二硫化钼材料合成的研究进展
《二硫化钼复合材料的合成及其光催化和储锂性能研究》
《二硫化钼复合材料的合成及其光催化和储锂性能研究》一、引言随着科技的发展，新型复合材料在光催化与能源存储领域的应用越来越广泛。
二硫化钼（MoS2）作为一种典型的二维过渡金属硫化物，因其独特的物理和化学性质，被广泛应用于光催化与储锂等研究中。
然而，其实际应用中的性能往往受限于单一的MoS2结构，因此通过与其他材料复合以提高其性能成为了研究的新方向。
本文以二硫化钼复合材料的合成为基础，探讨了其光催化和储锂性能的研究。
二、二硫化钼复合材料的合成二硫化钼复合材料的合成方法主要分为物理法和化学法。
物理法包括机械研磨、层间插层等；化学法包括化学气相沉积、溶胶凝胶法等。
本文采用溶胶凝胶法进行合成。
溶胶凝胶法是通过在溶液中加入前驱体，经过一系列化学反应生成溶胶，再经过凝胶化、干燥、热处理等步骤得到复合材料。
在合成二硫化钼复合材料时，我们选择与石墨烯等材料进行复合，以提高其光催化与储锂性能。
三、光催化性能研究二硫化钼复合材料因其特殊的层状结构和电子能带结构，具有良好的光催化性能。
我们通过实验研究了不同比例的二硫化钼与其他材料的复合对光催化性能的影响。
实验结果表明，当二硫化钼与其他材料以一定比例复合时，其光催化性能得到显著提高。
这主要归因于复合材料中各组分之间的协同效应，使得光生电子和空穴的分离效率提高，从而提高了光催化效率。
此外，我们还研究了不同光源、不同pH值等条件对光催化性能的影响，为实际应用提供了理论依据。
四、储锂性能研究二硫化钼复合材料因其高比表面积和良好的导电性，被认为是一种具有潜力的锂离子电池负极材料。
我们通过实验研究了二硫化钼复合材料的储锂性能。
实验结果表明，二硫化钼复合材料具有较高的可逆容量和较好的循环稳定性。
在充放电过程中，其具有良好的嵌锂/脱锂能力，表现出较高的库伦效率和良好的容量保持率。
此外，我们还研究了不同合成方法、不同复合比例等因素对储锂性能的影响，为进一步优化材料提供了方向。
五、结论本文以二硫化钼复合材料的合成为基础，通过实验研究了其光催化和储锂性能。
高纯二硫化钼的制备方法及应用研究进展
０ 前言
二硫化钼是自然界中十分典型的层状矿物，是 过渡金属层状化合物中最具代表性的物质。二硫化 钼是由两层硫原子夹一层钼原子构成的“三明治夹 心”结构，具有很好的热稳定性和化学稳定性，以及 具有优异 的 柔 韧 性、透 明 度 和 较 高 的 载 流 子 迁 移
率［１］。近年来，国内外科研人员一直在进行新型二 硫化钼的合 成 及 应 用 研 究，并 在 光 电 材 料、复 合 材 料、生物分析、医学领域、催化剂、碳素行业、机械制 造和工程塑料等领域取得了很好的成果。随着研究 的不断深入，人们对二硫化钼的应用要求也越来越 高。与普通的二硫化钼相比，高纯二硫化钼的催化、 机 械、光学、电学等性能都有显著的提高，其制备方
ＲｅｓｅａｒｃｈＰｒｏｇｒｅｓｓｉｎＰｒｅｐａｒａｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆ Ｈｉｇｈ－ＰｕｒｉｔｙＭｏｌｙｂｄｅｎｕｍ Ｄｉｓｕｌｆｉｄｅ
ＦＥＮＧ Ｍｉｎｇ１，２，ＨＡＯ Ｙｉｙｉｎｇ１，ＣＨＥＮＧ Ｗｅｉｑｉｎ１，２，ＷＡＮＧ Ｚｅｔａｏ１， ＷＡＮＧ Ｙｕｎｘｉ１，ＧＡＯ Ｑｉｎｇｈｕａｎ１，ＨＵＯ Ｅｒｆｕ１，２
·４·
河南化工
ＨＥＮＡＮＣＨＥＭＩＣＡＬＩＮＤＵＳＴＲＹ
２０１８年 第 ３５卷
法、工艺、技术等也呈现规模化究的热点 内容之一。
本文主要介绍了高纯二硫化钼的制备方法，并 综述了它在光电材料、复合材料、生物分析等领域的 应用研究进展。
第 １０期 冯明等：高纯二硫化钼的制备方法及应用研究进展
综述与述评
