一种典型半导体材料—SiC2
二氯二甲基硅烷电导率
二氯二甲基硅烷电导率二氯二甲基硅烷（Dichlorodimethylsilane）是一种有机硅化合物，化学式为(CH3)2SiCl2，属于无色液体。
它具有较高的电导率，在电子行业和材料科学领域有着广泛的应用。
我们来了解一下电导率的概念。
电导率是指物质导电性的量化指标，衡量了物质对电流的导电能力。
电导率越高，代表物质导电能力越强。
对于二氯二甲基硅烷来说，其具有较高的电导率，这使得它在一些特定的应用中发挥着重要的作用。
二氯二甲基硅烷在电子行业中被广泛应用于半导体材料的制备过程中。
半导体材料是电子器件制造的基础材料，而二氯二甲基硅烷作为一种有机硅化合物，则可以提供所需的硅元素。
在制备半导体材料的过程中，需要将二氯二甲基硅烷进行表面修饰，使其能够与其他材料相互结合并形成稳定的结构。
通过对二氯二甲基硅烷进行化学修饰，可以增加其与半导体材料之间的相容性，从而提高半导体材料的性能和稳定性。
二氯二甲基硅烷还可以用于涂料和粘合剂的制备。
由于其具有较高的电导率，可以在涂料和粘合剂中起到导电的作用。
在一些特殊的应用中，需要将电流传导到涂层或粘合剂的表面，以实现特定的功能，如防静电、导热等。
二氯二甲基硅烷的高电导率使得它成为这些应用中的理想选择。
二氯二甲基硅烷还可以用于制备有机硅聚合物。
有机硅聚合物是一类具有特殊性质的高分子材料，具有耐高温、耐化学腐蚀等优点。
它们在电子、医疗、航空等领域有着广泛的应用。
二氯二甲基硅烷作为有机硅化合物的一种重要原料，可以用于制备各种有机硅聚合物。
通过控制反应条件和添加适当的催化剂，可以合成出具有不同性质和用途的有机硅聚合物。
总结起来，二氯二甲基硅烷具有较高的电导率，这使得它在电子行业和材料科学领域有着广泛的应用。
它可以用于制备半导体材料、涂料和粘合剂，并且可以作为有机硅聚合物的重要原料。
随着电子技术和材料科学的发展，对于具有高电导率的材料的需求也越来越大，而二氯二甲基硅烷作为一种高电导率的有机硅化合物，将会继续发挥其重要作用。
新型半导体材料SiC
新型半导体材料SiC结构及特性使用 器件的传统集成电路大都只能工作在 ℃ 以下，不能满足高温、高功率及高频等要求。
具有独特的物理性质和电学性质，是实现高温、高频、抗辐射相结合器件的理想材料。
从结构上来说，主要有两类：闪锌矿结构，简称 （ ） 六角型或菱形结构，简称 （主要包括 ）。
＊ ， ， 为 四面体密堆积 种不同的位置单位晶体结构 几种常见 晶体形态的对垒模型相比 及 ， 材料有绝缘破坏电场大、带隙大，导热率高、电子饱和速度快及迁移率高等特性参数，决定 功率元器件具有易降低导体电阻，高温下工作稳定及速度快等优势。
然而目前 主要面临的挑战是出现电磁干扰 问题及成本较高问题特性参数生产关键技术晶体生长 具有高的化学和物理稳定性，使其高温单晶生长和化学处理非常困难。
早期 法生长单晶： 源加热到 ℃以上，籽晶与源之间形成一定的温度梯度，使 原子通过气相运输在籽晶上生成单晶。
主要受气相饱和度控制，生长速度和饱和度成正比。
法生长的单晶几乎都是 、 ，而立方的 中载流子迁移率较高，更适合于研制电子器件，但至今尚无商用的 。
另外， 体单晶在高温下 ℃ 生长，参杂难以控制，特别是微管道缺陷无法消除，所以 体单晶非常昂贵。
法晶体生长室示意图外延 外延生长技术主要有四种：化学汽相淀积 、 液相外延生长 、汽相外延生长 、分子束外延法化学机械抛光 由于 有很高的机械强度和极好的耐化学腐蚀的特性，相比于传统的半导体材料（硅和砷化镓）它很难进行抛光。
用胶体氧化硅对 进行化学机械抛光是目前比较常见的一种方法，抛光剂是二氧化硅颗粒的悬浮液，二氧化硅颗粒的粒度只有几十纳米。
氧化 是化合物半导体中唯一能够由热氧化形成 的材料。
采用与 工艺类似的干氧、湿氧方法进行 的氧化，氧化温度 ℃ 之间，但氧化速率较慢，一般仅为几个 。
氧化速率与表面晶向有关，碳面氧化速率是硅面的 倍；另外，氧化速率还依赖于衬底参杂浓度，随参杂浓度的增加而增加。
【精品文章】第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)
