Sn-Cu-Ni系电子封装互连材料的研究进展
添加镍的Sn—Cu系无铅焊料(2)

3 利用N 的C n金属 间化合 射光 的粉 末x 线衍 . 射
射 实 验
确定 C 6 n 结 晶构造 的方法 有使 用透 射型 电子 uS 船j
有 大致 等量 的约 5 t %的N 。试料 填 充在0 m内径 w i -m 3
的石英 毛细管 内,从2 5℃ ~2 0 0 ℃的各种 测量温 度 下
保 持4 n 0mi 以后 进行 2 i的测 量 ( 种测 量温 度合 0r n a 各 计 保持 6 i ),其 中温 度上 升速 度 为6 ̄/ n 0r n a C mi。为 了确 定 获 得 的 结 晶构 造 数 据 ,使 用 市 售 的解 析 软件
使 用近 年 来 建 设 的九 州 同 步加 速 器辐 射 光 ( A A. SG
LS) 和 澳 大 利 亚 同 步 加 速 器 辐 射 光 ( sr la Au ta i n S uh oru y c rt )的强 力X 线源 在 个 中温 度 条 件下 确定 o 射
这两 种 相 在 个温 度 下 的结 晶 构 造 。采 用 2 0℃ 的温 9
S ・ e is b fe od r yNi d i o 2 n Cusre - es le s dt n() P r b a i
C Ii i A j— n q g
( 上期 ) 续
冷 却速 度 凝 固 ,使 用 选 择 性 抽 取Cu S n 的方 法 获 得 C 6n, ( . )S 5 末试料 。其 中( uNi S 5 n uS 5UCu Ni n粉 6 C . ) n与s — 6 CuNi 料 和基 板 的接 合 界 面上 形成 的 ( uNi S — 焊 C . ) n 含
32 u n ( . 。  ̄9 . O6  ̄DI N) r 结晶构造和相稳定性 S iS B
电子封装Cu键合丝的研究及应用

Re s e a r c h a n d Ap p li c a ti o n of Cop p e r B o n di n g Wi r e i n El e c t r o ni c Pa c k a gi n g
D ING Yu2tian , CAO Jun , XU Guang2ji , KOU Sheng2zhong , HU Yong ( State Key Laboratory of Gansu Advanced Nonferrous Materials , Lanzhou University of Technology , Lanzhou 730050 , China)
表 1 铜 (Cu) 、金 (Au) 键合丝力学性能对照表[4] Tab. 1 Mechanical p roperties of Cu and Au bonding wire
密尔 (Mil)
伸长率 ( %)
Cu
断裂载荷/ g
伸长率 ( %)
Au
断裂载荷/ g
电子封装微互连中的电迁移

万方数据 万方数据 万方数据 万方数据1614电子学报2008焦(2)采用数值模拟方法对具有复杂结构和材料匹配的微互连(焊点)的电迁移问题进行表征,并进行优化设计研究,以解决目前的设计和评价程序严重依赖于成本高而周期长的试验工作来进行凸点材料选择、工艺制定、结构设计、可靠性评价和寿命预测等问题.(3)在获得必要参数及实验验证的条件下,建立有效的微互连电迁移失效模型,为多材料选择和多设计参数下封装可靠性与耐久性评价以及产品设计提供全面而可靠的信息.(4)发展出可靠而有效的互连(焊点)电迁移寿命预测方法.参考文献:【1JTuKN,GusakAM,LiM.Physicsandmaterialschallengesforlead-freesolders[J].JournalofAppliedPhysics,2003,93(3):1335—1353.[2]ZhangXP,YuCB,ShrestllaS,DoraL.Creepandfatiguebe·haviorsofthelead-fleeSn-Ag.-Cu-BiandSn60P040solderin—-tercolInt蜘onsatelevatedtempe嘲nⅡes[J].JoumalofMaterialsScience,MaterialsinElectronics,2007,18(8):665—670.[3]张新平,尹立孟,于传宝.电子及光子封装无铅钎料研究和应用进展[J].材料研究学报,2008,22:1—9.ZHANGxin-ping,YINLi—meng,YUChuan-bao.Advancesinresearchandapplicationoflead-freesoldersforelectronicandphotonicpackaging[J].CllineseJournalofMaterialsResearch,2008,22:1—9.(inCllinese)[4J1、lKN.RecentadvarlcIes011electromigrationinvery-large-scale-integrationinterconnects[J].JournalofAppliedPhysics,2003,94(9):5451—5473.[5]YoungD,Cl'aistouA.Failuremechanismmodelsforelectromi一掣ation[J].IEEETransactionsReliability,1994,43(2):186—192.[6]杨卫.力电失效学[M].北京:清华大学出版社,2001.35—38.YANGWei.MechatronicReliability[M].Beijing:TsinghuaU—niversityPress,2001.35—38.(inChinese)[7]SpolenakR,Kraft0,AratE.EffectsofalloyingelementsOnelectromigration[J].MicroelectiolficsReliability,1998,38(6-8):1015—1020.[8]CeuninckWAD,D’haegerV,OlmenJV,eta1.Theinfluenceofadditionelements011theearlyresistancechangesobservedduringelectromigrationtestingofA1metallir,es[J].Microelec—111311ic¥Reliability,1998,38(1):87—98.[9]Hau-RiegeCS.Aninli'Olil甜ontOCue蝴鲫[J].Mi-croelectronicsReliability,2004,44(2):195—205.[10]YeH,BasaranC,HopkinsDC.Mechanicaldegradationofmicroelectronicssolderjointsundercurrentstressing【JJ.Inter-nationalJournalofSolidsandStruclllres,2003,40(26):7269—7284.[11]ZengK,TuKN.Sixca螂ofreliabilitystudyofPb-freesol—derjointsinelectronicpackagingtechnology[J].MaterialsScienceandEngineeringR,2002,38(2):55—105.[12]ChertC,咖SW.Electromigrationissuesinlead-freesolderjoints【JJ.JoumalofMaterialsScience:MaterialsinElectron-ics,2007,18(1.3):259—268.[13]YeH,BasaranC,HopkinsD.胁omigrationin睢sns01-derjointsunderjouleheatingduringelectriccurrentstressing【Jj.AppliedPhysicsLetters,2003,82(7):1045—1047.[14]HuangAT,GusakAM,TuKN,城YS."nlem删grationinSnPbcompositeflipchipsolderjoints[J].AppliedPhysicsLetters,2006,88(141911):1—3.