图像传感器检测系统
图像传感器的最新技术和发展趋势
图像传感器的最新技术和发展趋势关键字：图像传感器 CMOS不管是最新的手机还是大型天文望远镜，固态成像器件几乎能满足目前所有图像捕获的需求。
像素变小能使现有的VGA和数百万像素传感器尺寸减小，但是具有数千万像素的大型静态传感器更容易制造。
在最近几年中，基于CMOS技术的图像传感器已成为消费类产品的选用技术。
在分辨率为VGA到800万像素的成像器件中，它们比电荷耦合器件(CCD)传感器具有更高的成本和性能优势。
不过，在800万像素以上的市场中，CCD仍占绝对优势，因为CCD的噪声更低，灵敏度更高。
CCD传感器在工业和医疗应用中也占据着统治地位，因为这些领域追求的是高帧速率，而不是高分辨率。
芯片架构范围从数千像素的简单线性阵列到数百万像素阵列。
Fairchild Imaging、Fraunhofer-IMS、Hamamatsu、柯达和Saroff Labs都能提供满足这一市场需求的解决方案。
CMOS传感器利用CMOS技术的工艺扩展性能，以及图像处理器和模数转换器(ADC)等更强的集成逻辑功能，来实现一套完整的“片上相机”解决方案。
由于CMOS传感器的像素尺寸已经减小到每边小于3um，因此设计工程师可以在与上一代VGA传感器相同的芯片面积上，设计出更小的VGA分辨率传感器或具有数百万像素的传感器。
在800万像素以上的市场中，CCD仍占绝对优势，因为CCD的噪声更低，灵敏度更高。
另外，在未来几年中，汽车安全应用将开始消费数量巨大的低成本成像器件。
辅助照相机、驾驶员打瞌睡警报、安全气囊及其它应用都将利用图像数据，来更好地保护驾驶员。
光刻和像素设计的进一步发展将提供更好的可扩展性，使设计工程师能设计出具有更高分辨率的器件。
关键挑战在于在光源捕获面积缩小的同时保持像素单元的灵敏度。
此外，如果捕获到的光能量较低，则必须降低背景噪声，以有效保持足够的信噪比。
因此，工艺开发人员必须重点减少半导体材料中固有的热噪声和其它噪声源，以有效提高信噪比。
动车组车辆故障动态图像检测系统（TEDS）
动车组车辆故障动态图像检测系统(TEDS)2019-10-24摘要：本⽂介绍TEDS（动车组运⾏故障图像检测系统）系统的基本情况，从系统简介、系统结构、⼯作流程、运⾏特点等⼏⽅⾯，阐述TEDS系统是如何提⾼动车组运⾏过程中的⾏车安全。
关键词：TEDS系统简介；系统结构；⼯作流程；图像分析⼀、今天飞奔在中国⼴袤⼤地上的⾼速列车标志着中国铁路已跨⼊世界铁路先进⾏列但是我们须时刻保持警惕，勿忘安全，在⾼速运⾏状态下的动车组任何⼀个细⼩、细微的故障都可能引发重⼤事故，传统的以⼈为主的检查作业⽅式容易造成漏检，检车作业质量和效率难以得到保证，增加了发⽣动车组运⾏安全隐患的概率。
因此，提⾼动车组检查作业质量的监控⾄关重要。
⽬前动车组检查作业⾯临⼏⼤困难：1、客列检检车作业范围不包括动车组，动车组运⽤安全⽆法得到有效保障2、动车组结构复杂，⼊库检查的零部件多，易造成漏3、动车组作业质量监控难动车⼊库检修较难发现在运⾏中才能体现出来的隐性故障⼆、TEDS系统概况、组成及⼯作流程（⼀）TEDS系统简介动车组运⾏故障动态图像检测系统（简称TEDS）利⽤轨边安装的⾼速⾯阵相机和⾼速线阵相机，采集动车组车体底部、车体两侧裙板、车辆连接装置、转向架等可视部位图像，采⽤⾃动识别技术识别车体故障，实现故障的分级报警，同时图像通过⽹络实时传输⾄室内监测终端，由⼈⼯对异常报警进⾏确认和故障提交，以提⾼动车所作业质量和作业效率，加强动车检修运⽤中隐性故障的发现能⼒，并提供故障基础信息的收集、分析和管理功能。
（⼆）TEDS系统组成1、轨边探测设备。
包括沉箱、侧箱、补偿光源、相机采集模块、车轮传感器、吹风除尘装置、电缆、光纤等。
2、探测站设备。
包括动车组车辆信息采集、图像信息采集、数据传输、控制箱、系统⾃检、监控和防雷设备等3、监测站。
包括数据存储、图像处理传输、图像分析识别服务器、集中复⽰中央服务器和⽹络设备、报警终端、打印机、防雷设备等。
CMOS图像传感器
