电路与模拟电子技术基础(第2版)_习题解答_第6章习题解答
模拟电子技术基础答案完整版
模拟电子技术基础答案第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V为外加电压； VT=kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
《电力电子技术》(第六七八章)习题答案
第6章 PWM 控制技术1．试说明PWM 控制的基本原理。
答：PWM 控制就是对脉冲的宽度进行调制的技术。
即通过对一系列脉冲的宽度进行调制，来等效地获得所需要波形（含形状和幅值）。
在采样控制理论中有一条重要的结论：冲量相等而形状不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同，冲量即窄脉冲的面积。
效果基本相同是指环节的输出响应波形基本相同。
上述原理称为面积等效原理以正弦PWM 控制为例。
把正弦半波分成N 等份，就可把其看成是N 个彼此相连的脉冲列所组成的波形。
这些脉冲宽度相等，都等于π/N ，但幅值不等且脉冲顶部不是水平直线而是曲线，各脉冲幅值按正弦规律变化。
如果把上述脉冲列利用相同数量的等幅而不等宽的矩形脉冲代替，使矩形脉冲的中点和相应正弦波部分的中点重合，且使矩形脉冲和相应的正弦波部分面积（冲量）相等，就得到PWM 波形。
各PWM 脉冲的幅值相等而宽度是按正弦规律变化的。
根据面积等效原理，PWM 波形和正弦半波是等效的。
对于正弦波的负半周，也可以用同样的方法得到PWM 波形。
可见，所得到的PWM 波形和期望得到的正弦波等效。
2．设图6-3中半周期的脉冲数是5，脉冲幅值是相应正弦波幅值的两倍，试按面积等效原理计算脉冲宽度。
解：将各脉冲的宽度用i（i =1, 2, 3, 4, 5）表示，根据面积等效原理可得1=m5m 2d sin U t t U ⎰πωω=502cos πωt - =0.09549(rad)=0.3040(ms)2=m525m 2d sin U t t U ωϖππ⎰=5252cos ππωt -=0.2500(rad)=0.7958(ms)3=m5352m 2d sin U t t U ωϖππ⎰=53522cos ππωt -=0.3090(rad)=0.9836(ms)4=m5453m 2d sin U t t U ωϖππ⎰=2=0.2500(rad)=0.7958(ms)5=m54m2d sin U tt Uωϖππ⎰=1=0.0955(rad)=0.3040(ms)3. 单极性和双极性PWM 调制有什么区别？三相桥式PWM 型逆变电路中，输出相电压（输出端相对于直流电源中点的电压）和线电压SPWM 波形各有几种电平？答：三角波载波在信号波正半周期或负半周期里只有单一的极性，所得的PWM 波形在半个周期中也只在单极性范围内变化，称为单极性PWM 控制方式。
模拟电子技术基础课后作业解答
电子技术基础 电子技术基础精品课程——模拟 模拟电子技术基础
作业：3.3.4, 3.4.1，3.4.3, 3.5.1,
3.6.1, 3.7.2, 3.9.2, 3.9.4
•第三章 习题解答
4.3 ：分压式偏置电路 及晶体输出特性曲线 如图所示 ，已知 3. 3.4.3 4.3： 分压式偏置电路及晶体输出特性曲线 及晶体输出特性曲线如图所示 如图所示，已知 Rb1=15kΩ,Rb2=62kΩ,Rc=3kΩ,RL=3kΩ,VCC=24V,Re=1kΩ,晶体管的 饱和压降 Rs=100Ω.(1) 估算静态工作点 β=50,rbe=200Ω,VCES=0.3V, =0.3V,饱和压降 饱和压降Rs=100 (1)估算静态工作点 Vom;(3) 计算 Av,Ri,Ro,Avs;(4) 若电路 Q；(2)求最大输出电压幅值 求最大输出电压幅值Vom;(3) Vom;(3)计算 计算Av,Ri,Ro,A ;(4)若电路 Rb2为多大时， VCE=4V. 其他参数不变，问上偏流电阻 其他参数不变，问上偏流电阻R 为多大时，V Rb1 (1 ) V = 解： 解：(1 (1) Vcc = 4.7V B Rb1 + Rb 2
（a）能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反 解： 解：（ 偏；交流通路信号能顺畅的输入输出。 （b）不能放大，直流通路满足发射结正偏、集电结反偏； 交流通路信号不能顺畅的输入。
电子技术基础 电子技术基础精品课程——模拟 模拟电子技术基础
作业：3.3.4, 3.4.1，3.4.3, 3.5.1,
3.6.1, 3.7.2, 3.9.2, 3.9.4
•第三章 习题解答
3.3.4：如图电路中，分别画出其直流通路和交流通路，试说明 哪些能实现正常放大？哪些不能？为什么？（图中电容的容抗可 忽略不计）。
数字电子技术第6章自测练习及习题解答
自测练习（6.1）1．4位寄存器需要（）个触发器组成。
2．图6-1中，在CP（）时刻，输入数据被存储在寄存器中，其存储时间为（）。
3．在图6-4中，右移操作表示数据从（）（FF0，FF3）移向（FF0，FF3）。
4．在图6-7中，当/SHIFT LOAD为（）电平时，寄存器执行并行数据输入操作；5．74LS194的5种工作模式分别为（）。