第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓
(GaN)
在半导体行业的发展进程中，人们通常把Si和Ge元素半导体称为第一代电子材料，把GaAs、InP、InAs等化合物半导体称为第二代半导体材料，而把Ⅲ族氮化物（主要包括GaN、相关化合物InN、AIN及其合金）、SiC、InSe、金刚石等宽带隙的化合物半导体称为第三代半导体材料。
图1：半导体
半导体是一种介于导体与绝缘体之间的材料，我们生活的方方面面都离不开半导体技术，电器、灯光、手机、电脑、电子设备等都需要半导体材料制造，第三代半导体材料发展较好的为碳化硅（SIC）与氮化镓（GaN），其中碳化硅的发展更早一些。
碳化硅晶体结构具有同质多型的特点，其基本结构是Si-C四面体结构。
它是由四个Si原子形成的四面体包围一个碳原子组成，按相同的方式一个Si原子也被四个碳原子的四面体包围，属于密堆积结构。
氮化镓是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，该化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。
氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中。
我们来看看氮化镓与碳化硅两者间的关键特性有什么区别。
碳化硅与氮化镓的关键特性对比：
关键特性
单位。
lammps 建sic晶体结构(4h相)
lammps 建sic晶体结构(4h相) SIC晶体是一种重要的半导体材料，具有优异的物理性质，被广泛应用于电子器件、光学器件等领域。
在LAMMPS中，我们可以通过模拟的方式构建SIC晶体结构，其中4H相是SIC的一种典型结构，具有一定的稳定性和特殊性质。
首先，让我们来了解一下SIC晶体的基本结构。
SIC晶体是由硅原子和碳原子构成的复合晶体，硅原子和碳原子以不同的方式排列形成不同的结构类型，其中4H相是硅原子和碳原子交替排列形成六方晶格的一种结构。
在LAMMPS中构建SIC晶体结构的步骤如下：
1.定义晶体结构：首先需要定义晶格参数和晶体的结构类型，对于4H相的SIC晶体，可以定义其晶格参数和原子的排列方式。
2.生成原子坐标：根据晶格参数和原子的排列方式，可以生成SIC 晶体中原子的坐标信息，包括硅原子和碳原子的坐标位置。
3.建立分子模型：将生成的原子坐标信息转化为分子模型，在LAMMPS中可以使用相应的命令将原子坐标信息导入并建立分子模型。
4.定义势能模型：在模拟SIC晶体的过程中，需要定义硅原子和碳原子之间的相互作用势能模型，以便进行相互作用力的计算。
5.进行分子动力学模拟：通过设置合适的温度和压力等参数，在LAMMPS中进行SIC晶体的分子动力学模拟，模拟晶体的结构和性质。
通过以上步骤，我们可以在LAMMPS中构建SIC晶体结构，并进行相应的模拟分析。
通过模拟，我们可以研究SIC晶体在不同条件下的物理性质，为相关领域的研究和应用提供参考和支持。
SIC晶体在电子器件和光学器件等领域的应用前景广阔，通过模拟研究可以更深入地了解其性质和结构，为相关领域的发展做出贡献。
sic晶格参数
sic晶格参数
Sic晶格参数是指硅碳化物（SiC）的晶格参数，也就是晶体结构中的重要参数之一。
SiC是一种半导体材料，具有很高的热稳定性、耐腐蚀性和耐磨性等特点，因此被广泛应用于电力电子、光电子、化学传感器、航空航天等领域。
SiC晶格参数的测量可以帮助人们了解其晶体结构和性质，从而更好地设计和制造相应的器件。
常见的SiC晶格参数包括晶格常数、晶格类型、结构参数等。
晶格常数是指晶体结构中两个相邻原子之间的距离，可通过X射线衍射等技术进行测量。
SiC的晶格常数为4.359 angstroms，晶格类型为六方密堆积结构。
除了晶格常数外，SiC晶格参数还包括晶格缺陷、晶体形貌等方面。
这些参数对于SiC材料的性能和应用具有重要影响。
随着材料科学和技术的不断进步，SiC晶格参数的测量和研究也将不断深入，为SiC材料的应用和发展提供更好的支持。
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人教版高中化学必修第二册第五章《第三节 无机非金属材料》练习题(解析版)
