主板常用场效应管参数

注：

1、在CPU供电处的MOS管要求功率比较大，而且导通电阻比较小，可以选择

09N03、85N03、06N03等功率较大的MOS管；

2、在显卡供电、内存供电处的MOS管要求不是很高，功率不要太低就行，可以采用60N0

3、40N03、603AL等功率较一般（小）的MOS管；对于较高档次（功率较大）的独立显卡，也可选择功率稍大的MOS管，维修时比较放心。显卡维修时，在未知参数的条件下，一般可直接将可用CPU供电的MOS管代换即可。

3、按理说，用指标高的要好，但指标高的只是一种浪费，够用就行了。

常用场效应管参数大全

常用场效应管参数大全型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ 低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS 开关600V11A150W0.36 2SJ117 PMOS GDS 音频功放开关400V2A40W 2SJ118 PMOS GDS 高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122 PMOS GDS 高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136 PMOS GDS 高速功放开关60V12A40W 70/165nS0.3 2SJ143 PMOS GDS 功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172 PMOS GDS 激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175 PMOS GDS 激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177 PMOS GDS 激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201 PMOS n 2SJ306 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312 PMOS GDS 激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30 NJ SDG 低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG 低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108 NJ SGD 音频激励开关50V1-12mA0.3W70 1DB 2SK118 NJ SGD 音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168 NJ GSD 高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192 NJ DSG 高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193 NJ GSD 高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214 NMOS GSD 高频高速开关160V0.5A30W 2SK241 NMOS DSG 高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304 NJ GSD 音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385 NMOS GDS 高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386 NMOS GDS 高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413 NMOS GDS 高速功放开关140V8A100W0.5 (2SJ118) 2SK423 NMOS SDG 高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428 NMOS GDS 高速开关60V10A50W45/65NS0.15 2SK447 NMOS SDG 高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2SK511 NMOS SDG 高速功放开关250V0.3A8W5.0 2SK534 NMOS GDS 高速开关800V5A100W4.0 2SK539 NMOS GDS 开关900V5A150W2.5 2SK560 NMOS GDS 高速开关500V15A100W0.4 2SK623 NMOS GDS 高速开关250V20A120W0.15 2SK727 NMOS GDS 电源开关900V5A125W110/420nS2.5 2SK734 NMOS GDS 电源开关450V15A150W160/250nS0.52 2SK785 NMOS GDS 电源开关500V20A150W105/240nS0.4 2SK787 NMOS GDS 高速开关900V8A150W95/240nS1.6 2SK790 NMOS GDS 高速功放开关500V15A150W0.4 可驱电机

电脑主板适用场效应管参数及代换

电脑主板适用场效应管参数及代换器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 2SK 3225-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/110ns，Ron=0.018mΩ TO-252 3353- Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，95W，100/280ns，Ron=14mΩ T O-263 3354-S 3354-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，100/300ns，Ron=8mΩ 2SK 3355-ZJ 2SK 3355-ZJ TO-263 3355-ZJ N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，83A，100W，130/510ns，Ron=5.8mΩ 2SK 3354-S-Z 2SK 3354-S-Z TO-263 3366-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换 30V，20A，30W，28/47ns，Ron=21mΩ TO-252 3367-Z N-MOSFET（耗尽型）用于用于笔记本电脑中的DC-DC转换 30V，36A，40W，75/165ns，Ron=9mΩ TO-252 3377-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，20A，30W，13/43ns，Ron=40mΩ TO-252 3385-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，35W，22/77ns，Ron=28mΩ 2SK 3386-Z 2SK 3386-Z TO-252 3386-Z N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，34A，40W，32/98ns，Ron=25mΩ 2SK 3385-Z 2SK 3385-Z TO-252 3900-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，82A，104W，18/62ns，Ron=8mΩ TO-263 3901-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，60A，64W，12/48ns，Ron=13mΩ TO-263 3902-ZK N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 60V，30A，45W，10/37ns，Ron=21mΩ TO-263 3943-ZP N-MOSFET（耗尽型）用于大电流开关 40V，82A，104W，29/69ns，Ron=3.5mΩ TO-263 738-Z N-MOSFET（耗尽型）功率场效应管 30V，2A，20W，Ron=0.25Ω TO-252 MTD 10N05A N通道，功率场效应管 50V，10A，1.8W，Ron=0.1Ω MTD 3055A TO-252 10N05E 10N05E1 N通道，功率场效应管 50V，10A，20W，30/45ns，Ron=0.1Ω TO-252 10N08E 10N08E1 N通道，功率场效应管 80V，10A，50W，13/45ns，Ron=0.12Ω TO-252 器件型号用途及参数替换型号相似型号封装类型 3055A N通道，功率场效应管 60V，8A，1.8W，Ron=1.5Ω MTD 10N05A TO-252