·３·
高纯二硫化钼的制备方法及应用研究进展
冯 明１，２，郝一影１，程伟琴１，２，王泽涛１，王运熙１，高青环１，霍二福１，２
（１．河南省化工研究所有限责任公司 ，河南 郑州 ４５００５２；２．河南省精细化工中间体工程技术研究中心 ，河南 郑州 ４５００５２）
二硫化钼纳米材料的制备方法及应用研究进展
二硫化钼纳米材料的制备方法及应用研究进展张家豪;王德修;李玉琦;徐英;梁士明;宋学省【期刊名称】《人工晶体学报》【年(卷),期】2024(53)4【摘要】本文深入探讨了二硫化钼(MoS 2)纳米材料的合成策略及其在能源转换与存储等领域的应用前景,综合分析包括溶剂热法、溶胶-凝胶法在内的多种合成方法,揭示了这些方法对MoS 2纳米结构形态和性能的具体影响。
研究表明,通过精确控制合成条件,可以制备出具有优化电子性质和表面活性的MoS 2纳米材料。
在锂离子电池和光电探测器等应用中,这些材料展现了卓越的性能,特别是在增强电池充放电循环稳定性和提升光电转换效率方面。
本文进一步讨论了MoS 2应用发展面临的挑战,特别是在材料合成可扩展性和性能一致性方面。
最后,文章对未来的研究方向进行了展望,提出了创新合成策略和优化材料结构的研究方向,进一步拓宽MoS 2在高性能能源设备中的应用潜力。
【总页数】20页(P600-619)【作者】张家豪;王德修;李玉琦;徐英;梁士明;宋学省【作者单位】临沂大学材料科学与工程学院【正文语种】中文【中图分类】TB34;TB383【相关文献】1.纳米材料国内外研究进展Ⅱ——纳米材料的应用与制备方法2.一种锂电用二氧化钛纳米管阵列固载球状二硫化钼负极材料的制备方法3.专利名称：一种二硫化钼纳米片/石墨烯纳米带复合材料及其制备方法4.浅谈土木建筑工程的质量影响因素与管理5.Effect of Fluoride Containing Gel on Prevention of Enamel Demineralization and Improvement of Enamel Lesion during Orthodontic Treatment因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
二硫化钼二维材料的制备方法及其力学性质研究
二硫化钼二维材料的制备方法及其力学性质研究二硫化钼(MoS2)作为一种具有潜在应用价值的二维材料，近年来备受关注。
本文将探讨二硫化钼二维材料的制备方法以及其力学性质的研究。
一、二硫化钼二维材料的制备方法二硫化钼二维材料的制备方法可以分为机械剥离法、气相沉积法、溶液剥离法和化学气相沉积法等。
1. 机械剥离法机械剥离法是首次成功制备二硫化钼二维材料的方法。
该方法通过在蜡石等基底上剥离单层或多层的二硫化钼，得到纯净的二维材料。
2. 气相沉积法气相沉积法是另一种常用的制备二硫化钼二维材料的方法。
该方法通常通过热蒸发或化学气相沉积来在基底上沉积单层或多层的二硫化钼。
3. 溶液剥离法溶液剥离法是一种将二硫化钼从其母体晶体材料中剥离出来的方法。
该方法在溶剂中溶解母体材料，然后通过适当的处理获得二硫化钼的纳米片。
4. 化学气相沉积法化学气相沉积法以金属有机化合物和硫化物源作为前驱体，通过二硫化钼的热解和沉积过程来制备二硫化钼二维材料。
该方法可以获得高质量的单层或多层二硫化钼。
二、二硫化钼二维材料的力学性质研究二硫化钼二维材料具有许多独特的力学性质，因此引起了广泛的关注和研究。
以下将介绍其中几个重要的力学性质。
1. 弹性特性二硫化钼二维材料具有较大的弹性变形能力，能够承受较大的形变而不破裂。
其高弹性使其在微纳尺度应用中具有潜在优势。
2. 力学稳定性二硫化钼二维材料具有良好的力学稳定性，能够保持其结构稳定性，在应变条件下仍能保持长期的力学性能。
