电子线路1课后习题答案.doc
《电子线路（ I ）》董尚斌
编课后习题（ 1 到 7 章）
第 1 章
1-1 本征半导体与杂质半导体有什么区别？
解：本征半导体是纯净的，没有掺杂的半导体，本征半导体的导电性能较差，在温度为0K 时，半导体中没有载流子，它相当于绝缘体。在室温的情况下，由本征激发产生自由电
3 E
g 0
子—空穴对，并达到某一热平衡值，本征载流子浓度n i A0T 2 e 2 kT与温度有关。
杂质半导体是在本征硅或本征锗中掺入杂质得到的，若掺入 5 价元素的杂质可得到 N 型半导体， N 半导体中的多子为自由电子，少子为空穴，由于掺入微量的杂质其导电性能得
到了极大的改善，其电导率是本征半导体的好几个数量级。在杂质半导体中，多子的浓度取
2
3 价元素的决于杂质的浓度，而少子的浓度与n i或正比，即与温度有很大的关系。若掺入
杂质可得到 P 型半导体。
1-2 试解释空穴的作用，它与正离子有什么不同？
解：空穴的导电实际上是价电子导电，在半导体中把它用空穴来表示，它带正电是运载电流的基本粒子，在半导体中，施主杂质电离后，它为半导体提供了一个自由电子，自身带
正电，成为正离子，但由于它被固定在晶格中，是不能移动的。
1-3 半导体中的漂移电流与扩散电流的区别是什么？
解：漂移电流是在电场力的作用下载流子定向运动而形成的电流，扩散电流是由于浓度差而引起的载流子的定向运动而形成的电流
1-4在PN结两端加反向偏压时，为什么反向电流几乎与反向电压无关？
解： PN 结加反偏电压，外加电场与内电场方向相同 ,PN 结变宽，外加电压全部降落在PN结上，而不能作用于 P 区和 N区将少数载流子吸引过来。漂移大于扩散，由于在 P区及 N 区中少子
的浓度一定，因而反向电流与反偏电压无关。
1-5将一个二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有何区别？
解：将二极管看作一个电阻，其明显的特点是非线性特性。而一般由导体构成的电
阻，在有限的电压、电流范围内，基本上是线性的。
（1）二极管的正反向电阻，其数值相差悬殊。正向电阻很小，而反向电阻很大。
（2）二极管具有负温度系数，而导体构成的电阻具有正温度系数。
1-6在用万用表的电阻档测二极管的正向电阻时，发现R 10 档测出的阻值小，而用
R100 档测出的阻值大，为什么？
解：万用表测量电阻时，实际上是将流过电表的电流换算为电阻值刻在表盘上，当流过电表
的电流大时，指示的电阻小，测量时，流过电表的电流由万用表的内阻和二极管的等效
直流电阻之和联合决定。
通常万用表欧姆档的电池电压为，
R × 10 档时，表头满量程为 100μA ，万用表的内阻为
R S ＝ 150Ω， R × 100 档时万用表的内阻为 R S 10R S 1500 。用万用表测二极管所构成
的电路如题图 1-6 （ a ）所示，图中虚线框内所示电路为万用表的等效电路。由图可得管子两端的电压 V 和电流 I 之间有下列关系：
R × 10 档： V 1.5 I R S
R × 100 档： V 1.5 IR S 1.5
10I R S
这两个方程式在 V-I
坐标系中均为直线，如图（ b ）所示；从二极管本身的特性看，管子的
电压和电流应满足特性曲线所表示的规律。
因此，同时受这两种关系约束的电压和电流必定 在特性曲线与直流负载线的交点上。用 R × 10 档测量时，交于图中
A 点，万用表读数为 V 1
／ I 1；用 R × 100 档测时，交于图中 B 点，万用表读数为 V 2／ I 2。显然前者的阻值较小，而后者
的阻值大。
1-18 在 300K 下，一个锗晶体中的施主原子数等于
2× 1014cm －
3，受主原子数等于
3×
14－ 3
10 cm 。
（ 1）试求这块晶体中的自由电子与空穴浓度。由此判断它是
N 型还是 P 型锗？它的电
功能主要是由电子还是由空穴来体现？
［提示］
若 N ＝受主原子（负离子）浓度，
a
N d ＝施主原子（正离子）浓度，
则根据电中性原理，可得
N a n N d
p
又
np n i 2
（300K 下，锗的 n i ＝× 1013cm －
3） 由上二式可求出
n 、p 之值。
（ 2）若 N a ＝ N d ＝ 1015cm
－
3
，重做上述内容。
（ 3）若 N d ＝ 10 16
－3 ， N a ＝10 14－ 3
，重做上述内容。
cm cm 解：（ 1）由 np n i 2 与 n ＋N a ＝ P ＋ N d 可得 p 2 ( N d N a ) p n i 2 0
解之得
p 1 (N d
N a )
(N d
N a )
2
4n
i 2
2
由于 p ＞ 0，故上式根号前应取“＋”号，已知
i
13
－ 3
a
14 － 3
d
14
－3
n ＝× 10 cm
， N
＝3× 10 cm ， N ＝ 2× 10 cm
代入上式得
p
1 (2
3) 10
14
(2
3) 10
14 2
4(2.4 10 13 )
2
1.055 10 14 cm 3
2
n ＝ p ＋（ N d －N a ）＝× 10 14
＋（ 2－ 3）× 10 14
＝× 10 12
－ 3
cm 由此可知 n ＜p 因而是 P 型锗。 （ 2）由于 N ＝ N ，因而由 n ＋ N ＝ p ＋ N 得
a
d
a
d
n
＝p ＝ n i ＝× 1013cm －
3
这是本征锗。
（ 3）由于 N a ＜＜ N d ，因而可得 n ＞＞ p
n
≈N d =1016cm
－3
2
( 2.4 10
13 )
2
n i
5.76 10 10
cm 3
n ＞＞ p ，故为 N 型锗。 p
1016
n
1-20 若在每 105 个硅原子中掺杂一个施主原子，
试计算在 T ＝ 300K 时自由电子和空穴
热平衡浓度值，掺杂前后半导体的电导率之比。
解： T ＝300K 时， n 0≈ N d ＝（× 10 22
5
－ 3
17
－ 3
10－3
／ 10 ） cm ＝× 10 cm ＞＞ n i ＝× 10 cm 则
p 0 n i 2
n 0 4.53 102 cm
3
本征半导体电导率 σ 本 ＝（μ n ＋μ p ） n i q ＝× 10－
6S/cm
杂质半导体电导率 σ 杂 ≈μ n n 0q ＝ 119S/cm
因此
σ 杂 ／σ 本 ＝238× 105
1-21 在室温（ 300K ）情况下，若二极管的反向饱和电流为 1nA ，问它的正向电流为时
应加多大的电压。设二极管的指数模型为
i D
I S (e υD
mV T
1) , 其中 m ＝ 1， V T ＝ 26mV 。
D
解： 将
0.5
，
1，
1
，
V T ＞＞ 1代入公式得
mA
m
I S
nA
e
i D
e
D
V
T
i D I S
D
V
T
ln i D
I S
D
V T ln i
D
0.34V
I S
1-25 二极管的正向伏安特性曲线如题图 1-25 所示，室温下测得二极管中的电流为
20mA ，试确定二极管的静态直流电阻 R 和动态电阻 r d 的大小。
D
解：（ 1-25 ）
从图中可见，
I DQ =20mA 、 V DQ =，所以静态直流电阻
R D 为
V DQ
0.67 33.5
R D
20 10 3
I
DQ
从图中可见， I D 30 10 20
mA
，因而在静态工作点处其交流电阻为
r d V T 26
1.3
I D 20
1-26 由理想二极管组成的电路如题图1-26 所示，试求图中标注的电压V 和电流 I 的大小。
解：在图（ a）电路中 D2管优先导通，输出端电压=＋3V， D1截止，通过1kΩ电阻的电流 I=8mA；
题图1-26 （ b）的变形电路如右图所示，从图中可见：假定D1截止D2导通，则输出端
的电压10 10
A 点电压也为＋，5
10103.33V ；由于D2是理想二极管，则
10
显然，假定 D1截止是错误的。
若 D1导通， A 点电压为零，则输出端电压也为零V＝ 0，则通过 D1的电流为
10 0 10
I 1mA
5 10
1-27 二极管电路如题图 1-27 所示，判断图中二极管是导通还是截止状态，并确定输出电
压 V o。设二极管的导通压降为。
解：判断二极管在电路中的工作状态，常用的方法是：首先假设将要判断的二极管断
开（图中 A、B 两点之间断开），然后求该二极管阳极与阴极之间承受的电压。如果该电压大于导通电压，则说明该二极管处于正向偏置而导通，两端的实际电压为二极管的导通压降；
如果该电压小于导通电压，则二极管处于反向偏置而截止。在判断过程中，如果电路中出现两个以上二极管承受大小不相等的正向电压，则应判定承受正向电压较大者优先导通，其两端电压为导通电压降，然后再用上述方法判断其余二极管的状态，具体分析如下：
①在图题1-27 （ a）中，首先将二极管 D 断开，求二极管两端将承受的电压V AB＝ V A－ V B ＝－ 5V－（－ 10V）＝ 5V。显然，二极管接入以后处于正向偏置，工作在导通状态。如果设
V D0V V O V A V D5V
正向压降V D(on)＝，则输出电压V O＝ V A－ V(on)D＝－ 5V－＝－。
②在图题1-27 （ b）中，断开二极管V D, 有 V AB＝ V A－ V B＝－ 10V－（－ 5V）＝－ 5V。可见，二极管 V D接入以后，将承受反向电压， D 处于截止状态（相当于断开），电路中电流等于零（设反向饱和电流为零），R上的电压降等于零，故V O＝ V B＝－ 5V。