场效应管对照表

场效应管对照表（分2页介绍了世界上场效应管的生产厂家和相关参数）本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 1．"型号"栏表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。2．"厂家"栏为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。）所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下： ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司LUC 英、德LUCCAS电气股份公司MAC 美国M/A康姆半导体产品公司MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司DIT 德国DITRATHERM公司ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德I P R S BANEASA公司ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司

常用高清行管和大功率三极管主要参数表

常用高清行管和大功率三极管主要参数表 2010-03-02 10:33:54 阅读78 评论0 字号：大中小高清彩电行管损坏的原因及代换现在，大屏幕彩色电视大都是数字高清，原来50Hz的场扫描频率接近人眼感知频闪的临界点，所以高清电视都是提高扫描频率来提高图像的清晰度，即将场扫描提高到100Hz或是60Hz逐行，这样就会使行扫描的频率提高一倍，自然行输出管的开关速度和功耗都会随之增加，普通的行输出管已经不能胜任，要采用性能更好的大功率三极管。目前采用的行管有：C5144、C5244、J6920、C5858、C5905等，这些行输出管的耐压都在1500V以上，电流多大于20A，但是由于其功耗比较大，损坏率还是比较高。归纳起来，其损坏的原因一般有以下六种。 1. 行激励不足如果行激励不足，行管不能迅速截止与饱和，导致行管内阻变大，将造成行输出电路的功耗增加，引起行输出管发烫，一旦超过行管功耗的极限值，便会使行管烧坏。在海信高清电视中，行振荡方波信号是由数字变频解码板输出，经过一对三极管2SC1815、2SA1015放大后，送到行激励管的基极。这两个三极管工作在大电流开关状态，故障率相对较高，损坏后就会造成行激励不足，损坏行输出管，对比可以用示波器测量行管基极的波形来确定。另外，行管基极的限流电阻阻值一般为Ω，与行管的发射极串联，再与行激励变压器并联，若是阻值增大有可能用普通万用表测不出来。我们曾经修过多例次电阻增值到2Ω以上而导致开机几分钟后行管损坏的故障，且损坏行管的比例较大。 2. 行逆程电压过高在行逆程期间，偏转线圈会对逆程电容充电，逆程电容容量大小决定充电的时间。容量越小，充电时间越短，充电电压越高，因而会产生很高的反峰脉冲电压。所以，当行一旦超过行管的耐压值，就会出现屡烧行管的结果。我们在测量逆程电容时，一般是测量电容的直流参数，而一些ESR等交流参数无法测量，所以最好是代换较可靠。 3. 行偏转线圈或行输出变压器局部短路造成行负责过重常见场输出集成电路击穿导致行偏转线圈或行输出变压器绝缘性能下降，产生局部短路、行输出逆程电容漏电等。如果保护电路性能不完善，则会引起行管过流损坏。海信高清电视由于电源保护措施比较完善，所以这种情况不多见，表现出来的现象是行一开机就停。 4. 电源电压升高电源电压升高会导致行逆程电压升高。现在的高清电视电源一般都是模块化的，电源设计比较合理，保护功能全，不像以前的老式电源电路，电源电压升高造成击穿行管的故障相对比较少。 5. 行管的型号和参数不对这种情况在专业的厂家售后一般不会出现，但是作为个体维修或是业余维修就可能遇到。高清电视行管的功率大、频率高，最好用同型号行管代换。有的行管发射结没有并联电阻，如果采用普通行管，发射结并联电阻的阻值比较小，会造成基极驱动电流小，激励不足，行电流过大（正常高清行电流在500mA~600mA）而再次损坏。更换行管后测量行电流，如果原行推动变压器次级并联有缓冲电阻的，可将电阻阻值增大，甚至拿掉；如果行管发射极串联有负反馈电阻或是基极有限流电阻的，可减小该电阻阻值，再次测量行电流，如果行电流减小就适当改变这两个电阻的阻值。 6. 其他像阻尼二极管开路、高压打火、显像管内部跳火、行信号反馈电路有故障、更换后的行管

