 GB4989-85 本安用热电偶补偿导线(缆)(含阻燃型) 产品型号含义 口口口口口ia 配用热电偶型号(二个字母表示) 使用分类和允差等级、GA一般用精密级，GB 一般用普通级线芯股数、多股用R表示，单股可省略线芯截面，mm2 本安用 线芯绝缘层、护层着色表 补偿导线型号配用热电偶补偿导线合金丝绝缘层着色护层着色 正极负极正极负极 SC 铂铑10-铂SPC（铜）SNC（铜镍）红绿蓝 KC 镍铬-镍硅KPC（铜）KNC（康铜）红蓝蓝 KX 镍铬-镍硅KPX（镍铬）KNX（镍硅）红黑蓝 EX 镍铬-铜镍EPX（镍铬）ENX（铜镍）红棕蓝 JX 铁-铜镍JPX（铁）JNX（铜镍）红紫蓝 TX 铁-铜镍TPX（铜）TNX（铜镍）红白蓝 注：普通级和精密级本安用补偿导线的区分，用在护层外加标志方法区别：凡是有GA标志者为精密级、GB标志者为普通级。 六、高压线路刚性绝缘子 高压线路针式绝缘子型号含义 口口口口口口 产品型式结构特征：普通型不表示设计顺序号额定电压KV L-瓷件与钢脚采用螺纹连接。