集成电路型号命名
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集成电路型号命名
国产IC各厂家会采用不同的前缀作为本厂标志(详情请看IC前缀与厂家介绍),同类产品序号也不一样,有的IC型号、序号与引进的一样。与国际同类品种一致
二、日本松下公司半导体集成电路型号的命名
1、双极型线性集成电路:
XX XX XX X
第4 部分,2个字母
第3 部分,2个数字
第2部分,2个数字
第1部分,1个字母
例:AN 12 34 S
(1)、第1部分
双极型集成电路有两个标志(包括AN及DN)是按照电路类型而划分的。
AN 双极型集成电路、线性集成电路(模拟电路)
DN 数字集成电路
MN MOS电路
EP 两个字母表示微型计算机或小批量生产
(2)、第2部分
这部分数字与应用领域有关(有一些例外),对于专用集成电路,在数字后面加上1~2个字母作为特性的区分(常规的集成电路不用这些字母。对于稳压电源,根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母,例:AN78L04。对于三极管阵列,根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母,例ANB00。第2部分的数字与其应用领域有关,例:
第2部分数字应用领域
10~19 运算放大器、比较电路
20~25 摄像机
26~29 电视唱片
30~39 录像机
40~49 运算放大器
50~59 电视机
60~64 录像机及音响
65 运算放大器及它
66~68 工业用及家用电器
69 比较器及其它
70~76 音响方面的用途
78~80 稳压器
81~83 工业用及家用电器
90 三极管阵列
(3)、第3部分
用二位数字,其范围一般为00~99,例如AN4321
(4)、第4部分
一般不用这部分,但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型,这种情况下大致用大致字母S、P、N。
AN××××S:字母S是指小型扁平封装;
AN××××K:使用收缩双列直插式封装;
AN××××P:使用普通塑料封装;
AN××××N:字母N表示改进型
(5)、其它:OM200:(助听器)是上述线性集成电路标志的例外。
2、数字集成电路:
DN68××(4个数字):霍尔元件集成电路(3端)
DN84××(4个数字):逻辑集成电路
DN85××(4个数字):预定标电路等
DN86××(4个数字):三极管阵列
DN74LS××(×):通用型小功率TTL电路系列(LSTTL)74表示通用型,该系列LSTTL最多可用三位数字
3、MOS集成电路:
XX XXXXX XXX
第3部分,1~3个字母
第2部分,4或5个数字
第1部分,2个字母
例:MN 8037 S
(1)、第1部分
MN两个字母表示松下公司的MOS集成电路
EP两个字母表示微型计算机或小批量生产
对于高速标准逻辑电路,在这部分用标志74HC作为数字的前缀,此时,可用2~4个数字。
(2)、第2部分
这部分所用的数字表明应用领域,例:
第2部分的数字应用领域
1000~1999※1 微型计算机及外围大规模集成电路可变只读存贮器
2000~2999※2 掩膜只读存贮器,电可编程只读存贮器
3000~3399 漏斗式电荷耦合器件(BBD)
3600~3699 电荷耦合器件(CCD)线性图像传感器
3700~3799 电荷耦合器件(CCD)固态图像似感器
3800~3899 电荷耦合器件(CCD)视频信号延迟元件
4000~4999 CMOS4000系列存贮器(动态随机存取存贮器,静态随机存取存贮器)5000~5999 计算器
6000~6999 视频、时钟、通讯
7000~7999 特别用途
8000~8999 通讯、控制器、电荷耦合器件
9000~9999 ――
5000~※3 门阵列
70000~CMOS标准电池
※1.关于微型计算机,根据其功能可使用5位数字,MN512K(图像传感器)只有3位数字。
2.关于通用存贮器,有时可用5位或6位数字(与其它公司共同的数字)。
例:MN41256……256K位动态随机存取存贮器
MN234000……4兆位掩膜可编程只读存贮器
3.关于门阵列(用5位数字表示50000-)其最后2位表示门电路数目。
例:MN51040……4000个门电路。
(3)、第3部分