③在图题1-27 （c）中，首先将D1和 D2断开，求两管将承受的电压为：
V D1：V B1A=V B1－V A＝0V－（－9V）＝9V
V D2：V B2A＝V B2－V A＝－12V－（－9V）＝－3V
二极管接入以后，V D1因正偏处于导通，则
V O＝ V A＝ V B1－ V VD1＝ 0V－＝－
而V B2A＝－ 12V－（－）＝－，所以， V D2因反偏处于截止状态。④在图题
1-27 （d）中，首先将 V D1和 V D2断开，求得两管将承受的电压。
V D1：V AB1＝V A－V B1＝15V－0V＝15V
V D2：V AB2＝V A－V B2＝15V－（－10V）＝25V
二极管接入以后，因V D2承受的正向电压较V D1高，优先导通；使 A 点的电位V A＝ V B2＋ V D2 （on）＝－10V＋＝－。D1 因承受电压而截止。故
V O＝V A＝－
1-28题图1-28所示电路中稳压管的稳压值为6V，稳定电流
为10mA，额定功率为 200mW，试问
（1）当电源电压在 18V ~ 30V 范围内变化时，输出 V o是多少？
稳压管是否安全？
（ 2）若将电源电压改为5V，电压 V o是多少？
（ 3）要使稳压管起稳压作用，电源电压的大小应满足什么条
件？
解：由于稳压管的额定功率为200mW，而V Z为6V，则通过稳压管的最大允许电流为
I
Z max 200
33.3mA 6
（ 1）当电源电压在18～ 30V 范围内变化时，输出电压V o＝6，而通过稳压管的电流 I Z
为 I Z 30 6
24mA ＜ I Z m ax，所以稳压管是安全的。
1 103
（ 2）若电源电压改为5V，电压 V o＝ 5V（不稳压）。
（ 3）10 10 3＜V
I
6
3＜33.3 10 3 16V＜ V I＜39.3V 1 10
1-29 题图1-29 中给出实测双极型三极管各个电极的对地电位，试判定这些三极管是
否处于正常工作状态？如果不正常，是短路还是断路？如果正常，是工作于放大状态，截止状态还是饱和状态？
解：三极管的三种工作状态的偏置特点为：
放大状态——发射结正偏、集电结反偏；饱和状态——发射结正偏、集电结正偏；截
止状态——发射结反偏、集电结反偏。正偏时三极管的发射结电压为：硅管、锗管。若违反
以上特点，则考虑管子是否损坏。
综合分析后得：
（ a ）放大状态；（ b ）发射结断路； （ c ）放大状态； （d ）发射结短路； （e ）截止状态；
（ f ）饱和状态；（ g ）发射结断路； （ h ）放大状态。
1-32 已知电路如题图 1-32 所示，试判断下列两种情况下电路中三极管的状态：
（ 1） V CC =15V R b
＝390k Ω R c ＝Ω
β＝ 100 （ 2） V CC ＝ 18V R b ＝310k Ω R c ＝Ω
β＝ 100
解：（ 1）
I
BQ
V
CC
V
BEQ
15 0.7 36.7 A
R b
390 103 I
CQ
I
BQ
100
36.7 10 6
3.67mA
V CEQ V CC I CQ R c
15
11.4 3.6V
因为 V CEQ ＞ 1V ，所以 T 处于放大状态 （ 2）
假设放大管处于饱和状态，令 V CES ≈ 0
则
V
CC
V
CES
3.83mA
I
CS
R c
I CS
38.3 A I
BS
18 0.7
55.8 A ＞ I BS
I B
103 310
所以 T 处于饱和状态。
1-34 某三极管的输出特性曲线如题图
1-34 所示，从图中确定该管的主要参数： I 、
CE0
P CM 、 V （ BR ） CE0, β（在 V CE ＝ 10V ， I C ＝ 4mA 附近）。
答案： I CE0＝； P CM ＝40mW ； V CE0=25V ；β＝ 50
1-36 若测得某半导体三极管在 I B ＝ 20μ A 时， I C ＝ 2mA ； I B ＝ 60μ A 时， I C ＝，试求此
管的β、 I CE0及 I CB0各为多少？
解：根据三极管电流分配关系I c＝β I B＋I CE0和已知条件，有
2000 μ A＝ 20·β＋ I CE0
5400μ A＝ 60·β＋ I CE0
由此解得β＝ 85 I CE0＝300μA
又 I CE0＝（ 1＋β） I CB0, 所以 I CB0≈μA
1-38 已知半导体三极管静态工作点电流I =2mA，β
CQ
＝80， |V A| ＝ 100V，r bb 0 ，试画出器件的混合π型等效
电路，并求其参数r b e、g m和 r ce值。
解：混合π型等效电路如图所示。
由于a 0.9876 EQ CQ
，则 I ＝ I ／α＝
1
因此 r b e (1 )V
T 1040 ， g m r b e 77 mS ，r ce
V A
50k I EQ I CQ
1-42 N 沟道 JFET的输出特性如题图 1-42 所示。漏源电压的 V DS＝15V，试确定其饱和漏电流I DSS和夹断电压 V P。并计算 V GS＝－ 2V 时的跨导 g m。
解：由图可得：饱和漏电流I DSS≈ 4mA，夹断电压V P≈－ 4V，V GS＝－ 2V 时，用作图法求
得跨导近似为： g m △i D 2.6 1.4
mS＝△
GS 1 ( 2)
第2 章
2-1什么叫放大器？试述题图2-1 放大电路中各元件的作用？
2-2根据放大电路的组成原则，判断题图2-2 所示各电路能否正常放大。
题图 2-2
解答：图（a）电源电压为负值，晶体管没有合适的工作点，电路不能正常放
大；图（b）电容C b隔断了直流，晶体管处于截止状态，电路不能正常放
大；图（ c）电容 C b将输入信号短路，电路不能正常放大；
0 ，电路不能正常放大；
图（ d）晶体管的集电极为交流地电位，所以
o
图（ e）晶体管处于截止状态，电路不能正常放大；
图（ f ）电路有放大作用
2-3 画出题图2-3 放大电路的直流通路和交流通路以及B、i B、i E、 E 的波形图（设
V sm sin t ,V sm＜＜ V BE，放大器处于线性状态工作，而且在工作频率下耦合电容C b s
和 C e足够大，它们所呈现的阻抗很小，可视为短路）。
题图 2-3题图2-4
解：题图2-3
2-4 在题图 2-4 所示的电路中， 已知管子的
100,V BE ( on)0.7V, I CQ 2.17 mA
r ce 不计，信号源
s 0.1sin
t V
，R
10 k 。
0, 试求三极管各极电压和电
( ) s
设 r bb 流值
i B 、 BE 、 i C 、 CE 。
解：
∵I ＝－
CQ
∴ I BQ
I
CQ
21.7 A
r
b e
1
V T
101 11.98 1.21k
I
CQ
i b
s
8.92 sin t( A)
R s
r
b e
则i
＝ I
＋ i
＝（－＋ω t ）μ A
B
BQ
b
υ BE ＝ V BE(on) ＋υ be ＝（－＋ω t ） V i
C
＝ I CQ ＋ i C ＝（－＋ω t ）mA
υ CE ＝ V CEQ +υ o ＝（－＋ω t ） V
2-8
试用估算法确定题图
2-8 所示放大电路的 Q 点。
已知三极管的
50 。
题图 2-8
V
CC
I BQ 1 R c V
BEQ
解：
I
BQ
R b
1
R e
1
） I BQ
V CC
V
BEQ
54 A
R b
1
R c
R e
2） I CQ ＝β I BQ ＝
3） V CEQ ＝ V CC －（ I C ＋ I B ）（ R c ＋ R e ）＝
2-10 设计一个如题图 2-10 所示的分压式偏置电路。已知
50， V CC
12V 它的
静态工作点 I
mA ， V
V ，
V BEQ V
1 4.5
b1
b2c
e
解：因为 V BQ＝（ 3～5） V，这里取 V BO＝ 4V，所以V BQ＝V BQ－＝
R e V
EQ
V
EQ 3.3 3.3k I
EQ
I
CQ 1 103
取标称值 R e＝Ω
I BQ I
CQ 1 10 3
A
又因为50 20
取I 1＝（5～10）I BQ＝（100～200）μA，这里取I 1≈I 2＝200μA
所以R b2 V BQ 4
20k I 2 200 10 6
取标称值 R b2＝ 20kΩ
R
b1 V
CC
V
BQ 12 4
40k
I 1 200 10 5
取标称值 R b1＝ 39kΩ
R c V
CC
V
CEQ
V
EQ 12 4.5 3.3 4.2k I
CQ 1 10 3
取标称值 R ＝Ω
c
2-13 已知题图2-13 所示放大电路中三极管的参数为40， r bb 300 ，试估算它的工作点及电压增益，如果放大器输出端外接4k 的负载，问这时放大器的电压增益下
降到多少？
题图 2-13题图2-14
解：（ 1）静态工作点依据题意有
V
BQ
R b1
V
CC
4.7 2.1V
R
b2
12
R
b1
22 4.7
I
EQ
V
EQ V
BQ
V
BEQ
2.1 0.2 1.9mA
R e R e
1 103
I BQ
I
EQ
1.9 10
3
A
1
42
46
I CQ I BQ
40 46 10 6
1.84mA
V
CEQ
V
CC
I CQ
R
c
I EQ
R
e
12 1.84 2.5 1.9 15.5V
（ 2）电压增益因为
26 mV 26 r e
13.68
I EQ mA
1.9
A 1
R
c
40 25 103
