ADM3251E应用电路3.3V供电附5V供电电路比较复习进程
CPLD与DSP的3.3V供电电源设计-LM25576MH的应用该电路额定输入
CPLD与DSP的3.3V供电电源设计-LM25576MH的应用
该电路额定输入电压为DC18V，输入端可以添加一个电容电容，100UF、和推偶电容0.22uf 组合，效果更好。
输出电压通过调节RFB1和RFB2电阻，改变输出电压，也可以把RFB1 更换为电位器，输出电容可以考虑用几个低ESR的电容并联，纹波系数更完美!输出电感一定用功率电感，可以适当大点，，D1管一定需要使用高速开关二极管，如SS34.软启动时间可以通过检测CSS电容脚，测量启动时间，一般设计为10us。
RCOMP与CCOMP构成输出闭环比例调节。
响应就看他们两了，RT为调频电阻。
可以通过运放和三极管设计逐波限流保护，由于板子内部有检测器件，并且输入DC18V电源模块也有输出电流控制，我这边暂未设计逐波保护。
另由于电网设计，电压较高，为了安全考虑，我使用了无线控制端口，可能有些工况不需要这么复杂的控制。
注意：在实际使用时，看实际工况，最好在输入端加上EMI与EMC处理，由于本人的产品是用于轨道交通和电力电网设计，所以耐压和EMC 这些安规处理是必须要有的，所以前级比较复杂，就不上传了，商业秘密，哈哈
就写这么多了，希望对大家有帮助。
交流220V转3.3V5V4个元件解决一个供电方案
交流220V转3.3V5V4个元件解决一个供电方案交流220V转3.3V5V4个元件解决一个供电方案一、153****8883功能描述AH8651是--款紧凑型无电感设计的高集成度离线式线性稳压器。
AH8651具有宽输入电压( 80-305Vac)，可调输出电压，最高输出电流限制的特点，适用于非隔离型AC-DC小家电应用。
1、启动电流.在AH8651启动阶段，内部高压电流源( 10mA)通过芯片Drain管脚对VDD电容充电。
该充电电流在VDD电压上升至Vop_ ON以后停止，同时IC开始正常工作，主功率通道从高压电流源切换为内部功率MOSFET对后级提供能量。
2、AC同步检测及主动泄放电路AH8651内部集成有AC同步检测电路，该电路通过Drain端对地内置的分压电阻检测AC信号。
当芯片检测到Drain端电压低于VAc_ _sync _OFF以后,内部功率MOSFET 随即打开对VDD电容进行充电。
由于芯片Drain端对地存在寄生电容，导致Drain端电压可能过高，芯片将一直无法进入充电窗口。
针对该问题，芯片内部设计了主动式泄放电路:该泄放电路在VDD电压低于VoD_ _OVP_ hys后打开内部Drain-VDD 的高压电流源泄放通道，并在VDD电压达到Voo_ _OVP以后关闭该泄放通道。
通过对芯片Drain端寄生电容的主动式泄放控制，确保了足够的输入能量可以在充电窗口期间对VDD进行充电。
此外，当各种保护(UVP, OLP or OTP)发生时，主动式泄放电路也将打开，对VDD 电容进行充电，同时对Drain端寄生电容进行放电，以此确保后续保护逻辑的顺利展开和自恢复重启的顺利进行。
3、输出电流限制AH8651集成有输出电流限制电路。
该电路检测LDO的输出电流并直接控制LDO的通断。
为避免短路或过载发生时LDO输出电流过大导致芯片损坏，典型的输出电流限制值设置为138mA。
当发生短路或者过载时，该电路限制最大输出电流，同时随输出电压跌落触发输出欠压保护。
ADM3251E 隔离、单通道RS
ADM3251E 隔离、单通道RS
ADM3251E 是一款高速、2.5 kV 完全隔离、单通道RS-232/V.28 收发器，采用5 V 单电源供电。
由于RIN 和TOUT 引脚提供高压ESD 保护，因此该器件非常适合在恶劣的电气环境中工作，或频繁插拔RS-232 电缆的场合。
无需使用单独的隔离DC-DC 转换器。
