齐纳二极管与雪崩二极管[整理版]

齐纳二极管与雪崩二极管[整理版]
齐纳二极管与雪崩二极管[整理版]

齐纳二极管与雪崩二极管[整理版]

齐纳二极管zener diodes(又叫稳压二极管)它的电路符号是:此二极管是一种

直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电

阻降低到一个很少的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管

是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件

使用.其伏安特性,稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就

可获得更多的稳定电压。

PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。当反向电压增大到一定数

值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击

穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快。

利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。

它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。产生高频振荡的工作原理是:利用雪崩击穿对晶体注入载流子,因载流子渡越晶片需要一定的时间,所以其

电流滞后于电压,出现延迟时间,若适当地控制渡越时间,那么,在电流和电压关

系上就会出现负阻效应,从而产生高频振荡。它常被应用于微波领域的振荡电路

中。两者击穿形式的区别:

雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键

中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空

穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。

齐纳击穿完全不同,在高的反向电压下,PN结中存在强电场,它能够直接破坏

~共价键将束缚电子分离来形成电子-空穴对,形成大的反向电流。齐纳击穿需要

的电场强度很大,只有在杂质浓度特别大的PN结才做得到。(杂质大电荷密度就大)

一般的二极管掺杂浓度没这么高,它们的电击穿都是雪崩击穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中,就是稳压二极管。

两种二极管都是工作在反向击穿区,二者的区别在于耐受暂态脉冲冲击能力和箝位电压水平等方面有所差异。防雷设计中就是应用两种二极管的伏安特性来抑制雷电过电压。

伏安特性:

分为三个工作区:正向区、反向区和击穿区。

齐纳二极管伏安特性的非线性比较差;为了抑制正、负两种极性的过电压,可以把两只雪崩二极管的阴极串联起来,封装成一体。

采用这种组装方式,可以减小单个管子间连线的寄生电感,改善箝位效果,同时也能减小体积。

反向击穿

反向击穿电压小于5V的二极管一般具有齐纳击穿过程:

反向击穿电压大于8V的二极管具有雪崩击穿过程;

反向击穿电压在5V,8V之间的二极管可能同时具有齐纳或雪崩击穿过程。

温度对两种二极管击穿电压的影响

对齐纳二极管,温度升高时,击穿电压会下降;

对雪崩二极管,温度升高时,击穿电压会上升。

对可能兼备齐纳与雪崩过程的二极管,温度升高时,击穿电压可能会下降,也可能会上升。

泄漏电流及响应时间:

泄漏电流 :

影响泄漏电流大小的主要因素是:外加反向电压的大小、管子结区的温度。

泄漏电流总是随反向电压的增大而增大。但是,击穿电压低的管子其泄漏电流明显高于击穿电压高的管子。

温度对于管子泄漏电流的影响程度也是不同的:

对于击穿电压低的管子,不同温度下IL,UR特性曲线是相互靠近的,且随着反向电压的增大,各温度下的特性曲线更加靠近,即温度的影响进一步减小。

对于击穿电压高的管子,泄漏电流的绝对值很小,但温度变化对泄漏电流引起的相对变化是明显的。

响应时间 :

响应时间是表征齐纳二极管和雪崩二极管性能的一个重要的指标,为了得到可靠的保护,响应时间总是越小越好。

相对于气体放电管和压敏电阻来说,齐纳二极管和雪崩二极管的响应时间是非常短的。

寄生电容及其减小方法

一、寄生电容

齐纳二极管和雪崩二极管的寄生电容存在于管子的结区间,它主要由管子结面、半导体材料的电阻率与介电常数,外加电压来确定。

管子的功率对寄生电容也有影响。管子的功率增大,结的面积也相应增大,以便减小热阻,提高通流能力,于是管子的寄生电容也会增大。

二、减小寄生电容的方法

将普通二极管与雪崩二极管串联使用,普通二极管的寄生电容很小,约为

50pF,串联后的支路电容将有大幅度的减小。

箝位电压与脉冲功率

一、箝位电压

齐纳二极管与雪崩二极管的击穿限压主要用反向击穿电压UZ和反向击穿电流IZ来表征。

管子击穿电压UZ的偏差范围: ?5%,?10%

二、脉冲功率

一般二极管的稳态耗散功率在0.4W,5W之间,但遇到暂态脉冲冲击时,管子能够吸收的暂态脉冲功率比稳态耗散功率大几百倍。

管子的脉冲功率在10/1000us的脉冲波形下定义为最大脉冲电流峰值Ipk与最大箝位电压Ucm的乘积。

当考虑管子的额定脉冲功率的参数时,要考虑到实际的暂态脉冲波形。如果实际脉冲的持续时间比10/1000us的短,则管子可以吸收比额定脉冲功率值更大的暂态功率,管子自身不会被损坏。一只典型的雪崩二极管在8/20us波形下能够通过的最大脉冲电流要比它在10/1000us波形下能够通过的最大脉冲电流大6~10倍。