3. 基底依赖性二硫化钼二维材料的力学性质在不同基底上有所不同。
一些研究表明，基底对二硫化钼二维材料的几何形状和力学性质有着重要的影响。
4. 耐磨性由于其层状结构以及强的化学键，二硫化钼二维材料具有较高的耐磨性。
这使得它在摩擦学和润滑学领域有着广泛的应用前景。
总结：二硫化钼二维材料的制备方法包括机械剥离法、气相沉积法、溶液剥离法和化学气相沉积法。
这些方法在制备高质量的单层或多层二硫化钼方面具有一定的优势。
二硫化钼制备工艺研究进展
关键词：二硫化钼；制备；工艺；进展１二硫化钼的基本性质及应用二硫化钼，金属光泽，黑色粉末，六方晶系，层状结构［２］。
二硫化钼与石墨烯具有相似的结构和性能［３］，层与层之间只有微弱的范德华力，键能很低，层与层之间容易脱离，摩擦因数很低。
二硫化钼具有良好的耐热性和稳定的化学性质，不溶于稀酸和水，但溶于王水和热的浓硫酸。
因具有这些特性，近年来二硫化钼作为高新技术材料［４－６］备受关注，广泛应用于光电器件、机械润滑、催化、半导体材料等领域［７－８］。
纳米二硫化钼相比于普通二硫化钼具有更优越的性能，在航空航天、军事等领域起到重要作用。
纳米级二硫化钼比表面积更大，更易于吸附气体粒子，故对光和气体有着较高的敏感性，因此也应用于检测方面［９－１１］。
但二硫化钼的导电性差，这也限制了它的应用。
将二硫化钼与其他材料（如石墨烯等碳材），复合可以得到有更大电流放电、高比容量等优异电学性能的复合材料［１２－１５］。
２二硫化钼的制备工艺制备二硫化钼的工艺可归为化学合成法和物理合成法两类。
相比于物理合成法，化学合成法能更好地控制二硫化钼的表面特性及物理结构。
化学合成法主要有气相法和液相法。
液相法又分水热法、溶剂热法、沉淀法、模板法等。
而物理合成法具有不破坏二硫化钼天然晶格的特点，主要有机械研磨法、剥离法、浮选法、真空冷凝法等。
２．１气相法气相法制备二硫化钼是将固态钼源及硫源置于高温状态下使升华，气态的钼源及硫源发生物理化学反应，在冷却过程中晶粒逐渐长大并形成纳米二硫化钼。
该过程中，改变保护气体的比例可以初步控制二硫化钼的晶体结构［１６］。
ＳｈｉＪｉａｎｐｉｎｇ等［１７］利用低压化学气相沉积法在金箔上制得单层二硫化钼。
此方法可以将生长中的二硫化钼转移到任意基底上，如ＳｉＯ２或Ｓｉ，并很好地保留晶体结构。
金箔上的纳米三角形二硫化钼薄片的塔菲尔曲线斜率很低，交换电流密度相对较高，因为金箔与二硫化钼薄片之间有良好的电子耦合，可用作电催化析氢反应催化剂。
《单层二硫化钼的制备及其光学性能研究》
《单层二硫化钼的制备及其光学性能研究》一、引言单层二硫化钼（MoS2）作为一种二维过渡金属二硫族化合物，近年来在材料科学和光电子学领域引起了广泛的关注。
其独特的电子结构和物理性质使其在纳米电子学、光电器件以及能源转换等多个领域展现出潜在的应用前景。
因此，对单层二硫化钼的制备方法及其光学性能的研究显得尤为重要。
本文旨在探讨单层二硫化钼的制备方法，并对其光学性能进行深入研究。
二、单层二硫化钼的制备2.1 制备方法目前，制备单层二硫化钼的方法主要有机械剥离法、化学气相沉积法（CVD）以及液相剥离法等。
其中，CVD法因其可控制性高、产率高、可大面积制备等优点，成为目前应用最广泛的制备方法。
CVD法制备单层二硫化钼的步骤如下：首先，将钼源（如MoO3）和硫源（如S或H2S）分别加热至一定温度，使其在高温下反应生成气态的MoSx；然后，将气态的MoSx引入到基底（如SiO2/Si基底）上，通过化学反应或物理沉积的方式在基底上形成MoS2薄膜；最后，通过退火处理和清洗等步骤得到单层二硫化钼。
2.2 制备过程中的关键因素在CVD法制备单层二硫化钼的过程中，关键因素包括反应温度、硫源与钼源的比例、基底的选择以及退火处理等。
