模电华科(PPT)
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华科模电CH062差分式放大电路PPT共35页
61、奢侈是舒适的，否则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学，如日出之阳；壮而好学 ，如日 中之光 ；志而 好学， 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里，与其说好 的教师 是幸福 ，不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战，就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿
华科模电CH062差分式放大 电路
26、机遇对于有准备的头脑有特别的 亲和力 。 27、自信是人格的核心。
28、目标的坚定是性格中最必要的力 量泉源 之一， 也是成 功的利 器之一 。没有 它，天 才也会 在矛盾 无定的 迷径中 ，徒劳 无功。- -查士 德斐尔 爵士。 29、困难就是机遇。--温斯顿．丘吉 尔。 30、我奋斗，所以我快乐。--格林斯 潘。
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《模电课件大全》课件
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案例二：无线通信系统的实现
总结词
无线通信系统的实现案例探讨了模拟电子技术在无线通信领域的应用，重点介绍了无线发射机和无线 接收机的设计和实现。
详细描述
该案例首先介绍了无线通信系统的基本原理和组成，然后详细阐述了无线发射机和无线接收机的设计 和实现过程。通过电路图、原理分析和测试数据等手段，展示了无线通信系统的关键技术和性能指标 。最后，对无线通信系统的优势和局限性进行了分析和讨论。
模拟电子技术的发展趋势
总结词
随着科技的不断发展，模拟电子技术也在不断进步和 完善，未来将朝着更高精度、更高速度、更低功耗的 方向发展。
详细描述
随着集成电路和微电子技术的不断发展，模拟电子器件 的精度和稳定性得到了显著提高，同时其体积和成本也 在不断降低。此外，随着数字信号处理技术的广泛应用 ，模拟电子技术也与数字电子技术相互融合，形成了混 合信号处理技术。未来，模拟电子技术将继续朝着更高 精度、更高速度、更低功耗的方向发展，为各领域的科 技进步提供更加有力的支持。
02
模拟电子技术基础
电子元件
01
02
03
电子元件的种类
电子元件是构成电子设备 的基本单元，包括电阻、 电容、电感、二极管、晶 体管等。
电子元件的作用
电子元件在模拟电子技术 中起着关键作用，它们可 以用于信号处理、放大、 滤波、振荡等。
电子元件的特性
每种电子元件都有其独特 的电气特性，如电阻的阻 值、电容的容值、电感的 感值等。
音频信号的滤波
通过模拟电子技术，可以 对音频信号进行滤波处理 ，去除噪声和其他干扰。
音频信号的调制
通过模拟电子技术，可以 将音频信号调制到高频载 波上，以便于传输和广播 。
最新华中科技 模拟电子技术课件完美版 5.2 MOSFET放大电路
Rg2 VDD = 40 × 5V = 2V = Rg1 + Rg2 60 + 40
Rg2 Rg1 g s Rd d iD B T VDD
假设工作在饱和区
I DQ = K n (VGS − VT ) 2 = (0.2)( 2 − 1) 2 mA = 0.2mA
VDSQ = VDD − I D Rd = [5 − (0.2)(15)]V = 2V
VDD Rd Rg1 Cb1 ＋ ＋ vi － s Rg2
Rg2 VDD Rd
5.2.1 MOSFET放大电路
Cb2 ＋ iD B T vo
Rg1 g
d g
d
iD B T
s
共源极放大电路
直流通路
5.2.1 MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道）
Rg1 g s Rg2 Rd d iD B T
g ＋ Rs vi ＋ vs － － Ri Ro ＋ vgs － Rg1‖Rg2 R － gmvgs d id ＋
vs ＋ － Rg1 Cb1 ＋ ＋ Rs vi － Rg2 g
Rd d iD B s R
VDD Cb2 ＋ vo T
－VSS
Rd
vo
g m = 2K n (VGSQ − VT ) = 2 × 0.5 × ( 2 − 1)mA / V = 1mA / V
Cb1 ＋ ＋ Rs
2
Rg1 g
d