6．74LS194中，清零操作为（）（同步，异步）方式，它与控制信号S1、S1（）（有关，无关）。
7．74LS194中，需要（）个脉冲可并行输入4位数据。
8．74LS194使用（）（上边沿，下边沿）触发。
9．为了将一个字节数据串行移位到移位寄存器中，必须要（）个时钟脉冲。
10．一组数据10110101串行移位（首先输入最右边的位）到一个8位并行输出移位寄存器中，其初始状态为11100100，在两个时钟脉冲之后，该寄存器中的数据为：（a）01011110 （b）10110101 （c）01111001 （d）001011011．42．上升沿，1个CP周期3．FF0，FF34．低5．异步清零，右移，左移，保持，并行置数6．异步，无关7．18．上边沿9．810．（c）01111001自测练习（6.2）1．为了构成64进制计数器，需要（）个触发器。
2．2n进制计数器也称为（）位二进制计数器。
3．1位二进制计数器的电路为（）。
4．使用4个触发器进行级联而构成二进制计数器时，可以对从0到（）的二进制数进行计数。
5．如题5图中，（）为4进制加法计数器；（）为4进制减法计数器。
题5图（a）Q0 Q1CP 111J>C1 FF01K1J>C1 FF11K题5图（b ）6．一个模7的计数器有（ ）个计数状态，它所需要的最小触发器个数为（ ）。
7．计数器的模是（ ）。
（a ）触发器的个数（b ）计数状态的最大可能个数（b ）实际计数状态的个数 8．4位二进制计数器的最大模是（ ）。
电路与模拟电子技术(第二版)殷瑞祥_习题答案_第1-4章标准版-高等教育出版社
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模拟电子技术课后习题及答案
模拟电⼦技术课后习题及答案第⼀章常⽤半导体器件⾃测题⼀、判断下列说法是否正确，⽤“√”和“×”表⽰判断结果填⼊空内。
（1）在N 型半导体中掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
（）（2）因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
（）（3）PN 结在⽆光照、⽆外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS ⼤的特点。
（）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS ⼤于零，则其输⼊电阻会明显变⼩。
（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×⼆、选择正确答案填⼊空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设⼆极管的端电压为U ，则⼆极管的电流⽅程是。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I（3）稳压管的稳压区是其⼯作在。
A. 正向导通B.反向截⽌C.反向击穿（4）当晶体管⼯作在放⼤区时，发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS＝0V时，能够⼯作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图所⽰各电路的输出电压值，设⼆极管导通电压U D＝。
解：U O1≈，U O2＝0，U O3≈－，U O4≈2V，U O5≈，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最⼩值I Zmin＝5mA。
求图所⽰电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如图所⽰，其集电极最⼤耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
电工电子技术基础_习题解答
第1章习题1-1 判断题1．电荷的定向移动形成电流。
（√）2．直流电路中，电流总是从高电位流向低电位。
（√）3．电阻的体积越大，其额定的耗散功率越大。
（√）4．电阻的额定功率越大，它消耗的电能就越大。
（×）5．电阻串联时，各电阻上消耗的功率与其电阻的阻值成反比。
（×）6．电流表必须串联在电路中应用，而电压表则必须并联在电路中应用。
（√）7．在选择电器时，电器的额定电压一定要等于电源的额定电压。
（√）8．额定功率越大的电器，其消耗的电能一定多。
（×）9．电压源和电流源是同一电源的两种不同的等效模型。
（√）10．电容器和电阻器虽然结构不同，其实是同一类型的电气元件。
（×）11．电容器并联总电容量增加；电容器串联总电容量减小。
（√）12．对于同一个电容器，两端的电压越高其储存的电场能量越小。