CCD图像传感器
CMOS图像传感器
互补金属氧化物半导体图像传感器 CMOS—Complementary Metal Oxide Semiconductor
CMOS图像传感器,它是一种用传统的芯片工艺方法将光敏元件、 放大器、A/D转换器、存储器、数字信号处理器和计算机接口 电路等集成在一块硅片上的图像传感器件。
c.借鉴 CCD 图像传感器的制备技术，采用相关双 取样电路技术和微透镜阵列技术
d.光敏二极管设计成针形结构或掩埋形结。 e.提高CMOS图像传感器的制作工艺
3、填充系数
CMOS 图像传感器的填充系数一般在 20%~30%之 间，而 CCD 图像传感器则高达 80%以上，这主要是 由于 CMOS 图像传感器的像素中集成了读出电路。 采用微透镜阵列结构，在整个 CMOS 有源像素传感
像素总数是指所有像素的总和，像素总数是衡量 CMOS图像传感器的主要技术指标之一。CMOS图像
传感器的总体像素中被用来进行有效的光电转换并输 出图像信号的像素为有效像素。显而易见,有效像素
总数隶属于像素总数集合。有效像素数目直接决定了 CMOS图像传感器的分辨能力。
3、动态范围
动态范围由CMOS图像传感器的信号处理能力和噪 声决定,反映了CMOS图像传感器的工作范围。参照 CCD的动态范围,其数值是输出端的信号峰值电压与 均方根噪声电压之比,通常用DB表示。
抗辐射性
CCD的光电转换，电荷的激发的量子效应易受辐射 线的影响。CMOS光电转换只由光电二极管或光栅 构成，抗辐射能力较强。
Micron(Aptina Imaging)
Aptina成像公司是CMOS成像解决方案的全球性提供商，
其不断扩大的产品组合被用于所有领先的移动电话和笔 记本电脑品牌。Aptina还提供范围广泛的产品，用于数
CCD图像传感器 ppt课件
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(a)初始状态； (b)电荷由①电极向电极②转移； (c)电荷在①②电极下均匀分 布；(d)电荷继续由①电极向②电极转移；(e)电荷完全转移到②电极； (f)三相 转移脉冲
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图中CCD的四个电极彼此靠的很近。假定一开始在 偏压为10V的(1)电极下面的深势阱中，其他电极 加有大于阈值的较低的电压(例如2V)，如图(a)所 示。一定时刻后，(2)电极由2V变为10V，其余电 极保持不变，如图(b)。因为(1)和(2)电极靠的很 近(间隔只有几微米)，它们各自的对应势阱将合 并在一起，原来在(1)下的电荷变为(1)和(2)两个 电极共有，图(C)示。此后，改变(1)电极上10V电 压为2 V，(2)电极上10V不变，如图(d)示，电荷 将转移到(2)电极下的势阱中。由此实现了深势阱 及电荷包向右转移了一个位置。
输出 4电荷检测
CCD传感器
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CCD结构类型
按照像素排列方式的不同，可以将CCD分为线阵 和面阵两大类。
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目前，实用的线型CCD图像传感器为双行结构，如 图（b）所示。单、双数光敏元件中的信号电荷分别转 移到上、下方的移位寄存器中，然后，在控制脉冲的作 用下，自左向右移动，在输出端交替合并输出，这样就 形成了原来光敏信号电荷的顺序。
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信号电荷的存储（示意图）
UG < Uth 时
+UG
UG > Uth 时
+UG
入射光
e-
e-
e-
e-
e-
+Uth
e- 势阱
ccd图像传感器基础知识精讲【可编辑的PPT文档】
★LK-G系列CCD激光位移传感器
❖ 产品特性