116.2
r
bb
1 0 r e 300 41
13.68
当放大器输出端外接 4k Ω的负载时，由于 R L ＝4k Ω，
R L
2.5 4 106
1.538k
R L // R C
4
103
2.5
A 2
R
L
40 1.538 103
所以
r
bb
1
0 r
e
71.46
300 41 13.68
2-14 题图 2-14 所示电路，属于何种组态？若输入信号波形为正弦波，试定性画
出
BE 、 i E 、 i C 、 CB 及
o 的波形，并说明
o 与 i 的相位关系。
解： 该电路属于共基组态
2-24
由 N 沟道耗尽型场效应管组成的源极输出器电路如题图
2-24 ，设静态值 GS
V ＝－，
m
g ＝V ，试求：
（1）静态值 I D 和 V DS ；
υ
i
o
（2）电压放大倍数 A ，输入电阻 R 和输出电阻 R 。
解：（ 1）求静态值 I D 和 V DS 由该电路的直流通路可求得：
R
G2
V
DD
4V
V G
R
G 2 R
G 1
题 又 V
G
－
V GS＝ I D R S
所以
V G V GS 4 0.2
题图 2-24 I D 0.42mA
R S 10k
V DS＝ V DD－ I D R S＝
（ 2）计算电压放大倍数Aυ，输入电阻R i和输出电阻R o
先画出微变等效电路如图所示
由微变等效电路可得
A o o
g
m gs
R
L g m R L g m R S // R L 0.86 gs g m gs R L 1 g m R L 1 g m R S // R L
i gso
R g1
I 0 I C 5 2
A d
I C 2
R
o3
r b e3 I C 5
R i＝R g＋
R o o
I D
o o
R S // 1 0.77k
I
R S o g m gs o g m o g m
R S R S
V
BE
V
EE
1.04mA I CQ1
I
CQ 2
I 0
0.52mA ic
ic i 2
4.995 A d R
EE 2 2
r
b e1 1 1
V T
9.8M
R
id 2 R1
r
b e1 19.6M
I
CQ1
1
r
b e3
A 1 A 2 1 3 3
R
c 1
R
c 239.5
R
1
r
b e1
r
b e3 R1
r
b e1
0 V
BE (on ) 6
2mA
R
I
C 3
I
C 2
R2
3.33mA
R2 R4 I C 1 R I C 2 1.13mA R3
r
ce3 1
R3
1016k
R3
r
b e3 R4 // r e2 R2
1
V T
780 , r e2
V T
13
,r
ce3
V A
36k A d I
C 3
I
C2
I
C 3
1
V
BE ( on)
1mA
I
C1
I
C 2
I 0
0.5mA
R3 2
r b e1r
b e2
r
b e 4
1 V T
5.25k R id 2r b e1 10.5k
I
C1
R
o 4
r
ce4
1
R 2
2960k
r b e4r ce1
// r
e 3
R 1
R 2
r
ce1
r
ce2
r
ce4
V A
200k
r
e3
V T
52
R od r ce 2 // R o4
180k
I
C1
I
C 1
A d
R L // R od
182.7 A 增大输入电阻
B
增大电流放大系数
C 展
r
b e 2
宽频带
（ 3）电路采用超β管能够 ________B________.
（ 4） T 1与 T 2 管的静态管压降 V CEQ 约为 _________A___________
A .
B.
C.
不可知
3-20
在题图
3-20
中，已知
V CC ＝ 15V ， R 4＝ R 5＝Ω， R L ＝8Ω，三极管的饱和压降均为
2V ，在输入电压足够大时，求：
（ 1）最大不失真输出电压的有效值
（ 2）负载电阻 R L 上的电流的最大值 I L max 。
（ 3）最大的输出功率 P omax 和效率η。解：（ 1）题图 3-20 所示电路中，
V
R4
V
CC
V
CES
R 4
15 2
0.5V
0.76V
R 4 R L
0.5
8
故有
V
om
V CC
V
CES
V
R 4
15 2 0.76 8.65V
2
1.414 V
（ 2） I L max V
CC
V CES
V
R 4
15
2 0.76
R L
8
A 1.53A
V
CC
V
CES
V
R 4 2
15 2 0.76 2
（ 3） P om 9.36W
2R L
2 8
W
V
CC
V
CES
V
R 4
3.14 13 0.76
4V CC
4 15
64%
3-22 在题图 3-22 所示电路中， 已知二极管的导通电压
V D(on) ＝，三极管导通时的 V BE
＝， T 2 和 T 3 管发射极静态电位 V EQ ＝ 0。试问：
（ 1） T 1、T 3 和 T 5 管基极的静态电位各为多少？
（ 2）设 R ＝ 10 k Ω， R ＝100Ω。若 T 和 T 管基极的静态电流可忽略不计，则
T 管集
2
3
1
3
5
电极静态电流约为多少？静态时 υ i 为多少？
（ 3）若静态时 I B1＞I B3，则应调节哪个参数可使 I B1＝ I B3 ? 如何调节？
（ 4）电路中二极管的个数可以是
1、 2、 3、4 吗？你认为哪个最合适？为什么？
V om ；
题图 3-22
解：（ 1）在题图 3-22 所示电路中， V EQ＝ 0，故有 V B1＝ V BE1＋ V BE2=＋V=， V B3＝－， V B5＝V BE5＋（－ V CC）＝（－ 18） V＝－
V
CC V B1 18 1.4
mA 1.66mA
（ 2）I C 5
10
R2
i V B 5 17.3V
（ 3）若静态时 i B1＞i B3，则可以向电阻增大方向调节电阻R3使 i B1＝ i B3。
（ 4）在电路中采用题图3-22 的方式就很好，即用两支二极管和一个小电阻相串联，因为这样可以调整小电阻的阻值以满足要求。如果采用三支二极管相串联也可以，因为晶体管 T1与 T3之间刚好有三个 PN结。
第4 章
4-1试求题图4-1 所示框图的
增益 A f S o S i（或 A vf o i ）。
解：对于题图4-1 （a）可列出
A
2 A
1i
B
1 o
B
2 o o
A
1
A
2 i o
1 A
1
B
1
A
2
A
2
B
2
所以，闭环增益为
A o A1 A2
f
1 A1 B1 A
2 A2 B2
i
对于题图4-1 （ b ）由A1、 B1构成的闭环增益A f1＝
A1
因此，总闭环增益1 A1 B1
S o A
f 1
A
2 A1 A2
A f
1 A1 B1 A1 A
2 B2
S i 1 A f 1 A2 B2
对于图题4-1 （ c），设 A1、 A2的净输入信号分别为S i1 、 S i 2 ，
S i 2 A1S i1 B2 S o
则S o A2 S i 2
S i1 S i B1 S i 2 B3 S o
S o A1 A2
A f
1 A1B1 A
2 B2 A1 A2 B3
S i
4-2判断题图4-2 中的反馈放大器是什么类型的反馈电路？哪些是负反馈的？哪些是
正反馈的？标出反馈支路。并说明其特点（仅说明负反馈放大器的）。
解：图（ a）电压并联负反馈，稳定输出电压，具有低输入，输出电阻。
图（ b）电压串联负反馈，稳定输出电压，具有高输入电阻，低输出电阻。
图（ c）电流并联负反馈，i b＝ i i－ i f＜ i i输入电阻低，输出电阻高稳定输出电流。
图（ d）电压串联正反馈。
图（ e ）i b ＝ i i ＋ i f ＞ i i ，电压并联正反馈。 图（ f ）电压串联负反馈，输入电阻高，输出电阻低。
图（ g ）R f 、R g 引入级间电压串联负反馈（ 1）R f 一端接在 T 3 管输出端上，另一端接
在差分放大器同相输入端（ T 管）上，因此 R 引入级间反馈。 （ 2）假设输出端短路， R 引入
2
f
f
的反馈消失，故为电压反馈。假设输入端短路（令υ
id ＝ 0）电阻 R g 上的反馈作用依然存在， 故为串联反馈。 （ 3）假设输入端υ i1 为＋→则υ c2 为＋→υ e3 为＋→ R g 上端为＋。显然，作用 在反相输入端电阻 R 上的反馈电压υ f ，使差模输入电压υ id 减小（υ id ＝υ i1 －υ ），故为负
g
f
反馈。
图（ h ）i b ＝ i i － i f ＜ i i ，电压并联负反馈，稳定输出电压，输入、输出电阻低。
4-10
判断题图 4-10 所示电路的反馈极性和组态，估算深度负反馈条件下的电压放大
倍数
o
s （电容的容抗很小可忽略不计） 。
解： 该电路的级间反馈为 : 电压并联负反馈
该电路的深度负反馈条件为
i b i i i f 0
若 R e 2 与 R e 2 相交节点处的电压
用 o 表示
有： i i
i f
s o 其中： o
o
R e2 // R f
i i
i f
R
e2
R e2 // R f
R s R f
将上式代入深度负反馈条件得
4-12
由理想集成运放组成的反馈电路如题图
求出υ i ＝ 1V 时的υ o 值。
4-12
所示， 请指出反馈的极性和组态，并
答案： 电压并联负反馈，υ
o
＝－ 3V 。
4-13 判断题图 4-13 中各电路反馈的极性及交流反馈的组态。
答案： 图（ a ）：电流串联负反馈；图（ b ）：电流并联负反馈；图（ c ）：电压并联负反馈。