这些因素都会对最终制备得到的单层二硫化钼的形貌、厚度以及光学性能产生影响。
三、光学性能研究3.1 光学吸收特性单层二硫化钼具有独特的光学吸收特性，其吸收光谱在可见光范围内表现出明显的光吸收增强效应。
研究表明，单层二硫化钼的光吸收系数较高，且具有可调谐的带隙结构，使其在光电器件中具有潜在的应用价值。
3.2 光致发光特性单层二硫化钼还具有优异的光致发光特性。
在光照条件下，单层二硫化钼能够产生光生载流子，并通过光致发光现象实现光能的转换与利用。
此外，通过调节激发光的波长和功率等参数，可以实现对单层二硫化钼的光致发光特性的调控。
3.3 光响应速度与稳定性在光电器件中，材料的光响应速度和稳定性是评价其性能的重要指标。
二硫化钼—石墨烯异质结的制备与研究
二硫化钼—石墨烯异质结的制备与研究一、本文概述本文主要关注二硫化钼—石墨烯异质结的制备与研究。
我们将详细介绍这种异质结的结构特性，制备方法，以及其在不同领域中的应用前景。
我们将首先概述二硫化钼和石墨烯的基本性质，包括它们的电子结构、物理和化学性质，以及它们在纳米材料和电子器件中的应用。
然后，我们将详细讨论如何将这两种材料结合形成异质结，并探索其独特的物理和化学性质。
我们还将探讨二硫化钼—石墨烯异质结在电子器件、能源转换和存储、传感器以及催化剂等领域中的潜在应用。
我们将总结目前的研究进展，并展望未来的研究方向。
通过本文的阐述，我们希望能够为二硫化钼—石墨烯异质结的研究和应用提供有益的参考和指导。
二、二硫化钼—石墨烯异质结的制备方法二硫化钼—石墨烯异质结的制备是材料科学领域的一个研究热点，其独特的结构和性质使得这种异质结在电子器件、能源存储和催化等领域具有广阔的应用前景。
本文介绍了几种常见的制备方法，包括化学气相沉积法、溶液法和物理气相沉积法等。
化学气相沉积法（CVD）是一种常用的制备二硫化钼—石墨烯异质结的方法。
该方法通过在高温条件下，利用气体中的前驱体分子在催化剂表面发生化学反应，从而生长出所需的异质结材料。
通过精确控制反应条件和催化剂的选择，可以实现大面积、高质量的二硫化钼—石墨烯异质结的制备。
溶液法是一种相对简单的制备异质结的方法，主要利用溶液中的前驱体分子通过化学反应或自组装过程生成异质结。
该方法可以在较低的温度下进行，且易于实现规模化生产。
然而，溶液法可能面临制备过程中杂质引入和结晶度控制等问题。
物理气相沉积法（PVD）则是一种通过物理过程如蒸发、溅射等将二硫化钼和石墨烯材料沉积到基底上制备异质结的方法。
这种方法可以精确控制材料的组成和结构，但设备成本较高，且制备过程相对复杂。
在制备二硫化钼—石墨烯异质结时，还需要考虑异质结界面工程的问题。
通过调控界面结构和性质，可以进一步优化异质结的性能。
二硫化钼光催化产物
二硫化钼光催化产物
二硫化钼（MoS2）是一种重要的光催化材料，在水分解、CO2还原、有机物降解等领域具有广泛的应用前景。
本文将详细介绍二硫化钼光催化产物的研究进展。
首先，二硫化钼的光催化产物主要包括氢气、甲烷、甲醇等。
在水分解反应中，二硫化钼可以吸收光能，并将其转化为化学能，从而催化水分子的电解，产生氢气和氧气。
研究表明，二硫化钼的光催化活性与其表面的活性位点密切相关，而这些位点可以通过调控二硫化钼的晶体结构、形貌和表面修饰等方法来实现。
其次，在CO2还原反应中，二硫化钼也可以作为催化剂，将二氧化碳转化为有机化合物，如甲烷和甲醇。
研究表明，二硫化钼的光催化活性与其表面的硫空位密切相关，而这些硫空位可以通过调控二硫化钼的合成方法、掺杂和修饰等手段来实现。
此外，二硫化钼的光催化产物还可以用于有机物的降解。
研究表明，二硫化钼可以吸收可见光，并将其转化为活性氧物种，如羟基自由基和超氧自由基，从而催化有机物的氧化降解。