[15jttuangAT,TuKN,“YS.EffectofthecclmbirlalJollofelectromigrationandthermomigrationphasemigradonandparaalmeltinginflipchipcompositeSnPbsolderjoints[J].JournalofAppliedPhysics,2006,100(033512):l一4.[16]ChoiJY,LeeSS,PaikJM,JooYC.ElectrcllIligrationbe—haviorofeutecticSnPbsolder[A].Proceedingsof3rdInterna-tionalSyrrtlx塔itnnOnElectricMaterialsandPackaging[c].JcjUIsland,Korea,2001.417—420.[17jChuangYC,ⅡuCY."nlem删grationin叫cec血SnPba110y[J].AppliedPhysicsLetters,2006,88(174105):1—3.[18]YuDQ,瑚ekW,SchmittE.Electrochemicalmigrationofleadfreesolderjoi,ts[j].JoumalofMaterialsScience:Mate—rialsinElectronics,2006,17(3):229—241.[19]KielbasifiskiK,KalenikJ,幽elR.Investigadonofeleclrcm-gration011printedcircuitboardssolderedwithlead-freesolder[A].r'r,)cxe,tingsofSPIE[C].R.S.RomaniukEd.,BeUing—ham,USA,2006,6347,6347lVl-8.[20]ChoiWJ,YehECC,TuKN.Mean-dme-to-failurestudyofflipchipsol,Jetjoints011Cu/Ni(V)/AJthin-filmun,ter-bump-metallization[J].JournalofAppliedPhysics,2003,94(9):56155—5671.作者简介:尹立孟男,1976年8月生于湖南邵东,华南理工大学材料加下工程专业博t生,主要从事无铅微/光电子封装材料及町靠性研究.E-mail.yin.1iraeng@mail.seut.edu.cn张新平男,1965年8月生,工学博士(1993),华南理工大学教授、博士生导师.主要研究方向为微/光电子封装材料及可靠性、生物材料和机敏材料等.E-mail:raexzhang@scut.edu.∞ 万方数据电子封装微互连中的电迁移作者:尹立孟, 张新平, YIN Li-meng, ZHANG Xin-ping作者单位:华南理工大学机械上程学院,广东广州,510640刊名:电子学报英文刊名:ACTA ELECTRONICA SINICA年,卷(期):2008,36(8)被引用次数:6次1.Hau-Riege C S An introduction to Cu electromigration[外文期刊] 2004(02)2.Ceuninck W A D;D' haeger V;OlMEN J V The influence of addition elements on the early resistance changes observed during electromigration testing of A1 metal lines[外文期刊] 1998(01)3.Spolenak R;Kraft O;Arat E Effects of alloying elements onelectromigration[外文期刊] 1998(6-8)4.Huang A T;Gusak A M;Tu K N;Lai Y S Thermomigration in SnPb composite flip chip solder joints[外文期刊] 2006(141911)5.Ye H;Basaran C;Hopkins D Thermomigration in Pb-Sn sol-der joints under joule heating during electric current stressing[外文期刊] 2003(07)6.Chen C;Liang S W Electromigrafion issues in lead-free solder joints[外文期刊] 2007(1-3)7.杨卫力电失效学 20018.Young D;Christou A Failure mechanism models for electromi-grafion[外文期刊] 1994(02)9.Tu K N Recent advances on electromigration in very-large-scale-integration interconnects[外文期刊] 2003(09)10.张新平;尹立孟;于传宝电子及光子封装无铅钎料研究和应用进展[期刊论文]-材料研究学报 2008(1)11.Zhang X P;Yu C B;Shrestha S;Dom L Creep and fatigue be-haviors of the lead-flee Sn-Ag-Cu-Bi and Sn60Pb40 solder in-terconnections at elevatexd temperatures[外文期刊] 2007(08)12.Choi W J;Yeh E C C;Tu K N Mean-time-to-failure study of flip chip solder joints on Cu/Ni(V)/AI thin-film under-bump-metallization[外文期刊] 2003(09)13.Kielbasifiski K;Kalenik J;Kisiel R Investigation of electromi-gration on printed circuit boards soldered with lead-free solder 200614.Yu D Q;Jillek W;Schmitt E Electrochemical migration of lead free solder joints[外文期刊] 2006(03)15.Chuang Y C;Liu C Y Thermomigration in eutectic SnPb alloy[外文期刊] 2006(174105)16.Choi J Y;Lee S S;Paik J M;Joo Y C Electromigration be-havior of eutectic SnPb solder 200117.Huang A T;Tu K N;Lai Y S Effect of the combination of electromigration and thermomigration on phase migration and partial melting in flip chip composite SnPb solder joints[外文期刊] 2006(033512) 18.Zeng K;Tu K N Six cases of reliability study of Pb-free sol-tier joints in electronic packaging technology[外文期刊] 2002(02)19.Ye H;Basaran C;Hopkins D C Mechanical degradation of microelectronics solder joints under current stressing[外文期刊] 2003(26)20.Tu K N;Gusak A M;Li M Physics and materials challenges for lead-free solders[外文期刊] 2003(03)1.尹立孟.张新平无铅微互连焊点力学行为尺寸效应的试验及数值模拟[期刊论文]-机械工程学报 2010(2)2.杨艳.尹立孟.马骁.张新平电迁移致SnAgCu微焊点强度退化及尺寸效应研究[期刊论文]-电子元件与材料2010(2)3.任春岭.高娜燕.丁荣峥倒装焊陶瓷封装失效模式分析及失效机理研究[期刊论文]-电子与封装 2010(8)4.黎滨.杨艳.尹立孟.张新平无铅微焊点界面断裂行为的尺寸效应[期刊论文]-机械工程学报 2010(18)5.杜明星.魏克新IGBT模块故障机理及其预报方法综述[期刊论文]-世界科技研究与发展 2010(6)6.尹立孟.杨艳.刘亮岐.张新平电子封装微互连焊点力学行为的尺寸效应[期刊论文]-金属学报 2009(4)7.杜明星.魏克新IGBT模块故障机理及其预报方法综述[期刊论文]-世界科技研究与发展 2010(6)本文链接:/Periodical_dianzixb200808024.aspx。