4-27 设两级放大电路如题图 4-27 所示。
（ 1）为了使输出电阻减小，应引入何种反馈，在图中标明反馈支路； （2）引入反馈后的电路在深度负反馈条件下输出电阻 R of 和闭环增益 A υf 分别为多大？
解：
（ 1）为使输出电阻减小，应为电压负反馈；若是电压串联反馈，
R f 接在 C 2
和
E1
之间
形成的是正反馈。所以应引入电压并联负反馈，即把电阻
R 接在 B1 和 C 2 之间。
f
（ 2）满足深度负反馈条件时， R ≈ 0；利用虚断概念得
of
i b i i i f 0
s o
A f
R f
i i i f
R
R s
R s
分析
依题意连接反馈线路时， 应考虑不同类型负反馈对电路性能的影响， 同时应注意是否满足深
度负反馈条件。
第 5 章
5-4 已知传输函数
A( j ) H
j
10 0 ，试用近似作图法画出波特图。
j
j 1 j
解：
A jH
H
10 j
10 1
j 10
1 j 0
A 0
z
1 j
p
式中
A 0 H 10 ， z 0 ， p 10 0
由此可画出波得图 5-4（ a ）、（ b ）所示，图中 I 、II 分别是分子和分母的幅频特性，
I 、
II 是分子分母的相频特性，
III 和 II I 是总的幅频特性和相频特性。
5-7
设 只 含 一 个 RC 环 节 的 单 级 放 大 电 路 如 题 图 5-7 所 示 。 已 知
R b 470k , R s 500, R L , 三极管的50， r bb 100，r b e 1.9k ，特征频率f T 100MHz ， C b c 3 pF ；电路中频区电压增益20lg A m 40dB ，通频带范围为
100Hz ~ 1MHz 。
（1）计算电容 C1的大小；
（2）确定 R c的的数值。
解：由于L
1 f
L
1 100Hz r be R s C1
2 0.5 10
2 3 C1
所以C1
1
6.4 F 2 2 0.5 10 3 100
由于r
b e 1 r e r e
r
b e
37.3
1
g m
1
26.8mS
C
b e
1 1
42.7 pF
r e 2 r e f T 2 37.3 10 6
R t
r
bb R s // r b e 0.456k
则 C t
1 1
349 pF 2 R t f H 2 0.456 103 10 6
由 C t C
b e 1
g
m
R
c
C
b c 1 g m R c 102
所以R c 3.8k
5-8 设题图 5-8 所示电路参数为：β＝ 60， I ＝， V ＝，r bb 50 ， r b e 660 ，
0 E BE
f T 200MHz ， C b c 5 pF ，R L＝5kΩ，R s=500Ω，计算电路的上限频率 f H及增益-带宽积，写出高频区频率特性表达式。
解：（ 1）题图 5-8 所示电路的高频小信号等效电路如题图5-8 （a）所示（三极管极间
高频电子线路试题及答案 (1)
一、填空题 1. 丙类功放按晶体管集电极电流脉冲形状可分为__欠压、__临界__、__过压__ 三种工作状态，它一般工作在___临界____ 状态。 2. 振荡器的主要性能指标_频率稳定度_、_振幅稳定度_。 3. 放大器内部噪声的主要来源是__电阻__和__晶体管__。 4. 某发射机输出级在负载RL=1000Ω上的输出信号Us(t)=4(1+0.5cosΩt)COSWctV。试问Ma=__0.5__，Ucm=__4V__，输出总功 率Pav=__0.009W_ 。 5. 实现频率调制就是使载波频率与调制信号呈线性规律变化，实现这个功能的方法很多，通常可分为__直接调频__和__间接调频___ 两大类。 6. 相位鉴频器是先将调频信号变换成__调相-调频__信号，然后用___相位检波器___进行解调得到原调制信号。 二、选择题 1. 频率在1.5—30MHz范围的短波主要依靠（C ）方式传播。 A 沿地面传播 B 沿空间直线传播 C 依靠电离层传播 2. 在实际振荡器中，有时会出现不连续的振荡波形，这说明振荡器产生了周期性的起振和停振现象，这种现象称为（B ）。 A 频率占据 B 间歇振荡 C 寄生振荡 4. 集成模拟相乘器是（B ）集成器件。 A 线性 B 非线性 C 功率 5. 自动增益控制电路是（A ）。 A AGC B AF C C APC 三、分析题（共4题，共45分） 1. 通信系统中为什么要采用调制技术。（8分） 答：调制就是用待传输的基带信号去改变高频载波信号某一参数的过程。 采用调制技术可使低频基带信号装载到高频载波信号上，从而缩短天线尺寸，易于天线辐射，实现远距离传输；其次，采用调制可以进行频分多路通信，实现信道的复用，提高信道利用率。 2.晶体振荡电路如图1所示，若f1为L1C1的谐振频率，f2为L2C2的谐振频率，试分析电路能否产生自激振荡。若能振荡，指 出振荡频率与f!、f2之间的关系。（12分） +V CC 答：由图可见电路可构成并联型晶体振荡器。由于并联型晶体振荡器中，石英晶体起电感元件作用，所以要产生自激振荡，L1C1并联回路与L2C2串联回路都必须呈容性，所以，WL1 > 1/WC1即f > f1，WL2 < 1/WC2即f < f2，振荡频率f与f1、f2之
高频电子线路期末考试试卷1及答案
c m i 图 2 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼
图 4 图 4
四、（15分）高频小信号调谐放大器如图5所示，其工作频率MHz f o 30=，调谐回路中的H L μ113=，100=o Q ，1212=N ，823=N ，645=N ，晶体管在直流工作点的参数ms g oe 55.0=，pF C oe 8.5=，ms g ie 2.3=，pF C ie 10=，ms y fe 58=， o fe 47-=?，0=re y 。 试求：（1）画出高频等效电路；（5分） （2）计算C ，uo A ，270??f ，1.0r K 。（10分） 图 5 五、（15分）某高频谐振功率放大器工作于临界状态，已知晶体管的()s g cr 9.0=，电源电压V V cc 18=，导通角70o θ=,输出电压幅度V U cm 16=,（注：()253.0700=o α，()436.0701=o α） 。试求： （1）直流电源cc V 提供的功率P = ；（4分） （2）高频输出功率P o ；（4分） （3）集电极效率c η；（2分） （4）回路的谐振电阻 R P ；（3分） （5）若谐振电阻 R P 为Ω50，功率放大器将工作在何种状态？（2分） 六、（10分）二极管检波器如图6所示，已知二极管的导通电阻Ω=60d r ， V U bz 0=，Ω=K R 5，F C μ01.0=，Ω=k R L 10， F C c μ20=，输入电压信号为普通调幅波，其频谱图如图7所示。 试求：（1）写出输入调幅信号的数学表达式；（2分） （2）电压传输系数d K 和等效输入电阻d i R （4分） （3）写出A u ，B u 的数学表达式；（4分） 图 6 图 7
通信电子线路 学习指南
学习指南 通信电子线路课程是电子信息工程和通信工程专业的必修课，是核心的专业基础课程。本课程的特点是理论和实践性都很强的课程，因此，在学习该课程前应该先复习巩固其先修课程电路理论、信号与系统、模拟电子技术课程中的相关知识。在课程学习中，要特别注意与模拟电子技术课程中分析方法的不同点。例如，在高频小信号放大器一章应注意高频小信号放大器等效电路与低频放大电路等效电路的不同之处，应该考虑分布参数的影响；在谐振功率放大器一章，应该注意它与低频功率放大器的不同之处，很好地掌握折线分析法；在频率变换电路中，应该注意区分线性频率变换和非线性频率变换电路的频谱特性。因为本课程中涉及电路的负载主要是谐振回路，因此首先要很好地掌握阻抗变换电路与选频电路特性的特性及分析方法。 本课程着重掌握通信系统中电路的基本原理，基本电路，基本分析方法及其在现代通信中的典型应用。学生学习本课程后对通信系统应有一个完整的了解，并会进行模拟通信系统中发射机，接收机电路的设计、安装调试。 对本课程中学生难于理解的地方，可以通过实验消化理解理论课程内容。有兴趣的同学可参予课外活动，充分发挥自己的潜能，不断提高自己实践能力。
为了巩固课程知识，学生可选择相关硬件课程设计，进行无线通信发射机和接收机的设计、安装、调试，可有效地提高自己的实际动手能力，加强对本课程的学习兴趣和对知识的掌握深度。 为了帮助同学学好该课程，我们编写了教材和参考资料，该课程已经建立了丰富的网络教学环境，同学们可从华中科技大学主页的精品课程栏目进去可以浏览该课程的网上教学系统。该系统中有网络课程（含网上教材、电子教案、学习指导、思考练习、参考资料、授课录像、复习导航等）以及课堂讲课多媒体课件，还有网上实验教学系统。 教材和参考资料： 1.本课程使用的教材是严国萍、龙占超编写，科学出版社正式出版的国家十一五规划教材“通信电子线路”该教材的特点是：强调系统，从通信系统和整机出发来分析各功能模块的原理、组成、作用，构建了模拟通信和数字调制系统的内容体系；深入浅出，注重基本原理、分析方法和典型应用，按照基础知识、线性电路、非线性电路以及频率变换电路来组织教材内容；易于理解，重点难点配有例题，每章都有主要知识点小结，结合实际无线通信机进行电路和性能指标分析以及参数测量；内容新颖，注意将本课程的基础知识和相关的最新科技发展相融合，将软件无线电中用DSP实现调制解调的思想引入教材。 2．为帮助学生自主学习，课程组还编写出版了辅导书“高频电子线路学习指导与题解”，本书包含了与本课程相关的张肃文等编