第三节无机非金属材料【课程标准要求】1.了解硅酸盐及其结构特点，了解传统硅酸盐产品的工业生产。
2.了解硅和二氧化硅的性质，认识碳化硅、氮化硅、纳米材料等新型无机非金属材料。
3.知道硅及其化合物在材料家族中的应用。
一、硅酸盐材料1.无机非金属材料从组成上看，许多无机非金属材料多含硅、氧等元素，具有耐高温、抗腐蚀、硬度高等特点，以及特殊的光学、电学等性能。
2.硅酸盐及其结构(1)硅酸盐的结构在硅酸盐中，Si和O构成了硅氧四面体结构，Si在中心，O在四面体的4个顶角，每个Si结合4个O，每个O结合2个Si。
(2)硅酸盐材料的特性硅酸盐材料大多具有硬度高、难溶于水、耐高温、耐腐蚀等特点。
3.常见的硅酸盐材料拓展(1)陶瓷、玻璃、水泥等传统无机非金属材料都是以含硅物质为原料，经过高温发生复杂的物理、化学变化制成，产品都为硅酸盐。
(2)生产中采用不同的原料和工艺，也可以制得多种具有不同性能和用途的玻璃。
例如，利用含有铅的原料可制得光学玻璃；加入硼酸盐制成耐化学腐蚀、耐温度急剧变化的玻璃；加入一些金属氧化物或盐可以得到彩色玻璃。
【微自测】1.下列描述中正确的打“√”，错误的打“×”。
(1)硅酸盐是由硅、氧和金属组成的混合物(×)(2)硅酸盐结构较为复杂，大多不溶于水，化学性质很稳定(√)(3)硅氧四面体结构决定了硅酸盐材料的硬度高、耐腐蚀等特点(√)(4)硅氧四面体中，硅原子与氧原子都是以共价键结合(√)(5)水泥与玻璃的共同原料是石灰石，水泥与陶瓷的共同原料是黏土(√)(6)陶瓷、玻璃、水泥的生产都需要在高温下进行(√)(7)玻璃和水泥生产中都发生复杂的物理和化学变化(√)二、新型无机非金属材料1.硅和二氧化硅(1)硅的存在与结构(2)高纯硅的制备其中涉及的主要化学反应为：①SiO 2＋2C =====1__800～2__000__℃Si ＋2CO ↑， ②Si ＋3HCl =====300__℃SiHCl 3＋H 2， ③SiHCl 3＋H 2=====1__100__℃Si ＋3HCl__。
sic密排六方晶格中原子位置
sic密排六方晶格中原子位置
Sic晶体是一种自然晶体，也是一种重要的半导体材料，具有优异的物理和化学性质。
Sic密排六方晶格结构是Sic晶体的一种典型结构，由于其特殊的晶格结构，被广泛应用于半导体器件制造、高温电子设备
等领域。
Sic晶体的晶格结构可以表示为密排六方晶格，在这种结构中，每个Si 原子都处于一个四面体的中心，周围分别有四个C原子分别位于正、
反四面体角的位置。
在晶格中，Si原子和C原子通过共价键连接，形
成了大量的共面网格，这些共面网格在晶格结构中形成了一种复杂的
重叠现象。
在Sic晶体中，Si和C原子的排列方式具有很大的规律性，晶格常数
和晶胞结构也是严格相同的。
Si和C原子通常处于不同的位置，其中
C原子通常位于Si原子上方，形成一种倒空间构型。
同时，在Sic晶
体的一些特殊方向上，Si原子和C原子也会发生排列规律的重叠，形
成了一些特殊的断面。
Sic晶体中Si和C原子的排列规律对其物理和化学性质都有很大的影响。
由于其晶格结构有序、单元重复性高，因此表现出类似于晶格振动、光谱学等共有特征。
同时，其较低的漏电性能和较高的能带宽度，
使得其在半导体电子学中有广泛的应用。
总之，Sic密排六方晶格是一种重要的半导体材料结构，其具有严格的排列规律和高度的重复性，使其在电子学、材料科学等领域有着广泛的应用。
了解其晶格结构和原子排列方式也可以帮助我们更好地理解其物理、化学特性。
《SiC碳化硅》课件
废弃物资源化利用
对生产过程中的废弃物进行资源 化利用，降低对环境的影响。
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光学性质
总结词
碳化硅具有优异的光学性能，可用于制造光学器件和激光器等。
详细描述
碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具有优异的光学性能，能够吸收紫外线和蓝光等短波长光，并可在 高温下保持稳定的光学性能。因此，碳化硅在光学器件、激光器和LED等领域有广泛应用。
03
Sic碳化硅的应用