此外，二硫化钼的光催化产物还可以通过与有机物发生光催化反应，产生活性中间体，从而实现有机合成的目的。
综上所述，二硫化钼的光催化产物具有广泛的应用前景，并且可以通过调控二硫化钼的结构、形貌和表面修饰等手段来实现其光催化活性的调控。
未来的研究可以进一步探索二硫化钼光催化产物的性质和应用，以及优化二硫化钼的光催化性能，推动其在能源转化和环境保护等领域的应用。
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二硫化钼材料合成的研究进展彭丽芳1,巩飞龙1,徐志强1,刘梦梦1,李峰1,2(1.河南省表界面科学重点实验室,郑州轻工业学院,河南郑州450002;2.American Advanced Nanotechnonlogy ,LLC )摘要:二硫化钼因具有催化效率高、稳定性好、层结构易于剥离拆分等优点,成为继石墨烯研究热潮后的又一代表性二维材料。
材料的结构影响其性能,因此利用简单的方法制备结构独特和形貌均一的二硫化钼材料成为近年来材料学领域研究的热点之一。
二硫化钼材料的制备方法包括物理法和化学法,重点介绍了利用化学法制备各种形貌二硫化钼材料。
关键词:类石墨烯;二硫化钼;合成方法;研究进展中图分类号:TQ136.12文献标识码:A文章编号:1006-4990(2019)02-0011-04Research progress in synthesis of molybdenum disulfidePeng Lifang 1,Gong Feilong 1,Xu Zhiqiang 1,Liu Mengmeng 1,Li Feng 1,2(1.Key Laboratory of Surface and Interface Science and Technology ,Zhengzhou University of Light Industry ,Zhengzhou 450002,China ;2.American Advanced Nanotechnology ,LCC )Abstract :Molybdenum disulfide (MoS 2),as a typical two-dimensional material with advantages including high catalytic effi ⁃ciency ,excellent stability and easy exfoliation ,has become a new study following the graphene.The structures could have great effect on their performance ,producing MoS 2with novel structures and well ⁃definedmorphologies by simple methodstherefore became a hotresearch in the fields of materials science ,recently.The synthesis methods of MoS 2included physicalmethod and chemical method.MoS 2with diverse morphologies produced by chemical methodswere mainly introduced.Key words :graphene ⁃like ;MoS 2;synthesis method ;research progress二硫化钼(MoS 2)晶体是由钼原子和硫原子以共价键的方式相连接,形成的三明治状S —Mo —S 结构,层与层之间存在微弱的范德华力。