高频电子线路课后答案(胡宴如)
第2章 小信号选频放大器 2.1填空题 (1)LC 并联谐振回路中，Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2 已知并联谐振回路的1μH,20pF,100,L C Q ===求该并联回路的谐振频率0f 、谐振电阻p R 及通频带0.7BW 。 [解] 900.035610Hz 35.6MHz f = = =? = 3640.722.4k 22.361022.36k 35.610Hz 35.610Hz 356kH z 100 p R Q f BW Q ρρ===Ω=?Ω=Ω?===?= 2.3 并联谐振回路如图P2.3所示，已知：300pF,390μH,100,C L Q ===信号源内阻s 100k ,R =Ω负载电阻L 200k ,R =Ω求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。 [解] 0465kHz f ≈ = = 0.70114k Ω ////100k Ω//114.k Ω//200k Ω=42k Ω42k Ω37 1.14k Ω/465kHz/37=1 2.6kHz p e s p L e e e R Q R R R R R Q BW f Q ρρ========== 2.4 已知并联谐振回路的00.710MHz,C=50pF,150kHz,f BW ==求回路的L 和Q 以及600kHz f ?=时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻? [解] 6 26212 0115105μH (2π)(2π1010)5010L H f C -- = ==?=????
电子线路期末试卷及答案
(1)在半导体内部，只有电子是载流子。 (2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。 (3）一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子锗晶体二极管的死区电压。 (4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 (5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流I CQ选得偏低。 (6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。 (7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。 (8)在单管放大电路中，若V G不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。 (9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为A v1、A v2，这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A v，A v= A v1+A v2。 (10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。 (1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是( )。 A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 (2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为( )。 A．v o＝i c R c B．v o＝-R c i c C．v o＝-I c R c (3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到( )。 A．R×100Ω或R×1000Ω挡 B．R×1Ω C．R×10KΩ挡 (4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。 A．大电阻 B．断开的开关 C．接通的开关 (5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的I C将( )。 A．随I B增加而增加 B．随I B增加而减小 C．与I B无关，只决定于R C和V G (6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( )。 A．同相位 B．相位差90° C．相位差180° (7)NPN型三极管放大电路中，当集电极电流增大时，则晶体三极管( )。 A．基极电流不变； B．集电极对发射极电压V CE下降； C．集电极对发射极电压V CE上升 (8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将( )。 A．增大 B．反向 C．中断 （9）在基本放大电路中，基极电阻R B的作用是( )。 A．放大电流 B．调节偏置电流I BQ C．把放大了的电流转换成电压； D．防止输入信导被短路。 （10）三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是（）。 A.放大状态 B.饱和状态 C.截止状态 三．填充题（2’×10） (1)晶体三极管I E、I B、I C之间的关系式是__________________，△I C／△I B的比值叫____________________。 (2)PN结具有____________________性能，即：加____________________电压时PN结导通；加_______________电压时PN结截止。 (3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为_________V，锗二极管的正向压降为__________V。 (4)NPN型晶体三极管的发射区是____________型半导体，集电区是____________型半导体，基区是____________型半导体。 (5)晶体二极管因所加_______________________电压过大而__________________，并且出现__________________的现象，称为热击穿。 (6)某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位V C≈V G，则该放大器的三极管处于________________________工作状态。 (7)晶体三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管_____________，所以热稳定性____________三极管较好。
高频电子线路期末考试试卷及答案
一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 … 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的载波输出功率为50W ，调幅指数为,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常可以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分别 为 和 。 10、变容二极管的结电容γ) 1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管的 ； 变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应等于 。 — 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 《 图 2 A . 互感耦合 B .西勒 C .哈特莱 D .克拉泼 5、若载波频率为c f ，调制信号频率为F ，那么双边带调幅波的频带宽度 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期） 课程编号： 08010040 课程名称： 高频电子线路
模拟电子线路期末试题和答案(两套)