这部分一般不用,除了功能相同而包装不同用来区分其封装型式(通常为P或S)或是基本功能相同只少许功能不同作为区分时(通常用A、B、C等)。
封装的分类:
MN××××P,字母“P”表示以前为陶瓷或金属封装,现已改为塑料封装。
MN××××S,字母“S”表示小型扁平封装。
三、日本索尼公司半导体集成电路型号的命名:
1、日本索尼公司集成电路通用命名法:
第1部分 第2部分 第3部分 第4 部分
2个字母 2位数字 2~3位数字 1个字母
例CX 20 011 A
(1)、第1部分:索尼公司集成电路标志。
(2)、第2部分:用1~2位数字表示产品分类,双极型集成电路用,0、1、8、10、20、22;
MOS型集成电路用,5、7、23、79。
(3)、第3部分:表示单个产品编号。
(4)、第4 部分:特性有部分改进时加上A字。
2、索尼公司集成电路新命名法。
第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分
2个字母 1个字母 4位数字 1个字母 1个字母
例CX A 1001 A P
(1)、第1部分:索尼公司集成电路标志。
(2)、第2部分:产品分类标志,A为双极型集成电路、B为双极型数字集成电路、D为MOS逻辑集成电路、K为存贮器、P、Q为微型计算机、L为CCD电荷耦合器件信号处理电路。
(3)、第3部分:表示单个产品编号。
(4)、第4部分:特性有改进时标A。
(5)、第5部分:封装标志,P为塑料封装双列直插式、D为陶瓷封装双列直插式、M为小型扁平封装、L为单列直插式封装、Q为四列扁平封装、S为收缩型双列直插式封装、K为无引线芯片载体。
3、索尼公司混合集成电路通用命名法:
第1部分第2部分第3部分
2个字母4位数字1个字母
例BX ×××××
第1 部分为索尼公司混合集成电路标志,第2部分表示单个产品的编号,第3部分为改进标志。
4、索尼公司混合集成电路新命名法:
第1部分第2部分第3部分
3个字母4位数字2个字母
第1部分为索尼公司混合集成电路标志,(在1987年1月以前混合集成电路前缀用SBX或BX)。
例BX-1452,在上述日期以后研制的则都用SBX即SBX1435、SBX1475。
四、日本三菱公司半导体集成电路型号的命名
X X X XX X X
第6部分,1个字母
第5部分,1个字母
第4部分,2位数字
第3部分,1位数字
第2部分,1位数字
第1部分,1个字母
例:M 5 1 94 A P
1、第1部分
M表示日本三菱电气公司集成电路产品。
2、第2部分
数字“5”表示工业用/消费类产品,其工作环境温度范围为(-20~75℃标准);
数字“9”表示高可靠(军用)型。
3、第3部分
其数字分别表示为
0 CMOS电路.
1~2 线性电路
3 TTL电路
10~19 线性电路
32~33 TTL电路(与TISN74系列相同) .
41~47 TTL电路及其它
48~49 I2L集成注入逻辑电路.
84 CMOS电路
85 P沟道硅栅MOS电路.
86 P沟道铝栅MOS电路
87 N沟道硅栅MOS电路
88 P沟道铝栅EDMOS电路
89 CMOS电路
S0~S2 肖特基TTL电路(与TISN74S系列相同)
4、第4部分
此部分由位数组成,表示系列中电路类型。
5、第5部分
由单个字母组成,表示外型不同及下列某些器件特性:
(1)、对于线性电路是字母表中的一个字母,按字母顺序选用但不包括字母I及O,这些字母用作标志器件,有些规格是不相同的。
(2)、.器件的技术规格完全相同,仅有引脚弯曲方向不同,指定用字母“R”表示。(3)、当不需要此组标志时,下一组立即向左移到4组后面。
6、第6部分
表示封装型式,其字母意义如下:
K:低熔点玻璃封口陶瓷封装;
L:注塑单列直插式封装;
P:注塑双列直插式封装;
S:金属陶瓷封装;
SP:注塑缩型双列直插式封装;
FP:注塑扁平型封装
(2)第1部分第2部分第3部分第4部分第5部分第6部分
1个字母1位数字1~2个字母4位数字1个字母1~2位数字
例M 5 K 4116 S -2
第1部分:表示日本三菱公司集成电路。
第2部分:温度范围:“5”表示标准工业/商业用其工作温度范围为0~70/75℃或-20~85℃,“9”表示高可靠。
第3部分:原产品的系列标志(仿制品)用1或2位字母
C:莫托罗拉公司MC系列; G:通用仪器公司系列; L:英特尔公司系列; T:德克萨斯公司系列; W:西方数字公司系列; K:MK系列
