整流桥堆全桥的性能好坏检测方法
常用桥堆外形、内部原理及规格
常用桥堆外形、内部原理及规格
江苏省泗阳县李口中学沈正中
桥堆（整流桥）是由两个或四个二极管组成的整流器件。
桥堆有半桥和全
桥两种，半桥又有正半桥和负半桥两种，
一个正半桥和一个负半桥就可以组成
一个全桥，如下图1。
堆桥的文字符号
用UR表示。
大功率桥堆要加散热板。
外形有扁形、圆形、方形、板凳形（分
直插与贴片）等，如图2、图3。
一般整流桥命名中有3个数字，第一
个数字代表额定电流A，后两个数字代表
额电压(数字×100 V)。
如：KBL407即为4A700V，KBPC5010即50A1000V （005、01、02、04、06、08、10分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。
常见外形及内部结构如下：
桥堆品种很多，性能优良，整流效率高，稳定性好，最大整流电流从0.5A 到50A，最高反向峰值电压从50V到1000V。
常见有以下一些规格（另外，对于电磁炉有专用的扁桥单相硅桥RS2006M-600V20A）：。
测量IGBT的办法
检测尽缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法1、判定极性首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表丈量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判定此极为栅极（G）。
其余两极再用万用表丈量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后丈量阻值较小。
在丈量阻值较小的一次中，则判定红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判定好坏将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判定IGBT是好的。
3、任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
留意判定IGBT好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT导通，而无法判定IGBT的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
变频器功能参数很多，一般都有数十甚至上百个参数供用户选择。
实际应用中，没必要对每一参数都进行设置和调试，多数只要采用出厂设定值即可。
但有些参数由于和实际使用情况有很大关系，且有的还相互关联，因此要根据实际进行设定和调试。
因各类型变频器功能有差异，而相同功能参数的名称也不一致，为叙述方便，本文以富士变频器基本参数名称为例。
由于基本参数是各类型变频器几乎都有的，完全可以做到触类旁通。
整流桥和逆变桥的测量搞变频器维修与维护的，或是厂家使用变频器的维护电工。
变频器的最基本原理知识是必备的。
这样搞维修的学徒不至于事事问师傅。
变频器使用者在变频器出现一些故障后自己也可以初步判断一下故障原因，维修费用自然心里也比较有底。
如何用万用表检测各种二极管好坏
一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
来源:输配电设备网3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
（二）稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。
整流桥工作原理
整流桥工作原理电子元器件具整流桥整流桥－整流桥－桥式整流工作原理整流桥－桥式整流工作原理(2009-10-12 13:24:27) 分类：电子元器件整流桥－桥式整流工作原理整流桥有多种方法可以用整流二极管将交流电转换为直流电，包括半波整流、全波整流以及桥式整流等。
整流桥，就是将桥式整流的四个二极管封装在一起，只引出四个引脚。
四个引脚中，两个直流输出端标有＋或－，两个交流输入端有～标记。
应用整流桥到电路中，主要考虑它的最大工作电流和最大反向电压。
图一整流桥（桥式整流）工作原理图二各类整流桥（有些整流桥上有一个孔，是加装散热器用的）这款电源的整流桥部分采用了一体式的整流桥，整流桥的作用就是能够通过二极管的单向导通的特性将电平在零点上下浮动的交流电转换为单向的直流电，通常电源中采用的整流桥除了这种单颗集成式的还有采用四颗二极管实现的，它们的原理完全相同作用就是整流，把交流电变为直流电。
实质上就是把 4 个硅二极管接成桥式整流电路之后封装在一起用塑料包装起来，引出 4 个脚，其中 2 个脚接交流电源，用~~符号表示，2 个脚是直流输出，用+ -表示。
特点是方便小巧。
不占地方。
规格型号一般直接用参数表示：50 伏 1 安，100 伏 5 安等等。
如果你要使用整流桥，选择的时候留点余量，例如要做 12 伏2 安培输出的整流电源，就可以选择 25 伏 5 安培的桥。
选择整流桥要考虑整流电路和工作电压. 整流桥堆整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。
全桥是由 4 只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，图是其外形。
全桥的正向电流有 0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A 等多种规格，耐压值（最高反向电压）有 25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V 等多种规格。
常用的国产全桥有佑风 YF 系列，进口全桥有 ST、IR 等。
整流桥的型号及参数
整流桥就是将整流管封在一个壳内了。
分全桥和半桥。
全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。
半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路，选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。