− [ I D R − VSS ]
饱和区
I D = K n (VGS − VT )
vs ＋ －
vi －
VDS = 2VDD − I D ( Rd + R)
Rg2 Rg1 g s Rd d iD B T VDD
假设工作在饱和区
I DQ = K n (VGS − VT ) 2 = (0.2)( 2 − 1) 2 mA = 0.2mA
VDSQ = VDD − I D Rd = [5 − (0.2)(15)]V = 2V
VDD Rd Rg1 Cb1 ＋ ＋ vi － s Rg2
Rg2 VDD Rd
5.2.1 MOSFET放大电路
Cb2 ＋ iD B T vo
Rg1 g
d g
d
iD B T
s
共源极放大电路
直流通路
5.2.1 MOSFET放大电路
1. 直流偏置及静态工作点的计算 （1）简单的共源极放大电路（N沟道）
Rg1 g s Rg2 Rd d iD B T
g ＋ Rs vi ＋ vs － － Ri Ro ＋ vgs － Rg1‖Rg2 R － gmvgs d id ＋
vs ＋ － Rg1 Cb1 ＋ ＋ Rs vi － Rg2 g
Rd d iD B s R
VDD Cb2 ＋ vo T
－VSS
Rd
vo
g m = 2K n (VGSQ − VT ) = 2 × 0.5 × ( 2 − 1)mA / V = 1mA / V
Cb1 ＋ ＋ Rs
2
Rg1 g
d
− [ I D R − VSS ]
饱和区
I D = K n (VGS − VT )
vs ＋ －
vi －
VDS = 2VDD − I D ( Rd + R)
模电 康华光 第六版 03 ppt课件
（3）折线模型
iD
iD
O (a)
+
vD
vD
iD (b)
（a）I-V 特性 （b）电路模型
O
Vth
vD
(a)
+
vD
iD
Vth
rD
(b)
（a）I-V 特性 （b）电路模型
35
华中科技大学 张林ppt课件
35
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法
1. 二极管I-V 特性的建模
（4）小信号模型
+ v-s
《电子技术基础》
模拟部分 （第六版）
华中科技大学 张林
ppt课件
1
电子技术基础模拟部分
1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源
（参见“本书常用符号表”）
32
华中科技大学 张林ppt课件
32
例R1 3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻 R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。
R
iD
+
VDD
D
vD
-
Байду номын сангаас
解：由电路的KVL方程，可得
iD
VDD R
vD
即
iD
1 R
vD
1 R
VDD
19
华中科技大学 张林ppt课件
19
3.2.3 PN结的单向导电性
华科模电课件综合-康华光共522页
39、没有不老的誓言，Байду номын сангаас有不变的承 诺，踏 上旅途 ，义无 反顾。 40、对时间的价值没有没有深切认识 的人， 决不会 坚韧勤 勉。
61、奢侈是舒适的，否则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学，如日出之阳；壮而好学 ，如日 中之光 ；志而 好学， 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里，与其说好 的教师 是幸福 ，不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战，就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿
谢谢！
华科模电课件综合-康华光
36、“不可能”这个字(法语是一个字 )，只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气，不要看破要突 破，不 要嫉妒 要欣赏 ，不要 托延要 积极， 不要心 动要行 动。 38、勤奋，机会，乐观是成功的三要 素。(注 意：传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素，但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出，乐 观是成 功的第 三要素 。