第4部分:原产品型号名称的电路功能识别码。
第5部分:封装型式,用1~2位字母表示。
K:玻璃封口陶瓷封装; P:注塑封装; S:金属封口陶瓷封装; SP:注塑缩形封装; FP:注塑扁平封装;B:树脂双列直插式;L:塑料单列直插式; T:TO-5封装;Y: TO-3封装
(3) 封装标志,封装型式可用下列简单的数字字母编码来规定:
第1部分第2 部分第3部分第4 部分
例24 P 4 B
第1部分:表示引脚数。
第2部分:表示封装结构,字母“K”表示玻璃封口陶瓷封装,字母“P”表示注塑封装,字母“S”表示金属封口陶瓷封装。
第3部分:表示封装外型,数字“2”表示无散热片扁平型,数字“4”表示无散热片双列直插式(改进型),数字“5”表示无散热片单列直插式封装,数字“10”表示无散热片双列直插式(石英封装)。
第4部分:表示其它封装型式,字母“Z”表示单列Z形分布直插式,字母“B”表示收缩型双列直插式封装。
五、日本富士通公司
组件 序号性能 封装形式
第四部分
第三部分
第二部分
第一部分
例:MB 3741 L C
1、组件
MB 微型,
MBM 改进型
2、电路性能
Y ,E ,H ,L(低功耗)
3、封装形式
C 陶瓷,
P 塑料,
Z 陶瓷浸责
六、日本日立公司
电路种类用途序号改进型标志封装形式
第五部分
第四部分
第三部分
第二部分
第一部分例:HA 12 401 AP
1、电路种类
HA 模拟电路;
HD 数字电路;
HM 存储器电路;
HN ROM电路
2、用途
11、12 高频;
13、14 低频;
17 工业
3、改进标志
A、B、C...
4、封装形式
P 塑料封装;
M 金属封装;
C 陶瓷封装;
R 引脚反接
七、日本三洋公司
电路种类功能序号
第三部分
第二部分
第一部分
例:LA 41 00
1、电路种类:
LA 双极线性电路;
LB 双极数字电路;
LD CMOS电路;
LM PNMOS电路、
LE SMNCMOS电路;
STK 厚膜电路。
2、功能:
12 高频放大电路;
32 前置放大电路;
33 调频解码器;
41、44 功放电路;
55 直流电机调速电路。
八、日本东芝公司
种类功能序号改进标志封装形式
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 例:TA 7 268 AP
电路种类:TA-双极型电路;TC-CMOS电路;TD-双极型数字电路;TM-MOS电路;
序号分类:4-CMOS4000系列电路;7-模拟电路
封装形式:P-塑料封装; C-陶瓷封装; F-扁平封装
九、日本电气公司
uP 功能序号封装形式改进标志
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 例:uP 3176 A Q 电路种类:A-分立器件; B-双极型数字电路; C-线性电路; D-CMOS电路
封装形式:C-塑料双列直插封装;D-陶瓷双列直插封装;G-扁平封装;H-塑料单列直插封装;V-单列直插偶脚弯折封装。
1.美国仙童公司
种类序号电器等级封装形式温度范围
第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 例:uA 741 AHM
电路种类:uA-线性电路;SH-混合电路
封装形式:D-双列直插式陶瓷封装;E-塑料外壳;F-扁平封装;H-金属管壳;J-金属功率型封装(TO-3);R-陶瓷小型双列直插式;S-陶瓷双列直插;T-小型双列直插式;U -功率型封装(TO-220),塑料封装(TO-92).
温度范围:C-0~75℃(CMOS40~85℃),L-MOS-5~125℃
2.美国无线电公司
类型序号改进标志封装形式
第一部分第一部分第一部分第一部分例:CA 3176 AQ
类型:CA-模拟电路,CD-数字电路,CDP-微处理器,MWS-MOS电路
改进标志:A、B-可以代换原型号的改进型,C -不能代换原型号的改进型
封装形式:D-陶瓷双列直插式封装,E-塑料双列直插式封装,F-陶瓷双列直插式封装(玻璃密封),L-梁式引线器件,Q-四列直插式塑料封装,S-双列直插式(外引线)TO-5型封装,T-TO-5型封装,EM-带散热片的改进型双列直插式塑料封装。
3.美国国家半导体公司
类型序号封装形式
第一部分第二部分第三部分 例:LM 1126 N
种类:LM-模拟电路;LF-线性电路;LH-混合电路;LP-低功耗电路;TBA-仿制电路。
