模拟电子技术_双极型晶体管及基本放大电路
#《模拟电子技术基础》版习题解答基本放大电路题解
第二章基本放大电路自测题一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
<1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；< ）<2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；< ）<3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；< ）<4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；< ）<5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；< ）<6）因为放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；< ）<7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
< ）解：<1）×<2）√ <3）× <4）×<5）√ <6）×<7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：<a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
<b）可能。
<c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
<d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
<e）不能。
因为输入信号被C2短路。
<f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
<g）可能。
<h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
<i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中，已知V C C＝12V，晶体管的 ＝100，＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
<1）当＝0V时，测得U B E Q＝0.7V，若要基极电流I B Q＝20μA，则和R W之和R b＝≈kΩ；而若测得U C E Q＝6V，则R c＝≈kΩ。
<2）若测得输入电压有效值=5mV时，输出电压有效值＝0.6V，则电压放大倍数＝≈。
《模拟电子技术基础》习题册
第一章：基本放大电路习题1-1 填空：1．本征半导体是，其载流子是和。
载流子的浓度。
2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。
3．漂移电流是在作用下形成的。
4．二极管的最主要特征是，它的两个主要参数是和。
5．稳压管是利用了二极管的特征，而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是、、、和。
6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将。
7．双极型晶体管可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。
8．场效应管从结构上分成和两种类型，它的导电过程仅仅取决于载流子的流动；因而它又称做器件。
9．场效应管属于控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是控制型器件。
10．当温度升高时，双极性三极管的β将，反向饱和电流I CEO正向结压降U BE。
11．用万用表判别放大电路中处于正常放大工作的某个晶体管的类型与三个电极时，测出最为方便。
12．三极管工作有三个区域，在放大区时，偏置为和；饱和区，偏置为和；截止区，偏置为和。
13．温度升高时，晶体管的共设输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。
1-2 设硅稳压管D z1和D z2的稳定电压分别为5V和10V，求图1-2中各电路的输出电压U0，已知稳压管的正向压降为0.7V。
D Z1D Z225VU O1k Ω( )b D Z1D Z225VU O1k Ω( )c ( )d ( )a D Z1D Z225VU O 1k ΩD Z1D Z225VU O1k Ω图1-21-3 分别画出图1-3所示电路的直流通路与交流通路。
( )a ( )b( )c图1-31-5 放大电路如图1-5所示，试选择以下三种情形之一填空。
a ：增大、b ：减小、c ：不变（包括基本不变） 1．要使静态工作电流I c 减小，则R b2应 。
2．R b2在适当范围内增大，则电压放大倍数 ，输入电阻 ，输出电阻 。
模拟电子技术基础试题库(附答案)
模拟电子技术基础试题库（附答案）一、选择题1. 下列哪种器件是双极型晶体管的三个电极名称？A. 发射极、基极、集电极B. 发射极、基极、地C. 发射极、基极、输入端D. 发射极、基极、输出端答案：A2. 下列哪种电路是模拟电子技术中最基本的放大电路？A. 差分放大电路B. 积分放大电路C. 微分放大电路D. 互补放大电路答案：A3. 下列哪种元件在放大电路中起到反馈作用？A. 电容B. 电感C. 电阻D. 运算放大器答案：A4. 下列哪种放大电路具有输入阻抗高、输出阻抗低的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：B5. 下列哪种放大电路可以实现电压放大和倒相？A. common-emitter amplifier（共射放大器）B. common-base amplifier（共基放大器）C. common-collector amplifier（共集放大器）D. emitter-follower（发射极跟随器）答案：A6. 下列哪种放大电路具有电压放大倍数可调的特点？A. 固定偏置放大电路B. 分压式偏置放大电路C. 串联型放大电路D. 并联型放大电路答案：C7. 下列哪种电路可以实现信号的整流？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：A8. 下列哪种电路可以实现信号的滤波？A. 半波整流电路B. 全波整流电路C. 桥式整流电路D. 滤波电路答案：D9. 下列哪种电路可以实现信号的积分和微分？A. 积分放大电路B. 微分放大电路C. 滤波电路D. 整流电路答案：B10. 下列哪种电路可以实现信号的放大和滤波？A. 放大电路B. 滤波电路C. 积分电路D. 微分电路答案：A二、填空题1. 晶体管的三个电极分别为____、____、____。