钼原子与硫原子之间的相对位置有一定的差异,因此MoS 2有3种晶体结构:2H -MoS 2(三斜晶系)、3R -MoS 2(斜方对称晶系)和1T -MoS 2(八面体配位)[1]。
MoS 2具有独特的层状结构和低的摩擦系数,最初发现在固体润滑领域有较好的应用[2]。
但是,近几年来随着人们对层状MoS 2等结构的深入研究,发现其在电池[3-7]、超级电容器[8-10]、催化[11-13]等领域都表现出优异的性能。
材料的性能往往依赖于其自身结构,因此优化合成方法制备各种结构优异的MoS 2材料,成为改善材料性能的关键因素。
制备MoS 2的原料一般包括钼源和硫源,钼源有钼酸钠、钼酸铵、六氯化钼及三氧化钼等;硫源有硫化钠、硫化胺、硫脲及硫代硫酸铵等。
MoS 2的制备方法按是否发生化学反应可分为物理方法和化学方法。
物理方法包括机械研磨和超声剥离。
对于颗粒状或块状MoS 2材料的合成通常使用机械研磨来制备,这可以保持MoS 2的天然晶格,但对机械设备要求高、纳米颗粒相对不均匀;对于单层或多层结构MoS 2材料,一般采用超声剥离法制备,缺点是不能大规模制备,优点是可以制备薄层甚至单层MoS 2纳米片。
相对而言,化学方法制备MoS 2方法较为灵活、形貌较为多变。
制备方法包括水热法[4,14-16]、模板法[17-18]、微乳液合成法[19-21]、有机金属离子-剥离法[22-24]、化学气相沉积法[25-29]。
本文着重介绍以不同工艺制备出不同形貌的MoS 2的方法,结构包括纳米粒子、纳米线(棒)、纳米片、三维结构(球状、花状)等MoS 2的方法。
1二硫化钼的合成方法1.1水热法/溶剂热法制备二硫化钼水热法制备MoS 2是将水溶液或有机溶剂作为收稿日期:2018-08-11作者简介:彭丽芳(1994—),女,在读硕士研究生,主要研究方向为过渡金属硫化物材料在锂离子电池方向的应用研究,已公开发表文章3篇。
通讯作者:李峰;E-mail :lifeng696@ 。
第51卷第2期2019年2月无机盐工业INORGANIC CHEMICALS INDUSTRYVol.51No.2Feb.,2019反应介质,再将前驱体放入密闭的反应釜(聚四氟乙烯)中升温加压发生化学反应,实现重结晶。
X.J.Wang等[30]使用钼酸钠和谷硫酮分别作为钼源和硫源,通过调节溶液的pH,在反应温度为200℃的条件下得到了粒径为2.7nm左右的MoS2量子点。
许献云[31]用盐酸将硫代钼酸氨氧化得到MoS2悬浮物,加入铁粉、盐酸等反应原料,制备出具有半导体相的MoS2纳米线。
李方等[32]以钼酸铵、硫脲为原料,在pH=1的条件下制备了由纳米片组成的三维花状MoS2微球。
武子茂等[33]用水热法制备出了三氧化钼,以此为模板与硫氰化钾在不同条件下反应,合成出了镂空网状、花状、空心球状、块状等不同形貌的三维MoS2材料。
H.Zhang等[34]以NH2CSNH2为硫源,(NH4)6Mo7O24·4H2O为钼源,通过控制加入不同量的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),在200℃下反应24h,最后制备出直径为200~300nm的MoS2纳米花状结构材料。
周军等[35]用钼酸钠、草酸、硫化钠等对酸沉法进行一系列细致的研究,制备出了平均粒径为60nm的球形MoS2。
Y.G.Li等[36]用(NH4)2MoS4、水合肼、N,N-二甲基甲酰胺(DMF),在氧化石墨烯(GO)表面原位制备出MoS2颗粒,GO被还原成还原氧化石墨烯(RGO)。
G.G.Tang等[37]用Na2MoO4、NH2OH·HCl和CH4N2S为反应原料,以CTAB为表面活性剂,通过改变CTAB的加入量和调节溶液pH,在180℃下可控制备了不同形貌的三维花状纳米MoS2材料。