噪音和损坏形式

一、噪音

齐纳二极管或雪崩二极管工作于伏安特性曲线上转折点附近小电流区时,可能会产生噪音。

即使电流变化比较小,相应的电压也会出现跳变,这样就产生了噪音压。

为了避免噪音干扰的产生,要根据具体设备的正常运行电压来确定管子的参数,使系统的最高运行电压峰值尽可能与管子的击穿电压值之间有足够的差值,从而使管子在系统正常运行状态下不会工作于伏安特性的转折部位,即处于弱导通状态。

反向变位电压URS:管子在泄漏区内其两端所能施加的最大电压(临界击穿时,反向电压接近但尚未达到击穿电压值),在此电压下管子不应击穿。

最大泄漏电流IRL:在反向变位电压作用下,管子中流过的最大反向电流。

损坏形式

齐纳二极管和雪崩二极管在损坏后通常表现为短路状态,如果流过的短路电流持续的时间过长,管子本体和封装外壳可能被烧裂,从而呈现出开路状态。

不论是短路还是开路,管子一旦出现故障,就要及时更换。

暂态抑制二极管

1、具有比较大的结面积,通流能力强;

2、管体内装有特殊材料制成的散热片(散热条件好),有利于管子吸收较大的暂态功率 ;

3、管子在抑制暂态过电压方面的特性在制造中得到了强调。

主要技术参数和选用要点

1、额定击穿电压:反向击穿电流1mA下的击穿电压。

2、最大箝位电压:管子在通过规定波形的大电流(几十至几百安)时两端出现的最高电压。

3、脉冲功率:在规定的10/1000us电流波形下,管子两端的最大箝位电压与管子中电流峰值之积。

4、反向变位电压:管子在泄漏区内其两端所能施加的最大电压(临界击穿时),在此电压下管子不应击穿。

5、最大泄漏电流: 在反向变位电压作用下,管子中流过的最大反向电流。

选用暂态抑制二极管的注意点:

1、根据可能出现的过电压极性,确定用单极管子还是用双极管子;

2、管子的最大箝位电压低于被保护电子元件或设备的耐受电压水平。

3、管子的反向变位电压应明显高于被保护电子系统的最高运行电压峰值,不能在系统正常运行时处于弱导通状态。(避免噪音干扰的产生)

4、估计管子在抑制暂态过电压时可能吸收的最大功率,并按照暂态电流波形的实际持续时间选择管子的脉冲功率。

几种保护元件性能的比较

放电管一般用作第一级、压敏电阻用作第一、二级,暂态抑制二极管用作最末

一、二级。

雪崩光电二极管的特性

雪崩光电二极管的介绍 及等效电路模拟

雪崩光电二极管的介绍及等效电路模拟 [文档副标题] 二〇一五年十月 辽宁科技大学理学院 辽宁省鞍山市千山中路185号

雪崩光电二极管的介绍及等效电路模拟 摘要:PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时,反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿(隧道击穿)。雪崩击穿是PN 结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快,利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管。雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。 关键词:雪崩二极管等效电路 1.雪崩二极管的介绍 雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管,其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其基本结构常常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏压,使得其达到雪崩倍增状态;它的光吸收区与倍增区基本一致(是存在有高电场的P区和I区)。 P-N结加合适的高反向偏压,使耗尽层中光生载流子受到强电场的加速作用获得足够高的动能,它们与晶格碰撞电离产生新的电子一空穴对,这些载流子又不断引起新的碰撞电离,造成载流子的雪崩倍增,得到电流增益。在0.6~0.9μm波段,硅APD具有接近理想的性能。InGaAs(铟镓砷)/InP(铟磷)APD是长波长(1.3μn,1.55μm)波段光纤通信比较理想的光检测器。其优化结构如图所示,光的吸收层用InGaAs材料,它对1.3μm和1.55μn 的光具有高的吸收系数,为了避免InGaAs同质结隧道击穿先于雪崩击穿,把雪崩区与吸收区分开,即P-N结做在InP窗口层内。鉴于InP材料中空穴离化系数大于电子离化系数,雪崩区选用n型InP,n-InP与n-InGaAs异质界面存在较大价带势垒,易造成光生空穴的陷落,在其间夹入带隙渐变的InGaAsP(铟镓砷磷)过渡区,形成SAGM(分别吸收、分级和倍增)结构。 在APD制造上,需要在器件表面加设保护环,以提高反向耐压性能;半导体材料以Si 为优(广泛用于检测0.9um以下的光),但在检测1um以上的长波长光时则常用Ge和InGaAs(噪音和暗电流较大)。这种APD的缺点就是存在有隧道电流倍增的过程,这将产生较大的散粒噪音(降低p区掺杂,可减小隧道电流,但雪崩电压将要提高)。一种改进的结构是所谓SAM-APD:倍增区用较宽禁带宽度的材料(使得不吸收光),光吸收区用较窄禁带宽度的材料;这里由于采用了异质结,即可在不影响光吸收区的情况下来降低倍增区的掺杂浓度,使得其隧道电流得以减小(如果是突变异质结,因为ΔEv的存在,将使光生