答案：发射极、基极、集电极2. 放大电路的目的是____。
答案：放大信号3. 运算放大器是一种具有____、____和____的放大器。
模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路
在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ ] A.共射放大电路 B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在基本共射放大电路中，负载电阻RL 减小时，输出电阻RO将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在电路中我们可以利用[ ]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路B 共基电路C 共集电路D 共射-共基电路在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ ]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真以下电路中，可用作电压跟随器的是[ ] A．差分放大电路 B．共基电路C．共射电路 D．共集电路晶体三极管的关系式iE =f(uEB)|uCB代表三极管的A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性对于图所示的复合管，穿透电流为（设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流）A.ICEO = ICEO2ICEOB.ICEO =ICEO1+ICEO2C.ICEO =（1+2）ICEO1+ICEO2D.ICEO =ICEO1图 [ ]在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ ] B.饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真对于基本共射放大电路， Rb 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在基本共射放大电路中，信号源内阻RS 减小时，输入电阻Ri将[ ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是[ ]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为。
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变）（1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
半导体三极管及基本放大电路教案
半导体三极管及基本放大电路教案授课教师上课时间：周次：教学章节第2章半导体三极管及基本放大电路2.1 双极型三极管课型理论课对象教学目标1.掌握：双极型三极管的电流分配方程和输入、输出曲线（截止区、放大区、饱和区的特点）；2.理解：双极型三极管的放大条件和放大原理，三极管的直流参数和交流参数；3.了解：双极型三极管的结构和电路符号，特殊三极管。
教学重点1.双极型三极管的电流分配方程；2.双极型三极管的输入、输出曲线（截止区、放大区、饱和区）；3.双极型三极管的放大条件和放大原理；4.三极管的直流参数和交流参数。
教学1.双极型三极管的放大原理；2.双极型三极管输入、输出曲线（截止区、难点放大区、饱和区）。
教学方法多媒体教学，讨论教学课时2学时教学内容2.1 双极型三极管半导体三极管有两大类型，一是双极型三极管，二是单极型场效应管。
由于它有空穴和自由电子两种载流子参与导电，故称为双极型。
本讲讨论双极型半导体三极管，通常用BJT表示，以下简称三极管。
双极型三极管可以分为如下几种类型：（1）按结构分——NPN管和PNP管（2）按功率大小分——大、中、小功率管（3）按材料分——硅管和锗管（4）按频率分——高频管和低频管2.1.1 三极管的结构和符号通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。
按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图2.1所示。
（a）NPN管的结构及符号（b）PNP管的结构及符号图2.1 三极管的结构示意图和符号不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。
同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和集电结。
双极型晶体管的常见外形如图2.2所示。
图2.2 三极管的外型和管脚排列2.1.2 三极管的电流分配与放大原理（这一问题是重点）1.三极管的结构特点（1）基区很薄，且掺杂浓度很低；（2）发射区掺杂浓度远大于基区和集电区掺杂浓度；（3）集电结的结面积很大。
中职教育-电子技术与数字电路(北大第二版)课件：1.3 双极型晶体管.ppt
晶体管符号中的箭头表示管内正向电流的方向。箭头 指向管外的为NPN管，箭头指向管内的为PNP管。
图1.21 晶体管结构示意图和图形符号
晶体管的结构在工艺上具有以下特点： （1）发射区进行重掺杂，以便于产生较多的载流子； （2）基区很薄且掺杂浓度低，有利于发射区载流子穿过
图1.25 晶体管输入特性曲线