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类型号简介封装DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资料

场效应管分类DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET DISCRETE MOS FET 型号简介封装2N7000 2N7002 IRF510A IRF520A IRF530A IRF540A IRF610A IRF620A IRF630A IRF634A IRF640A IRF644A IRF650A IRF654A IRF720A 60V,0.115A 60V,0.2A 100V,5.6A 100V,9.2A 100V,14A 100V,28A 200V,3.3A 200V,5A 200V,9A 250V,8.1A 200V,18A 250V,14A 200V,28A 250V,21A 400V,3.3A TO-92 SOT-23 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

DISCRETE MOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF9520 DISCRETE MOS FET IRF9540 DISCRETE MOS FET IRF9610 DISCRETE MOS FET IRF9620 DISCRETE MOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETE MOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETE MOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK TO-220 TO-220 TO-220 TO-220

(完整版)电脑主板图文详解

电脑主板图文详解认识主机板「主机板」( Motherboard )不算电脑里最先进的零组件，但绝对是塞最多东西的零组件。事实上，现在新的主机板简直像怪物，上面可能有数十个长长短短、大大小小、圆的方的、各式各样的插槽。即使我已经见过不下百张的主机板，仍然会惊讶于一张板子怎么能塞这么多东西，更可怕的是，东西还一年比一年多。平台的概念在电脑零件组中，主机板扮演的是一个「平台」( Platform )的角色，它把所有其他零组件串连起来，变成一个整体。我们常说CPU象大脑一样，负责所有运算的工作，而主机板就有点像脊椎，连接扩充卡、硬盘、网络、音效、键盘、鼠标器、打印机等等所有的周边，让CPU可以掌控。所以玩电脑的人，常会在意「板子稳不稳」，因为主机板连接的周边太多，若稳定性不够就容易出现各种灵异现象。CPU不够快，顶多人笨一点算得慢，但脊椎出毛病就不良于行了。当然，CPU还是最重要的零件，CPU挂了，就像本草纲目所记载的：「脑残没药医」。目前全世界最大的主机板厂通通都在台湾 (生产线当然在大陆) ，所以一定要好好认识一下台湾之光，但就像最前面说的，现在主机板上实在塞太多东西，每个插槽都是一种规格，有自己的历史和技术。这篇主要是讲一个「综观」，各插槽的技术会在对应零组件里详细说明，出现一堆英文缩写请别在意。废话不多说，我们挑一张目前最新的主机板做介绍，大家一起感谢微星提供两张P35 Platinum 供小弟任意解体，幸好，在本专题中没有一张主机板死亡。

主机板外观这是目前新的主机板的模样，看起来密密麻麻跟鬼一样。你电脑里装的可能没这么高级, 花样也不一定这么多，但某些东西是每一张主机板都会有的。 p I 1 h cn S A ■ t-. ll n -J

场效应管的主要参数

一：场效应管的主要参数 (1)直流参数饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS 开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS (2)交流参数低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 (3)极限参数漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。本站链接:场效应管的参数查询

二：场效应管的特点场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：（1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；（5）场效应管的抗辐射能力强。三. 符号：“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：

Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：四. 场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。五主板上用的场效应管的特性：