ADI 公司的芯片级变压器iCoupler? 技术，能够同时用于隔离逻辑信号和集成式DC-DC 转换器，因此该器件可提供整体隔离解决方案。
ADM3251E 符合EIA-232E 规范，并且数据速率高达460 kbps。
倍压器/反相器使用四个外部0.1 μF电荷泵电容，这使得该器件可以采用5 V 单电源供电。
ADM3251E 提供20 引脚、宽体SOIC 封装，额定温度范围为-40°C至+85°C。
ADM3251E 功能框图：。
3V升压3.3V,3V升压3.3V芯片稳压输出
3V升压3.3V,3V升压V芯片稳压输出
3V升压3.3V稳压输出芯片，3V升3.3V稳定输出电压IC
两节干电池3V和纽扣电池3V因为耗电量电压会降低，无法长期稳定的输出3V或者3.3V供电，两节干电池会供电电压不稳，影响后面电路稳定。
3V升压3.3V芯片,3V升3.3V电路图：
PW5100 是一款高效率、10uA低功耗、低纹波、高工作频率1.2MHZ的 PFM的同步升压 DC/DC 变换器。输入电压最低0.7V，输入电压范围0.7V-5V之间，输出电压可选固定输出值，从 3.0V 至 5.0V。
PW5100和适用于3V输入，两节干电池输入，纽扣电池3V等等低压输入升压3V或者3.3V，5V等应用中，输出电流可500MA。
3.3V供电的RS485接口远距离数据通信电路设计
3.3V供电的RS485接口远距离数据通信电路设计在工业控制、电力通讯、智能仪表等领域中，通常使用串行通讯方式进行数据交换。
最初的RS232 接口，由于外界应用环境等因素，经常因电气干扰而导致信号传输错误。
除此之外，RS232 接口只能实现点对点的通信方式，不具备联网功能，而且其最大传输距离仅有15 米，不能满足远距离通讯要求。
RS485 则解决了这些问题，数据信号采用差分传输方式，最大传输距离约为1219 米，允许多个发送器连接到同一条总线上。
考虑到节能、低功耗等原因，系统电压由传统的5V 转为3.3V，因此3.3V 供电的RS485 接口应运而生。
RS-485 标准概述RS-485 数据信号采用差分传输方式，收、发端通过平衡双绞线将A-A与B-B 对应相连。
当线路A 高于线路B 电平（VA-VB》+200mV）时，接收端输出为逻辑高电平（RO=1）；当线路A 低于线路B 电平（VA-VB-200mV）时，接收端输出为逻辑低电平（RO=0）。
当驱动器的输入端逻辑电平为高（DI=1）时，线路A 电平高于线路B 电平；当驱动器的输入端逻辑电平为低（DI=0）时，线路A 电平低于线路B 电平。
见图1。
RS-485 接口采用差分方式传输信号，一般收发器能够承受的共模电压范围为-7V 至+12V，一旦共模电压超出此范围，将会影响通信的可靠性，甚至损坏接口。
由于每个系统都会有独立的地回路，在远距离通信条件下，系统间的地电位差VGPD 将会很大。
发送器的输出共模电压为VOC，那么接收器输入端的共模电压VCM=VOC+VGPD，RS-485 标准规定VOC 小于等于3V，但VGPD 的幅度可达十几伏甚至数十伏，并可能伴有强干扰信号，导致接收器的共模输入VCM 超出正常范围，并在信号线上产生干扰电流。
解决此类问题的方法是：。
ATX电源3_3V电压调整
更新ATX电源3.3V电压揭密如何调整ATX电源中3.3V档的电压值AXT电源中新增加的3.3V电压档是给DIMM内存、AGP通道等电路提供工作电压的，标准数值是3.3V，适当提高该电压的数值的主要作用是稳定内存的工作状态。
我们经常看到的PC100的内存都可以在100M的主频下按CAS3工作，但有的内存条在100M 下将速度设定为CAS2后就出现不稳定的情况，比如在运算量大的3D场景中就容易出问题；还有的玩家喜欢超频，100M不够就上112M，有的还想跳到133M，如果运气好，买的CPU可以按如此高的主频工作，而内存却成了绊脚石，无法在相应的频率上工作；运气不好的朋友大概还会遇到内存连上100M都不稳的情况，这时适当提高3.3V的电压能起到意想不到的作用。