《模拟电子技术基础（一）》期末试题〔A 〕 一、填空题（15分） 1．由PN 结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 2、双极性晶体三极管工作于放大模式的外部条件是 。 3．从信号的传输途径看，集成运放由 、 、 、 这几个部分组成。 4．某放大器的下限角频率L ω，上限角频率H ω，则带宽为 Hz 。 5．共发射极电路中采用恒流源做有源负载是利用其 的特点以获得较高增益。 6．在RC 桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大 倍数要略大于 才能起振。 7．电压比较器工作时，在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单限比较器的 输出状态发生 次跃变，迟滞比较器的输出状态发生 次跃变。 8．直流稳压电源的主要组成部分是 、 、 、 。 二、单项选择题（15分） 1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 。 [ ] A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零 2．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 。 [ ] A 非饱和区 B 饱和区 C 截止区 D 击穿区 3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 。 [ ] A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响 4．差动放大电路的主要特点是 。 [ ] A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号 C 有效放大共模信号，有力抑制差模信号； D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。 5．互补输出级采用射极输出方式是为了使 。 [ ] A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强 6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 。 [ ] A 可获得较高增益 B 可使温漂变小 C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻 7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是 。 [ ] A 耦合电容和旁路电容的影响 B 晶体管极间电容和分布电容的影响 C 晶体管的非线性特性 D 放大电路的静态工作点设置不合适 8．当信号频率等于放大电路的L f 和H f 时，放大倍数的数值将下降到中频时的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 [ ] 9．在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ，则说明引入的是负反馈。[ ] A 输入电阻增大 B 输出量增大 C 净输入量增大 D 净输入量减小
高频电子线路期末考试试卷及答案
班级： 学号： 姓名： 装 订 线 一、填空题：（20分）（每空1分） 1、某小信号放大器共有三级，每一级的电压增益为15dB, 则三级放大器的总电压增益为 。 2、实现调频的方法可分为 和 两大类。 3、集电极调幅电路应工作于 状态。某一集电极调幅电路，它的 载波输出功率为50W ，调幅指数为0.5,则它的集电极平均输出功率为 。 4、单向化是提高谐振放大器稳定性的措施之一，单向化的方法有 和 。 5、谐振动率放大器的动态特性不是一条直线，而是折线，求动态特性通常 可以 采用 法和 法。 6、在串联型晶体振荡器中，晶体等效为 ，在并联型晶体振荡器中，晶体等效为 。 7、高频振荡的振幅不变，其瞬时频率随调制信号线性关系变化，这样的已 调波称为 波，其逆过程为 。 8、反馈型LC 振荡器的起振条件是 ；平衡条件是 ；振荡器起振后由甲类工作状态逐渐向甲乙类、乙类或丙类过渡，最后工作于什么状态完全由 值来决定。 9、变频器的中频为S L I ωωω-=，若变频器的输入信号分别为 ()t m t U u f s sm s Ω+=sin cos ω和t U u s sm s )cos(Ω-=ω，则变频器的输出信号分 别为 和 。 10、变容二极管的结电容γ) 1(0 D r j j U u C C += 其中γ为变容二极管 的 ；变容二极管作为振荡回路总电容时，要实现线性调频，变容二极管的γ值应等于 。 二、单项选择题（10分）（每空1分） 1、具有抑制寄生调幅能力的鉴频器是 。 A. 比例鉴频器 B.相位鉴频器 C. 双失谐鉴频器 D.相移乘法鉴频器 2、图1是 电路的原理方框图。图中t t U u c m i Ω=cos cos ω；t u c ωcos 0= 图 1 A. 调幅 B. 混频 C. 同步检波 D. 鉴相 3、下面的几种频率变换电路中， 不是频谱的线性搬移。 A . 调频 B .调幅 C .变频 D . 包络检波 4、图2所示是一个正弦波振荡器的原理图，它属于 振荡器 。 图 2 本科生考试试卷(A) （ 2007-2008 年 第一 学期） 课程编号： 08010040 课程名称： 高频电子线路
《电子线路CAD》试卷A及参考答案
班级学号姓名分数 2015-2016学年第2学期电子专业 《电子线路CAD》试卷 一、选择题（共30分，每题2分） 1. 在进行电原理图编辑时，双击“Schematic Document”图标后，在“Document”文档下自动创建一个文件，其名为A A、Sheet B、Sheet C、Sheet D、Sheet 2. 原理图文件、印制板文件一般放在C文件夹内 A、Design Team B、Recycle Bin C、Documents 3. 在进行电原理图编辑时，如单击鼠标左键选定目标元件，这时如按空格键，则执行的操作是B A、移动元件 B、使选定对象沿逆时针方向旋转90度 C、左右对称 D、上下对称 4. 在画电原理图时，用于连线的只能用A工具栏中的导线 A、Wiring Tools B、Drawing Tools C、 Main Tools 5. 多层板的顶层或底层通过 B 与内部的导电层相连 A、导线 B、过孔 C、网络标号 6. 单面板中用来放置元件的工作层是A A、顶层（ Top Layer） B、底层（Bottom Layer） C、禁止布线层（Keep Out Layer） D、多层（Multilayer） 7. Protel99 SE在初次启动时没有以下 C菜单 A、File B、View C、Design 8. 在Preferences对话框的Schematic选项卡中，如果取消选择Auto-Junction复选框，当原理图中出现T字形连接的时候，表面上连在一起的导线实际上并没有电气意义上的连接，需要用C命令才能将交叉的导线连接起来 A、Place菜单下的Bus Entry命令 B、Place菜单下的Wire命令 C、Place菜单下的Junction命令 D、Place菜单下的Text Frame命令 9. 执行 B命令操作，元件将按顶端对齐 A、Align Right B、Align Top C、Align Left D、Align Bottom
(电子行业企业管理)高频电子线路期末试题答案
一、选择题（每小题2分、共30分）将一个正确选项前的字母填在括号内 1．在调谐放大器的LC回路两端并上一个电阻R，可以（ C ） A．提高回路的Q值B．提高谐振频率C．加宽通频带D．减小通频带 2．在自激振荡电路中，下列哪种说法是正确的（C） A．LC振荡器、RC振荡器一定产生正弦波B．石英晶体振荡器不能产生正弦波 C．电感三点式振荡器产生的正弦波失真较大D．电容三点式振荡器的振荡频率做不高 3．试用自激振荡的相位条件判别下图能产生自激振荡的电路（D） A B C D 4．若载波u C(t)=U C cosωC t,调制信号uΩ(t)= UΩcosΩt，则调频波的表达式为（ A ） A．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m f sinΩt）B．u FM(t)=U C cos（ωC t＋m p cosΩt） C．u FM(t)=U C（1＋m p cosΩt）cosωC t D．u FM(t)=kUΩU C cosωC tcosΩt 5．某超外差接收机的中频为465kHz，当接收931kHz的信号时，还收到1kHz的干扰信号，此干扰为（ A ） A．干扰哨声B．中频干扰 C．镜像干扰D．交调干扰 5．同步检波器要求接收端载波与发端载波（ C ）A．频率相同、幅度相同B．相位相同、幅度相同 C．频率相同、相位相同D．频率相同、相位相同、幅度相同 7．属于频谱的线性搬移过程的有（A）A．振幅调制B．频率调制C．相位调制D．角度解调 8．变容二极管调频器实现线性调频的条件是变容二极管的结电容变化指数γ 为（C） A．1/3 B．1/2 C．2 D．4 9．某单频调制的普通调幅波的最大振幅为10v，最小振幅为6v，则调幅系数m a为（C） A．0.6 B．0.4 C．0.25 D．0.1 10．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是（B） A．f＝fs时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器 B．f＝fs时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器 C．fs 通信电子线路典型习题 01、 什么叫传输线？（P-7） 02、 什么叫无损传输线？（P-9） 03、 无损传输线的特征阻抗=？