(完整版)一周搞定系列之模电全集
完整版模电知识点复习总结共136页
15、机会是不守纪律的。——雨果
46、我们若已接受最坏的，就再没有什么损失。——卡耐基 47、书到用时方恨少、事非经过不知难。——陆游 48、书籍把我们引入最美好的社会，使我们认识各个时代的伟大智者。——史美尔斯 49、熟读唐诗三百首，不会作诗也会吟。——孙洙 50、谁和我一样用功，谁就会和我一样成功。——莫扎特
完整版模电知识点复习总结
11、战争满足了，或曾经满足过人的 好斗的 本能， 但它同 时还满 足了人 对掠夺 ，破坏 以及残 酷的纪 律和专 制力的 欲望。 ——查·埃利奥 特 12、不应把纪律仅仅看成教育的手段 。纪律 是教育 过程的 结果， 首先是 学生集 体表现 在一切 生活领 域—— 生产、 日常生 活、学 校、文 化等领 域中努 力的结 果。— —马卡 连柯(名 言网)
模电数电
第二章 §2.2 逻辑代数中的三种基本运算
： 一、与逻辑（与运算） 与逻辑（与运算） 与逻辑： ）均满足时，事件（Y）才能发生。表达式为：Ｙ＝Ａ Ｂ。 ：Ｙ＝Ａ•Ｂ 与逻辑：仅当决定事件（Y）发生的所有条件（A，B，C· 的电路称为与门。与门的逻辑符号： 与门。 与门
0-1 律：
异或和同或互为反运算
2.基本公式 基本公式
重叠律： A + A = A
A + 0 = A A ⋅1 = A
A +1 = 1 A ⋅ 0 = 0 互补律： A + A′ = 1
A ⋅ A′ = 0
A⋅ A= A
还原律（双重否定律）： ( A′)′ = A
3.基本定理 基本定理
三、二－十六转换
将二进制数由小数点开始，整数部分向左 小数部分向右 小数部分向右， 位分成一组， 位补零， 将二进制数由小数点开始，整数部分向左,小数部分向右，每 4 位分成一组，不够 4 位补零，则每组二进制数便是一 位十六进制数。 位十六进制数。 ( 1 0 1 1 1 1 0. 1 0 1 1 0 0 1 )2=(5E.B2 )16
交换律：
A ⋅ B = B ⋅ A A + B = B + A A ⋅ (B + C) = A ⋅ B + A ⋅ C A + B ⋅ C = ( A + B) ⋅ ( A + C )
结合律：
( A ⋅ B) ⋅ C = A ⋅ ( B ⋅ C ) ( A + B ) + C = A + ( B + C ) ( A ⋅ B)′ = A′ + B′ ( A + B)′ = A′ ⋅ B′
模电课件第一章.
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1.1.1本征半导体
本征载流子浓度和温度的关系
本征载流子中载流 子浓度与环境的温 度密切相关，所以 本征半导体工作具 有热不稳定性
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1.1.2掺杂产生两种半导体
本征半导体的特点
电子浓度=空穴浓度 载流子浓度低，导电性差 温度稳定性差
本征半导体 掺杂 N型半导体 P型半导体
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1.1.3半导体中载流子的两种运动
载流子在半导体中的运动
载流子的扩散运动
热平衡状态：温度不变，且无其他激发，载流子 浓度分布均匀 非热平衡状态：
若半导体某部分受到光照，或者从某一区域注入载流 子，使载流子浓度分布不均匀，热平衡状态被破坏
载流子的扩散运动形成扩散电流
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化学成分纯净的半导体
本征半导体的共价键 结构
邻近原子的价电子形成 共价键，价电子为这些 邻近的原子所有，并被 其束缚，在空间形成排 列有序的晶体。
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1.1.1本征半导体
本征激发 当温度大于0K时，价电 子获得足够的能量，挣 脱共价键的束缚，激发 为自由电子。 电子-空穴对 价电子成为自由电子， 原有共价键的位置留出 一个呈正电性的空穴。 电子和空穴成对出现 载流子 运载电荷的粒子。
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知识构架
第一章 第二章 第三章 第四章 第五章 第六章 第七章
半导体基础知识及二极管电路 双极型晶体管及其放大电路 场效应晶体管及其放大电路 小信号放大电路的频率特性 反馈放大电路 模拟集成电路及其应用 脉冲信号的产生与处理电路