磨料和磨具
碳化硅作为磨料和磨具有着广泛的应 用，由于其硬度高、耐磨性好，常用 于磨削、研磨和抛光各种硬质材料。
详细描述
碳化硅具有很高的熔点和化学稳定性，能够在高达2800°C的高温下保持稳定， 同时对酸、碱和盐等化学物质具有很好的抗腐蚀性。
电绝缘性
总结词
碳化硅是一种优秀的电绝缘材料 ，适用于电子和电力行业。
详细描述
碳化硅在常温下的电绝缘性能非 常好，其电阻率极高，因此被广 泛应用于电子和电力行业的绝缘 材料。
切削性能。
在切割工具领域，碳化硅可以用 于制造锯条、切割片、切割刀等 ，用于切割各种硬质材料，如石
材、玻璃、陶瓷等。
在刀具领域，碳化硅可以用于制 造铣刀、钻头、车刀等，用于切 削金属材料，提高加工效率和刀
具寿命。
耐火材料和坩埚
碳化硅具有优良的高温性能，可以作为耐火材料和坩埚材料用于高温炉和熔炼设备 中。
详细描述
Sic碳化硅是由碳元素和硅元素组成的化合物，其晶体结构中，每个碳原子与四个硅原子形成共价键，形成了一种 坚固的、类似于金刚石的晶体结构。由于其独特的晶体结构和化学键合状态，Sic碳化硅展现出许多优异的物理和 化学性质。
发现与历史
总结词
sic单晶生长方法
sic单晶生长方法一、引言SiC（碳化硅）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。
为了满足对高质量SiC单晶的需求，研究人员开发了多种SiC单晶生长方法。
本文将介绍几种常用的SiC单晶生长方法，并对其原理和特点进行详细阐述。
二、物理气相沉积法物理气相沉积法（Physical Vapor Deposition，PVD）是一种常用的SiC单晶生长方法。
该方法利用高温条件下的化学反应，通过传输SiC蒸汽到衬底上进行沉积。
PVD法具有生长速度快、单晶质量高、控制能力强等优点，被广泛应用于SiC单晶的生长。
三、化学气相沉积法化学气相沉积法（Chemical Vapor Deposition，CVD）是另一种常用的SiC单晶生长方法。
CVD法利用气相反应在衬底表面上生长SiC 单晶。
该方法的优点是可以生长大面积、高质量的SiC单晶，同时还能实现多孔结构的控制。
CVD法在SiC单晶生长领域中具有重要的应用价值。
四、低温液相脱溶法低温液相脱溶法（Low Temperature Solution Growth，LTSG）是一种相对较新的SiC单晶生长方法。
该方法利用溶剂中的溶质，通过降温脱溶来生长SiC单晶。
LTSG法具有生长温度低、晶体质量高等优点，适用于生长高质量的SiC单晶。
五、分子束外延法分子束外延法（Molecular Beam Epitaxy，MBE）是一种高真空条件下生长材料的方法，也可用于SiC单晶生长。
该方法通过控制分子束的束流，使其在衬底上形成单晶生长。
MBE法具有生长速度快、控制能力强等优点，被广泛用于SiC单晶的生长。
六、熔体法熔体法是一种传统的SiC单晶生长方法。
该方法通过将SiC原料加热至熔点，在适当的条件下生长SiC单晶。
熔体法具有操作简单、生长速度快等优点，但由于生长过程中易受杂质污染，导致晶体质量较低。
因此，熔体法在SiC单晶生长领域中的应用相对较少。
七、总结通过对几种常用的SiC单晶生长方法的介绍，我们可以看到每种方法都有其独特的优点和适用范围。
碳化硅的晶体结构
碳化硅的晶体结构简介碳化硅（SiC）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。
在研究和工业领域中，了解碳化硅的晶体结构对于理解其性质和优化应用至关重要。
本文将详细介绍碳化硅的晶体结构及其相关特性。
二级标题1：晶体结构的分类三级标题1.1：单晶结构碳化硅可以以单晶形式存在，单晶结构是指其晶体中只含有一种晶体结构。
碳化硅的单晶结构主要有以下几种形式： 1. 三方堆积结构：在这种结构中，碳化硅的晶格呈圆柱状，由六角形环组成。
这种结构的碳化硅被称为4H-SiC。
2. 六方堆积结构：在这种结构中，碳化硅的晶格呈六边形柱状，由六角形环及五角形环组成。
这种结构的碳化硅被称为6H-SiC。
3. 其他形式的单晶结构：除了4H-SiC和6H-SiC，碳化硅还可以形成其他多样的单晶结构，如3C-SiC等。