电子封装用金属基复合材料的研究进展

U n i v e r s i t y o f S c i e n c e a n d T e c h n o l o g y B e i j i n g , B e i j i n g 1 0 0 0 8 3 P R C)
第3 1卷 第 4期 2 0 1 3年 8月
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CI ENC E J I ANGXI S
文章编号 : 1 0 0 1 —3 6 7 9 ( 2 0 1 3 ) 0 4— 0 5 0 1 — 0 7
电子 封 装 用 金 属 基 复合 材 料 的研究 进 展
芯 片集 成度 越来越 高 , 功率越 来 越大 , 对封 装材 料 的散 热要 求 也越 来 越 高 ¨ J 。同时 , 封 装 材 料 热
c hi p i n t e g r a t i o n, d e v i c e s c o o l i n g h a s be c o me a k e y f a c t o r o f r e s t r i c t i n g i t s d e v e l o p me n t . Th e de v e l o p— me n t o f p a c k a g i ng ma t e r i a l s u n d e r t a k i n g t h e t a s k o f c o o l i n g we r e r e v i e we d i n t h i s pa p e r, a n d e s p e — c i ll a y, t h e me t a l ma t ix r c o mp o s i t e ma t e r i a l s d e v e l o p e d t o me e t t h e t h e r ma l r e q ui r e me n t s o f h i g h — p o w—
功率器件芯片互连用低温烧结铜基电子浆料研究进展

收稿日期:2021-07-16通信作者:徐菊,研究员,博士,主要从事电力电子封装材料及技术的研究㊂E-mail :xuju @mail .iee .ac .cn电子元件与材料Electronic Components and Materials第41卷Vol .41第1期No .11月Jan2022年2022功率器件芯片互连用低温烧结铜基电子浆料研究进展徐恒一1,2,徐红艳2,臧丽坤1,徐㊀菊2,3(1.北京科技大学化学与生物工程学院,北京㊀100083;2.中国科学院电工研究所,北京㊀100190;3.中国科学院大学,北京㊀100049)摘㊀要:随着电力电子器件向着更高功率密度㊁更小体积和更高集成度等方向发展,特别是第三代半导体SiC 和GaN 功率芯片的应用,研究满足高功率密度㊁高工作电压㊁耐高温的功率器件封装用互连材料成为近年来的重要课题,开发低温连接㊁高温服役的高可靠性无铅互连材料具有重要意义㊂低温烧结铜基浆料具有价格低廉㊁导电导热性能好㊁抗电迁移等优点,是新型功率器件封装互连中理想的连接材料之一㊂通过结合纳米银和纳米铜浆料的优点能够获得连接稳定㊁烧结和服役性能可靠的铜基接头㊂概述了包括纳米铜银混合浆料㊁纳米铜银合金浆料以及银包铜复合浆料等铜基浆料的常见制备技术,阐释了各种浆料的烧结机理和接头性能,并对高性能铜基浆料的应用前景进行了展望㊂关键词:低温烧结;电子封装;综述;无铅互连;铜基浆料;接头性能中图分类号:TG 454文献标识码:ADOI :10.14106/j .cnki .1001-2028.2022.1489引用格式:徐恒一,徐红艳,臧丽坤,等.功率器件芯片互连用低温烧结铜基电子浆料研究进展[J ].电子元件与材料,2022,41(1):9-18.Reference format :XU Hengyi ,XU Hongyan ,ZANG Likun ,et al.Progress of copper -based paste as low -temperature sintering die attachment materials for power electronic devices [J ].Electronic Components and Materials ,2022,41(1):9-18.Progress of copper -based paste as low -temperature sintering dieattachment materials for power electronic devicesXU Hengyi 1,2,XU Hongyan 2,ZANG Likun 1,XU Ju 2,3(1.School of Chemistry and Biological Engineering,University of Science and Technology Beijing,Beijing㊀100083,China;2.Institute of Electrical Engineering,Chinese Academy of Sciences,Beijing㊀100190,China;3.University of Chinese Academy of Sciences,Beijing㊀100049,China)Abstract :With the development of power devices and the application of third -generation semiconductor materials (SiC and GaN ),the electronics device tends to be high power density ,high operating voltage and high operating temperature.As a result ,novel die attachment materials become a topic of focus ,which has low bonding or sintering temperature and high service -temperature.Novel copper -based paste is one of the ideal die attachment materials due to its low price ,excellent thermal ,electrical and mechanical performance.It includes Cu -Ag hybrid nanoparticles paste ,Cu -Ag nanoalloy paste ,and Cu @Agcomposite paste.The high -stable and reliable copper -based joint should be achieved for the application of power electronics devices.This review summarizes the current progress of the copper -based pastes ,discusses its sintering mechanism ,analyzes the performance