其实，有的主板制造商为了增强主板对不同内存的适应性，在从ATX电源的5V档降压时也适当提高了3.3V档的数值，比如大家都熟悉的华硕中的几款主板就是这样，将原来的3.3V 调整到3.5V，确实能起到稳定内存的作用，看上去主板就不挑内存，成为大家的首选。
本文主要是介绍如何自己动手提高3.3V档电压数值来稳定内存的方法，同时简单介绍ATX 电源的结构、原理以及元件的作用。
当然，如果主板上的3.3V取自ATX电源的5V，则本文介绍的方法就不一定管用了。
DIY选电源和选CPU一样，要求功率大（250~300W）、性能稳定、通过的认证多，不过我所在的城市里却不常能找到真正的极品电源，目前能买到比较好的就是这款“航嘉”LW-8250温控电源了，买的时候还带了个盒子，上面标称的最大功率是300W，而实际功率还是250W，不过它带的温控功能比较独特，据说可以根据电源（或机箱）里的温度自动调整风扇的转速，保持电源内部的温度恒定，不知道冬天的时候风扇会不会停下来。
具体的指标、性能、认证标志等可以通过铭牌来查看：拆卸电源具有一定的危险，厂家并不赞成，因此要拆开外壳必然要破坏保修的标志，大家还是先考虑一下自己的电子水平再动手吧。
单片机5V转3.3V电平的19种方法
单片机5V转3.3V电平的19种方法技巧一：使用LDO稳压器，从5V电源向3.3V系统供电标准三端线性稳压器的压差通常是 2.0-3.0V。
要把 5V 可靠地转换为 3.3V，就不能使用它们。
压差为几百个毫伏的低压降 （Low Dropout， LDO）稳压器，是此类应用的理想选择。
图 1-1 是基本LDO 系统的框图，标注了相应的电流。
从图中可以看出， LDO 由四个主要部分组成：1. 导通晶体管2. 带隙参考源3. 运算放大器4. 反馈电阻分压器在选择 LDO 时，重要的是要知道如何区分各种LDO。
器件的静态电流、封装大小和型号是重要的器件参数。
根据具体应用来确定各种参数，将会得到最优的设计。
LDO的静态电流IQ是器件空载工作时器件的接地电流 IGND。
IGND 是 LDO 用来进行稳压的电流。
当IOUT>>IQ 时， LDO 的效率可用输出电压除以输入电压来近似地得到。
然而，轻载时，必须将 IQ 计入效率计算中。
具有较低 IQ 的 LDO 其轻载效率较高。
轻载效率的提高对于 LDO 性能有负面影响。
静态电流较高的 LDO 对于线路和负载的突然变化有更快的响应。
技巧二：采用齐纳二极管的低成本供电系统这里详细说明了一个采用齐纳二极管的低成本稳压器方案。
可以用齐纳二极管和电阻做成简单的低成本 3.3V稳压器，如图 2-1 所示。
在很多应用中，该电路可以替代 LDO 稳压器并具成本效益。
但是，这种稳压器对负载敏感的程度要高于 LDO 稳压器。
另外，它的能效较低，因为 R1 和 D1 始终有功耗。
R1 限制流入D1 和 PICmicro® MCU的电流，从而使VDD 保持在允许范围内。
由于流经齐纳二极管的电流变化时，二极管的反向电压也将发生改变，所以需要仔细考虑 R1 的值。
R1 的选择依据是：在最大负载时——通常是在PICmicro MCU 运行且驱动其输出为高电平时——R1上的电压降要足够低从而使PICmicro MCU有足以维持工作所需的电压。
苹果时序
公共点：苹果的公共点产生方式与其他不同。
它采取的是这种混合供电方案：由适配器经过充电芯片的调节产生公共点，若有需要再给电池充电。
公共点由充电芯片ISL6259控制输出，主要工作条件：DCIN、ACIN、SCL/SDA、CELL、VHST、SMB_RST_NS5：单桥待机条件单桥待机条件包含：VCCSUS3_3、V5REF_SUS、RSMRST#、PWRBTN#单桥的3.3v待机电压VCCSUS3_3在苹果中的名字是PP3V3_S5来源于TPS51125控制，开启脚是ENTRIP2，对应名字是P3V3S5_ENTRIP。