模电公式总结
模电公式总结1. 基本电路参数1.1 电流公式•电流公式：$$I = \\frac{V}{R}$$–其中，I为电流，V为电压，R为电阻。
1.2 电压公式•电压公式：$$V = I \\cdot R$$–其中，V为电压，I为电流，R为电阻。
1.3 功率公式•功率公式：$$P = V \\cdot I$$–其中，P为功率，V为电压，I为电流。
2. 放大电路2.1 电压放大倍数•电压放大倍数：$$A_v = \\frac{V_o}{V_i}$$–其中，A_v为电压放大倍数，V_o为输出电压，V_i为输入电压。
2.2 增益•增益：$$G = \\frac{V_o - V_i}{V_i}$$–其中，G为增益，V_o为输出电压，V_i为输入电压。
3. 滤波电路3.1 截止频率•截止频率：$$f_c = \\frac{1}{2\\pi RC}$$–其中，f_c为截止频率，R为电阻，C为电容。
4. 频率响应4.1 相位差•相位差：$$\\phi = \\arctan(\\frac{X_L - X_C}{R})$$–其中，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。
4.2 增益•增益：$$|A_v| = \\sqrt{\\frac{X_L - X_C}{R}^2 + 1}$$–其中，|A_v|为增益，X_L为电感的电抗，X_C为电容的电抗，R为电阻。
5. 脉冲响应5.1 集成电路•脉冲响应：$$h(t) = V_i(t) \\ast g(t)$$–其中，h(t)为脉冲响应，V_i(t)为输入信号，g(t)为脉冲响应函数。
6. 非线性电路6.1 二极管方程•二极管方程：$$I_D = I_s(e^{\\frac{V_D}{V_t}} - 1)$$–其中，I_D为二极管正向电流，I_s为饱和电流，V_D为二极管正向电压，V_t为温度标准电压。
7. 反馈电路7.1 闭环增益•闭环增益：$$A_f = \\frac{A}{1 + A\\beta}$$–其中，A为开环增益，$\\beta$为反馈系数。
模电第一章课件
图1.6 PN结的形成过程
空间电荷区：在交界面附近出现的带电离子集中 的薄层，又称耗尽层、阻挡层。
内电场：空间电荷区的左半部是带负电的杂质离 子，右半部是带正电的杂质离子，空间电荷区中 就形成一个N区指向P区的内建电场。
接触电位差 U ：达到动态平衡后的PN结， 内建电场的方向由N区指向P区的电位差。
1.1 半导体的基础知识 1.2 PN结与半导体二极管 1.3 特殊二极管
1.4 半导体三极管
1.5 场效应晶体管
1.1 半导体的基础知识
1.1.1 导体、绝缘体、和半导体 1.1.2 本征半导体 1.1.3 杂质半导体
1.1.1 导体、绝缘体和半导体
导体:导电的物质，如铜、铝、铁、银等。 绝缘体:不导电的物质，石英、橡胶等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之 间。常用的半导体材料有硅(Si)、锗 (Ge)、砷化镓(GaAs)等。
4．最大反向工作电压UFM：二极管安全运行时所能承受的最大反向电压。一 般取击穿电压U(BR)的一半作为UFM 。
5．反向电流：指二极管未击穿时反向电流。IR 值越小，二极管单向导电性越 好。随温度变化而改变。 6. 最高工作频率fM ：fM 由PN结的结电容大小决定。二极管的工作频率超过 fM，单向导电性变差。
1.2.3
PN结的电容效应
PN结的结电容:在外加电压发生变化时，PN结耗尽层内的空间电 荷量和耗尽层外的载流子数目均发生变化的电容效应。 按产生的机理不同结电容可分为：
一是势垒电容CB 二是扩散电容CD
一、势垒电容CB
指阻挡层中电荷量随外加电压变化而改变所呈 现的电容效应,用CB表示。CB的大小与PN结面积、 阻挡层宽度、半导体材料的介电常数有关， 且随外加反向电压变化而 变化。反向电压越大，CB 越小。 利用PN结的势垒电容 效应，可制造变容二极 管(压控可变电容器)
模电课后答案
模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。
在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。
图P1.9解:如解图1.9。