从理论上说，对应于不同的UCE值，可做出一簇IB-UBE 关系曲线，但实际上，当UCE≥1V以后，集电结已反向 偏置，并且内电场已足够强，而基区又很薄，可以把从 发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。此 时，只要UBE保持不变，即使UCE增加，IB也不会再有明 显的减小。
如图1.22所示为NPN型晶体管的电源接法:UBB是基极 电源，其极性使发射结处于正向偏置；UCC是集电极 电源，其极性使集电结处于反向偏置。
图1.22给出了晶体管内部载流子的运动情况以及各电 极电流分配示意图。
图1.22 晶体管内部载流子运动情况及电流分配示意图
1. 晶体管内部载流子的运动情况
基区到达集电区； （3）集电区轻掺杂，但面积大，以保证尽可能多地收集
到从发射区发出的载流子。
正是由于晶体管结构的上述特点，才使它产生了电流 控制和放大作用。
1.3.2 晶体管的电流控制作用
对信号进行放大是模拟电路的基本功能之一。晶体管 是放大电路的核心器件。
晶体管结构上的特点决定了它的电流放大作用的内部 条件，为了实现电流放大，还必须具备一定的外部条 件，这就是要使它的发射结处于正向偏置，集电结处 于反向偏置。
（3） 集电区收集电子
由于集电结反向偏置，它有利于该PN结两边半导体中 少子的运动（漂移运动），而对多子的扩散运动起阻 挡作用，即阻挡集电区的自由电子向基区扩散，但可 以将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的自由电 子拉入集电区，从而形成电流ICE，ICE是集电极电流 IC的主要成分。
模拟电路基础-双极型晶体管的频率响应
在c节点：
该等效电容为：
小信号等效电路的输出 部分(a)及其等效阻抗(b)
若|jCbc|RC1 //RL
等效阻抗ZA是一个电容的容抗 CM称为Miller电容。
2. Cb’c对输出回路的影响：
在含有源负载电路中就不一定能满足条件：| jCbc | jCbc | gm
|
RC
1 //
RL
例5.8 采用Miller等效的方法重新求解例5.4。 例5.4 共源极放大电路：已知FET参数gm＝3.4mA/V，rds ＝100k，Cgd=1.2pF。电路参数R1＝1.5M，R2＝330k， RD＝2k，RS＝820，Rg＝20k，RL＝40k，C1＝C2＝ 0.02F， CS＝1.0F。估算该放大器电路的源电压增益 （Avs=vo/vs）的上转折频率fH。
可看作是输出端的KCL方程， Cb’c对输出回路的影响等效于在输出端并联了一个电容Cb’c。
单向化后（包含Cb’c对输入、输出回路）的等效电路
例5.7 已知电路参数为： 晶体管参数为：
分析→采用开路时间常数法。
①求电容Cin= Cb’e + CM决定的开路时间常数in ②求由电容Cout=Cb’c决定的开路时间常数out
2. Cgd等效到输出回路→
含有源负载的电路中就不一定能满足条件
jCgd
1 ， RL
一般，总是可以满足条件 jCgd gm，输出端的KCL方程变为：
(5.34) jCgd gm Vds RL
gmVgs
jCgdVds
0
(5.38)
Cgd对输出回路的影响等效于在输出端并联了一个电容Cgd 。
单向化后（包 含Cgd对输入/输 出回路影响） 的等效电路：
注电考试-03模电-电工电子
一级结构工程师职业资格考试2012
A
D4 u2 B
u2
D3
D1 D2
RL uo
u2>0 时
u2<0 时
uo = u2
u o = - u2
输出是脉动的直流电压！
t
uo
t
负载电压 U0的平均值为:
一级结构工程师职业资格考试2012
A D4 u2 D1 D3 D2 RL uo
1 Uo 2
u o dt
2 0
2 2 U2
0.9 U2
B
负载上的(平均)电流:
uo
t
0.9U2 Io RL
整流电路中整流管的选择：
URM 2U2
1 U2 ID I o 0.45 2 RL
3、稳压管 +
稳压误差
一级结构工程师职业资格考试2012
i
曲线越陡， 电压越稳定。
主要参数 1、稳定电压 UZ
一级结构工程师职业资格考试2012
8.5 模拟电子电路
模拟电子技术部分主要内容
• 半导体器件：了解二极管、稳压管和三极管的结构、 原理及主要参数的定义方法。 • 电力电子电路：整流、滤波电路及直流稳压电源的结 构原理。
• 基本放大电路：掌握双极型晶体管的共发射极、共集 电极放大电路工作原理，会确定电路静态工作点 和动态指标。 • 集成运算放大器：了解集成运算放大器基本结构、主 要参数。掌握运算电路的基本分析、设计方法。
2、二极管应用——整流电路和滤波电路
u1
一级结构工程师职业资格考试2012
u2
整 流 u3 电 路
滤 波 u4 电 路
稳 压 电 路
uo
模拟电子技术课件chapter1
N型半导体（掺五价元素）
硅原子
Negative（负） 自由电子为多子； 空穴为少子
磷原子
Si
Si
多余电子获很 少能量可成为 自由电子
P
Si
N型硅表示
+
施主原子(正离子)
自由电子
17
P型半导体（掺三价元素） 硅原子 空位 Si B Si
Positive（正）
空穴为多子；
自由电子为少子
硼原子
Si
iD
uD UT
rd
Q
●
UT ID
iD
+
iD
ID
uD UD
u D
-
rd
uD
36
三、高频模型
1. 正向偏置 1. 反向偏置
势垒电容Cb 加扩散电容Cd
势垒电容Cb
37
1.2.5 稳压二极管(zener diode)
稳压二极管符号 +
当稳压二极管工 作在反向击穿状 态下,当工作电 流IZ在Izmax和 Izmin之间时,其两 端电压近似为常 数 稳压二极管特性曲线 I 稳定 电压 UZ IZmin U 稳定 IZ 电流 IZmax
Industrial ~
Mechtronics ~ Medical ~ Office ~
4
应用举例
传感器
电子线路
执行器件
5
§0.3 课程特点
• 技术基础课（专业基础课） – 实践性强 – 讨论共性概念问题 – 基本分析方法、分析原则 – 为后续课程打基础 时间紧、任务重、难度大、难掌握 问题实质：实践性强、内容分散
一般，击穿电压在6V以下的属于齐纳击穿，6V以上的 主要是雪崩击穿。 6V左右，两种击穿都有。