（待机时只有一个3.3v电感有电，5v没有）6脚ENTRIP2受控于Q7211，最终受控于P3V3S5_EN。
（TPS51125的6脚定义是直接接地关闭输出，通过电阻接地作为过流限制设定脚，如果P3V3S5_EN为低电平，Q7211的6-1脚截止，3-4就会导通，拉低ENTRIP2，关闭输出；如果P3V3S5_EN为高电平，Q7211的6-1脚导通，3-4脚截止，TPS51125内部给ENTRIP2提供上拉，与R7206分压成高电平开启芯片，并设定过流限值。
）TPS51125的ENTRIP2的门槛值：P3V3S5_EN由SMC_PM_G2_EN转换而来SMC_PM_G2_EN由EC发出（EC检测到适配器存在，跟适配器正常通信后，发出的；EC检测到适配器后还会发出SMC_ADAPTER_EN给PCH，告诉PCH适配器已经插入）。
单桥的5v待机电压V5REF_SUS在苹果中的名字是PP5V_S5_PCH_V5REFSUS它来源于：PP5V_S5经过R2400这个10欧姆电阻。
PP5V_S5是由TPS51125的线性5v输出的TPS51125输出线性电压的条件是主供电VIN来自于公共点、EN0由SMC_PM_G2_EN供给。
S5状态供电的小结：公共点给TPS51125供电，EC发出SMC_PM_G2_EN开启线性5v 和3.3v，线性5v作为单桥的5V待机电压，线性3.3v不用。
24V转5V,24V转3.3V稳压芯片的电路图和PCB
1，LDO稳压芯片电路图，40V宽输入，PW6206和PW6513(SOT23-3/SOT89-3) 2， 1.2安培，30V宽输入，DC-DC降压芯片和PCB和BOM，PW23123， 3.0安培，30V宽输入，DC-DC降压芯片和PCB和BOM，PW23304， 5.0安培，30V宽输入，DC-DC降压芯片和PCB和BOM，PW22051，PW6206与PW6513系列是一款高精度，40V高输入电压，低静态电流，低压降线性稳压器具有高纹波抑制。
在VOUT=5V&VIN=7V时，负载电流高达300mA，（输入与输出电压的压差越大，电流就越小）采用BCD工艺制造。
PW6206提供过电流限制、软启动和过热保护，以确保设备在良好的条件下工作PW6206与PW6513系列输入电压可达40V，PW6513提供标准SOT89-3L和PW6206提供SOT23-3L封装。
4V-30V输入，1.2A输出的同步整流降压器芯片PW2312.PW2312是一种电流模式降压型DC/DC转换器，可提供优良的瞬态特性响应没有额外的外部补偿组件。
此设备包含内部低电阻，高压功率MOSFET，并在高1.4MHz工作频率下工作确保紧凑、高效的设计，具有出色的交直流性能。
PW2330和PW2205是一种高效率的同步降压DC-DC变换器提3和5安培输出电流。
PW2330和PW2205在4.5V到30V的宽输入电压范围内工作集成主开关和同步开关，具有低的RDS（ON）以最小化传导损失。
PW23300和PW2205采用专有的瞬时PWM结构，实现快速瞬态响应适用于高降压应用和轻负载下的高效率。
此外，它在在连续传导模式下的500kHz恒定频率，以最小化电感器和电容器。
⚫内部整流MOS⚫ 4.5-30V输入电压范围⚫瞬时PWM架构实现快速⚫瞬态响应⚫外部软启动限制涌入电流⚫恒频：500kHz⚫3安培是PW2330，PW2205是5安培连续负载电流能力⚫输出过电流限制⚫输出短路保护⚫热关机和自动恢复⚫封装：SOP8-EP。
内存电路详解
SDRAM内存使用3.3V供电，DDR内存使用2.5V供电。
使用SDRAM内存的主板，常见的都是直接由AT*电源供电，只有少数高档主板上才采用独立供电。