（√）1-2 计算题1 一直流电流流过导体，已知在1min内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？如果在1s内通过导体横截面的电荷量为6000C，问该电流有多大？解：根据I=Q/t, 有（1）I=6000C/60s=100A（2）I=6000C/1s=6000A2 试在图1-30中标出电流、电动势、电压的实际方向，并问通过电流表A1和A2的电流是否相等？B、C、D各点的电位谁高谁低？图1-30 题2图解：因为A1、A2是串联关系，流过的电流相等；电位的排序为：B＞C＞D3 有两条长度为1 km 、截面积为2 mm 2的导线，一条是铝线，一条是铜线，这两条导线在常温下的电阻各为多少？要想使铝导线的电阻与铜导线的电阻相同，铝导线的截面积应增加为多大？解：（1）铝导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100283.0S l R 铝铝ρ14.15Ω （2）铜导线常温下的电阻：=⨯⨯⨯==--63610210100175.0S l R 铜铜ρ8.75Ω （3）铝导线的电阻与铜导线的电阻相同时铝导线的截面积为：2636m m 23.31073.810100283.0=⨯⨯⨯=--铝S 4 有两只灯泡，额定功率都为40 W ，一只额定电压为36V ，另一只额定电压为12V ，两只灯泡工作时的电阻各为多少？如果将两只灯泡串联后接于48V 的电源上，哪只灯泡的电压超过了额定电压？将会有什么现象发生？解：（1）工作电压为36VR =U 2/P =32.4Ω （2）工作电压为12VR =U 2/P =3.8Ω（3）串联接于48V 电源上 两电阻之和为R =32.4+3.8=36.2Ω 根据串联电阻分压公式有2.4348364.3211=⨯==U R R U V U 2=48-43.2=4.8V额定电压为36V 的灯泡过压，灯丝会烧断。
模拟电子技术基本教程课后习题答案
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好，反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 （a ）放大区（b ）截止区（c ）放大区（d ）饱和区（e ）截止区（f ）临界饱和（g ）放大区（h ）放大区1-15 （a ）NPN 锗管（b ）PNP 硅管第二章2-1 （a ）无（b ）不能正常放大（c ）有（d ）无（e ）有（f ）无（g ）无（h ）不能正常放大（i ）无2-7 ②U BQ =3.3V ，I CQ = 2.6mA ，U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ，I CQ = 0.6mA ，U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =－51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点，然后在负载线上求Q 点附近的β，最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ，可得r be ≈1.6k Ω，uA =－80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω，uA =－0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ，I CQ = 1mA ，U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω，当R L =∞时，R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时，R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。
③当R L =∞时，R i ≈282k Ω；当R L =1.2k Ω时，R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 （a ）共基组态（b ）共射组态（c ）共集组态（d ）共射组态（e ）共射－共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100，则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。
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M i9习 题 66.1 确定图中晶体管其它两个电流的值β=200Iβ=100β=120(a)(b)(c)图6.1 习题6.1图(a) I C =βI B =200×0.125=25(mA) I E =I B +I C =25.125(mA) (b) I B =I E /(1+β)=5/(1+100)=49.5(μA) I C =I E －I B =4.95(mA) (c) I B =I C /β=3/120=25(μA) I E =I B +I C =3.025(mA)6.2 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图6.1所示，试判断晶体管的类型（NPN或PNP ），说明①、②、③中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ，求出电流放大系数β。
图6.2 习题6.2图(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40 (b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1506.3 有两只工作于放大状态的晶体管，它们两个管脚的电流大小和实际流向如图6.3所示。