of the copper -based joints ,and gives prospect for copper -based pastes research in the future.Keywords :low -temperature sintering ;electronic packaging ;review ;lead -free interconnection ;Cu -based paste ;joint performance电子元件与材料㊀㊀芯片互连材料在功率模块封装中有着非常重要的作用,其主要目的是实现芯片表面电极与电路衬板之间的电㊁热和机械连接,以及衬板与铜基板之间的热传递和机械连接㊂理想的芯片互连材料应具有良好的焊接性能㊁导热导电性,同时与芯片和衬板材料的热膨胀性能相匹配以及优异的连接强度㊁可靠性㊁抗疲劳和耐腐蚀性能[1-2]㊂以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体功率器件具备更高的工作温度㊁功率密度和工作电压,这对互连材料的耐温性㊁高温可靠性等综合性能提出了更高的要求,特别是针对电动汽车㊁智能电网㊁新能源等行业中碳化硅器件的应用,其封装材料和封装技术亟待革新,研究满足高功率密度和耐高温的高性能互连材料显得尤为重要㊂在功率模块封装中,传统低温合金焊料已经不能满足高工作结温的要求,RoHS对高铅合金焊料的豁免期限越来越近,耐高温无铅焊料的研发势在必行㊂现有耐高温无铅焊料替代方案在焊接性能㊁应用条件等方面还存在着一定的缺点,表1列出了各种耐高温互连材料之间的比较,其中瞬态液相扩散焊接(TLP Bonding)和纳米银或纳米铜浆料(Ag/Cu Nanoparticles Paste)是最近几年发展起来的新型互连技术,有望实现新型功率模块封装互连中对低温连接㊁高温服役的要求㊂表1㊀电力电子器件封装用互连材料比较[3-7]Tab.1㊀Comparison of interconnection materials for electronic packaging[3-7]互连材料优点缺点高铅焊料润湿性能好工艺成熟铅污染高温合金焊料服役温度较高接头连接稳定耐腐蚀性差,焊接温度高(锌基焊料)焊接性能差,价格昂贵(金基焊料)导热性能差,高脆性(铋基焊料)瞬态液相扩散焊接低温连接高温服役价格低廉与现有焊接工艺兼容接头厚度不够接头韧性不足技术不够成熟微米银焊片/浆料低温连接高温服役接头连接稳定电迁移价格昂贵需要高压长时间烧结纳米银浆料低温连接高温服役接头连接稳定电迁移价格昂贵烧结时间较长纳米铜浆料低温连接高温服役接头连接稳定价格低廉抗氧化性差热压烧结时间较长铜基浆料(纳米铜银混合浆料㊁纳米铜银合金浆料㊁银包铜浆料)低温连接高温服役接头连接稳定价格低廉工艺复杂技术不成熟㊀㊀低温烧结电子浆料主要指烧结温度在450ħ以下,将金属颗粒分散到有机载体中制备成浆料,在烧结过程中有机组分挥发或分解,金属颗粒通过固相反应烧结后可形成块体材料㊂金属纳米颗粒由于纳米尺寸效应和较高的表面能,因此能够在低温下固相反应烧结,其烧结温度能够控制在300ħ以下,并且烧结后接头的物理性能接近纯金属㊂目前在电子封装领域中研究较多的是纳米银浆料和纳米铜浆料,烧结形成的互连接头用于连接芯片和衬底或衬底与铜基板,如图1所示,能够满足新一代功率器件芯片互连中对低温连接㊁高温服役的要求㊂低温烧结电子浆料因具有烧结温度低㊁导电导热性能好㊁工作温度范围宽等优点,能够适应电力电子器件高功率㊁高集成度㊁高工作结温的工作环境㊂㊃01㊃徐恒一,等:功率器件芯片互连用低温烧结铜基电子浆料研究进展图1㊀典型功率模块封装结构Fig .1㊀The typical power module packaging structure自从20世纪80年代Schwarzbauer 将微米银浆料通过烧结完成了芯片连接后[8],电子浆料低温烧结技术便逐渐成为电子封装中的研究热点㊂将纳米银粉末应用于电子浆料中,通过低温烧结工艺实现了低温烧结㊁高温服役以及无铅化的要求㊂目前已实现商业化的纳米银浆料的烧结温度在150~300ħ,接头的剪切强度在20~50MPa ,杨氏模量为9~36GPa ㊂纳米银浆料烧结后具有优良的接头性能,且其杨氏模量较低,在器件高温工作及跌落时具有很好的应力缓冲作用,已在电子封装和功率器件互连行业有了一些应用[9-12],但是烧结银接头存在电迁移和烧结时间长的问题以及价格高等缺点,难以大规模推广㊂为了克服纳米银浆料的上述缺陷,近些年研发出了价格低廉㊁抗电迁移性能和导电导热性能优良的纳米铜浆料[13-17]㊂纳米铜浆料是以纳米铜粉作为导电相,其最大的优势是价格低,烧结层的连接强度也接近纳米银浆料的水平,有望取代贵金属浆料和高温合金焊料[18-19]㊂但是纳米铜粉易氧化的特点影响了浆料的导电性能和烧结性能,因此克服纳米铜易氧化和难以直接在空气中烧结的缺点是纳米铜浆料目前需要解决的主要问题㊂低温烧结铜基浆料主要包括纳米铜银混合浆料(Cu -Ag Hybrid Nanoparticles Paste )㊁银包铜复合浆料(Cu @Ag Composite Paste )以及纳米铜银合金浆料(Cu -Ag Nanoalloy Paste ),它们结合了纳米铜和纳米银浆料的优点,能够在一定程度上解决纳米银价格昂贵和纳米铜易氧化的应用限制,同时具备与烧结银和烧结铜相近的连接性能,已经成为功率器件封装中的研究热点㊂本文综述了各种铜基电子浆料的研究进展和接头连接性能,以期为实现耐高温电力电子器件互连材料及互连技术提供一种新的思路㊂1㊀低温烧结铜基浆料研究进展为了解决纳米铜浆料在制备和烧结过程中的氧化问题,目前主要的解决方式是在还原性气氛下烧结以及利用还原性有机载体保护[20-22],但还原性气体的通入使得过程操作困难㊁成本增加,不利于工业生产㊂同时铜的氧化也会导致烧结温度和烧结压力增加,容易对芯片造成破坏㊂目前常用的解决方式是在浆料中使用具有还原性的有机包覆剂对铜粉进行表面处理,有机包覆层在烧结过程中能够包裹在铜粉表面阻止粉末氧化;另外一种方式是将纳米银引入制备铜基电子浆料以寻求一种新的解决方案,目前纳米铜银混合浆料㊁银包铜复合浆料和纳米铜银合金浆料都能够在不同程度上解决纳米铜粉易氧化的问题,同时由于银的加入能够强化浆料的烧结性能,使其具备更优良的接头性能㊂1.1㊀纳米铜浆料中铜粉表面处理针对纳米铜浆料表面包覆技术,目前较常用的包覆剂是聚乙烯吡咯烷酮(PVP ),但是其分解温度较高,使得浆料的烧结温度大多在300ħ左右[23-24]㊂研究表明采用有机胺类化合物对铜粉进行表面处理能够形成钝化层,以阻止纳米铜粉的氧化和团聚[25],其中异丙醇胺分解温度比PVP 更低,有利于降低浆料的烧结温度㊂Li 等[26]将纳米铜粉分散到异丙醇胺㊁甲酸㊁丁醇和甲醇的溶液中获得铜浆料,其比普通纳米铜浆料抗氧化性更好,烧结后电阻率更低,烧结层的电阻率只有5mW ㊃cm ,EDX 表征表明其烧结后氧含量明显降低,说明甲酸和异丙醇胺对铜粉抗氧化起到了良好的作用㊂Mou 等[27]将纳米铜粉分散到异丙醇胺和乙二醇中制备铜浆料,在5MPa ,175~250ħ下进行烧结实验,异丙醇胺包覆在铜粉表面较好地消除和阻止了铜粉的氧化,如图2所示㊂通过XRD 表征,纳米铜中氧化亚铜的特征峰在烧结过程中逐渐消失㊂同时在200ħ的烧结温度下异丙醇胺可以从铜粉表面脱离挥发,因而明显降低了浆料的烧结温度,并且随着烧结温度的升高,接头的剪切强度由11.9MPa 提升到了36.2MPa ㊂此外,还原性气氛也有利于纳米铜浆料的烧结㊂Zuo 等[28]将具有还原性的丙三醇混合纳米铜颗粒制备浆料,通过DSC 和XRD 表征证明丙三醇能够还原铜的氧化物,实现了在空气中的无压烧结,在220ħ下烧结接头的剪切强度也超过了30MPa ㊂当前对于纳米铜浆料的研究主要集中在解决铜粉的氧化问题,需要进一步研究浆料配方㊁粉末粒度复配㊁烧结工艺等,提升纳米铜浆料的烧结接头性能和高温可靠性能[29-31]㊂㊃11㊃电子元件与材料图2㊀纳米铜浆料的烧结机理[27]Fig.2㊀The schematic diagram of sintering mechanism ofCu nanoparticles