雪崩光电二极管在相位式激光测距仪中的应用

可编程器件应用 电 子 测 量 技 术 EL ECTRONIC M EASUREM EN T TEC HNOLO GY 第30卷第2期2007年2月  雪崩光电二极管在相位式激光测距仪中的应用 孙懋珩 丁 燕 (同济大学电子与信息工程学院 上海 200092) 摘 要:雪崩光电二极管作为光敏接收器件,特别适合用于微弱信号的接收检测,它在相位式激光测距系统中用来接收经过漫反射后微弱的激光信号。针对雪崩二极管反向偏压电路中高纹波的问题,本文设计和分析了一种高效的低纹波偏压电路,实验结果表明,该方法有效抑制了纹波电压。针对雪崩二极管温度漂移的问题,本文设计和分析一种新型的温度补偿电路,使雪崩二极管达到了最佳雪崩增益。针对雪崩二极管噪声问题,分析了主要噪声源,设计了一个低噪声的前置放大电路,实验结果表明,该电路有效地提高了信噪比。综合实验结果表明,这些电路设计对于提高相位式激光测距仪的测量精度是有效的。 关键词:雪崩光电二极管;相位式激光测距;纹波;温度补偿;前置放大电路 中图分类号:TN710.2 文献标识码:A Study on application of avalanche photodiode in phase laser distance measurement Sun Maoheng Ding Yan (School of Electronic and Information Engineering,Tongji University,Shanghai200092) Abstract:As a light2sensitive device,avalanche photodiode is particularly suitable for the receiving and detection of weak signal.Therefore,it is always used to receive weak laser signal in the phase laser distance measuring system.To solve the problem of high ripple in the bias voltage circuit,a high efficient circuit with low ripple is designed and analyzed which restrains the ripple effectively.To solve the problem of temperature drift,a new circuit with temperature compensation is designed and analyzed which enables A PD to reach the optimal avalanche gain.To solve the problem of noise,the major noises of A PD are analyzed and a preamplifier circuit with low noise is designed which raise the signal2 to2noise ratio effectively.The results of the experiment indicate that these circuit designs raise the measuring accuracy of the phase laser distance measuring system effectively. K eyw ords:avalanche photodiode;phase laser distance measurement;ripple;temperature compensation;preamplifier 0 引 言 在相位式激光测距仪的激光接收部分中,雪崩二极管作用非常关键。在激光测距仪中,激光从发射到接收,由于经过目标的漫反射以及衰减,接收到的激光信号非常微弱,使得接收检测相对较为困难,所以一般都用雪崩光电二极管作为光敏接收器件[1]。雪崩二极管具有很高的内部增益,响应速度非常快,但要使雪崩二极管发挥其优异的特性,必须给它提供一个较高的反向偏置电压(一般在几十伏以上甚至几百伏。一般的开关电源可以达到这么高的电压要求,但伴随着会有相对较大纹波电压,电源的纹波电压变化范围越大,对雪崩二极管的影响就越大,它会严重影响到雪崩二极管的最佳增益。针对这一情况,本文提出的一种高效的低纹波偏压电路是通过从高压输出端引出一个反馈电路,直接反馈到高压电路的电源端,通过改变电源电压来改变高压输出。在实验中测得的输出高压的纹波与之前未经低纹波设计的高压电路相比,纹波电压得到了很好的抑制。对于雪崩二极管来说,一个小小的温度变化就能引起增益的很大变化,为了保证温度变化时增益值不变,就必须改变PN结倍增区的电场,因此必须接入一个温度补偿电路,在温度变化时来调整光检测器的偏置电压。本文设计了一个新型的温度补偿电路,用一个模拟温度传感器及一个运放,通过简单的计算公式进行参数配置,最终得出一条与A PD最佳增益非常匹配的反向高压输出曲线。雪崩二极管在倍增过程中产生的附加噪声会大大降低测量的性能,为达到最大信噪比,提高相位式激光测距仪的测量精度,本文对其噪声进行了分析并且设计了一个有效的前置放大电路。实验结果表明,该电路有效地提高了信噪比。将这些电路在相位式激光测距仪接收模块中应用,结果表明,它们对于提高相位式激光测