求另一管脚的电流大小，判断管子是NPN 型还是PNP 型，三个管脚各是什么电极；并求它们的β值。
①② ③(a)①② ③(b)图6.3 习题6.3图(a) ①-c ②-e ③-b NPN I E =I B +I C =4+0.1=4.1(mA) β=4/0.1=40 (b) ①-e ②-c ③-b NPN I C =I E －I B =5.1－0.1=5(mA) β=5/0.1=506.4 试判断图6.4所示电路中开关S 放在1、2、3哪个位置时的I B 最大；放在哪个位置时的I B 最小，为什么？+V CC图6.4 习题6.4图在①时，发射极相当于一个二级管导通，此时I B 就等于此导通电流。
在②时，三极管相当于两个并联的二极管，此时I B 等于两个二级管导通电流之和，所以此时的电流最大。
在③时，发射极导通，集电结反偏，集电结收集电子，所以I B 电流下降，此时电流最小。
6.5 测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图6.5所示，判断晶体管三极管的类型（NPN 或PNP ）及三个电极，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图6.5 习题6.5图(a) ①-e ②-c ③-b 硅 NPN (b) ①-b ②-c ③-e 锗 PNP (c) ①-b ②-e ③-c 锗 PNP6.6 在工作正常的放大电路中，测得四个晶体管相对于电路公共端的电压如图6.6所示，是判断各晶体管的类型及各管脚对应的电极名称。
① 4V ② 4.7V ③ 9V(a)① -2V ② 5.3V ③ 5V(b)① -6V ② -0.7V ③ 0V(c)① -1.8V ② 6V ③ -2V(d)图6.6 习题6.6图(a) ①-e ②-b ③-c 硅 NPN (b) ①-c ②-e ③-b 锗 PNP (c) ①-c ②-b ③-e 硅 PNP (d) ①-b ②-c ③-e 锗 NPN6.7 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图6.7所示，判断这些晶体管分别处于哪种工作状态（饱和、放大、截止或已损坏）。
2.7V(a)(b)－5V－－0.6V(c)－(d)9V－6V(e)6V0V(f)图6.7 习题6.7图(a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏6.8 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U (BR)CEO = 15V ，若它的工作电流I C = 10mA ，那么它的工作电压U CE 不能超过多少？若它的工作电压U CE = 12V ，那么它的工作电流I C 不能超过多少？)V (1510200,15min ,min C CM (BR)CEO CE =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=I P U U)mA (67.1612200,20min ,min CE CM CM C =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=U P I I6.9 图6.9所示电路对正弦信号是否有放大作用？如果没有放大作用，则说明理由并将错误加以改正（设电容的容抗可以忽略）。
图6.9 习题6.9电路图(a) 无放大作用。
电容C 使得集电结反偏不成立。
应将电容C 改为阻值合适的电阻。
(b) 无放大作用。
V BB 使得交流输入信号无法加到三极管上。
应在此支路串联一阻值合适的电阻。
(c) 无放大作用。
PNP 三极管要求V C <V B <V E ，同时电容C 使得发射结正偏不成立。
应将V CC 的+12V 改为－12V ，同时将电容C 取消。
(d) 无放大作用。
发射极正偏不成立。
将电阻R b 接地那一端改为接到V CC 。
6.10 电路如图6.10所示，试判断各电路可否正常放大交流输入信号，若不能正常放大，则说明原因，并加以改正。
u iu o(a)u iu o+V(b)(c)uiu o+V(d)u iu o图6.10 习题6.10电路图(a) 无放大作用。
电容C2使得交流通路中输出直接接地了。
应将电容C2去掉。
(b) 无放大作用。
PNP三极管要求V E>V B>V C，同时三极管集电极直接接在V CC上使得在交流通路中输出直接接地了。
应将+V CC改为－V CC，同时在集电极和V CC之间增加阻值合适的电阻R C。
(c) 无放大作用。
三极管基极直接接在V CC上使得集电结反偏不成立，同时也使得交流输入信号不能够加到三极管上。
在基极和V CC之间添加一阻值合适的电阻R b。
(d) 无放大作用。
电容C2使得交流输入信号不能够加到三极管上。
应将电容C2去掉。