三级标题1.2：多晶结构碳化硅也可以以多晶形式存在，多晶结构是指晶体中包含多种晶体结构。
碳化硅的多晶结构主要有以下几种形式： 1. β-SiC：这是一种典型的多晶结构，在晶格中包含有4H-SiC和6H-SiC两种单晶结构。
2. α-SiC：这是一种略微不规则的多晶结构，包含有α-SiC、2H-SiC和其他形式的多晶结构。
二级标题2：晶体结构的特性三级标题2.1：硅原子与碳原子的排列在碳化硅的晶体中，硅原子与碳原子以特定的方式排列。
碳逐渐取代硅的位置，形成晶格结构。
这种排列方式使碳化硅具有优异的机械、热学和电学性能。
碳化硅的晶格常数随着晶体结构的不同而有所变化。
晶格常数的变化会直接影响碳化硅的电学和热学性能。
例如，在4H-SiC和6H-SiC中，晶格常数的差异导致了它们的电子迁移率和热导率的差异。
三级标题2.3：晶格缺陷和杂质在碳化硅的晶体结构中，常常存在晶格缺陷和杂质。
晶格缺陷可以影响碳化硅的结构和性能，而杂质可以改变碳化硅的电学和光学特性。
因此，研究和控制晶格缺陷和杂质对于优化碳化硅的性能具有重要意义。
三级标题2.4：生长技术和晶体结构相关性碳化硅的晶体结构与其生长技术密切相关。
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高击穿电压
高功率器件 高频高温器件 紫外探测器件
高热导率
宽禁带
高电流密度
一些SiC器件：
半导体 SiC
半绝缘SiC
整流器件
开关器件
Bipolar Schottky Unipolar diodes diodes transistor
Bipolar transistor
RF transistor
MESFET
SiC紫外探测器： PN结型 PIN型 异质结型 肖特基势垒型 金属-半导体-金属（MSM）型
5.SiC光电器件的前景
近年来，Si功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决 定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。 随着SiC衬底材料和器件制造工艺如：外延、欧姆接触、氧化及刻蚀等技术上 取得的重大进展，SiC在各类新材料中脱颖而出，在整流器、双极晶体管及 MOSFET等多种类型的功率开关器件方面取得来令人瞩目的进展。根据预测， 到2015年SiC器件市场的规模将达到8亿美元。
国内在SiC生长起步较晚，目前主要是山东大学、中科院上海硅酸盐研究所、中科院 物理所等单位开展SiC单晶生长制备技术研究，山东大学2007年在实验室生长出了3英寸
6H-SiC单晶。
2.SiC衬底的制备
物理气相传输法（PVT）：
核心装置如右图所示：
SiC原料的升华和晶体的再生长在一个封闭的石墨 坩埚内进行，坩埚处于高温非均匀热场中。SiC原料 部分处于高温中，温度大约在2400~2500摄氏度。 碳化硅粉逐渐分解或升华，产生Si和Si的碳化物混 合蒸汽，并在温度梯度的驱使下向粘贴在坩埚低温 区域的籽晶一代和第二代半导体材 料发展的成熟，其器件应用也趋 于极限。现代科技越来越多的领 域需要高频率，高功率，耐高温， 化学稳定性好的第三代半导体。 而作为第三代半导体优秀代表的 SiC（silicon carbide），越来 越多得受到人们的关注。
2.SiC材料的简介
唯一的固态的IV-IV化合物 天然的超晶格结构、同质多型体。
2.SiC衬底的制备
SiC单晶的加工：
要求：表面超光滑、无缺陷、无损伤。 重要性：直接影响器件的性能。 难度：SiC的莫氏硬度为9.2，难度相当大。
工艺流程： 切割：用金刚线锯。 粗、精研磨：使用不同粗细的碳化硼和金刚石颗粒加 粗磨和精磨。 粗抛光：机械抛光，用微小的金刚石粉粒进行粗抛。 精抛光：化学机械抛光。
高晶格完整性 低表面粗糙度 无损伤
3.SiC外延制备方法
外延：在一定取向的单晶基板上，生长出的晶体 与基板保持一定的晶体学取向关系，这种晶体生长 叫做外延。
同质外延：外延材料与衬底材料为同一种材料。 Si上外延Si 异质外延：外延材料与衬底材料在性质上、结构 上不同。 注意晶格匹配、热膨胀系数匹配。如SiC上外延GaN.