paste[27]1.2㊀纳米铜银混合浆料将一定比例的纳米铜和纳米银粉末分散到聚乙二醇㊁松油醇等有机载体中制备纳米铜银混合浆料,能够改善纳米铜易氧化的缺陷㊂张颖川等[32]制备了纳米铜银混合浆料,其抗氧化能力得到了很好的提升,经过烧结后对接头强度进行分析,剪切强度也高于纳米铜浆料,但是与纳米银浆料烧结接头的力学性能还有一定差距㊂纳米铜银混合浆料的烧结机理如图3所示,混合浆料中铜颗粒与银颗粒在界面处通过金属键形成冶金结合[33],在烧结过程中铜颗粒与银颗粒之间首先形成扩散层,相邻颗粒间通过固相扩散进而烧结形成紧密的连接,同时不同尺寸的颗粒混合烧结有助于提升烧结接头的致密度㊂在混合浆料的烧结过程中形成了铜银合金相,由于浆料中纳米银的存在更易形成烧结颈,能够改善浆料的烧结效果[34]㊂纳米铜银混合浆料存在的主要问题是颗粒在浆料中的分散性不是很好,同时很难完全解决浆料在烧结过程中纳米铜的氧化问题,还是需要在一定的保护性气氛下进行烧结㊂1.3㊀银包铜复合浆料核壳结构的银包铜粉结合了铜和银高导电性和导热性的特点,也具有抗电迁移和抗氧化的优点,其抗氧化性能比纳米铜银混合浆料更优,但是制备过程相对繁琐,主要有置换法㊁化学镀㊁热蒸发沉积和电镀法等方式[36-39]㊂哈尔滨工业大学的田艳红课题组[40]通过化学镀的方法制备了银层厚度约为7nm的银包铜粉,将其分散到一缩二乙二醇溶剂中制备银包铜复合浆料,并且具有很好的抗氧化性能,在空气环境中烧结就能获得连接致密的接头㊂使用微米或纳米级的铜颗粒表面镀覆纳米银层,其烧结层也能达到纳米银的烧结效果,图4阐释了银包铜复合浆料的烧结机理㊂在烧结过程中银镀层会随温度升高出现反润湿的现象,铜核之间接触连接并在烧结过程中形成烧结颈,使得烧结层结构更加致密,连接强度更高[41]㊂Tu等[42]通过聚焦离子束和原子探针层析技术验证了银包铜颗粒烧结过程中铜和银界面处出现了原子扩散现象,且形成了共晶结构,通过原子扩散形成的冶金结合能够获得致密的烧结层㊂图3㊀纳米铜银混合浆料烧结机理[35]Fig.3㊀The schematic diagram of sintering mechanism ofCu-Ag hybrid nanoparticles paste[35]图4㊀Cu@Ag复合浆料烧结机理[4]Fig.4㊀The schematic diagram of sintering mechanism ofCu@Ag composite paste[4]银包铜复合浆料能够一定程度解决纳米铜易氧化和银价格高的问题,但是这种方法的制备过程更为复杂,对镀银的工艺还需要进一步优化,核壳结构的银包铜粉的可控合成过程还存在许多问题,获得厚度均匀且致密的银壳是关键㊂化学镀过程中的二次成核问题也影响了银包铜粉的性能,直接置换法难以形成完整紧密的包覆层,而电化学和热蒸发沉积的方法需要外加设备㊂目前所报道的银包铜粉大多使用化学镀法制备,还需要继续完善液相还原法制备银包铜粉的反应条件以解决银层松散和壳层较薄的问题㊂1.4㊀纳米铜银合金浆料纳米铜银合金浆料中的合金粉末一般是通过共还㊃21㊃徐恒一,等:功率器件芯片互连用低温烧结铜基电子浆料研究进展原的方式,直接还原铜和银的前驱体共沉积得到纳米铜银合金粉末㊂Yan 等[43]通过多元醇法制备了铜银合金粉末,通过对不同反应时间的溶液进行透射电镜和紫外-可见光谱分析,能够推断在制备过程中首先形成银核,然后铜和银开始共同沉积,铜原子和银原子在颗粒中均匀分布形成铜银合金粉末,通过对合金粉末在空气中的热重分析表明,在350ħ的环境下其仍然有较好的抗氧化性能㊂Zhang 等[44]以葡萄糖为还原剂制备了粒径为20~50nm 的铜银合金粉末,通过在玻璃基板上烧结电极研究该浆料的抗电迁移性能,结果证实其明显优于烧结银,该核壳结构浆料也能够抑制纳米铜的氧化,通过XRD 表征180~350ħ的烧结过程,没有观察到铜的氧化物的特征峰㊂相对于铜银复合浆料,铜银合金浆料的烧结性能有了一定的提升,也能够在无保护性气氛下进行烧结,并且接头的力学性能接近烧结银㊂纳米铜银合金浆料的烧结机理如图5所示,在热压烧结的辅助下,不同粒径的颗粒重新排列有利于形成更紧密的连接㊂在烧结过程中由于颗粒表面铜原子的暴露容易产生氧化现象,铜的氧化物会阻碍烧结颈的生长,并且随着温度的升高,铜原子会从合金颗粒中部分脱离使得在烧结层内部夹杂铜的氧化物[45]㊂目前对于铜银合金浆料的烧结研究往往都是参考纳米银的烧结,对于烧结过程的扩散机理和生长机理的研究还不是很深入,并且在烧结层中存在的铜的氧化物对接头性能的影响还需进一步探究㊂图5㊀铜银合金浆料烧结机理[46]Fig .5㊀The schematic diagram of sintering mechanismof Cu -Ag nanoalloy paste [46]1.5㊀新型铜基浆料目前对于其他类型的铜基浆料的研究还处于起步阶段,主要是其制备阶段的研究,包括粉末制备和浆料配方等㊂Siah 等[47]将纳米铝和纳米铜混合到有机载体中制备了纳米铜铝混合浆料,相对于其他铜基浆料,其烧结温度更高,在380ħ下烧结30min 后形成了铜铝合金接头,其电阻率达到了21μW ㊃cm ,但是在烧结后期出现了铜的氧化现象,对于烧结接头的性能和可靠性还需要进一步研究㊂Deng 等[48]研究了石墨烯纳米铜复合浆料,通过在氧等离子体处理的石墨烯上生长纳米铜和铜氧化物颗粒制备了石墨烯纳米铜复合材料,将其混合到正丁醇和松油醇混合溶剂中制备复合浆料,在300ħ㊁5MPa 的条件下进行烧结,形成的块体材料热导率明显提升,达到了168.5W /(m ㊃K ),有望应用于新型功率器件封装中㊂目前石墨烯㊁碳纳米管㊁纳米线等新型材料有望应用于铜基浆料中制备复合材料以提升烧结接头的导热导电性等[49],纳米铜铝混合浆料㊁石墨烯纳米铜复合浆料等新型铜基浆料的研发需要综合考虑成本㊁烧结工艺㊁连接性能㊁接头可靠性等因素,还需进一步研究㊂2㊀低温烧结铜基浆料接头性能2.1㊀纳米铜银混合浆料接头性能纳米铜银混合浆料在相同的烧结条件下能够达到与纳米银浆料相当的烧结性能和连接强度,Li 等[35]所制备的纳米铜银混合浆料能够在较低的烧结压力下烧结,接头的剪切强度也超过了25MPa ,并比较了不同银含量对混合浆料烧结性能的影响,发现随着银含量的增加烧结接头表现出更好的力学性能,例如铜银摩尔比为3ʒ1时的剪切强度为14.26MPa ,在铜银摩尔比为2ʒ1时提升到了25.41MPa ,接近于烧结银的连接强度㊂Tan 等[50-52]研究了铜银混合浆料烧结接头的导热性㊁热膨胀以及连接强度等性能,混合浆料能够在300ħ左右完成烧结连接,并且铜的质量分数在20%时接头表现出较好的物理性能和致密度,其导热系数和热膨胀系数分别为159W /(m ㊃K )和13´10-6/K ,弹性模量降低到了16GPa ,并且在380ħ烧结后接头的剪切强度也能够达到40MPa ㊂同时该研究还进行了烧结接头的老化性能测试,在三次老化周期下对比了浆料与裸铜㊁镀金㊁镀银基板的结合强度,表明浆料与镀银基板的结合强度最好㊂Norasiah 等[53]研究了纳米铜银混合浆料的导电性,使用粒径为50~60nm 的铜颗粒和银颗粒混合制备浆料,通过改变烧结温度㊁铜银质量比㊁聚乙烯醇用量等条件,在340ħ下烧结后合金接头的最高电导率为3.26´105S /m ㊂但是由于纳米铜银混合浆料只能在一定程度上解决纳米铜易氧化的问题,接头的连接性能也在逐渐接近烧结银,目前所研究的纳米铜银混合浆料的烧结条件与纳米铜浆料类似,接头的剪切强度大多在20~30MPa ㊂2.2㊀银包铜复合浆料接头性能银包铜复合浆料通过表面包覆银层使其具有更优㊃31㊃电子元件与材料良的烧结性能,Michaud等[37]对纳米银浆料㊁纳米铜浆料和银包铜复合浆料进行了烧结实验的比较,发现纳米铜浆料㊁银包铜复合浆料和纳米银浆料分别在375,300和250ħ时形成连接㊂Hsiao等[54]提出了一种新型铜基浆料配方,通过化学镀的方法在铜颗粒表面沉积一层厚度约为83nm的银镀层,然后又与粒径为250nm的银粉混合,以α-松油醇为溶剂,乙基纤维素为粘结剂制备出的铜银复合浆料表现出很好的烧结性能㊂通过对比银包铜复合浆料和银浆料的烧结性能,发现其烧结接头的剪切强度优于商业纳米银浆料,在275ħ㊁10MPa条件下烧结接头的剪切强度达到了32.7MPa㊂进一步对烧结接头进行了高低温循环实验和老化实验,经过1000次循环后接头的剪切强度仅下降了6.6%,在250ħ下老化800h后接头剪切强度下降了7.9%㊂Liu等[55]对所制备的银包铜复合浆料进行了不同温度的烧结实验,并与纳米铜浆料进行了对比,通过TGA分析,纳米铜的氧化增重温度为172.8ħ,而银包铜粉的增重温度提升到了230.6ħ㊂并且银包铜复合浆料烧结后,其接头的剪切强度明显高于纳米铜浆料,如图6所示㊂通过剪切试验证明烧结接头的断裂模式为韧性断裂,随着烧结温度的提高,接头的断面中出现明显的韧窝㊂Kim等[56]研究人员使用微米级的铜粉,通过化学镀的方式制备了银包铜复合浆料,在80MPa的压力辅助下将烧结温度降低到250ħ,其烧结时间大大缩短,经过与镀银基板热压5min之后接头的剪切强度达到了68.4MPa㊂同时该课题组将平均粒径为2m