6.11 确定图6.11所示电路中I CQ和U CEQ的值u iu ou iu o+8V(a)(b)图6.11 习题6.11电路图(a) )μA(6.225007.012bBE(on)CCBQ≈-=-=RUVI)mA(39.3BQCQ==IIβ)V(61.8139.312CCQCCCEQ=⨯-=-=RIVU(b) )μA(3.203607.08bBE(on)CCBQ≈-=-=RUVI)mA(03.2BQCQ==IIβ)V(94.3203.28CCQCCCEQ=⨯-=-=RIVU6.12 在NPN型三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其它参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ、I CQ和U CEQ将增大、减小还是基本不变。
R b图6.12 习题6.12电路图(1) 增大R b ；(2) 增大V CC ；(3) 增大β。
6.13 图6.13所示为放大电路的直流通路，晶体管均为硅管，判断它的静态工作点位于哪个区（放大区、饱和区、截止区）。
R b R bR 100k Ω(+12V)300k 2k (a)(b)(c)图6.13 习题6.13电路图(a) 发射结正偏导通)μA (57.822011007.05BQ =⨯+-=I假设处于放大区)mA (71.1BQ CQ =⋅=I I β)V (56.15)(5e c CQ CEQ -=+-=R R I U∴假设错误，三极管处于饱和区。
(b) 发射结正偏导通)μA (2.325.01013007.012BQ =⨯+-=I假设处于放大区)mA (22.3BQ CQ =⋅=I I β)V (95.3)5.02(22.312CEQ =+⨯-=U∴假设成立，三极管处于放大区。
(c) 发射结反偏截止，所以三极管处于截止区。
6.14 画出图6.14所示电路的直流通路和微变等效电路，并注意标出电压、电流的参考方向。
设所有电容对交流信号均可视为短路。
图6.14 习题6.14电路图(a)R R CC(b)R R CCoU +－(c)R R CC(d)cR R eV CCoU +－6.15 放大电路如图6.15(a)所示。
设所有电容对交流均视为短路，BEQ U = 0.7V ，50β=。
（1）估算该电路的静态工作点Q ；（2）画出小信号等效电路；（3）求电路的输入电阻i R 和输出电阻o R ；（4）求电路的电压放大倍数uA ；（5）若o u 出现如图6.15（b ）所示的失真现象，问是截止失真还是饱和失真？为消除此失真，应该调整电路中哪个元件，如何调整？图6.15 习题6.15电路图(1) )μA (7.373007.012BQ =-=I )mA (88.1BQ CQ =⋅=I I β )V (35.6388.112CEQ =⨯-=U(2) )k (0.188.12651300be Ω=⨯+=roU +－U(3) )k (0.1//be be b i Ω=≈=r r R R )k (3c o Ω==R R(4) 600.12//350'//be L be b L c b u -=⨯-=⋅-=-==r R r I R R I U U A i o ββ(5) 此为截止失真，为减小失真，应减小R b 使Q 点上移。
6.16 将图6.15中的晶体管换成一个PNP 型晶体管，V CC = -12V ，重复题6.15。
(1) )μA (7.373007.012BQ =-=I )mA (88.1BQ CQ =⋅=I I β )V (35.6388.112CEQ -=⨯+-=U(2) )k (0.188.12651300be Ω=⨯+=roU +－U(3) )k (0.1//be be b i Ω=≈=r r R R )k (3c o Ω==R R(4) 600.12//350'//be L be b L c b u -=⨯-=⋅-=-==r R r I R R I U UA i o ββ(5) 此为饱和失真，为减小失真，应增大R b 使Q 点下移或者减小R c 使Q 点右移。
6.17 求解图6.16所示电路的静态工作点u iu ou iu o(a)(b)图6.16 习题6.17电路图(a) )V (77.2108.17.48.1BQ =⨯+=V)mA (88.11.17.077.2eBE(on)BQ EQ CQ =-=-=≈R U V I I)V (29.2)1.13(88.110CEQ =+⨯-=U(b) )V (84.1107.2127.2BQ =⨯+=V)mA (32.618.07.084.1EQ CQ =-=≈I I)V (95.4)18.062.0(32.610CEQ =+⨯-=U6.18 求解图6.17所示电路的静态工作点u i2u o(a)ui2u o(b)图6.17 习题6.18电路图(a) )μA (6.1861011.07.012BQ =⨯+-=I )mA (86.1BQ CQ =⋅=I I β)V (26.7)63(86.1)12(12CEQ =+⨯---=U(b) )μA (6.21322133.07.015BQ =⨯+-=I )mA (75.4BQ CQ =⋅=I I β)V (15.8)6.13(75.4)15(15CEQ =+⨯---=U6.19 图示NPN 三极管组成的分压式工作点稳定电路中，假设电路其它参数不变，分别改变以下某一项参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 、U CEQ 、r be 和uA 将增大、减小还是基本不变。