1.整流桥的型号及参数常用的整流桥极其参数参数共四项从左到右依次为产品型号峰值反压VRRM（V）平均电流（A）正向压降（V）封装常用的整流桥极其参数参数共四项从左到右依次为MB1S 100 0.5 1.1 MDIMB6S 600 0.5 1.1 MDIDF02 200 1 1.1 DIPDF06 600 1 1.1 DIPDF06S 600 1 1.1 DIP-SDF1506 600 1 1.1 DIPRB155 600 1.5 1.1 WOBRB156 800 1.5 1.1 WOBKBP06 600 1.5 1.1 KBP2W06 600 2 1.1 WOBKBPC108 800 3 1.1 KBPC1BR36 600 3 1.1 BR3KBL02 200 4 1.1 KBLKBL08 800 4 1.1 KBLKBL06 600 4 1.1 KBLRS502 200 5 1.1 RS5RS506 600 5 1.1 RS5KBL602 200 6 1.1 KBL KBL606 600 6 1.1 KBL KBJ606 600 6 1.1 KBJ KBPC602 200 6 1.1 KBPC6 KBPC606 600 6 1.1 KBPC KBJ802 200 8 1.1 KBJ KBJ806 600 8 1.1 KBJRS802 200 8 1.1 KBURS806 600 8 1.1 KBU KBPC802 200 8 1.1 KBPC8 KBPC806 600 8 1.1 KBPC8 KBU1002 200 10 1.1 KBU KBU1006 600 10 1.1 KBU KBJ1002 200 10 1.1 KBJ KBJ1006 600 10 1.1 KBJ BR102 200 10 1.1 BR10 KBU1502 200 15 1.0 KBU KBU1506 600 15 1.0 KBU KBJ1502 200 15 1.0 KBJ KBJ1506 600 15 1.0 KBJKBJ2502 200 25 1.0 KBJBJ2506 600 25 1.0 KBJKBU2502 200 25 1.0 KBU KBU2506 600 25 1.0 KBU KBPC2502 200 25 1.0 KBPC KBPC2506 600 25 1.0 KBPC KBPC2510 1000 25 1.0 KBPC KBPC3502 200 35 1.1 KBPC KBPC3510 1000 35 1.1 KBPC KBPC5002 200 50 1.0 KBPC KBPC5010 1000 50 1.0 KBPC2.整流桥的作用整流桥的作用是将交流电转换为直流电。
如何用万用表检测各种二极管好坏
一）普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
来源:输配电设备网3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
如图4-71所示，摇动兆欧表手柄（应由慢逐渐加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
（二）稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。
检测电容器好坏的几种常见方法
检测电容器好坏的几种常见方法要检测电容器的好坏，可以使用以下几种常见的方法：1.观察外观首先，检查电容器的外观。
如果电容器外观有破损、气泡、霉变等异常现象，可能意味着电容器已损坏。
此外，还要注意观察电容器引线的焊点是否完好，是否有松动或脱落的情况。
2.多用万用表使用万用表可以对电容器进行一些简单的电性能测试。
在直流电压档位下，将万用表的正负极分别连接到电容器的正负极，观察电压表是否能逐渐上升并稳定在一个数值。
如果电压表不能逐渐上升，或者上升后无法稳定，可能表示电容器损坏或存有泄漏。
3.使用电桥测量电容值通过使用电桥测量电容值，可以准确判断电容器的好坏。
首先，将电容器连接到电桥电路中，调整电桥的平衡。
然后，逐步增大电容器的电容值，直到电桥不再平衡为止。
根据测量的电容值与标称电容值是否一致，可以判断电容器是否正常。
4.使用LCR仪测量电容值LCR仪是一种常用的精确测量电子元件电性能的仪器。
使用LCR仪，可以直接测量电容器的电容值，并与标称电容值进行比较。
如果测量得到的结果与标称电容值差距较大，可能表示电容器损坏或老化。
5.使用示波器检测波形当电容器正常工作时，其可以在交流电路中产生相位差，使电流和电压的波形发生变化。
通过使用示波器，可以观察和分析电容器的波形，判断其是否正常。
如果电容器失效或损坏，波形可能会失真或呈现异常信号。
总之，上述方法可以辅助判断电容器的好坏，但最准确的检测方法是使用专业的测试仪器，如LCR仪。
在使用电容器时，建议进行定期检测，及时更换损坏或老化的电容器，以确保电路正常运行和减少故障的发生。
桥堆
桥堆（bridge）简化桥堆原理图桥堆是一种电子元件，内部由多个二极管组成。
主要作用是整流，调整电流方向。
用桥堆整流是比较好的，首先是很方便，而且它内部的四个管子一般是挑选配对的，所以其性能较接近，还有就是大功率的整流时，桥堆上都可以装散热块，使工作时性能更稳定，当然使用场合不同也要选择不同的桥堆，不能只看耐压是否够，比如高频特性等。
整流桥堆产品是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率整流桥在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。
整流桥品种多：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等，有GPP与O/J结构之分。
最大整流电流从0.5A到100A，最高反向峰值电压从50V到1600V。
半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路,选择整流桥要考虑整流电路和工作电压.优质的厂家有广州国信电子科技有限公司（文斯特电子）的G系列整流桥堆,进口品牌有ST、IR,台系的SEP、GD等。
整流桥堆一般用在全波整流电路中，它又分为全桥与半桥。
全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，图是其外形。
全桥的正向电流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、5 0A等多种规格，耐压值（最高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400 V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。