m的银包铜颗粒和350nm的铜颗粒混合后制备浆料[57],在250ħ㊁10MPa的烧结条件下,接头的剪切强度超过30MPa㊂Choi等[58]研究了银包铜复合浆料烧结接头的导电性能,在氮气和空气中烧结后烧结层的电阻率分别为8.9´10-4W㊃cm和2.85´10-3W㊃cm㊂银包铜复合浆料的烧结过程类似烧结银,其接头的连接性能也更稳定,并且一些烧结银的技术也能够应用于烧结银包铜复合浆料中㊂Ji等[4]通过超声辅助烧结的方式对制备的浆料进行烧结实验,接头剪切强度超过50MPa,已经达到烧结银的水平㊂图6㊀银包铜复合浆料在不同烧结温度下接头的(a)剪切强度和(b~d)断面形貌[55]Fig.6㊀(a)Shear strength and(b-d)fracture surfaces of joints after sintering at differenttemperatures for Cu@Ag composite paste[55]2.3㊀纳米铜银合金浆料接头性能由于银的加入,纳米铜银合金浆料的烧结接头相比于纳米铜浆料具有更低的杨氏模量,能够对器件工作过程中产生的热应力起到很好的缓冲作用,其力学性能接近烧结银的水平㊂哈尔滨工业大学的李明雨课题组[59]通过铜银合金浆料的烧结实验证明了合金颗粒与铜基板通过原子扩散的形式形成了紧密连接,同时通过纳米压痕技术分析了铜银合金浆料烧结接头的弹性模量和硬度,在300ħ㊁10MPa的烧结条件下,接头的弹性模量为80~130GPa,并且比较了不同载体溶剂对接头力学性能的影响,其中以聚乙二醇作为有机溶剂配置的浆料烧结后其杨氏模量最低,剪切强度最㊃41㊃徐恒一,等:功率器件芯片互连用低温烧结铜基电子浆料研究进展高达到了50.7MPa㊂Yan等[43]所制备的铜银合金浆料在160ħ㊁5MPa条件下烧结后形成了紧密的烧结层,接头的剪切强度达33MPa,烧结界面没有明显的缺陷,通过剪切试验证明接头断裂处位于烧结层中,而不是界面连接处,能够形成稳定的连接㊂华中科技大学的陈明祥课题组[34]通过多元醇法制备了粉末平均粒径为9nm的铜银合金浆料,实现了在较低温度下的烧结,同时随着烧结温度的提高,接头的剪切强度逐渐增大,如图7所示,经过剪切实验发现接头的断裂模式为韧性断裂,其烧结层形成了稳定的连接㊂目前研究的低温烧结铜基浆料的接头性能已经达到了与纳米铜和纳米银浆料相近的水平,克服了纳米铜和纳米银浆料在烧结条件和应用上的一些局限性㊂烧结接头的剪切强度是衡量互连接头力学性能的关键指标,主要受烧结条件和浆料中金属颗粒以及基板材料种类的影响,表2列出了各种铜基浆料烧结接头的剪切强度,接头力学性能都表现出较为理想的效果㊂目前关于铜基浆料的接头性能研究主要集中在对其力学性能的研究,对于其他物理性能以及接头可靠性的研究还较少,包括其热膨胀性能㊁杨氏模量㊁导热导电性能㊁耐老化性能以及在器件应用中的高温可靠性和失效机制还有待进一步研究㊂图7㊀纳米铜银合金浆料在不同烧结温度下接头的(a)剪切强度和(b~d)断面形貌[34] Fig.7㊀(a)Shear strength and(b-d)fracture surfaces of joints after sintering at different sintering temperaturesfor Cu-Ag nanoalloy paste[34]3 总结与展望本文综述了低温烧结铜基浆料在制备㊁烧结机理及接头性能方面的研究现状及存在的问题㊂低温烧结铜基浆料具有成本低㊁抗电迁移㊁导电性能优异等优点㊂目前研究者开发了包括纳米铜银混合浆料㊁纳米铜银合金浆料和银包铜复合浆料等满足低温烧结和高温服役的低温烧结铜基浆料,能够改进纳米铜浆料易氧化和烧结工艺复杂的缺点,以及银浆料价格昂贵且接头易发生电迁移的缺陷,综合性价比优于烧结纳米银和纳米铜浆料,预期成为电力电子领域未来研究的热点㊂通过对低温烧结铜基浆料接头性能的分析,可以得到:(1)纳米铜银混合浆料中通过加入纳米银能够改善浆料的烧结效果,提升接头的连接强度,但难以完全克服铜粉氧化的问题;(2)银包铜复合浆料通过包覆银壳以解决纳米铜易氧化的问题,同时互连接头能够接近烧结银接头的连接强度;(3)纳米铜银合金浆料以合金粉末的形式能够在无还原性气氛下烧结获得连接稳定的接头㊂但是目前对低温烧结铜基浆料的综合性能及可靠性研究还不够成熟,如需在工业化中应用,还存在以下关键问题亟待突破:(1)当前铜基浆料的制备过程和烧结工艺较为复杂,应进一步深入研究铜基浆料的配方,通过不同粉末粒径复配,优化浆料的烧结工艺;㊃51㊃。
Sn—Ag—Cu无铅钎料互连焊点的电迁移研究进展

,
I 1 . C h i n a N a t i o n a l E l e c t r i c A p p a r a t u s R e s e a r c h I n s t i t u t e C o . , L t d . , G u a n g z h o u 6 1 0 3 0 0 , C h i n a ; 2 . H a r b i n I n s t i t u t e o f T e c h n o l o g y S h e n z h e n G r a d u a t e S c h o o 1 . S h e n z h e n 5 1 8 1 2 9 , C h i n中国 电器科学研究院有 限公 司,广 东 广州 5 1 0 3 0 0 ; 2 . 哈尔滨 工业 大学深圳研究生院 ,广东 深圳 ,5 1 8 1 2 9)
摘
要 :电迁移 问题作 为影 响焊点可靠性 的关键 问题之一 ,容易导致焊点 出现裂纹 、丘 凸和空洞等焊接缺
陷 。其失效机制有 电流拥 挤效应 、焦耳热效应 、极化效应和金属间化合物失效等 。聚焦s n — A g — c u 系无铅钎料焊
点的 电迁移 问题 ,介绍 了这一领域 电迁移的失效机制 、影响因素和防止措施 的研究现状 ,并展 望了今后的研究发
展趋势 。
关键 词 :S n — A g — C u 无铅钎料 ;电迁移 ;电流拥挤效应 ;焦耳热效应 ;极化效应
A b s t r a c t : A s o n e o f t h e k e y i s s u e s a f f e c t i n g t h e s o l d e r j o i n t r e l i a b i l i t y , e l e c t r o - m i g r a t i o n p r o b l e m s c a n c a u s e t h e f a l l u r e i n
电子组装用SnAgCu系无铅钎料的研究进展
电子组装用SnAgCu系无铅钎料的研究进展陈建勋;赵兴科;刘大勇;黄继华;邹旭晨【摘要】SnAgCu钎料广泛应用在电子组装领域,被认为是传统SnPb钎料的最佳替代品.但与Sn63Pb37钎料相比,SnAgCu钎料抗氧化能力差,钎料内部及焊点界面存在脆性金属间化合物块及服役期间焊点抗蠕变、疲劳性能较低.添加合金元素和纳米颗粒可以显著改善SnAgCu钎料的组织和性能,提高焊点可靠性.这对发展新型高性能无铅钎料是一个行之有效的办法.本文结合国内外SnAgCu系无铅钎料的最新研究成果,全面阐述了合金元素和纳米颗粒等因素对钎料的润湿性、抗氧化性以及焊点显微组织和可靠性的影响,指明了该钎料目前研究中存在的问题及今后的研究方向.【期刊名称】《材料工程》【年(卷),期】2013(000)009【总页数】8页(P91-98)【关键词】无铅钎料;SnAgCu系;可靠性;评述【作者】陈建勋;赵兴科;刘大勇;黄继华;邹旭晨【作者单位】北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083;北京科技大学材料科学与工程学院,北京100083【正文语种】中文【中图分类】TG454在电子元器件与基板互连中,钎料作为必需的材料起电连接和机械连接作用,因此,焊点可靠性与钎料性能的优劣紧密相关。