用场效应管参数大全.pdf2

用场效应管参数大全宏瑞电子|家电维修|电子技术|家电维修技术2009-12-0620:30:24作者:zhangzi来源:文字大小:[大][中][小] 型号材料管脚用途参数 3DJ6NJ低频放大20V0.35MA0.1W 4405/R9524 2E3C NMOS GDS开关600V11A150W0.36 2SJ117PMOS GDS音频功放开关400V2A40W 2SJ118PMOS GDS高速功放开关140V8A100W50/70nS0.5 2SJ122PMOS GDS高速功放开关60V10A50W60/100nS0.15 2SJ136PMOS GDS高速功放开关60V12A40W70/165nS0.3 2SJ143PMOS GDS功放开关60V16A35W90/180nS0.035 2SJ172PMOS GDS激励60V10A40W73/275nS0.18 2SJ175PMOS GDS激励60V10A25W73/275nS0.18 2SJ177PMOS GDS激励60V20A35W140/580nS0.085 2SJ201PMOS n 2SJ306PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SJ312PMOS GDS激励60V14A40W30/120nS0.12 2SK30NJ SDG低放音频50V0.5mA0.1W0.5dB 2SK30A NJ SDG低放低噪音频50V0.3-6.5mA0.1W0.5dB 2SK108NJ SGD音频激励开关50V1-12mA0.3W701DB 2SK118NJ SGD音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5dB 2SK168NJ GSD高频放大30V0.01A0.2W100MHz1.7dB 2SK192NJ DSG高频低噪放大18V12-24mA0.2W100MHz1.8dB 2SK193NJ GSD高频低噪放大20V0.5-8mA0.25W100MHz3dB 2SK214NMOS GSD高频高速开关160V0.5A30W 2SK241NMOS DSG高频放大20V0.03A0.2W100MHz1.7dB 2SK304NJ GSD音频功放30V0.6-12mA0.15W 2SK385NMOS GDS高速开关400V10A120W100/140nS0.6 2SK386NMOS GDS高速开关450V10A120W100/140nS0.7 2SK413NMOS GDS高速功放开关140V8A100W0.5(2SJ118) 2SK423NMOS SDG高速开关100V0.5A0.9W4.5 2SK428NMOS GDS高速开关60V10A50W45/65NS0.15

常用场效应管型号参数管脚识别及检测表

. 常用场效应管型号参数管脚识别及检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。

1 / 19 . （2）用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针

常用场效应管参数大全 (2)

型号材料管脚用途参数 IRFP9140 PMOS GDS 开关 100V19A150W100/70nS0.2 IRFP9150 PMOS GDS 开关 100V25A150W160/70nS0.2 IRFP9240 PMOS GDS 开关 200V12A150W68/57nS0.5 IRFPF40 NMOS GDS 开关 900V4.7A150W2.5 IRFPG42 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 IRFPZ44 NMOS GDS 开关 1000V3.9A150W4.2 ******* IRFU020 NMOS GDS 开关 50V15A42W83/39nS0.1 IXGH20N60ANMOS GDS 600V20A150W IXGFH26N50NMOS GDS 500V26A300W0.3 IXGH30N60ANMOS GDS 600V30A200W IXGH60N60ANMOS GDS 600V60A250W IXTP2P50 PMOS GDS 开关 500V2A75W5.5 代J117 J177 PMOS SDG 开关 M75N06 NMOS GDS 音频开关 60V75A120W MTH8N100 NMOS GDS 开关 1000V8A180W175/180nS1.8 MTH10N80 NMOS GDS 开关 800V10A150W MTM30N50 NMOS 开关 (铁)500V30A250W MTM55N10 NMOS GDS 开关 (铁)100V55A250W350/400nS0.04 MTP27N10 NMOS GDS 开关 100V27A125W0.05 MTP2955 PMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3 MTP3055 NMOS GDS 开关 60V12A75W75/50nS0.3

常用场效应管参数大全(1)