解图1.9第2章 基本放大电路习题2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20iU mV = ,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。
判断下列结论是否正确，在括号内打“√”和“×”表示。
(1)342002010uA -=-=-⨯ (×) (2)4 5.710.7uA =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×) (4)80 2.52001uA ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5OR k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)(11)20S U mV ≈ (×) (12)60SU mV ≈ (√)2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA 、i R 和o R 。
解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈； 308c ubeR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+用基尔霍夫电流定律容易理解(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us ube sr A A r R ≈⋅≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。
模电第六周周四晚上
解：
1、直流静态分析
电容当做是断路
画电路图
IBQ=（ui-0.7）/Rb
ICQ=β*IBQ
UCEQ=VCC-ICQ*RC
2、交流动态分析
电容当做导线，直流电源接地
化简电路，尤其注意连接地这个点的电阻
把握BCE三个点化简三极管
求rbe=200+26mv/IBQ
求ube=Us*A/(A+B)
求Ib=ube/rbe
求Ic=β*Ib
求uo=-Ic*R
Uce=UCEQ+uo
把三极管删掉，留下BCE三个点。
BE之间画电阻rbe
CE之间画受控电流源
BC之间没有交集，不连接
电流方向看三极管模型的E极的方向
假设示波器观测放大电路，出现底部被削，UCE<0.7状态，那么因此饱和失真。
那么是UCEQ太小导致，解决措施增大UCEQ。
UCE=UCEQ-A*sinwt
UCEQ=VCC-ICQ*RC
=VCC-β*IBQ*RC
= VCC-β*（ui-0.7）/RB*RC
只出现顶部或者底部被削，不要改变RC，只改变RB就可以。
如果是顶部与底部同时被削，那么此时是放大倍数过大。
需要减小Rc。
模电第1章-电路模型和电路的基本定律
1.4 电路的基本元件及其特性
电路的基本元件是构成电路的基本元素。电路中 普遍存在着电能的消耗、磁场能[量]的储存和电场能 [量]的储存这三种基本的能［量］转换过程。表征这 三种物理性质的电路参数是电阻、电感和电容。 只含一个电路参数的元件分别称为理想电阻元 件、理想电感元件和理想电容元件，通常简称电 阻元件、电感元件和电容元件。 元件的基本物理性质是指当把它们接入电路时， 在元件内部将进行什么样的能量转换过程以及表现 在元件外部的特征。
1.4 电路的基本元件及其特性
1.4.1 电阻元件和欧姆定律 电阻：是电路中阻止电流流动、表示能量损耗大 小的参数。电阻有线性电阻和非线性电阻之分（这 里只讨论线性电阻）。 所谓线性电阻，是指电阻元件的阻值R是个常数， 加在该电阻元件两端的电压u和通过该元件中的电流 i之间成正比关系，即 u=Ri 非线性电阻的伏安特性:其曲线可以是通过坐标原点 或不通过坐标原点的曲线，也可以是不通过坐标原点 的直线。
P UI
或 p ui
（2）当电流、电压取非关联的参考方向时
P -UI 或 p -ui
如果P＞0（或p＞0）时，表示元件吸收功率，是负载 如果P＜0（或p＜0）时，表示元件发出功率，是电源
1.2.2 功率的计算 例: 如图所示各元件电流和电压的参考方向，已知 U1=3V，U2=5V，U3=U4=－2V，I1=－I2=－2A， I3=1A，I4=3A。试求各元件的功率，并指出是吸收 还是发出功率？是电源还是负载？整个电路的总功 率是否满足功率守恒定律？（a）（b）来自1.2.2 功率的计算
电功率: 该元件两端的电压与通过该元件电流的乘积
P UI
如果电压和电流都是时变量时，瞬时功率写成
p ui