Sn63Pb37钎料作为互连材料已广泛应用在微电子工业中,由于铅是有毒物质,在国际立法的推动下和人类对环保意识的日益增强,电子工业实行无铅化已成为大势所趋。
在众多无铅钎料中,SnAgCu钎料以其优越的性能被认为是传统SnPb钎料的最佳替代品[1,2]。
但与Sn63Pb37钎料相比,SnAgCu钎料含Sn量较高(一般高于90%,质量分数,下同),熔点相对较高,钎焊时钎料容易被氧化,熔融钎料表面的氧化物浮渣会影响钎料的润湿性能,降低其可焊性。
先进电子封装用聚合物材料研究进展PPT课件可编辑全文
金属 氢氧化物
无卤阻燃
本征 阻燃体系
含氮 阻燃体系
含硅 阻燃体系
含磷 阻燃体系
本征阻燃性环氧塑封材料
FBE/FBN PBE/PBN
O O
F3C
FBE
玻璃化 温度
151℃
介电常数 3.8
129℃
4.2
n
吸水率 0.27 0.36
OH
F3C
FBN
650℃ 残炭in N2
55.8%
极限氧指 数
37.6
32.7%
MCM/SiP
00’s
05’s
➢ 小型化 ➢ 轻薄化 ➢ 高性能化 ➢ 多功能化 ➢ 高可靠性 ➢ 低成本
微电子封装技术-发展现状与趋势
PBGA TBGA
EBGA
QFP FPBGA
LQFP
VFBGA
BOC
mBGA
BCC
SOIC
TSOP
Current
CSP System In Package FC BGA
先进聚合物封装基板
微孔连接 微细布线 多层布线 薄型化
封装基板对材料性能的要求
高密度化
封
无铅化
装
技
术
发
展
高速高频
系统集成化
微细互联 多层化 薄型化
回流焊温度提高约30oC 液态经历时间延长 降温速率加快
高频信号 集肤效应 信号衰减
多类型系统混杂 植入无源有源器件
高韧性 高Tg 低CTE 低介电常数 低吸水率 综合性能优异
≤4.46
线宽,µm
≤17
线间距,µm
≤75/75
层数
2~3
焊间距,mm
1.27~1.00
电子封装材料的技术现状与发展趋势
MCM-D 多层基板的层间介电层膜;TFT-LCD 的平坦化(Planarization)和 分割(Isolation);芯片表面的凸点、信号分配等。 由于low k 材料的需求近 年来不断攀升,预计 BCB 树脂的市场需求将增长很快。 Dow Chemical 是目 前 BCB 树脂的主要供应商,产品牌号包括 CycloteneTM3000 系列、4000 系 列。 环氧光敏树脂具有高纵横比和优良的光敏性;典型代表为化学增幅型环氧酚 醛树脂类光刻胶,采用特殊的环氧酚醛树脂作为成膜树脂、溶剂显影和化学 增幅。由于采用环氧酚醛树脂作成膜材料,故具有优良的粘附性能,对电子 束、近紫外线及 350-400nm 紫外线敏感。环氧光敏树脂对紫外线具有低光光 学吸收的特性,即使膜厚高达 1000um,所得图形边缘仍近乎垂直,纵横比可 高达 20:1。 经热固化后,固化膜具有良好的抗蚀性,热稳定性大于 200oC, 可在高温、腐蚀性工艺中使用。 为了适应微电子封装技术第三次革命性变革的快速发展,需要系统研究其代 表性封装形式,球型阵列封装(Ball Gray Array, BGA)和芯片尺寸级封装( Chip Scale Packaging, CSP), 所需的关键性封装材料-聚合物光敏树脂,包 括聚酰亚胺光敏树脂、BCB 光敏树脂和环氧光敏树脂等。
我国 EMC 的研究始于20世纪 70 年代末,生产始于 80 年代初。从 90 年代初
到现在进入了快速发展阶段, 高性能EMC质量水平有了较大进步。但是,国产 EMC 产品在质量稳定性、粘附性、吸潮性、杂质含量、放射粒子量、以及电 性能、力学性能、耐热性能等方面还需要进一步改善,
环氧塑封料的技术发展呈现下述趋势:
3)为适应无铅焊料、绿色环保的要求,向着高耐热、无溴阻燃化方向快速发 展。
电子封装用W/Cu复合材料的特性、制备及研究进展
电子 封装 用 W/ u复合 材料 的特性 、 C 制备 及研 究进展 / 乃 良等 石
・3 1 0 ・
电子 封装 用 W/ u复 合材 料 的特 性 、 C 制备 及研 究进 展
石乃 良, 陈文革
( 西安理工大学材料科学与工程学 院 , 西安 7 0 4 ) 10 8
摘要
关 键 词
微 电子工业 的迅速发展对封装材料的综合性 能提 出了更 为严格的要 求。针 对封装材料 的发展趋 势, 阐
电子封装 W/ u C 合金 研究进展
述 了以 w/ u作为封 装材料 所应具备 的性 能要 求及其 制备技 术, C 并对其发展方 向进行 了展望 。
Cha a t r s i s , e a a i n a s a c v n e o - m p st r c e itc Pr p r to nd Re e r h Ad a c f W Cu Co o ie M a e i lf r El c r ni c g ng t r a o e t o c Pa ka i
p c a ig maei1 a k g n tr .Aco dn o ten w e eo me t f a k gn aeil h e n fc a at rsisa dp e a a c r igt h e d v lp n c a igm tr ,t ed ma d o h r ceitc n rp — o p a
S ia g,CHE W e g HINal n i N n e
( c o l fM aeil S in ea dEn ie rn Xia iest fTe h oo y S h o tras ce c n gn e ig, ’ nUnv ri o c n lg ,Xia 1 0 8 o y ’n70 4 )
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Sn-Cu-Ni系电子封装互连材料的研究进展 杨帆;张亮;刘志权;钟素娟;马佳;鲍丽 【摘 要】本文综述了近年来对Sn-Cu-Ni系无铅钎料的研究成果,着重阐述稀土元素Ce、Pr.Nd、Sm、Eu、La-Ce混合稀土以及金属Ge、Ag、Bi元素对Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性能、熔化特性、力学性能等的影响,在此过程中也指出了存在的问题并提出解决的办法.
【期刊名称】《电子元件与材料》 【年(卷),期】2016(035)012 【总页数】6页(P1-6) 【关键词】无铅钎料;稀土;综述;Sn-Cu-Ni;电子封装;互连 【作 者】杨帆;张亮;刘志权;钟素娟;马佳;鲍丽 【作者单位】江苏师范大学机电工程学院,江苏徐州 221116;江苏师范大学机电工程学院,江苏徐州 221116;中国科学院金属研究所,辽宁沈阳110016;中国科学院金属研究所,辽宁沈阳110016;郑州机械研究所新型钎焊材料与技术国家重点实验室,河南郑州 450001;郑州机械研究所新型钎焊材料与技术国家重点实验室,河南郑州 450001;郑州机械研究所新型钎焊材料与技术国家重点实验室,河南郑州 450001