全新开发的Li-CCD （直线性CCD）高精度 Ernostar 物镜以及其它独一无二的先进技术。 KEYENCE 进一步改进了成熟的LK系列的CCD传感 器工艺并开发了包括Li-CCD 和高精度Ernostar 物 镜在内的全新技术。
如图所示
Li-CCD减少了像素边缘错误，精确度是传统型号
ＣＣＤ传感器有以下优点：
❖ 1. 高解析度（High Resolution）：像点的大小为 μm级，可感测及识别精细物体，提高影像品质。从 早期1寸、1/2寸、2/3寸、1/4寸到最近推出的1/9寸， 像素数目从初期的10多万增加到现在的400～500万 像素；
❖ 2. 低杂讯（Low Noise）高敏感度：ＣＣＤ具有很 低的读出杂讯和暗电流杂讯，因此提高了信噪比 （SNR），同时又具高敏感度，很低光度的入射光 也能侦测到，其讯号不会被掩盖，使ＣＣＤ的应用 较不受天候拘束；
IL-PI4096具体应用
❖ IL-P1-4096的精度高、感光响应快，在工业控制 和测量领域（如流水线产品检测、分类，文字与图 像的识别，机械产品尺寸非接触测量等），该器件 具有很强的实用性。
❖ IL-PI4096的工作频率要求很高、相位关系复杂， 使用高速CPLD作为CCD的基本时序发生器。推荐 设计时可使用Lattic公司的 ispMACH4000C/B/V系 列芯片，该芯片的工作时钟可以达到400MHz，完 全可以满足此CCD的工作时序要求。
需要注意的是，IL -P1-4096传感器是两路输出， 奇像素和偶像素分别从不同的输出通道输出，是一 种双排的线列阵CCD，光敏单元在中间，奇、偶单 元的信号电荷分别传到上下两列移位寄存器后分两 路串行输出。这种CCD的优点是具有较高的封装密 度，转移次数减少一半，因而可提高转移效率，改 善图像传感器的信号质量。
aoi光源原理
aoi光源原理
AOI（Automated Optical Inspection）是一种自动光学检测技术，广泛应用于电子制造业，尤其是PCB（Printed Circuit Board，印刷电路板）的生产过程中。
AOI光源原理涉及到光学成像、图像处理和算法识别等方面。
以下是AOI光源原理的基本概述：
1. 光源选择：
- AOI系统通常使用多种不同类型的光源，包括白光、红外光、紫外光等，以便在不同的检测场景下获取合适的成像效果。
-白光光源通常用于一般检测，红外光源可以用于检测透明材料或检测表面反光较强的物体，紫外光源可以用于检测荧光标记或特定化学成分。
2. 光学成像：
- AOI系统通过光学成像技术获取被检测物体的图像。
光学系统通常包括镜头、光学滤波器和图像传感器等组件。
-镜头用于对被检测物体进行成像，光学滤波器可以调整光源的频谱分布，图像传感器用于将光学信号转换为数字图像。
3. 图像处理：
-获取到的图像经过数字化处理，包括去噪、增强、滤波等操作，以提高图像质量和清晰度。
-图像处理还可能包括几何校正、颜色校正等操作，以确保获取到的图像符合检测算法的要求。
4. 算法识别：
- AOI系统通常使用图像处理和机器学习算法来识别图像中的缺陷、错误或异常。
-这些算法可以识别PCB上的焊接问题、元件缺失、短路、开路等问题，并生成相应的检测报告或警告。
总的来说，AOI光源原理涉及到光学成像、图像处理和算法识别等多个方面，通过合理的光源选择、光学成像和图像处理，结合高效的算法识别，实现对被检测物体的自动光学检测。
aoi自动光学检测机工作原理
aoi自动光学检测机工作原理标题：重新阐述AOI自动光学检测机的工作原理引言：自动光学检测机（AOI）是一种利用光学技术对电子产品进行自动检测和分析的设备。
AOI在电子制造业中扮演着重要的角色，帮助生产线提高效率、降低成本，并改善产品质量。
本文将重新表述AOI自动光学检测机的工作原理，以帮助读者更好地理解和应用这一技术。
第一部分：基本原理和组成在AOI自动光学检测机中，光学系统起着核心作用。
它由光源、镜头和图像传感器组成。
光源发出光线，经过镜头聚焦，然后由图像传感器捕捉到被检测物体的图像。
通过图像处理和分析，AOI能够识别和检测电子产品上的缺陷、错误和损坏。
