集成电路型号命名

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集成电路型号命名

集成电路型号命名

国产IC各厂家会采用不同的前缀作为本厂标志(详情请看IC前缀与厂家介绍),同类产品序号也不一样,有的IC型号、序号与引进的一样。与国际同类品种一致

二、日本松下公司半导体集成电路型号的命名

1、双极型线性集成电路:

XX XX XX X

第4 部分,2个字母

第3 部分,2个数字

第2部分,2个数字

第1部分,1个字母

例:AN 12 34 S

(1)、第1部分

双极型集成电路有两个标志(包括AN及DN)是按照电路类型而划分的。

AN 双极型集成电路、线性集成电路(模拟电路)

DN 数字集成电路

MN MOS电路

EP 两个字母表示微型计算机或小批量生产

(2)、第2部分

这部分数字与应用领域有关(有一些例外),对于专用集成电路,在数字后面加上1~2个字母作为特性的区分(常规的集成电路不用这些字母。对于稳压电源,根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母,例:AN78L04。对于三极管阵列,根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母,例ANB00。第2部分的数字与其应用领域有关,例:

第2部分数字应用领域

10~19 运算放大器、比较电路

20~25 摄像机

26~29 电视唱片

30~39 录像机

40~49 运算放大器

50~59 电视机

60~64 录像机及音响

65 运算放大器及它

66~68 工业用及家用电器

69 比较器及其它

70~76 音响方面的用途

78~80 稳压器

81~83 工业用及家用电器

90 三极管阵列

(3)、第3部分

用二位数字,其范围一般为00~99,例如AN4321

(4)、第4部分

一般不用这部分,但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型,这种情况下大致用大致字母S、P、N。

AN××××S:字母S是指小型扁平封装;

AN××××K:使用收缩双列直插式封装;

AN××××P:使用普通塑料封装;

AN××××N:字母N表示改进型

(5)、其它:OM200:(助听器)是上述线性集成电路标志的例外。

2、数字集成电路:

DN68××(4个数字):霍尔元件集成电路(3端)

DN84××(4个数字):逻辑集成电路

DN85××(4个数字):预定标电路等

DN86××(4个数字):三极管阵列

DN74LS××(×):通用型小功率TTL电路系列(LSTTL)74表示通用型,该系列LSTTL最多可用三位数字

3、MOS集成电路:

XX XXXXX XXX

第3部分,1~3个字母

第2部分,4或5个数字

第1部分,2个字母

例:MN 8037 S

(1)、第1部分

MN两个字母表示松下公司的MOS集成电路

EP两个字母表示微型计算机或小批量生产

对于高速标准逻辑电路,在这部分用标志74HC作为数字的前缀,此时,可用2~4个数字。

(2)、第2部分

这部分所用的数字表明应用领域,例:

第2部分的数字应用领域

1000~1999※1 微型计算机及外围大规模集成电路可变只读存贮器

2000~2999※2 掩膜只读存贮器,电可编程只读存贮器

3000~3399 漏斗式电荷耦合器件(BBD)

3600~3699 电荷耦合器件(CCD)线性图像传感器

3700~3799 电荷耦合器件(CCD)固态图像似感器

3800~3899 电荷耦合器件(CCD)视频信号延迟元件

4000~4999 CMOS4000系列存贮器(动态随机存取存贮器,静态随机存取存贮器)5000~5999 计算器

6000~6999 视频、时钟、通讯

7000~7999 特别用途

8000~8999 通讯、控制器、电荷耦合器件

9000~9999 ――

5000~※3 门阵列

70000~CMOS标准电池

※1.关于微型计算机,根据其功能可使用5位数字,MN512K(图像传感器)只有3位数字。

2.关于通用存贮器,有时可用5位或6位数字(与其它公司共同的数字)。

例:MN41256……256K位动态随机存取存贮器

MN234000……4兆位掩膜可编程只读存贮器

3.关于门阵列(用5位数字表示50000-)其最后2位表示门电路数目。

例:MN51040……4000个门电路。

(3)、第3部分

这部分一般不用,除了功能相同而包装不同用来区分其封装型式(通常为P或S)或是基本功能相同只少许功能不同作为区分时(通常用A、B、C等)。

封装的分类:

MN××××P,字母“P”表示以前为陶瓷或金属封装,现已改为塑料封装。

MN××××S,字母“S”表示小型扁平封装。

三、日本索尼公司半导体集成电路型号的命名:

1、日本索尼公司集成电路通用命名法:

第1部分 第2部分 第3部分 第4 部分

2个字母 2位数字 2~3位数字 1个字母

例CX 20 011 A

(1)、第1部分:索尼公司集成电路标志。

(2)、第2部分:用1~2位数字表示产品分类,双极型集成电路用,0、1、8、10、20、22;

MOS型集成电路用,5、7、23、79。

(3)、第3部分:表示单个产品编号。

(4)、第4 部分:特性有部分改进时加上A字。

2、索尼公司集成电路新命名法。

第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分

2个字母 1个字母 4位数字 1个字母 1个字母

例CX A 1001 A P

(1)、第1部分:索尼公司集成电路标志。

(2)、第2部分:产品分类标志,A为双极型集成电路、B为双极型数字集成电路、D为MOS逻辑集成电路、K为存贮器、P、Q为微型计算机、L为CCD电荷耦合器件信号处理电路。

(3)、第3部分:表示单个产品编号。

(4)、第4部分:特性有改进时标A。

(5)、第5部分:封装标志,P为塑料封装双列直插式、D为陶瓷封装双列直插式、M为小型扁平封装、L为单列直插式封装、Q为四列扁平封装、S为收缩型双列直插式封装、K为无引线芯片载体。

3、索尼公司混合集成电路通用命名法:

第1部分第2部分第3部分

2个字母4位数字1个字母

例BX ×××××

第1 部分为索尼公司混合集成电路标志,第2部分表示单个产品的编号,第3部分为改进标志。

4、索尼公司混合集成电路新命名法:

第1部分第2部分第3部分

3个字母4位数字2个字母

第1部分为索尼公司混合集成电路标志,(在1987年1月以前混合集成电路前缀用SBX或BX)。

例BX-1452,在上述日期以后研制的则都用SBX即SBX1435、SBX1475。

四、日本三菱公司半导体集成电路型号的命名

X X X XX X X

第6部分,1个字母

第5部分,1个字母

第4部分,2位数字

第3部分,1位数字

第2部分,1位数字

第1部分,1个字母

例:M 5 1 94 A P

1、第1部分

M表示日本三菱电气公司集成电路产品。

2、第2部分

数字“5”表示工业用/消费类产品,其工作环境温度范围为(-20~75℃标准);

数字“9”表示高可靠(军用)型。

3、第3部分

其数字分别表示为

0 CMOS电路.

1~2 线性电路

3 TTL电路

10~19 线性电路

32~33 TTL电路(与TISN74系列相同) .

41~47 TTL电路及其它

48~49 I2L集成注入逻辑电路.

84 CMOS电路

85 P沟道硅栅MOS电路.

86 P沟道铝栅MOS电路

87 N沟道硅栅MOS电路

88 P沟道铝栅EDMOS电路

89 CMOS电路

S0~S2 肖特基TTL电路(与TISN74S系列相同)

4、第4部分

此部分由位数组成,表示系列中电路类型。

5、第5部分

由单个字母组成,表示外型不同及下列某些器件特性:

(1)、对于线性电路是字母表中的一个字母,按字母顺序选用但不包括字母I及O,这些字母用作标志器件,有些规格是不相同的。

(2)、.器件的技术规格完全相同,仅有引脚弯曲方向不同,指定用字母“R”表示。(3)、当不需要此组标志时,下一组立即向左移到4组后面。

6、第6部分

表示封装型式,其字母意义如下:

K:低熔点玻璃封口陶瓷封装;

L:注塑单列直插式封装;

P:注塑双列直插式封装;

S:金属陶瓷封装;

SP:注塑缩型双列直插式封装;

FP:注塑扁平型封装

(2)第1部分第2部分第3部分第4部分第5部分第6部分

1个字母1位数字1~2个字母4位数字1个字母1~2位数字

例M 5 K 4116 S -2

第1部分:表示日本三菱公司集成电路。

第2部分:温度范围:“5”表示标准工业/商业用其工作温度范围为0~70/75℃或-20~85℃,“9”表示高可靠。

第3部分:原产品的系列标志(仿制品)用1或2位字母

C:莫托罗拉公司MC系列; G:通用仪器公司系列; L:英特尔公司系列; T:德克萨斯公司系列; W:西方数字公司系列; K:MK系列

第4部分:原产品型号名称的电路功能识别码。

第5部分:封装型式,用1~2位字母表示。

K:玻璃封口陶瓷封装; P:注塑封装; S:金属封口陶瓷封装; SP:注塑缩形封装; FP:注塑扁平封装;B:树脂双列直插式;L:塑料单列直插式; T:TO-5封装;Y: TO-3封装