整流桥命名规则一般整流桥命名中有3个数字,第一个数字代表额定电流,A;后两个数字代表额电压(数字*100),V；如:KBL407即4A，1000VKBPC5010即50A,1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分别代表电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。
二极管如何测量_各种二极管测量方法
二极管如何测量_各种二极管测量方法一. 二极管测量方法_普通二极管的检测（检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个pn结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于r×100档或r×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1k左右，反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 k左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“npn/pnp”选择键设置为npn，再将被测二极管的正极接测试表的“c”插孔内，负极测试表的“e”插孔，按下“v（br）”键，测试表指示出二极管的反向击穿电压值。
也兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极，用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
如图4-71，摇动兆欧表手柄（应由慢加快），待二极管两端电压稳定而不再上升时，此电压值即是二极管的反向击穿电压。
二. 二极管测量方法_稳压二极管的检测1．正、负电极的判别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。
二极管的测试方法
二极管的测试方法在介绍下面方法之前,先给大家介绍一下本人测二极管的经验,万能表(本人用的是数字万能表,非指针)上有专门测二极管档,将万用表拨到二极管档,将黑红表笔分别互换测量,测量能显示数据(或数据小的一次红表笔一端为正极) ,又以测发光二极为例,测量时将两表笔互换,二极管亮的那一次红表笔那一端为正极.本人针对的是数字型万能表,若有错误,还望各位高手指正。
(一)普通二极管的检测（包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。
通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。
两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。
在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。
硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。
正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。
若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。
其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。
也可用兆欧表和万用表来测量二极管的反向击穿电压、测量时被测二极管的负极与兆欧表的正极相接，将二极管的正极与兆欧表的负极相连，同时用万用表（置于合适的直流电压档）监测二极管两端的电压。
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整流桥堆全桥的性能好坏检测方法
大多数的整流全桥上均标注有“+”、“一”、“～”符号（其中“+”为整
流后输出电压的正极，“一”为输出电压的负极，两个“～”为交流电压输入端），
很容易确定出各电极。
检测时，可通过分别测量“+”极与两个“～”极、“一”极与两个“～”之
间各整流的正、反向值（与普通二极管的测量方法相同）是否正常，即可判断该全
桥是否损坏。若测得全桥内某只二极管的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则
可判断该二极管已击穿或开路损坏。
12．高压硅堆的检测高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组
成，检测时，可用万用表的R×lok挡测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆的
正向电阻值大于200kfl，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，
则说明该高压硅堆已被击穿损坏。
13.肖特基二极管的检测二端肖特基二极管可以用万用表Rl挡测量。正常时，
其正向电阻值（黑表笔接正极）为～，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻
值均为无穷大或均接近O，则说明该二极管已开路或击穿损坏。
三端肖特基二极管应先测出其公共端，判别出是共阴对管，还是共阳对管，
然后再分别测量两个二极管的正、厦向电阻值。
整流桥堆全桥的极性判别方法
?
极性的判别
1)外观判别法。全桥由四只二极管组成,有四个引脚。两只二极管负极的连接
点是全桥直流输出端的“正极”,两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负
极”。大多数的整流全桥上,均标注有“+”、“-”、“~”符号.(其中“+”为整
流后输出电压的正极,“-”为输出电压的负极,“~”为交流电压输入端),很容易确
定出各电极。
2)万用表检测法。如果组件的正、负极性标记已模糊不清,也可采用万用表对
其进行检测。检测时,将万用表置“R×1k”挡,黑表笔接全桥组件的某个引脚,用红
表笔分别测量其余三个引脚,如果测得的阻值都为无穷大,则此黑表笔所接的引脚
为全桥组件的直流输出正极;如果测得的阻值均在4~l0kΩ范围内,则此时黑表所接
的引脚为全桥组件直流输出负极,而其余的两个引脚则是全桥组件的交流输入引
脚。