1.2模板法制备二硫化钼模板法也是一种经常用来合成纳米材料的方法,这种方法是将具有纳米结构且形状易于控制的物质作为模板,将材料填充到模板中,再将模板刻蚀,得到理想的纳米材料。
Y.D.Zhu等[38]将铝片在500℃下退火4h,在酸溶液中对铝板进行氧化产生多孔阳极氧化铝模板,再在草酸中进一步处理修饰孔径。
通过控制酸的量,可以制得毛孔直径为50~250nm 的模板。
在二甲基亚砜中制备(NH4)2MoS4,将氧化铝模板投入其溶液中,在70℃下将溶液蒸干,最后在管式炉中450℃下煅烧,制得MoS2纳米管。
Z.Y. Wang等[39]开发出了制备MoS2及其他过渡金属硫化物纳米线的合成方法。
其中MoS2纳米线的直径为1~4nm,层数为1~3层。
D.B.Yu等[18]将MoS2/Al2O3、HF 和去离子水搅拌10h,通过离心(8000r/min,10min,水、乙醇)洗涤得到MoS2纳米管,在反应中随着温度的升高,晶型从无定型逐渐形成具有一定的晶型的MoS2纳米管。
1.3化学气相沉积法制备二硫化钼化学气相沉积法(CVD法)制备MoS2是将气态的钼源和硫源导入到有惰性气体保护的反应室内,在高温下反应形成纳米MoS2晶体材料。
CVD法制备纳米MoS2沉积速度快、成膜面积大而且均匀,且成本低,具有很好的应用前景[40]。
Y.Feldman等[41]用管式炉在H2S存在的条件下加热三硫化钼,制得富勒烯结构的MoS2纳米粒子和MoS2纳米管;H.Liu 等[42]用三氧化钼和硫粉作为原料在氮气氛围中升温至850℃、保温10~15min,最终得到尺寸为10~ 20μm的MoS2纳米片。
D.Hu等[43]以MoO3为钼源,S 单质为硫源,将其放在Al2O3坩埚里并在坩埚上覆盖SiNWs基底,在氮气保护下,升温至600℃,最后得到SiNWs/MoS2。
W.S.Xu等[44]利用三阶大气压技术在SiO2/Si基底上制造出大面积且高度均匀的单层二分子MoS2晶枝,通过对底物的控制使MoS2的结构从三角形变成树形。
1.4有机锂-剥离法制备二硫化钼锂离子剥离法是将锂离子插入到块状MoS2中,再加入水形成氢气,在氢气的作用下形成层状MoS2。
A.Ambrosi等[45]发现可以用有机锂与MoS2微粉制得少层MoS2,发现不同的有机锂对MoS2的电化学性能影响十分显著。
X.B.Fan等[46]发现在超声作用下正丁基锂对MoS2作用生成LiMoS2,在轻度超声作用下(135W,1.5h)可以显著加速锂离子间的相互作用;G.Eda等[47]在氩气保护下将MoS2和丁基锂在正己烷中浸泡2d,得到Li x MoS2后,用正己烷离心洗涤,再经过去离子水中离心,除去多余的锂(形成LiOH)和其他杂质,得到的薄片横向直径为300~ 800nm、厚度为1~1.2nm。
1.5液相沉淀法制备二硫化钼液相沉淀法是用硫化物和钼盐生成不溶性的三硫化钼,再将其加热分解或者还原,得到所需的纳米MoS2。
它的优点是过程简单、产率高、成本低、便于推广。
马少华等[48]用共沉淀法制备出了表面修饰的粒径为30~50nm的纳米MoS2,发现其在丙酮、氯仿及基础油中分散性很好、团聚较少、抗磨、极压性能优秀;S.V.P.Vattikuti等[49]将钼酸铵四水合物和柠檬酸加入到去离子水中,调节溶液pH为4,随后加入硫化铵溶液,在150℃下反应10min,得到直径为50~ 100nm的球形MoS2。
H.T.Yu等[50]在270~330℃下以三辛基氧化胺为溶液、Mo(CO)6和硫的十八烯溶无机盐工业第51卷第2期液为原料,通过调节硫前驱液浓度和加入量,可以选择性地制备单分散的MoS2纳米晶粒和MoS2管状结构材料。