61、奢侈是舒适的，否则就不是奢侈 。——CocoCha nel 62、少而好学，如日出之阳；壮而好学 ，如日 中之光 ；志而 好学， 如炳烛 之光。 ——刘 向 63、三军可夺帅也，匹夫不可夺志也。 ——孔 丘 64、人生就是学校。在那里，与其说好 的教师 是幸福 ，不如 说好的 教师是 不幸。 ——海 贝尔 65、接受挑战，就可以享受胜利的喜悦 。——杰纳勒 尔·乔治·S·巴顿
谢谢！
华科模电课件综合-康华光
36、“不可能”这个字(法语是一个字 )，只 在愚人 的字典 中找得 到。--拿 破仑。 37、不要生气要争气，不要看破要突 破，不 要嫉妒 要欣赏 ，不要 托延要 积极， 不要心 动要行 动。 38、勤奋，机会，乐观是成功的三要 素。(注 意：传 统观念 认为勤 奋和机 会是成 功的要 素，但 是经过 统计学 和成功 人士的 分析得 出，乐 观是成 功的第 三要素 。
华中科技大学模拟电子技术基础课件ch01
电压增益
+ vs – Rs + vi – Ri – + Avo vi Ro + vo – RL
Ri —— 输入电阻 Ro —— 输出电阻
由输出回路得
RL vo = Avo vi Ro + RL
RL ↓
则电压增益为
vo RL = Avo Av = vi Ro + RL
由此可见
Av ↓
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数） 理想情况 Ro = 0
华中科技大学电信系
张林
1.4 放大电路模型
A. 电压放大模型
另一方面，考虑到 输入回路对信号源的 衰减
+ vs – Rs + vi – Ri – + Avo vi Ro + vo – RL
Ri 有 vi = vs Rs + Ri
ii is Rs Ri Ais ii Ro io RL
电流放大模型
华中科技大学电信系 张林
1.4 放大电路模型
B. 电流放大模型 Ais ——负载短路时的
电流增益 由输出回路得
is Rs ii Ri Ais ii Ro io RL
Ro io = Ais ii Ro + RL io Ro 则电流增益为 Ai = = Ais ii Ro + RL
f L — —下限频率 称为带宽 BW = f H − f L 当 f H >> f L时， BW ≈ f H
20lg|AV|/dB
中频区
高频区
3dB
低频区40 直流放大电路的幅频响应与
20
高频区 3dB 20lg|AV|/dB 低频通带区
+ vs – Rs + vi – Ri – + Avo vi Ro + vo – RL
Ri —— 输入电阻 Ro —— 输出电阻
由输出回路得
RL vo = Avo vi Ro + RL
RL ↓
则电压增益为
vo RL = Avo Av = vi Ro + RL
由此可见
Av ↓
要想减小负载的影响，则希望…？ （考虑改变放大电路的参数） 理想情况 Ro = 0
华中科技大学电信系
张林
1.4 放大电路模型
A. 电压放大模型
另一方面，考虑到 输入回路对信号源的 衰减
+ vs – Rs + vi – Ri – + Avo vi Ro + vo – RL
Ri 有 vi = vs Rs + Ri
ii is Rs Ri Ais ii Ro io RL
电流放大模型
华中科技大学电信系 张林
1.4 放大电路模型
B. 电流放大模型 Ais ——负载短路时的
电流增益 由输出回路得
is Rs ii Ri Ais ii Ro io RL
Ro io = Ais ii Ro + RL io Ro 则电流增益为 Ai = = Ais ii Ro + RL
f L — —下限频率 称为带宽 BW = f H − f L 当 f H >> f L时， BW ≈ f H
20lg|AV|/dB
中频区
高频区
3dB
低频区40 直流放大电路的幅频响应与
20
高频区 3dB 20lg|AV|/dB 低频通带区
模电课件ppt
线性系统分析
研究非线性电路的静态和动态特性，如分岔、混沌等现象。
非线性系统分析
利用控制理论和方法研究电路系统的反馈控制和自动调节。
控制系统分析
通过最优化算法和数学规划方法，寻求电路性能的最佳设计方案。
最优化系统分析
模拟电路元件
总结词
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流。
详细描述
电阻的阻值大小由其材料、长度和横截面积决定，通常用欧姆（Ω）作为单位。在电路中，电阻用于调节电流和电压，实现各种不同的功能。
总结词
不同类型的电阻具有不同的特性，如碳膜电阻、金属膜电阻、水泥电阻等。
详细描述