雪崩光电二极管的特性

雪崩光电二极管工作特性及等效电路模型 一.工作特性 雪崩光电二极管为具有内增益的一种光生伏特器件,它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应,以获得光电流的增益。在雪崩过程中,光生载流子在强电场的作用下 进行高速定向运动,具很高动能的光生电子或空穴与晶格院子碰撞,使晶格原子电离产生二次电子---空穴对;二次电子---空穴对在电场的作用下获得足够的动能,又是晶格原子电离产生新的电子----空穴对,此过程像“雪崩”似的继续下去。电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子,这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加,其电流倍增系数定义为: 0/M I I = 式中I 为倍增输出电流,0I 为倍增前的输出电流。 雪崩倍增系数M 与碰撞电离率有密切关系,碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下 ,漂移单位距离所产生的电子----空穴对数目。实际上电子电离率n α 和空穴电离率p α是不完全一样的,他们都与电场强度有密切关系。由实验确定,电离率α与电场强度E J 近似有以下关系: ( ) m b E Ae α-= 式中,A ,b ,m 都为与材料有关的系数。 假定n p ααα==,可以推出 0 1 1D X M dx α= - ? 式中, D X 为耗尽层的宽度。上式表明,当 1D X dx α→? 时,M →∞。因此称上式为发生雪崩击穿的条件。其物理意义是:在电场作用下,当通过耗尽区的每个载流子平均能产生一对电子----空穴对,就发生雪崩击穿现象。当 M →∞时,P N 结上所加的反向偏压就是雪崩击穿电压B R U . 实验发现,在反向偏压略低于击穿电压时,也会发生雪崩倍增现象,不过这时的M 值较小,M 随反向偏压U 的变化可用经验公式近似表示为 11() n BR M U U = - 式中,指数n 与P N 结得结构有关。对N P +结,2n ≈;对P N + 结,4n ≈。由上式可见, 当BR U U →时,M →∞,P N 结将发生击穿。 适当调节雪崩光电二极管的工作偏压,便可得到较大的倍增系数。目前,雪崩光电二

半导体雪崩光电二极管(精)

半导体雪崩光电二极管 半导体雪崩光电二极管 semiconductor avalanche photodiode 具有内部光电流增益的半导体光电子器件,又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点,适用于以微弱光信号的探测和接收,在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。 当一个半导体二极管加上足够高的反向偏压时,在耗尽层内运动的载流子就可能因碰撞电离效应而获得雪崩倍增。人们最初在研究半导体二极管的反向击穿机构时发现了这种现象。当载流子的雪崩增益非常高时,二极管进入雪崩击穿状态;在此以前,只要耗尽层中的电场足以引起碰撞电离,则通过耗尽层的载流子就会具有某个平均的雪崩倍增值。 碰撞电离效应也可以引起光生载流子的雪崩倍增,从而使半导体光电二极管具有内部的光电流增益。1953年,K.G.麦克凯和K.B.麦卡菲报道锗和硅的PN结在接近击穿时的光电流倍增现象。1955年,S.L.密勒指出在突变PN结中,载流子的倍增因子M随反向偏压V的变化可以近似用下列经验公式表示 M=1/[1-(V/VB)n] 式中VB是体击穿电压,n是一个与材料性质及注入载流子的类型有关的指数。当外加偏压非常接近于体击穿电压时,二极管获得很高的光电流增益。PN结在任何小的局部区域的提前击穿都会使二极管的使用受到限制,因而只有当一个实际的器件在整个PN结面上是高度均匀时,才能获得高的有用的平均光电流增益。因此,从工作状态来说,雪崩光电二极管实际上是工作于接近(但没有达到)雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。1965年,K.M.约翰逊及L.K.安德森等分别报道了在微波频率下仍然具有相当高光电流增益的、均匀击穿的半导体雪崩光电二极管。从此,雪崩光电二极管作为一种新型、高速、灵敏的固态光电探测器件渐渐受到重视。 性能良好的雪崩光电二极管的光电流平均增益嚔可以达到几十、几百倍甚至更大。半导体中两种载流子的碰撞离化能力可能不同,因而使具有较高离化能力的载流子注入到耗尽区有利于在相同的电场条件下获得较高的雪崩倍增。但是,光电流的这种雪崩倍增并不是绝对理想的。一方面,由于嚔随注入光强的增加而下降,使雪崩光电二极管的线性范围受到一定的限制,另一方面更重要的是,由于载流子的碰撞电离是一种随机的过程,亦即每一个别的载流子在耗尽层内所获得的雪崩增益可以有很广泛的几率分布,因而倍增后的光电流I比倍增前的光电流I0有更大的随机起伏,即光电流中的噪声有附加的增加。与真空光电倍增管相比,由于半导体中两种载流子都具有离化能力,使得这种起伏更为严重。一般将光电流中的均方噪声电流〈i戬〉表示为 〈i戬〉=2qI0嚔2F(嚔)B

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