第二部分：图像处理和分析通过图像处理和分析是AOI自动光学检测机实现功能的关键步骤。
首先，原始图像经过预处理，如去噪和增强，以获得更清晰、更准确的图像。
然后，根据预先设定的检测算法和参数，系统分析图像中的各种特征，并与设定的标准进行比较。
例如，AOI可以识别焊点、元件的位置和极性，以及电路板上的短路和断路等问题。
第三部分：检测结果和反馈一旦AOI完成图像处理和分析，它会生成检测结果并进行分类。
根据预设的标准，AOI会将被检测物体判定为“良品”或“不良品”。
对于不良品，AOI通常会生成详细的报告和图像，以辅助人工检查和修复。
此外，AOI还可以将检测结果反馈给生产线，以帮助改善和优化生产过程，并及时调整参数以提高产品质量。
结论：AOI自动光学检测机是电子制造业中一项重要的质量控制技术。
通过光学系统、图像处理和分析，它能够快速、准确地检测电子产品中的缺陷和问题。
更深入地理解AOI自动光学检测机的工作原理，有助于我们在实践中更好地运用这一技术，提高产品质量和生产效率。
观点和理解：经过对AOI自动光学检测机工作原理的重新表述，我对其价值和应用有了更深入的理解。
AOI在电子制造业中的作用不仅仅是提高产品质量，还可以降低成本和改善生产效率。
它的自动化特性和高度精准的检测能力使其成为电子制造业中不可或缺的一环。
CCD图像传感器
CCD系统信噪比
信噪比（ Signal to Noise Ratio ）
-衡量信号及噪音的关系
-表征检测的限度（灵敏度）
噪音常常表现在电子元件 传输或接收信号的时候
CCD像素指标-填充因子
填充因子（ Fill Factor ）-CCD实际感光面积占像素 面积的比值
理想值-100% 实际值-30%（隔行传 输式CCD） 通过微型镜头 （Microlenses）改善 （但微型镜头的应用 会影响紫外光的检测） 填充因子是影响灵敏 度的一个因数
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• （3）PC camera到21世纪初叶，随着 电脑网络系统的发展，PC Camera作为 电脑前端和图像输入系统， CCD 摄像机 将以不可阻挡的发展势头深入到各种电 脑应用的方方面面，也会很快进入家庭。 借助电脑网络，实现音、视频同步远程 通讯。预计到 2000 年，我国 PC 机年销 量将为 1056 万台，仅按计算机配套率 20% 估算， PC camera 的需求量将为 211.2万台。
• （4）Door phone随着住宅商品化，各 种现代化住宅楼像雨后春笋般拨地而起， 民用住宅的安全防范已提到日程上来， 许多住宅可在室内及时地看到来访客人 的实时图像和室外局部区域的情况，也 为防范坏人入室作案起到有效的监控作 用。
• （5）Scanner由于计算机网络的普及， 所以为了提高各种资料、文字的输入速 度，可采用各种扫描仪，读取经过文字 识别的资料，可将读入的文字资料转换 成文件存入计算机进行编辑，以便在网 络上交流。按 PC 机配套率 10% 计算， 可需线阵和面阵 CCD 传感器 105.6 万台。
• 式中， εox为 SiOz的介电常数。
2． VG ＞0的多数载流子耗尽状态
当在栅电极上加上 VG ＞0的小电压时， P型衬底中的空穴 从界面处被排斥到衬底的另一侧，在 Si表面处留下一层离化 的受主离子，这种状态称为多数载流子“耗尽状态”。这种 情况相当于 MOS电容器充负电。可将空间电荷区中的负电 荷密度写为
图像传感器检测系统
固体图像传感器检测技木
电荷耦合器件
• 电荷耦合器件(charge—Coupled Devices) 简称 CCD，是1970年由美国贝尔实验室 首先研制出来的新型固体器件。作为 MOS技术的延伸而产生的一种半导体器 件。
• CCD作为一种多功能器件，有三大应用 领域：摄像、信号处理和存贮。特别是 在摄像领域，作为二维传感器件， CCD 与真空摄像器件相比，具有无灼伤，无 滞后，体积小，低功耗、低价格、长寿 命等优点。