碳膜电阻具有较好的稳定性，适用于高精度的测量和控制系统；金属膜电阻具有较低的温度系数和稳定的性能，适用于高频电路；水泥电阻则具有较大的功率容量，适用于大电流电路。
01
02
03
04
总结词：电容是模拟电路中用于存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。详细描述：电容的容量大小由其电极面积和间距决定，通常用法拉（F）作为单位。在电路中，电容用于滤波、旁路、耦合等作用，能够平滑电流或电压的波动。总结词：不同类型的电容具有不同的特性，如电解电容、陶瓷电容、薄膜电容等。详细描述：电解电容具有较大的容量和较低的价格，适用于低频电路；陶瓷电容具有较高的绝缘性能和稳定的温度系数，适用于高频电路；薄膜电容具有较小的体积和较高的可靠性，适用于小型化和便携式设备。
电压放大倍数是指输出电压与输入电压的比值，用于衡量模拟电路的放大能力。
电压放大倍数是模拟电路的重要性能指标之一，它反映了电路对输入信号的放大能力。在理想情况下，电压放大倍数越大，电路的放大能力越强。然而，在实际应用中，过高的放大倍数可能导致信号失真和稳定性问题。因此，需要根据实际需求选择合适的放大倍数。
研究非线性电路的静态和动态特性，如分岔、混沌等现象。
非线性系统分析
利用控制理论和方法研究电路系统的反馈控制和自动调节。
控制系统分析
通过最优化算法和数学规划方法，寻求电路性能的最佳设计方案。
最优化系统分析
模拟电路元件
总结词
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流。
详细描述
电阻的阻值大小由其材料、长度和横截面积决定，通常用欧姆（Ω）作为单位。在电路中，电阻用于调节电流和电压，实现各种不同的功能。
总结词
不同类型的电阻具有不同的特性，如碳膜电阻、金属膜电阻、水泥电阻等。
详细描述
碳膜电阻具有较好的稳定性，适用于高精度的测量和控制系统；金属膜电阻具有较低的温度系数和稳定的性能，适用于高频电路；水泥电阻则具有较大的功率容量，适用于大电流电路。
01
02
03
04
总结词：电容是模拟电路中用于存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。详细描述：电容的容量大小由其电极面积和间距决定，通常用法拉（F）作为单位。在电路中，电容用于滤波、旁路、耦合等作用，能够平滑电流或电压的波动。总结词：不同类型的电容具有不同的特性，如电解电容、陶瓷电容、薄膜电容等。详细描述：电解电容具有较大的容量和较低的价格，适用于低频电路；陶瓷电容具有较高的绝缘性能和稳定的温度系数，适用于高频电路；薄膜电容具有较小的体积和较高的可靠性，适用于小型化和便携式设备。
电压放大倍数是指输出电压与输入电压的比值，用于衡量模拟电路的放大能力。
电压放大倍数是模拟电路的重要性能指标之一，它反映了电路对输入信号的放大能力。在理想情况下，电压放大倍数越大，电路的放大能力越强。然而，在实际应用中，过高的放大倍数可能导致信号失真和稳定性问题。因此，需要根据实际需求选择合适的放大倍数。
模拟电子技术基础完整ppt课件
本章讨论的问题：
1.为什么采用半导体材料制作电子器件？
2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？
3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？
4.PN结上所加端电压与电流符合欧姆定律吗？它为什么具 有单向性？在PN结中另反向电压时真的没有电流吗？
5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效 应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它 们都可以用于放大？
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
电子技术:
电子技术就是研究电子器件及电路系统设计、分析 及制造的工程实用技术。目前电子技术主要由模拟电子 技术和数字电子技术两部分组成。
通常我们把由电阻、电容、三极管、二极管、集成 电路等电子元器件组成并具有一定功能的电路称为电子 电路，简称为电路。
一个完整的电子电路系统通常由若干个功能电路组 成，功能电路主要有：放大器、滤波器、信号源、波形 发生电路、数字逻辑电路、数字存储器、电源、模拟/数 字转换器等。
本征半导体中载流子的浓度公式：
ni=
pi=
K1T3/2
e
/ -E (2KT) GO
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3