(3) 封装标志,封装型式可用下列简单的数字字母编码来规定:

第1部分第2 部分第3部分第4 部分

例24 P 4 B

第1部分:表示引脚数。

第2部分:表示封装结构,字母“K”表示玻璃封口陶瓷封装,字母“P”表示注塑封装,字母“S”表示金属封口陶瓷封装。

第3部分:表示封装外型,数字“2”表示无散热片扁平型,数字“4”表示无散热片双列直插式(改进型),数字“5”表示无散热片单列直插式封装,数字“10”表示无散热片双列直插式(石英封装)。

第4部分:表示其它封装型式,字母“Z”表示单列Z形分布直插式,字母“B”表示收缩型双列直插式封装。

五、日本富士通公司

组件 序号性能 封装形式

第四部分

第三部分

第二部分

第一部分

例:MB 3741 L C

1、组件

MB 微型,

MBM 改进型

2、电路性能

Y ,E ,H ,L(低功耗)

3、封装形式

C 陶瓷,

P 塑料,

Z 陶瓷浸责

六、日本日立公司

电路种类用途序号改进型标志封装形式

第五部分

第四部分

第三部分

第二部分

第一部分例:HA 12 401 AP

1、电路种类

HA 模拟电路;

HD 数字电路;

HM 存储器电路;

HN ROM电路

2、用途

11、12 高频;

13、14 低频;

17 工业

3、改进标志

A、B、C...

4、封装形式

P 塑料封装;

M 金属封装;

C 陶瓷封装;

R 引脚反接

七、日本三洋公司

电路种类功能序号

第三部分

第二部分

第一部分

例:LA 41 00

1、电路种类:

LA 双极线性电路;

LB 双极数字电路;

LD CMOS电路;

LM PNMOS电路、

LE SMNCMOS电路;

STK 厚膜电路。

2、功能:

12 高频放大电路;

32 前置放大电路;

33 调频解码器;

41、44 功放电路;

55 直流电机调速电路。

八、日本东芝公司

种类功能序号改进标志封装形式

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 例:TA 7 268 AP

电路种类:TA-双极型电路;TC-CMOS电路;TD-双极型数字电路;TM-MOS电路;

序号分类:4-CMOS4000系列电路;7-模拟电路

封装形式:P-塑料封装; C-陶瓷封装; F-扁平封装

九、日本电气公司

uP 功能序号封装形式改进标志

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 例:uP 3176 A Q 电路种类:A-分立器件; B-双极型数字电路; C-线性电路; D-CMOS电路

封装形式:C-塑料双列直插封装;D-陶瓷双列直插封装;G-扁平封装;H-塑料单列直插封装;V-单列直插偶脚弯折封装。

1.美国仙童公司

种类序号电器等级封装形式温度范围

第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分 例:uA 741 AHM

电路种类:uA-线性电路;SH-混合电路

封装形式:D-双列直插式陶瓷封装;E-塑料外壳;F-扁平封装;H-金属管壳;J-金属功率型封装(TO-3);R-陶瓷小型双列直插式;S-陶瓷双列直插;T-小型双列直插式;U -功率型封装(TO-220),塑料封装(TO-92).

温度范围:C-0~75℃(CMOS40~85℃),L-MOS-5~125℃

2.美国无线电公司

类型序号改进标志封装形式

第一部分第一部分第一部分第一部分例:CA 3176 AQ

类型:CA-模拟电路,CD-数字电路,CDP-微处理器,MWS-MOS电路

改进标志:A、B-可以代换原型号的改进型,C -不能代换原型号的改进型

封装形式:D-陶瓷双列直插式封装,E-塑料双列直插式封装,F-陶瓷双列直插式封装(玻璃密封),L-梁式引线器件,Q-四列直插式塑料封装,S-双列直插式(外引线)TO-5型封装,T-TO-5型封装,EM-带散热片的改进型双列直插式塑料封装。