该式也表明在一定温度下， NA越大，则 xdmax越小。聚集在反型层中的电子由耗 尽层中的热激发产生的电子—空穴对供 给。由于这种机构产生比较缓慢，即使 在直流电压上叠加上小的交流电压，反 型层的电子数也不能响应这种交流变化。 所以在强反型状态下，耗尽层达到最大 宽度 xdmax而且不随 VG而变化， MOS电 容将达到极小值并大致保持恒定。
当栅电压有微小变化 Δ VG时，有
• 栅电极中的电荷量与硅中的电荷量大小 相等，符号相反。若 Δ VG引起电极上电 荷量的变化为ΔQ，则
写成电容形式，即有
(13一16)
式中， 为耗尽层电容。从上述各式可 得到栅电容与栅电压 VG的函数关系如下
(13一17)
• 表面势的概念对理解电荷耦合器件工作 原理是很重要的，由
• 半导体作为底电极，称为“衬底”。衬底分为 P型硅衬底和 N型硅衬底，它对应不同的沟道 形式，由于电子迁移率高，所以，大多数 CCD选用 P型硅衬底。下面以 P型硅衬底 MOS电容器为参照进行说明。
•
MOS电容器的状态是随栅极电压 VG的变化而不同的。在 VG为零时， Si表面没有电场的作用，其载流子浓度与体内一 样。 Si本身呈电中性，电子能量从体内到表面都相等，所以 能带是平坦的，不存在表面空间电荷区。这种状态称为 “平带状态”。
但由于是 P型村底，故 ND≈0；在耗尽时，空间 电荷区中p(x)<<NA, 空间电荷区中的电子浓度 n(x)<<NA,所以，在耗尽近似下，上式可简化 为
该充电区域(空间电荷区)称为耗尽层。此时表面势 VS＞0，则 -e VS＜0，表面处能带向下弯曲，如图所示。由于能带弯曲，越 接近表面，费米能级 EFS与价带顶E+的间隔越大，构成空穴 势垒，表面处空穴浓度比体内少，甚至于完全没有空穴，即 多子从表面耗尽。
1 CCD的物理基础
• CCD是基于 MOS(金属—氧化物—半导 体)电容器在非稳态下工作的一种器件。 因此，必须了解 MOS电容器的稳态和非 稳器
• (一)理想 MOS系统
•
MOS结构如图13—l所示。在硅片上，生长一层 SiO2层 F， 厚度为dox 再蒸镀上一层金属铝作为栅电极。硅下端制成欧 姆接触，便构成一个 MOS二极管或 MOS电容器。VG为加 在栅电极上的偏压，当栅电极对地为正时，则 VG为正；反 之， VG为负。
CCD摄像机应用领域的发展趋势 • 1、CCD摄像机的应用领域 • CCD摄像机应用领域在不断的扩展， 应用技术的深化又促进 CCD 摄像机的多 样化产品的生产。 • 总 体 有 MOBILE 、 PUBLIC 、 HOME 三 个方面，其中有：
• （ 1 ） Camcorder 摄录一体化 CCD 摄像 机。从中国电子工业部市场预测数据获 悉，2000年需求量可达150万台。 • （2）TV phone据资料介绍，有些移动 电话公司正在研发可带视频图像摄入和 显示的手机即大哥大。
图像传感器实际上只能记录光线的灰 度，也就是说，它能记录光线的强弱， 但却没有办法分辨颜色，而我们最需要 的却是光线的颜色。目前CCD主要的解 决方式是在每一个光电二极管上都采用 了滤光器，使对应的光电二极管只能记 录相应单色光。
•
各种单色分别被相邻的光电二极管记 录下来，生成的图像颜色是分离的，最 后还需要通过一些处理过程把这些数值 合成为彩色的图像。数码相机里面，这 个处理过程称之为插值。通常的做法是 计算1个像素周围8个像素的颜色值，然 后根据它自身所记录的颜色值，结合计 算出最终像素的混合颜色值。
• （8）Vehicle Camera在各种车辆中加 装 CCD 摄像机可以使驾驶人员借助车内 CCD 摄像机、车上的后视镜系统和驾驶 员前面的显示器，不仅可随时看到车内 的情况，而且可在倒车时观察后面的道 路情况，在向前行进过程中也能随时看 到后方车辆所保持的距离，提高了行车 安全。
• （ 9 ） Closed Circuit Television （ CCTV ） CCTV 是近几年被大家广泛注 意的电视监控系统，目前，已发展成为 一种新的产业。以 CCD 摄像机为主要前 端传感器，带动了一系列各种配套的主 机和配套设备以及传输设备的研制和生 产企业。