如图5-1所示，用万用表测量电源插座的第1脚与SDRAM内存插槽3.3V电源输入脚，它们之间是直通的。
而使用DDR内存的主板，都设计有独立的内存供电电路。
内存供电电路工作原理内存供电电路人多采用集成运算放大器驱动场效应管的方式，其供电原理如图5-2所示，内存供电实际电路如图5-3所示。
图5-2内存供电电路的原理是这样的：从A点取得2.5V的基准电压进入到运算放大器的同相输入端IN+，运算放大器将IN+与IN-的电压相比拟，如果IN+的电压大于IN-的电压，则OUT的电压上升，OUT的电压上升使得Q1场效应管进一步导通，漏极〔D〕与源极〔S〕之间的管压降下降，使得B点的电压上升。
通过反应，IN-的电压也上升，直到IN+=IN-，也就是IN+=B 。
这个过程可以简单地描述为：〔IN+>IN-〕→〔OUT ↑〕→〔DS ↓〕→〔B ↑〕→〔IN-↑〕，直到IN+=IN-。
同理，当IN+<IN-时，它的稳压过程是这样的：〔IN+<IN-〕→〔OUT↓〕→〔DS↑〕→〔B↓〕→〔IN-↓〕，直到IN+=IN-。
这个电路通过反应比拟，间接地控制B点的电压与基准电压相等，因此有时也称运算放大器为比拟放大器。
要使B点的电压稳定，必须保证A点的电压稳定，也就是要求基准电压要稳定。
在图5-2的电路中，根据串联电路分压的原理，电阻两端的电压与其阻值的大小成正比，可以算出A点对地的电压为：3.3V×〔3.24K/〔IK+3.24K"≈2.5V这是使用最简单的串联分压方法取得2.5V的基准电压。
这种串联分压电路的缺点是当3.3V的电压波动时，基准电压也会跟着波动，所以有的内存供电电路使用TL431〔三端可调分流式电压基准源〕来提供基准电压，如图5-4所示。
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A D M3251E应用电路
3.3V供电附5V供电
电路比较
实现ADM3251E与3.3V系统的RS-232接口隔离
随着对处理速度及功耗的需求增长，控制芯片越来越趋向于小体积，低功耗。
因此其工作所需的电源电压也降低至3.3V，甚至1.8V。
这造成了与5V供电的接口芯片连接时，电平不匹配的问题。
RS-232总线标准是最常见的串行通信总线标准之一，主要应用于系统间的通信连接。
在一些应用领域，RS-232接口的隔离防护是必须的，ADI公司基于iCoupler磁隔离技术的隔离型RS-232接口收发器ADM3251E，内部集成DC-DC隔离电源，信号隔离通道及RS-232收发器，接口带有±15KV的ESD保护和25KV/us的共模抑制能力，非常适于工作在苛刻的电气环境或频繁插拔RS-232电缆的环境中。
ADM3251E的出现替代了之前的光耦隔离方案，减少PCB面积，提高接口稳定性且降低了成本。
由于其内部集成有DC-DC隔离电源，因此无需外部分立的DC-DC隔离电源模块供电，提供了单芯片的RS-232接口隔离方案。
但值得注意的是，ADM3251E的电源输入引脚VCC，只有在5V输入电压时，才能使芯片内部的DC-DC隔离电源有效，当VCC采用3.3V供电时，芯片内部DC-DC隔离电源无效，此时需要我们外接分立的DC-DC隔离电源模块供电。
由于ADM3251E的输入侧Tin引脚是CMOS结构，其输入电压范围是：高电平不低于0.7VCC，低电平不高于0.3VCC，即当5V供电时，输入高电平需高于3.5V，输入低电平需低于1.5V。
下面是我搜集的几种简单的电平转换电路，以方便3.3V的控制信号与5V供电的ADM3251E通信。
3.3V信号转5V信号
1、采用MOSFET
如图1所示，电路由一个N沟道FET和一个上拉电阻构成。
在选择R1的阻值时，需要考虑输入的开关速度和R1上的电流消耗。
当R1值较小时，可以提高输入开关速度，获取更短的开关时间，但却增大了低电平时R1上的电流消耗。