（P-9） 04、 信号源的输出阻抗为150Ω，负载的阻抗为50Ω，如果用 的无损耗传输线实现阻抗匹配，求：用作匹配的传输线的特性阻抗Z C =？ 05、 这种匹配方法的缺点是什么？ 06、 电感的等效电路如图所示，L=100μH ，r=1Ω，工作频率f=100kHz 。 （1）求电感L 的 Q 0， （2）将电感的等效电路转换为并联形式。 07、 电路如图所示，L=100μH ，C=100pF 。 （1）当i=5cos(106/2π)t 时，确定电路的阻抗性质； （2）当i=5cos(107/2π)t 时，确定电路的阻抗性质。 08、 电路如图所示，已知：L=50μH ，C=100pF ，、r=5Ω，求ω0、回路的Q 0、BW 、、D 。 /4 i 09、电路如图所示，工作在谐振状态。已知：L=100μH，电感的r=5Ω、N1=6、N2=4、C1=100pF、C2=300pF、Rs=100KΩ、R L=50KΩ，求ω0、回路的Q、BW、、D。 10、电路如图所示，工作在谐振状态。已知：L1=100μH，L2=50μH，M=5μH，电感的r=5Ω、N1=6、N2=4、C1=100pF、C2=300pF、Rs=100KΩ、R L=50KΩ，求ω0、回路的Q、BW、、D。 11、计算3级选频放大器（n=3）,单谐振回路数目为（n+1=4）时的3Db带宽BW=？ 12、晶振的f q和f p的数值有什么特点？（提示：有3） 13、为了提高效率，高频功率放大器多工作在或状态。 14、为了兼顾高的输出功率和高的集电极效率，在实际应用中，通常取θ= 。 高频电子线路（第 4 版）课后习题答案高等教育出版社 第 2 章小信号选频放大器 2.1 填空题 (1)LC 并联谐振回路中， Q 值越大，其谐振曲线越尖锐,通频带越窄 ,选择性越好。 (2)LC 并联谐振回路谐振时，回路阻抗为最大且为纯电阻,高于谐振频率时间阻抗呈容性，低于谐振频率时间阻抗感性。 (3)小信号谐振放大器的负载采用谐振回路 ,工作在甲类状态，它具有选频作用。 (4)集中选频放大器由集成宽带放大器和集中选频滤波器组成，其主要优点是接 近理想矩形的幅频特性，性能稳定可靠，调整方便。 2.2已知并联谐振回路的 L 1 μH, C20 pF, Q100, 求该并联回路的谐振频率 f0、谐振电阻 R p及通频带 BW0.7。 [ 解]f01 2π 10-6 H 10.0356 109Hz35.6 MHz 2π LC20 10 12 F R p Q10010 6 H22.4 k22.36 10322.36 k 2010 12 F f 35.6 106 Hz104 Hz BW0.735.6356 kH z Q100 2.3并联谐振回路如图 P2.3所示，已知： C300 pF, L390 μH, Q 100, 信号源内阻 R s100 k , 负载电阻 R L200 k , 求该回路的谐振频率、谐振电阻、通频带。[ 解] f011465 kHz 2π 390 μH300 PF 2π LC R p Q100390 μH114 kΩ 300 PF R e R s // R p // R L 100 kΩ//114. kΩ//200 kΩ=42 kΩ Q e R e42 kΩ42 kΩ 390 μH/300 PF 37 1.14 kΩ BW 0.7 f 0 / Q e 465 kHz/37=12.6 kHz 2.4 已知并联谐振回路的f010 MHz, C=50 pF, BW0.7150 kHz, 求回路的L和Q以及 f600 kHz 时电压衰减倍数。如将通频带加宽为300 kHz ，应在回路两端并接一个多大的电阻 ? [ 解]L11510 6H5μH (2π f0 )2 C(2π 10106 )2 50 10 12 模拟综合试卷一 一．填充题 1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是 a ， b 。 2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是 a , b 。 3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。 4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。 5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为 。 6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于 状态。 7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V；若u i1=1500μV, u i2=500μV，则差模输入电压u id为μV，共模输入信号 u ic为μV。 8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。 9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。 10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最； 组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受 最高反向电压。频带最宽的是组态。 二．选择题 1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，I CBO,u BE的变化情况为（）。 A．β增加，I CBO,和 u BE减小 B. β和I CBO增加，u BE减小 C．β和u BE减小，I CBO增加 D. β、I CBO和u BE都增加 2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A.输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。 A. 通过增加一级放大 B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性 4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。 A.变大 B. 变小 C. 不变 D. 无法判断 5．差分放大电路的共模抑制比K CMR越大，表明电路（） A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大 C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强 6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。 高频电子线路复习题 一、单项选择题 第二章选频网络 1、LC串联电路处于谐振时，阻抗（）。 A、最大 B、最小 C、不确定 2、LC并联谐振电路中，当工作频率大于、小于、等于谐振频率时，阻抗分别呈（）。 A、感性容性阻性 B、容性感性阻性 C、阻性感性容性 D、感性阻性容性 3、在LC并联电路两端并联上电阻，下列说法错误的是（） A、改变了电路的谐振频率 B、改变了回路的品质因数 C、改变了通频带的 大小D、没有任何改变 第三章高频小信号放大器 1、在电路参数相同的情况下，双调谐回路放大器的通频带与单调谐回路放大器的通频带相比较 A、增大 B减小 C 相同D无法比较 2、三级相同的放大器级联，总增益为60dB，则每级的放大倍数为（）。 A、10dB B、20 C、20 dB D、10 3、高频小信号谐振放大器不稳定的主要原因是（） （A）增益太大（B）通频带太宽（C）晶体管集电结电容C b’c的反馈作用（D）谐振曲线太尖锐。 第四章非线性电路、时变参量电路和混频器 1、通常超外差收音机的中频为（） （A）465KH Z （B）75KH Z （C）1605KH Z （D）10.7MH Z 2、乘法器的作用很多，下列中不属于其作用的是（） A、调幅 B、检波 C、变频 D、调频 3、混频时取出中频信号的滤波器应采用（） （A）带通滤波器（B）低通滤波器（C）高通滤波器（D）带阻滤波器 4、频谱线性搬移电路的关键部件是（） （A）相加器（B）乘法器（C）倍频器（D）减法器 5、在低电平调幅、小信号检波和混频中，非线性器件的较好特性是（） A、i=b0+b1u+b2u2+b3u3 B、i=b0+b1u+b3u3 C、i=b2u2 D、i=b3u3 6、我国调频收音机的中频为（） （A）465KH Z （B）455KH Z （C）75KH Z （D）10.7MH Z 第五章高频功率放大器 1、常用集电极电流流通角θ的大小来划分功放的工作类别，丙类功放（）。（说明：θ为半导通角） （A）θ = 180O （B）90O<θ<180O （C）θ =90 O （D）θ<90O 2、谐振功率放大器与调谐放大器的区别是（） A、前者比后者电源电压高 B、前者比后者失真小 C、谐振功率放大器工作在丙类，调谐放大器工作在甲类 D、谐振功率放大器输入信号小，调谐放大器输入信号大 3、已知某高频功率放大器原工作在临界状态，当改变电源电压时，管子发热严重，说明功放管进入了 A欠压状态B过压状态C仍在临界状态 4、为了有效地实现集电极调幅，调制器必须工作在哪种工作状态（） A、临界 B、欠压 C、过压 5、根据高功放的负载特性，由于RL减小，当高功放从临界状态向欠压区变化时（） （A）输出功率和集电极效率均减小。