3.SiC外延制备方法
SiC的外延方法 LPE（液相外延） VPE（气相外延） MBE（分子束外延） CVD（化学气相沉积法）
实例：CVD法生长N型4H-SiC同质外延
实验采用瑞典Epigress公司的VP580水平式低压热壁CVD系统，生长时衬底气浮 旋转，以达到生长厚度均匀。衬底为山东大学晶体材料国家重点实验室提供的Si 面，偏离（0001）面8°的2英寸n型4H-SiC单晶，载流子浓度约为 1018cm3 。
目前已发现200多种结构，属于三个晶系：立方（cubic）、六方 （hexagon）和斜方（rhombus），常见的主要是3C-SiC、 6H-SiC和 4H-SiC。
可热氧化，但氧化速率远低于Si
2.SiC衬底的制备
SiC单晶衬底： 本征型、N型掺杂、P型掺杂。
N型掺杂 ：氮N P型掺杂：铝Al、硼B、铍Be、镓Ga、氧O。
尽管SiC器件取得了令人鼓舞的进展，已经有了很多实验室产品，而且部分产 品已经进入了市场，但是目前存在的几个市场和技术挑战限制了其商品化进程 的进一步发展。 挑战： 1.昂贵的SiC单晶材料。 2.单晶材料本身的缺陷，包括微管道、位错等仍会对器件造成影响。 3.SiC器件的可靠性问题。 4.大功率器件的封装问题。
Si源：硅烷（ SiH4） C源：丙烷（ C3H8） N源：氮气（ N2 ） 生长温度：1550摄氏度
压强：105 Pa
流程图如下：
3.SiC外延制备方法
原理图
工艺流程：
Si元素在降温过程中会凝聚 成Si滴。 结论：无明显的微管和孪晶 区，速度5um/h，有很好的 工艺可靠性。
4.SiC光电器件的简介
5.SiC光电器件的前景
随着各个国家在SiC项目上投入力度的加大，SiC功率器件面临的技术难题正 在逐步降低，只要SiC功率器件可靠性问题解决，随着大尺寸SiC器件的发展， 价格最终不会成为制约的瓶颈。
随着SiC功率器件在民用领域特别是电动汽车领域的推广应用，相信不久的将 来，SiC功率器件会大量的应用于军事和民用的各个领域。
2.SiC衬底的制备
物理气相传输法（ PVT，physical vapor transport）又称升华法，又称改良的Lely法， 是制备SiC等高饱和蒸汽压、高熔点半导体材料的有效的方法。 美国Cree公司1997年实 现2英寸6H-SiC单晶的市场化，近两年已实现4英寸6H-SiC单晶的市场化，目前占据全球 市场的85％。
PIN
MOSFET JFET
BJT thyristor
SiC肖特基二极管
3英寸SiC的MESFET基片
SiC二极管与传统Si二极管的比较
5.SiC紫外探测器件的制备
紫外探测的意义：在导弹监控与预警、紫外天文学、火灾探测、生物细 胞癌变检测等方面有着广阔的前景，具有极高的军事和民用价值。 传统的方式--光电倍增管：体积大、易破环、高电压、低温下工作。
SHANDONG UNIVERSITY
CHINA
SiC半导体材料
School of information Science & Engineering
目录
1.SiC材料的简介 2.SiC衬底的制备 3.SiC外延制备方法 4.SiC光电器件的简介 5.SiC紫外探测器的制备 6.SiC光电器件的前景