教你五步了解主板知识

教你五步了解主板知识要认识主板,要购买一块满意的主板,要了解电脑主板的知识,可以从以下五步开始,经过下面的知识,你一定可以从容而不被商家忽悠. 第一：观察外表，掂其分量。首先，看主板的厚度，二者比较，厚者为宜。再观察主板电路板的层数及布线系统是否合理。把主板拿起，隔主板对着光源看，若能观察到另一面的布线元件,则说明该主板为双层板,否则,就是四层板或多层板。选购时应该选后者。另外布线是否合理流畅，也将影响整块主板的电气性能，这主要靠第一眼的感觉，当然这种感觉是建立在对一般主板布线相当了解的基础之上的。仔细观察主板各芯片的生产日期和型号、品牌标识。一般来说，各芯片的生产日期不宜超过三个月，否则将影响主板的整体性能。虽说硬件产品很少有过期一说，不过还是小心一点好。芯片上的标识要清晰可辨，无划痕等明显印迹。第二：扩展槽插卡。一般来说，PCI插槽的问题不多见，ISA插槽则要认真检查。不过ISA插槽观察还是比较简单的。首先仔细观察槽孔的弹簧片的形状，然后把ISA卡插入槽中后拔出，观察现在槽内的弹簧片的位置、形状是否与原来相同，若有较大偏差，则说明该插槽的弹簧片弹性不好，当然该主板的质量也不会好到哪儿去。第三：摇跳线。仔细观察各组跳线是否虚焊。开机后，轻微摇动跳线，看机子是否出错，若有出错信息，则说明跳线松动，性能不稳定，此主板必不在选购之列，注意，摇的时候用力不要过大过猛，这样容易摇坏跳线，好板子也会被你摇成坏板子。第四：主板电池。电池是为保持CMOS数据和时钟的运转而设的。“掉电”就是指电池没电了，不能保持CMOS的数据，关机后时钟也不走了。选购时，观察主板电池是否生锈、漏液。若生锈，可更换电池；若漏液，则有可能腐蚀整块主板而导致主板报废，这样的主板当然不能选了。第五：软件测速。利用SPEED系列或别的测速软件对主板进行全面的检测，不同主板间的横向比较会给你一个准确的结论。如果你不愿意自己测试的话，权威性报刊、杂志的评测报告也是很好的参考。当然，选购主板时各个用户对自己要求的主板标准不同，具体可根据各自的

场效应管参数用途大全解析

型号材料管脚用途参数 3D J6N J低频放大20V0.35M A0.1W 4405/R9524 2E3C N M O S G D S开关600V11A150W0.36 2S J117P M O S G D S音频功放开关400V2A40W 2S J118P M O S G D S高速功放开关140V8A100W50/70n S0.5 2S J122P M O S G D S高速功放开关60V10A50W60/100n S0.15 2S J136P M O S G D S高速功放开关60V12A40W70/165n S0.3 2S J143P M O S G D S功放开关60V16A35W90/180n S0.035 2S J172P M O S G D S激励60V10A40W73/275n S0.18 2S J175P M O S G D S激励60V10A25W73/275n S0.18 2S J177P M O S G D S激励60V20A35W140/580n S0.085 2S J201P M O S n 2S J306P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S J312P M O S G D S激励60V14A40W30/120n S0.12 2S K30N J S D G低放音频50V0.5m A0.1W0.5d B 2S K30A N J S D G低放低噪音频50V0.3-6.5m A0.1W0.5d B 2S K108N J S G D音频激励开关50V1-12m A0.3W701D B 2S K118N J S G D音频话筒放大50V0.01A0.1W0.5d B 2S K168N J G S D高频放大30V0.01A0.2W100M H z1.7d B 2S K192N J D S G高频低噪放大18V12-24m A0.2W100M H z1.8d B 2S K193N J G S D高频低噪放大20V0.5-8m A0.25W100M H z3d B 2S K214N M O S G S D高频高速开关160V0.5A30W 2S K241N M O S D S G高频放大20V0.03A0.2W100M H z1.7d B 2S K304N J G S D音频功放30V0.6-12m A0.15W 2S K385N M O S G D S高速开关400V10A120W100/140n S0.6 2S K386N M O S G D S高速开关450V10A120W100/140n S0.7 2S K413N M O S G D S高速功放开关140V8A100W0.5(2S J118) 2S K423N M O S S D G高速开关100V0.5A0.9W4.5 2S K428N M O S G D S高速开关60V10A50W45/65N S0.15 2S K447N M O S S D G高速低噪开关250V15A150W0.24可驱电机2S K511N M O S S D G高速功放开关250V0.3A8W5.0 2S K534N M O S G D S高速开关800V5A100W4.0 2S K539N M O S G D S开关900V5A150W2.5 2S K560N M O S G D S高速开关500V15A100W0.4 2S K623N M O S G D S高速开关250V20A120W0.15 2S K727N M O S G D S电源开关900V5A125W110/420n S2.5