图1，采用MOSFET实现3V至5V电平转换
2、采用二极管钳位
如图2所示，由于3.3V信号的低电平一般不高于0.5V，当3.3V系统输出低电平时，由于D1的钳位作用，使得5V输出端会得到0.7V~1.2V的低电压，低于ADM3251E的最高不超过1.5V的低电平阈值。
当3.3V系统输出高电平时，由于D2的钳位作用，使5V输出端会得到约4V的高电平电压，高于ADM3251E的最低不低于3.5V的高电平阈值。
图2，采用二极管实现3V至5V电平转换
3、采用三极管
如图3所示，当3.3V系统高电平信号输入时，Q1导通，Q2截止，在5V输出端得到5V电压。
当3.3V系统低电平信号输入时，Q1截止，Q2导通，在5V 输出端得到低电平。
此电路同样也适用于5V转3V的情况，只要将上拉的电压换成3.3V即可。
图3，采用三极管实现3V至5V电平转换
以上三种方法比较简单，能够很方便的实现电平转换，但对传输速率有一定的限制，对于9600，19200等常用传输速率，使用这些方法没有问题。
也可以采用电压比较器、运算放大器或OC门芯片74HC05来实现3V至5V的电平转换。
对于高于100K传输速率的应用，我们可采用一些专门的电平转换芯片，如74LVX4245、SN74LVC164245、MAX3370等，但这些芯片价格偏高。
当然，我们也可以采用ADUM1201搭配DC-DC隔离电源模块和RS-232收发器的分立隔离方案，ADUM1201不但能对信号进行隔离，还能够在隔离信号的同时方便的实现3V至5V的电平转换。
5V信号转3.3V信号
一些3.3V供电的控制芯片能够承受5V的输入电压，但更多的控制芯片只能接受3.3V的输入信号，因此需要将ADM3251E的Rout引脚输出5V信号转为3.3V电平信号。
1、采用二极管钳位
如图4所示，利用二极管的钳位作用，将5V电平转换为3.3V电平，R1的作用是限流，但串联了限流电阻R1会降低输入开关的速度。
采用此电路时，会通过二极管D1向3.3V电源输入电流，如果电流过高可能会使3.3V电源电压超过3.3V。
图4，采用二极管钳位作用实现5V至3V电平转换
2、采用三极管
如图5所示，三极管在此电路中也起到钳位的作用，且不会将电流引入3.3V电源。
图5，采用三极管实现5V至3V电平转换
3、采用电阻分压
如图6所示，这应该是最简单的降低电平的方法。
图6，采用电阻分压实现5V至3V电平转换
以上电路能够方便的实现ADM3251E与3.3V供电的控制系统之间的通信。
其整体电路图如图7：
图7，ADM3251E与3.3V系统的通信
图中采用三极管加上拉电阻升压的方法将3.3V的输入信号拉升到5V，输入到ADM3251E的Tin引脚，而ADM3251E的Rout引脚5V输出信号经电阻分压，转换成3.3V信号输入到以3.3V电源工作的控制器中。
需要注意的是，上拉电阻及限流电阻都会不通程度的影响数据传输速率。
ADM3251E外围共需6个电容，2个瓷片104电容，和4个电荷泵电容，泵电容是很重要的，用来稳定RS-232的输出信号，保证足够的升压，因此推荐使用耐压16V，0.1uF的电解电容。
此外，我们也可以选择采用ADUM1201的分立隔离方案，能够在实现信号隔离的同时实现电平的转换，其电路如图8所示：
图8，采用ADUM1201实现3.3V控制系统与5V供电的RS-232收发器的隔离通信
电平转换在目前的数字电路设计中应用的越来越多，ADUM磁隔离芯片能够在隔离信号的同时，方便的实现电平转换，大大节省了设计时间和PCB体积。
ADM3251E内部集成DC-DC隔离电源，在5V电源输入的情况下，内部隔离电源工作，在3.3V电源输入情况下，内部隔离电源不工作，需要外接隔离电源供电，当外接隔离电源时，同样可以实现3.3V的输入信号转为RS-232信号输出的功能。
附5V供电电路比较，这个电路会有芯片发热的现象，最好做个散热块。