可知，在一定的掺杂浓度下，表面势 VS 与栅极偏压VG有关，因为 xd与 VG有关。
3． VG＞Vth＞0的反型状态
在上述基础上正电压 VG进一多增加，表面处能带相 对体内进一步向下弯曲，当 VG超过某一阈值时，将 使得表面处禁带中央能级Ei降到EFS以下，导带底E离费米能级置EFS ，更近一些。这表明表面处电子浓 度超过空穴浓度，已由 P型变为 N型。这种情况称之 为“反型状态”。而从图中还可看出，反型层到半导 体内部之间还夹有一层耗尽层。
当在栅极加上电压，即 VG不为零时， Si表面的电荷 和电势分布可通过求解下面的泊松方程式得到：
式中，ρ为电荷密度； ε为硅的介电常数。下面分三 种情况讨论：
1． VG ＜0的多数载流子积累状态
当在金属栅极上加上直流负偏压，即 VG ＜0时，电场使 Si内 一部分可移动空穴集中到 Si—SiOz界面，在 Si表面形成多 数载流子积累层。这种状态称为“积累状态”。当达到热 平衡时， VG的一部分降落在 SiOz层内，其余部分将作用于 半导体表面而引起表面势Vs。由于Vs ＜0，则-eVs ＞0，表 面处能带向上弯曲，从而导致表面附近的价带中比体内有 更多的空穴，使表面呈现强 P型。
耗尽层中的电势分布可通过求解泊松方程得出，即
用 x＝xd处，V＝0, 即体内电势为零，及dV/dx＝0的边界 条件求解上式，得
式中，xd为耗尽层厚度，坐标原点取在 Si—SiO2界面上。
当 x＝0时，表面势如下
由此可求得耗尽层厚度为
空间电荷区内单位面积的电荷量为
界面处的电场为
栅电压 VG为 SiO2中的电压降和表面势之和
• 为了保持 MOS系统的电中性条件，金属栅极上的负电 荷与半导体积累层中的正电荷正好相互补偿。但金属的 费米能级与半导体的费米能级并不 相等，即EFM ≠EFS ， 其差值正好是 VG与电子电荷的乘积。若此时在 VG上叠 加交流小信号时，积累在界面处的空穴数将相应于交流 信号的变化而变化。
交流响应的时间为 τ＝ρε。ε，这里ρ是硅 电阻率。硅的响应时间 τ约为10-12S所以， 积累状态下可将半导体衬底同金属板一 样对待，则每单位栅面积下的 MOS电容 为
• （ 11 ） Personal Data Assistant （ PDA ）个人数据秘书系统是一种体积 小于笔记本的电脑，是功能齐全的计算 机系统，可以完成多种数据管理功能， 并可借助移动电话上的 Internet 网进行 远程传送资料、发传真等。
• （ 12）Digital Signal Camera（ DSC） 数码照相机是近两三年投放市场的一种 新型照相机。由 CCD 传感器采集的图像 信号经过数字处理后，可被记录在磁卡 上，由计算机读取磁卡上的图像数据再 现出图像，并可借助各种图像处理软件 进行图像编辑和图像处理。
反型状态可分为弱反型和强反型两种情况。 当表面势 VS增加到正好等于体内费米势 φF 时，
在表面EF达到Ei，表明表面处电子浓度开 始超过空穴浓度。这种情况称为“弱反 型”。
所谓强反型状态定义为表面处反型载流子浓度ns 已达到体内多数载流子p0的浓度，即ns >p0 表面处电子浓度可写为
式中， no和p0分别为 p型半导体内热平衡 时的电子浓度和空穴浓度。
• 在 MOS结构中，表面出现强反型状态 时对应的外加偏压 VG称为阈值电压(又 叫开启电压)，常用 Vth表示。
• 从图中的能带看到，对表面反型层的电子来说，
一边是 SiO2绝缘层，它的导带比半导体高许多。 另一边是弯曲的导带形成的一个陡坡，其代表 由空间电荷区电场形成的势垒。
• 广播级电视摄像机中， CCD摄像机可与 真空器件摄像机“平分秋色”。而在闭 路电视、家庭用摄像方面， CCD摄像机 则呈现出“一统天下”的趋势。 • 在工业、军事和科学研究等领域中的应 用，如方位测量、遥感遥测、图像制导， 图像识别等方面更呈现出其高分辫力， 高准确度，高可靠性等突出优点。