电脑主板基础知识图解修订

图解电脑主板一、硬件其实不神秘现在电脑早已不是什么稀罕物了，但你是否了解你的电脑呢？你是否知道硬件上那些密密麻麻芯片的作用呢？如果说CPU是PC的大脑，电源是PC的心脏，那么主板就是PC的神经系统。可以说主板是所有硬件的基础，是它将各个硬件连接起来，并保证这些硬件可以按部就班的工作。由于承担着大量复杂的工作，因此主板上元件的复杂程度也是所有硬件中数一数二的，但却很少有普通玩家了解主板上各个元件的功能，这对于一个DIY玩家是坚决不被允许的。今天笔者就为大家介绍一下主板上各个元件的功能特点，希望通过笔者的介绍大家可以了解更多的硬件知识，成为一个真正的硬件高手。

二、主板主要元件概述【A】 CPU插槽，目前Intel和AMD的处理器均采用这种ZIP零阻力接口设计。另外CPU接口附近通常会留出较低的空间以保证高端热管散热器的安装。【B】内存接口，此位置专门为安装内存所使用，一般普通主板只拥有4个内存插槽，高端主板会增加至6个，而某些集成主板只有2个甚至1个。安装时需要将内存装进同一颜色插槽才能实现双通道及三通道。【C】 PCI-E 16x接口，这款拥有三条PCI-E 16x接口，并都采用蓝色以方便识别。目前PCI-E接口主要为安装显卡使用，而3条PCI-E接口则意味着这款主板最多能同时安装3块显卡，当然只有狂热的游戏发烧友才会这么干。【D】 PCI接口，这款主板拥有两条PCI接口，并都采用黑色涂装，PCI接口目前主要为安装网卡、声卡等设备。【E】 PCI-E 1X接口，这块主板板载两条PCI-E 1X接口，此接口250MB/s的带宽远高于普通PCI接口的133MB/s，目前PCI-E 1X主要用于安装扩展卡，如声卡、网卡等。【F】北桥芯片，散热片低下是主板的北桥芯片。北桥的主要功能是为CPU、内存、PCI-E接口之前提供互相通信，而在某些集成主板中，北桥内还集成了显示核心。【G】南桥芯片，南桥芯片的主要功能是控制PCI接口、集成声卡、USB接口等设备。

常用场效应管参数表

（IRF系列）型号厂家用途构造沟道方式 v111(V) 区分 ixing(A) pdpch(W) waixin g IRF48 IR N 60 50 190 TO-220AB IRF024 IR N 60 17 60 TO-204AA IRF034 IR N 60 30 90 TO-204AE IRF035 IR N 60 25 90 TO-204AE IRF044 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF045 IR N 60 30 150 TO-204AE IRF054 IR N 60 30 180 TO-204AA IRF120 IR N 100 8.0 40 TO-3 IRF121 IR N 60 8.0 40 TO-3 IRF122 IR N 100 7.0 40 TO-3 IRF123 IR N 60 7.0 40 TO-3 IRF130 IR N 100 14 75 TO-3 IRF131 IR N 60 14 75 TO-3 IRF132 IR N 100 12 75 TO-3 IRF133 IR N 60 12 75 TO-3