（B）输出功率减小，集电极效率增大。（C）输出功率增大，集电极效率减小。（D）输出功率和集电极效率均增大。6、高频功率放大器一般工作在丙类工作状态，它的效率（） （A）约为50% （B）约为78% （C）大于50%，小于78% （D）大于78% 7、高频谐振功率放大器原工作于临界状态，如果其它条件不变，E C增大时，放 绪论： 1． 调幅发射机和超外差接收机的结构是怎样的?每部分的输入和输出波形是怎样的？ Ｐ7 ,Ｐ9 2. 什么是接收机的灵敏度？ 3.无线电电波的划分，P12 例:我国CD ＭA 手机占用的CDM Ａ1X ，800ＭHz 频段,按照无线电波波段划分,该频段属于什么频段？ 第三章: 1． 什么叫通频带?什么叫广义失谐？ 2． 串联谐振回路和并联谐振回路的谐振曲线(幅度和相位)和电抗性质? 3． 串联谐振回路和并联谐振回路适用于信号源内阻和负载电阻大还是小的电路? 4． 电感抽头接入和电容抽头接入的接入系数？ 5． Ｑ值的物理意义是什么？Ｑ值由哪些因素决定，其与通频带和回路损耗的关系怎样？ 6． 串联谐振电路Q 值的计算式?谐振时电容(或电感)上电压与电阻（或电源）上电压的关系 是怎样的? 7． 并联谐振电路有哪两种形式，相应的Ｑ值计算式是怎样的?谐振时电容（或电感）上电 流与电阻(或电源）上电流的关系是怎样的？ 8. 串联LC 谐振回路的谐振频率与什么有关?回路阻抗最大值和最小值是多少,分别在什么条件下取得?当工作频率小于、等于、大于谐振频率时， 串联ＬC 谐振回路的阻抗性质是怎样的? 9. 并联LC 谐振回路的谐振频率与什么有关?回路阻抗最大值和最小值是多少,分别在什么条件下取得?当工作频率小于、等于、大于谐振频率时, 并联ＬＣ谐振回路的阻抗性质是怎样的? 10. Q 值较大时,串并联阻抗等效互换前后,电阻和电抗的关系是怎样的? 11. 信号源和负载对谐振电路的Q 值有何影响？串并联谐振电路对信号源内阻和负载电阻 的大小分别有什么样的要求？ 12. 信号源内阻和负载电阻对串并联谐振回路的特性将产生什么影响?采取什么措施可以减 小这些影响? 13. 下面电路有几个谐振频率，分别是多少,大小关系怎样?该电路a,ｂ端阻抗模值和电抗性 质随频率如何变化? 14. 下面电路有几个谐振频率,分别是多少，大小关系怎样?该电路a,b 端阻抗模值和电抗性质随频率如何变化? 1 L R d a + - C + - 12 =+R R R ab V db V b 2 L 一、单选题 １、Proｔｅｌ99SE就是用于（ B )得设计软件. A、电气工程 B、电子线路 C、机械工程 D、建筑工程 2、Pｒoｔel９9 SE原理图文件得格式为（ C )。 A、*、Ｓchlib B、＊、SｃhＤoc Ｃ、＊、ScｈD、＊、Sｄf 3、Protel9９ SE原理图设计工具栏共有（ C ）个。 A、 5 B、 6 C、7 D、 8 ４、执行（Ｃ)命令操作,元器件按水平中心线对齐。 A、Ｃenter B、Ｄｉstrｉbute Horiｚontallｙ Ｃ、Cｅnｔeｒ Horizontaｌ D、Ｈｏrizoｎtal 5、执行( B )命令操作,元器件按垂直均匀分布。 A、ＶerｔicalｌｙＢ、Distｒｉbute Vertｉcaｌly C、Ceｎtｅｒ Verticａlly Ｄ、Ｄisｔribｕte 6、执行(Ｂ）命令操作，元器件按顶端对齐. Ａ、Alｉｇn Ｒiｇht B、Ａlign Toｐ C、Ａlｉgn Leｆｔ D、Align Bottom ７、执行（D )命令操作,元器件按底端对齐。 A、Aｌigｎ Rigｈt Ｂ、Aliｇn Top Ｃ、Align Left D、Ａｌｉｇn Bottom 8、执行(C )命令操作，元器件按左端对齐. Ａ、Aｌｉｇn Right B、Align Top C、Alｉgｎ Left D、Ａｌign Botｔｏm风嗯 9、执行(A)命令操作，元气件按右端对齐。 A、Aliｇn Ｒight Ｂ、Aｌｉgｎ Top C、AligｎＬｅft D、Align Bottoｍ 10、原理图设计时,按下(B )可使元气件旋转90°。 A、回车键 B、空格键 C、X键 D、Y键 1１、原理图设计时，实现连接导线应选择（Ｂ）命令。 A、Ｐｌace/Drawing Tools/Lｉne B、Plaｃe/Wire C、WｉrｅＤ、Line 12、原理图编辑时,从原来光标下得图样位置，移位到工作区中心位置显示，快捷键就是( C )。 A、Pagｅ Uｐ B、Ｐaｇe Down C、Hｏｍe D、Eｎd 13、在原理图设计图样上放置得元器件就是( A）. A、原理图符号 B、元器件封装符号 C、文字符号Ｄ、任意 14、进行原理图设计，必须启动（Ｂ）编辑器. Ａ、PCB B、Sｃhemａｔic C、ScｈematｉｃＬiｂrarｙ D、PCB Ｌibrary 1５、使用计算机键盘上得（ B）键可实现原理图图样得缩小. A、Pａｇe Up Ｂ、Page Dｏwn Ｃ、Hoｍe D、End １6、往原理图图样上放置元器件前必须先(B )。 Ａ、打开浏览器 B、装载元器件库 Ｃ、打开PCＢ编辑器 D、创建设计数据库文件 高频电子线路复习考试 题及答案分解 Document number：WTWYT-WYWY-BTGTT-YTTYU-2018GT 2013—2014学年第二学期《高频电路》期末考试题（A ） 使用教材：主编《高频电子线路》、 适用班级：电信12（4、5、6）命题人： 一、填空题（每空1分，共X 分） 1.调幅的几种调制方式是AM 、DSB 、SSB 。 3．集电极调幅，应使被调放大器工作于过压______状态。 5. 电容三点式振荡器的发射极至集电极之间的阻抗Z ce 性质应为容性，发射极至基极之间的阻抗Z be 性质应为容性，基极至集电极之间的阻抗Z cb 性质应为感性。 6. 通常将携带有信息的电信号称为调制信号，未调制的高频振荡信号称为载波，通过调制后的高频振荡信号称为已调波。 8. 解调是调制的逆过程。振幅调制信号的解调电路称为振幅检波电路，它的作用是从高频已调信号中恢复出调制信号。 9. LC 串联谐振回路品质因数（Q ）下降，频带变宽，选择性变差。 10. 某高频功率放大器原来工作在临界状态，测得cm U =22v ， co I =100mA ，P R =100Ω，c E =24v ，当放大器的负载阻抗P R 变小时，则 放大器的工作状态过渡到欠压状态，回路两端电压cm U 将减小，若负载阻 抗增加时，则工作状态由临界过渡到过压 状态，回路两端电压cm U 将增 大。 11. 常用的混频电路有二极管混频、三极管混频和模拟乘法器混频等。 12. 调相时，最大相位偏移与调制信号幅度成正比。 13. 模拟乘法器的应用很广泛，主要可用来实现调幅、解调和混频等频谱搬移电路中。 14. 调频和调幅相比，调频的主要优点是抗干扰性强、频带宽和调频发射机的功率放大器的利用率高。 15. 谐振功率放大器的负载特性是当CC V 、BB V 、bm V 等维持不变时，电流、 电压、功率和效率等随电阻p R 的增加而变化的特性。 绪论： 1. 调幅发射机和超外差接收机的结构是怎样的？每部分的输入和输出波形是怎样的？ P7 ,P9 2. 什么是接收机的灵敏度？ 3．无线电电波的划分，P12 例：我国CDMA 手机占用的CDMA1X ，800MHz 频段，按照无线电波波段划分，该频段属于什么频段？ 第三章： 1． 什么叫通频带？什么叫广义失谐？ 2． 串联谐振回路和并联谐振回路的谐振曲线（幅度和相位）和电抗性质？ 3． 串联谐振回路和并联谐振回路适用于信号源内阻和负载电阻大还是小的电路? 4． 电感抽头接入和电容抽头接入的接入系数？ 5． Q 值的物理意义是什么?Q 值由哪些因素决定,其与通频带和回路损耗的关系怎样? 6． 串联谐振电路Q 值的计算式？谐振时电容（或电感）上电压与电阻（或电源）上电压的 关系是怎样的？ 7． 并联谐振电路有哪两种形式，相应的Q 值计算式是怎样的？谐振时电容（或电感）上电 流与电阻（或电源）上电流的关系是怎样的？ 8. 串联LC 谐振回路的谐振频率与什么有关?回路阻抗最大值和最小值是多少,分别在什么条件下取得?当工作频率小于、等于、大于谐振频率时, 串联LC 谐振回路的阻抗性质是怎样的? 9. 并联LC 谐振回路的谐振频率与什么有关?回路阻抗最大值和最小值是多少,分别在什么条件下取得?当工作频率小于、等于、大于谐振频率时, 并联LC 谐振回路的阻抗性质是怎样的? 10. Q 值较大时,串并联阻抗等效互换前后,电阻和电抗的关系是怎样的? 11. 信号源和负载对谐振电路的Q 值有何影响?串并联谐振电路对信号源内阻和负载电阻的 大小分别有什么样的要求? 12. 信号源内阻和负载电阻对串并联谐振回路的特性将产生什么影响？采取什么措施可以 减小这些影响？ 13. 下面电路有几个谐振频率,分别是多少,大小关系怎样?该电路a,b 端阻抗模值和电抗性 质随频率如何变化? 14. 下面电路有几个谐振频率,分别是多少,大小关系怎样?该电路a,b 端阻抗模值和电抗性质随频率如何变化? 1 L R d a + - C + - 12 =+R R R ab V db V b 2 L通信电子线路典型习题
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