3.美国国家半导体公司

类型序号封装形式

第一部分第二部分第三部分 例:LM 1126 N

种类:LM-模拟电路;LF-线性电路;LH-混合电路;LP-低功耗电路;TBA-仿制电路。

封装形式:D-玻璃、金属双列直插式;G-TO-8金属壳;H-TO-5型金属壳;N-塑料双列直插式。

4.美国摩托罗拉公司

种类序号分类序号改进型封装形式

第一部分第二部分第三部分第四部分 例:MC 13 06 AP

种类:MC-已封装产品;MCC-未封装的芯片;MCCF-反装芯片;MCM-存储器;LM -仿LM系列芯片电路;NMS-存储器系统。

序号分类:13XX-模拟电路;14XX-仿CD4000系列的CMOS电路;58XX-八位uC系列电路;60XX-十六位uC系列电路。

封装形式:F-陶瓷扁平封装;P-塑料双列直插式封装;L-陶瓷双列直插封装;U-陶瓷封装;G-TO-5型封装;K-TO-3型封装;T-TO-220型封装。

5.美国史普耐格公司

种类温度范围序号封装形式

第一部分第二部分第三部分第四部分 例:UL N 3705 A

种类:UL-线性电路;UG-霍尔效应电路;UD-显示电路;UCN-CMOS电路。

温度范围:N-25℃~70℃; S-55℃~150℃

封装形式:A-塑料双列直插封装;B-带散热器塑料双列直插封装;C-片状封装;D-TO-99

型封装;E-只有1、4、5、8脚双列塑料封装;M-塑料双列直插式(8脚)封装;R-陶瓷双列直插式封装。

6.美国模拟器件公司

AD 电路序号温度范围封装形式

模拟器件第二部分第三部分第四部分

温度范围:A、B、C-工业用;J、K、L-商业用;S、T、U-军用。

封装形式:D-陶瓷双列直插封装;F-陶瓷扁平;H-TO-5金属园壳。

UCC

型号 UCC □80 □□含说1:温度范围3:封装形式

含义 1 2 3 义明2:序列号

1.欧洲电子联盟

种类温度范围序号封装形式

第一部分第二部分第三部分第四部分 例:TD A 2527 Q

种类:TD-模拟电路;UD-模拟/数字混合电路;SD-非系列电路。

温度范围:A-无明确规定范围;B-0℃~70℃;C--55℃~125℃; D--25℃~70℃;E --25℃~85℃;F--40℃~85℃;G--55℃~85℃。

封装形式:后缀为一个字母,C-园片形封装;D-陶瓷双列封装;F-扁平封装;P-塑料封装;Q-四列引线封装;U-芯片封装;后缀为两个字母,第一个字母C、D含义不变;E -带散热片功率型双列引线封装;F-二排引线扁平封装;G-四排引线扁平封装;K-菱形TO-3;M-多层引线封装(双列、三列、四列除外)Q-四列引线封装;R-带散热片功率型四列引线封装;S-单列引线(TO-127、TO-220系列);T-三列引线封装。后缀为两个字母的后一个字母,C-金属/陶瓷封装;G-玻璃/陶瓷封装;M-金属封装;P-塑料封装。

2.德国西门子公司

种类温度范围序号

种类:T-模拟电路;S-数字电路;U-数字模拟混合电路。

第一部分第二部分第三部分温度范围:B-0℃~70℃;C- -55℃~125℃;D- -25℃~70℃;

E- -25℃~85℃;F- -40℃~85℃;G- -55℃~85℃

3.德国德律风根公司

种 类序 号器件工艺 种类:U-集成电路

器件工艺:B-双极型;M-MOS电路

第一部分第二部分第三部分其它前缀符号:按欧洲电子联盟指定

4.英国普利斯半导体公司

种类序号改进标志封装形式种类:MJ-N沟道MOS;ML—MOS线性器件;MN-NMOS数字器件;

MP-MOS数字器件;MT-MOS线性器件不带保护栅;MV-CMOS器件;TAA、TBA、TCA、TDA-消费性电路;SL-双极线性器件;SP-双极数字器件;

第一部分第二部分第三部分第四部分

封装形式:CM-TO-5金属园壳封装;DC-陶瓷双列引线;DP-塑料双列引线;QG-陶瓷四列引线;QP-塑料四列引线;SP-塑料单列。

5.加拿大米特尔半导体公司

种类序号改进标志封装与温度范围种类:ML-线性器件;MH-混合;MT-通信;MD-数字;MA-模拟/逻辑阵列。

第一部分第二部分第三部分第四部分改进标志:A、B

封装与温度范围:C-陶瓷双列直插式(-40℃~85℃);E-塑料双列直插式(-40℃~85℃);F-陶瓷双列直插式(-55℃~125℃);I-小方快形(-55℃~125℃)。

6.TRW大规模集成电路公司

种类序号封装形式温度范围种类:除了乘法器以MPY表示以外,其他电路都用TDC 表示。

第一部分第二部分第三部分第四部分封装形式:J-陶瓷双列直插;N-塑料双列直插。

温度范围:M- -55℃~125℃,没有字标的为0℃~70℃

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