IRF140 IR N 100 27 125 TO-204AE IRF141 IR N 60 27 125 TO-204AE IRF142 IR N 100 24 125 TO-204AE IRF143 IR N 60 24 125 TO-204AE IRF150 IR N 100 40 150 TO-204AE IRF151 IR N 60 40 150 TO-204AE IRF152 IR N 100 33 150 TO-204AE IRF153 IR N 60 33 150 TO-204AE IRF220 IR N 200 5.0 40 TO-3 IRF221 IR N 150 5.0 40 TO-3 IRF222 IR N 200 4.0 4.0 TO-3 IRF223 IR N 150 4.0 40 TO-3 IRF224 IR N 250 3.8 40 TO-204AA IRF225 IR N 250 3.3 40 TO-204AA IRF230 IR N 200 9.0 75 TO-3 IRF231 IR N 150 9.0 75 TO-3 IRF232 IR N 200 8.0 75 TO-3 IRF233 IR N 150 8.0 75 TO-3 IRF234 IR N 250 8.1 75 TO-204AA

主板各种信号说明(非常有用)

主板上各种信号说明一、CPU接口信号说明 1. A[31:3]# I/O Address(地址总线) ν这组地址信号定义了CPU的最大内存寻址空间为4GB.在地址周期的第一个子周期中,这些Pin传输的是交易的地址,在地址周期的第二个子周期中,这些Pin传输的是这个交易的信息类型. 2. A20M# I Adress-20 Mask(地址位20屏蔽) ν此信号由ICH(南桥)输出至CPU的信号.它是让CPU在Real Mode(真实模式)时仿真8086只有1M Byte(1兆字节)地址空间,当超过1 Mbyte位空间时A20M#为Low,A20被驱动为0而使地址自动折返到第一个1Mbyte地址空间上. 3. ADS# I/O Address Strobe(地址选通) ν当这个信号被宣称时说明在地址信号上的数据是有效的.在一个新的交易中,所有Bus上的信号都在监控ADS#是否有效,一但ADS#有效,它们将会作一些相应的动作,如:奇偶检查、协义检查、地址译码等操作. 4. ADSTB[1:0]# I/O Address Strobes ν这两个信号主要用于锁定A[31:3]#和REQ[4:0]#在它们的上升沿和下降沿.相应的ADSTB0#负责REQ[4:0]#和A[16:3]#,ADSTB1#负责A[31:17]#. 5. AP[1:0]# I/O Address Parity(地址奇偶校验) ν这两个信号主要用对地址总线的数据进行奇偶校验. 6. BCLK[1:0] I Bus Clock(总线时钟)

这两个Clock主要用于供应在Host Bus上进行交易所需的Clock.ν7. BNR# I/O Block Next Request(下一块请求) ν这个信号主要用于宣称一个总线的延迟通过任一个总线代理,在这个期间,当前总线的拥有者不能做任何一个新的交易. 8. BPRI# I Bus Priority Request(总线优先权请求) ν这个信号主要用于对系统总线使用权的仲裁,它必须被连接到系统总线的适当Pin .当BPRI#有效时,所有其它的设备都要停止发出新的请求,除非这个请求正在被锁定.总线所有者要始终保持BPRI#为有效,直到所有的请求都完成才释放总线的控制权. 9. BSEL[1:0] I/O Bus Select(总线选择) ν这两组信号主要用于选择CPU所需的频率,下表定义了所选的频率: 10. D[63:0]# I/O Data(数据总线) ν这些信号线是数据总线主要负责传输数据.它们提供了CPU与NB(北桥)之间64 Bit的通道.只有当DRDY#为Low时,总在线的数据才为有效,否则视为无效数据. 11. DBI[3:0]# I/O Data Bus Inversion(数据总线倒置) ν这些信号主要用于指示数据总线的极性,当数据总在线的数据反向时,这些信号应为Low.这四个信号每个各负责16个数据总线,见下表: 12. DBSY# I/O Data Bus Busy(数据总线忙) ν当总线拥有者在使用总线时,会驱动DBSY#为Low表示总线在忙.当DBSY#为High时,数据总线被释放.