【正文语种】中 文 【中图分类】TN604 传统的Sn-Pb钎料由于其具有良好的润湿性、成本低、熔点低等优点被广泛应用于电子封装领域[1-2],却因Pb元素对环境以及人体有害,在2003年欧盟就颁布了WEEE指令和ROHS指令[3-6]。现今研究的Sn基无铅钎料主要有 Sn-Ag、Sn-Ag-Cu、Sn-Zn、Sn-Cu、Sn-Bi等[7-8]。Sn-Cu钎料因其成本低廉、良好的抗热疲劳性能而被广泛使用,尤其在波峰焊情况下[9-10],其共晶熔点达到227 ℃[11],但其润湿性、力学性能不如其他无铅钎料。有研究者在 Sn-Cu钎料中添加金属Ni元素,发现Sn-Cu-Ni复合钎料性能比Sn-Cu钎料优越[12-13],为了进一步提高Sn-Cu-Ni钎料的综合性能,研究者在其中添加稀土元素。本文则着重探讨各种元素的添加对Sn-Cu-Ni系无铅钎料的润湿性能、熔化特性、显微组织、界面组织以及力学性能的影响,为后续Sn-Cu-Ni无铅钎料的研究提供理论参考。 钎料的润湿性被定义为钎料在母材上铺展的能力[14],本质上是一种冶金反应。润湿性能是评价钎料性能的一个重要指标。史益平等[15]研究稀土Ce对Sn-0.5Cu-0.05Ni钎料的性能的影响,结果发现随着Ce含量的增加,铺展面积先增大后减小,原因是添加微量的稀土元素能降低合金表面张力,但稀土活性很高,在金属表面也会发生氧化现象,添加过量势必会导致氧化,从而降低润湿性。当Ce质量分数为0.05%时,铺展面积达到最大为72.5 mm2,增长了9.5%,当Ce为质量分数0.10%时,铺展面积却下降到68.5 mm2,但还是远高于Sn-0.5Cu-0.05Ni钎料的铺展面积,说明在Ce小于质量分数0.10%时,有利于提高Sn-0.5Cu-0.05Ni钎料的润湿性。Wang等[16]分别在氮气和空气中向Sn-0.5Cu-0.05Ni钎料添加稀土元素Ce,结果发现无论在氮气还是空气中,在240℃时Ce对Sn-Cu-Ni钎料的润湿性影响最明显,当Ce为质量分数0.05%时,润湿时间最短,润湿力最大。但在其他温度下,Ce元素对Sn-Cu-Ni钎料的润湿性影响较小。还发现温度越高,润湿性越好,280℃情况下,润湿性最好。以上结果在文献[17]中也得到验证。卢斌等[18]在 Sn-0.7Cu-0.5Ni钎料中添加稀土Ce,发现当Ce为质量分数0.1%时润湿性最好,铺展面积达到最大,由56 mm2增长到65.5 mm2,增长了17.0%。 Zeng等[19]发现,Pr对 Sn-0.7Cu-0.05Ni-xPr(x=0,0.03,0.05,0.08,0.1,0.15)钎料的润湿性影响显著。在255,275,295 ℃情况下,随着Pr含量的增加,润湿力先增大后减小,都高于未添加 Pr元素之前的润湿力,而且温度越高,润湿力越大。在三种温度下,Pr元素质量分数为 0.05%时,最大润湿力为3.55 mN,润湿时间最短为0.52 s。而孟工戈等[20]分别添加质量分数 0.025%,0.05%,0.1%,0.2%稀土Sm元素在Sn-0.7Cu-0.05Ni钎料中,发现质量分数0.1%Sm元素对Sn-Cu-Ni钎料影响最大,铺展面积增大到51.84 mm2,增长了6.4%。张亮等[21]基于田口法研究了钎料组分、钎剂、基板和氛围对Sn-Cu-Ni钎料的润湿性的影响,结果4个因子的影响程度依次为钎剂、氛围、钎料组分、基板。其中在钎料组分中,当稀土Eu元素为质量分数0.04%时,Sn-Cu-Ni-0.04Eu钎料的润湿性最好,优于Sn-Cu-Ni和Sn-Cu-Ni-0.10Eu钎料的润湿性,主要因为微量的Eu元素与Sn反应,易于生成微小的稀土相颗粒,影响熔融钎料的三相平衡,从而显著提高了钎料的润湿性,但由于稀土极易氧化,过量的稀土Eu元素在熔融的钎料表面形成氧化渣,阻碍了钎料合金的流动,导致润湿性下降。 程艳奎等[22]添加 Ag元素后认为 Ag可以提高Sn-Cu-Ni钎料的润湿性,如图 1所示,在Sn-0.7Cu-0.2Ni钎料中分别添加质量分数0,0.1%,0.2%和0.3%的Ag,铺展面积一直增大,从52.5 mm2增长到58.2 mm2,面积增大了10.9%。但可以看到,一开始面积增大较慢,后来增大较快,主要因为添加Ag元素,降低钎料的起始熔化温度,减小钎料表面张力,提高了流动性,但钎料的熔程也增大,固液相共存,粘性增大,铺展率表现不明显。当继续添加Ag元素,钎料表面以及钎料与基板之间的张力下降较快,流动性增大,从而铺展率增大。易江龙等[23]在Sn-0.7Cu-0.05Ni中分别添加质量分数0.01%,0.05%,0.1%金属 Ge元素后,发现润湿力随着 Ge元素添加量的增加而变大,润湿时间减小,但一开始添加质量分数0.01% Ge元素对钎料的润湿性改善最明显,润湿力由2.8 mN增长到3.1 mN,增长了10.7%,继续添加Ge元素,润湿力增加缓慢,在Ge元素含量为质量分数 0.05%,0.1%时润湿力分别为3.12,3.16 mN。 对于钎料来说,熔化特性是一种重要的性能。传统的Sn-Pb钎料,其熔点为183 ℃,而Sn-Cu-Ni钎料合金熔点为227 ℃,远高于Sn-Pb钎料。但可以通过合金化的方法改变其熔化特性。卢斌等[18]在Sn-0.7Cu-0.5Ni钎料中添加稀土Ce元素,结果如图2所示。可以发现Ce对钎料的液相线温度影响较大,在Ce质量分数为0.1%时,影响最大,达到228.5 ℃,比添加之前的大3 ℃,熔程也增大了1.3 ℃。当Ce超过质量分数0.1%后,液相线温度开始下降到226.9℃,但固相线温度变化不是很大,从最初的221.1 ℃上升到Ce含量为质量分数0.1%时的222.8 ℃,同时在Ce为质量分数0.5%时,固相线温度也是222.8 ℃,说明稀土Ce的添加提高了Sn-0.7Cu-0.5Ni钎料的熔化温度。王俭辛等[24]研究稀土 Ce元素对Sn-0.5Cu-0.05Ni钎料熔化温度的影响,向钎料中分别添加质量分数0.03%,0.05%,0.07%,0.1%Ce元素,发现Ce元素对钎料的熔化温度影响不大。曾柄程等[25]研究Ce元素对Sn-0.6Cu- 0.05Ni-xCe(x=0.02,0.05,0.08,0.10,0.12)钎料的熔化特性的影响。结果发现随着Ce含量的增加,固液相线温度以及熔程都增长,影响明显,Ce元素添加到质量分数0.12%时,由最初的223.2,227.6,4.4 ℃分别增长到229.0,235.8,6.8 ℃。 孟工戈等[20]发现稀土 Sm(质量分数为 0,0.025%,0.05%,0.1%和 0.2%)对钎料的起止温度影响不大,而钎料的熔点从227.58 ℃减小到226.81℃ 后 又 增 大 到 227.12 ℃ , 熔 点 都 低 于Sn-0.7Cu-0.05Ni的熔点,说明稀土 Sm元素降低了钎料的熔点,并且在Sm元素为质量分数0.05%时,熔点最低。稀土Eu元素添加对Sn-Cu-Ni-xEu(x=0,0.024,0.039,0.061,0.105)钎料的熔点变化不大,随着Eu添加量增加,固液相线温度却一直上升,但增加幅度很小,分别从227.5,229.1 ℃上升到228.1,229.9 ℃[26]。周敏波等[27]在 Sn-0.7Cu-0.05Ni无铅钎料中添加混合稀土RE(主要为La和Ce元素),发现稀土稍微降低了钎料的熔化温度,而且随着RE添加量的增加,无论是在升温/冷却速率为5 ℃/min还是30 ℃/min情况下,熔化温度先减小后增大,但都小于未添加RE之前的温度,分别在RE为0.25%,0.10%时降到最低,分别为227.4,228.3 ℃。 易江龙等[23]在 Sn-0.7Cu-0.05Ni钎料中添加了Ge元素,发现分别添加质量分数 0.01%,0.05%和0.1%Ge元素对 Sn-0.7Cu-0.05Ni钎料的熔化特性影响不大,固液相线温度由最初的 228.3,230.8 ℃上升到添加质量分数0.1%Ge元素后的228.6,232.2 ℃。程艳奎等[28]在Sn-0.7Cu-0.2Ni钎料中添加Ag元素,发现Ag元素对Sn-0.7Cu-0.2Ni钎料的熔化温度影响较大,由DSC曲线看出Sn-0.7Cu-0.2Ni钎料由一个吸热峰,添加质量分数0.1%,0.2%,0.3%的微量Ag元素后,钎料都出现了2个吸热峰。Sn-0.7Cu-0.2Ni钎料熔化的初始温度为227.80 ℃,而添加微量的Ag元素后,其熔化初始温度分别为224.92,223.89,224.07℃,说明微量的Ag可以降低钎料的熔化温度。 钎料的性能主要取决于钎料的显微组织。显微组织越细越均匀,钎料的性能往往越好。卢斌等[18]在 Sn-0.7Cu-0.5Ni钎料中添加质量分数0~05%的稀土Ce元素,通过XRD谱发现在Ce添加量低于质量分数0.25%,钎料合金的微观组织主要由富Sn相、Cu6Sn5相以及Ni3Sn4相组成。而当Ce添加量超过质量分数 0.25%后,CeSn3相开始出现,图 3为Sn-0.7Cu-0.5Ni-xCe钎料的微观组织,可以看到随着稀土Ce添加量的增加,钎料合金组织逐渐被细化。Wang等[16]在 Sn-0.5Cu-0.05Ni无铅钎料中添加质量分数 0.05%稀土 Ce,发现 Ce元素聚集在Sn-0.5Cu-0.05Ni钎料组织的晶界处,降低了其表面能,同时细化了晶粒尺寸。马超力等[30]发现Ce含量增加,钎料的显微组织得到细化,而且晶粒尺寸变小,当Ce元素添加量为质量分数0.05%时,钎料的组织细化最好,晶粒尺寸也最小。 在Sn-0.7Cu-0.05Ni钎料中添加稀土Pr元素后,Zeng等[19]发现稀土Pr元素对