封装形式:D-玻璃、金属双列直插式;G-TO-8金属壳;H-TO-5型金属壳;N-塑料双列直插式。
4.美国摩托罗拉公司
种类序号分类序号改进型封装形式
第一部分第二部分第三部分第四部分 例:MC 13 06 AP
种类:MC-已封装产品;MCC-未封装的芯片;MCCF-反装芯片;MCM-存储器;LM -仿LM系列芯片电路;NMS-存储器系统。
序号分类:13XX-模拟电路;14XX-仿CD4000系列的CMOS电路;58XX-八位uC系列电路;60XX-十六位uC系列电路。
封装形式:F-陶瓷扁平封装;P-塑料双列直插式封装;L-陶瓷双列直插封装;U-陶瓷封装;G-TO-5型封装;K-TO-3型封装;T-TO-220型封装。
5.美国史普耐格公司
种类温度范围序号封装形式
第一部分第二部分第三部分第四部分 例:UL N 3705 A
种类:UL-线性电路;UG-霍尔效应电路;UD-显示电路;UCN-CMOS电路。
温度范围:N-25℃~70℃; S-55℃~150℃
封装形式:A-塑料双列直插封装;B-带散热器塑料双列直插封装;C-片状封装;D-TO-99
型封装;E-只有1、4、5、8脚双列塑料封装;M-塑料双列直插式(8脚)封装;R-陶瓷双列直插式封装。
6.美国模拟器件公司
AD 电路序号温度范围封装形式
模拟器件第二部分第三部分第四部分
温度范围:A、B、C-工业用;J、K、L-商业用;S、T、U-军用。
封装形式:D-陶瓷双列直插封装;F-陶瓷扁平;H-TO-5金属园壳。
UCC
型号 UCC □80 □□含说1:温度范围3:封装形式
含义 1 2 3 义明2:序列号
1.欧洲电子联盟
种类温度范围序号封装形式
第一部分第二部分第三部分第四部分 例:TD A 2527 Q
种类:TD-模拟电路;UD-模拟/数字混合电路;SD-非系列电路。
温度范围:A-无明确规定范围;B-0℃~70℃;C--55℃~125℃; D--25℃~70℃;E --25℃~85℃;F--40℃~85℃;G--55℃~85℃。
封装形式:后缀为一个字母,C-园片形封装;D-陶瓷双列封装;F-扁平封装;P-塑料封装;Q-四列引线封装;U-芯片封装;后缀为两个字母,第一个字母C、D含义不变;E -带散热片功率型双列引线封装;F-二排引线扁平封装;G-四排引线扁平封装;K-菱形TO-3;M-多层引线封装(双列、三列、四列除外)Q-四列引线封装;R-带散热片功率型四列引线封装;S-单列引线(TO-127、TO-220系列);T-三列引线封装。后缀为两个字母的后一个字母,C-金属/陶瓷封装;G-玻璃/陶瓷封装;M-金属封装;P-塑料封装。
2.德国西门子公司
种类温度范围序号
种类:T-模拟电路;S-数字电路;U-数字模拟混合电路。
第一部分第二部分第三部分温度范围:B-0℃~70℃;C- -55℃~125℃;D- -25℃~70℃;
E- -25℃~85℃;F- -40℃~85℃;G- -55℃~85℃
3.德国德律风根公司
种 类序 号器件工艺 种类:U-集成电路
器件工艺:B-双极型;M-MOS电路
第一部分第二部分第三部分其它前缀符号:按欧洲电子联盟指定
4.英国普利斯半导体公司
种类序号改进标志封装形式种类:MJ-N沟道MOS;ML—MOS线性器件;MN-NMOS数字器件;
MP-MOS数字器件;MT-MOS线性器件不带保护栅;MV-CMOS器件;TAA、TBA、TCA、TDA-消费性电路;SL-双极线性器件;SP-双极数字器件;
第一部分第二部分第三部分第四部分
封装形式:CM-TO-5金属园壳封装;DC-陶瓷双列引线;DP-塑料双列引线;QG-陶瓷四列引线;QP-塑料四列引线;SP-塑料单列。
5.加拿大米特尔半导体公司
种类序号改进标志封装与温度范围种类:ML-线性器件;MH-混合;MT-通信;MD-数字;MA-模拟/逻辑阵列。
第一部分第二部分第三部分第四部分改进标志:A、B
封装与温度范围:C-陶瓷双列直插式(-40℃~85℃);E-塑料双列直插式(-40℃~85℃);F-陶瓷双列直插式(-55℃~125℃);I-小方快形(-55℃~125℃)。
6.TRW大规模集成电路公司
种类序号封装形式温度范围种类:除了乘法器以MPY表示以外,其他电路都用TDC 表示。
第一部分第二部分第三部分第四部分封装形式:J-陶瓷双列直插;N-塑料双列直插。
温度范围:M- -55℃~125℃,没有字标的为0℃~70℃