《模拟电子技术》复习资料
模拟电子技术综合复习
4.放大电路的输入电压 Ui=10mV，输出电压 UO=1V，该放大电路的电压放大倍数为 -100 ， 电压增益为 40 dB。
5.集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反相输入 端，前者的极性与输
出端 相同 ，后者的极性与输出端 相反 。 6.理想运算放大电器工作在线性状态时，两输入端电压近似相等，称为
2. 在单相桥式整流电路中，若将 4 只二极管全部反接，试分析对输出有何影响？若将其中的 1 只二极管反接，对输出有何影响？
VT1 VT2
V1
VT4
V2
VT3
+
R uo
-
六、计算题
= 100，RS= 1 k，RB1= 62 k，RB2= 20 k, RC= 3 k，RE = 1.5 k，RL= 5.6 k，VCC = 15 V。 求：“Q”，Au，Ri，Ro。
（√ ）
10.乙类互补对称功率放大电路产生的失真是交越失真。
（ √）
四、判断三极管工作状态（每小题 4 分，共 12 分）
-5V
-1.7 V
3.3V 3.7V
6V 2V
-2V
3V
a.（截止
） b.（ 饱和 ）
3V
c.（ 截止
）
五、分析题（每小题 9 分，共 18 分）
1. 试分析图示电路中，级间交流反馈 是正反馈还是负反馈，是电压反馈还是电 流反馈，是串联反馈还是并联反馈？
（ ×）
2.二极管在工作电流大于最大整流电流 IF 时会损坏。 3.三极管基极为高于发射极电位，三极管一定处于放大状态。
（√ ） （ ×）
4.放大电路的输出电阻只与放大电路的负载有关，而与输入信号源内阻无关。（ × ）
(完整版)模拟电子技术基础_知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
《模拟电子技术基础》基本概念复习题及答案
《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题及答案《模拟电⼦技术基础》基本概念复习题⼀、判断题1、凡是由集成运算放⼤器组成的电路都可以利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
×2、凡是运算电路都可利⽤“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。
√3、理想运放不论⼯作在线性区还是⾮线性区状态都有v N = v P 。
×4、当集成运放⼯作在闭环时，可运⽤虚短和虚断概念分析。
×5、在运算电路中，同相输⼊端和反相输⼊端均为“虚地”。
×6、在反相求和电路中，集成运放的反相输⼊端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输⼊电流之代数和。
√7、温度升⾼后，本征半导体中⾃由电⼦和空⽳数⽬都增多，且增量相同。
√8、因为N 型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电。
×9、因为P 型半导体的多⼦是空⽳，所以它带正电。
×10、在N 型半导体中如果掺⼊⾜够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
√ 11、稳压管⼯作在截⽌区时，管⼦两端电压的变化很⼩。
× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。
×13、放⼤电路必须加上合适的直流电源才可能正常⼯作。
√ 14、放⼤电路⼯作时所需要的能量是由信号源提供的。
× 15、放⼤电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。
× 16、由于放⼤的对象是变化量，所以当输⼊信号为直流信号时，任何放⼤电路的输出都毫⽆变化。
×17、共集电极电路没有电压和电流放⼤作⽤。
√ 18、共集放⼤电路⽆电压放⼤作⽤，但有功率放⼤作⽤。
√ 19、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤。
× 20、放⼤电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。
× 21、射极输出器即是共射极放⼤电路，有电流和功率放⼤作⽤。
× 22、只要是共射放⼤电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模拟电子技术复习题
（ 2） 若 测 得 U i 和 U o 的 有 效 值 分 别 为 1 mV 和 100 mV， 则 负 载 电 阻 R L 为 多 少 千 欧 ？
2. 下图所示电路中，已知晶体管的β=100，UBEQ=0.6V，rbb＇=100Ω，Vcc=10V。 （1） 求静态工作点； （2） 画中频微变等效电路图； （3） 求 Au 和 Aus；
(2)晶体管的 rbe 为 rbe= rbb + (1 + 放大电路的电压放大倍数为
)
I2E（6（Q mmVA））
300
+
61
26 1.32
1502W
Au
Ui
Ic (RC // RL ) I b rbe
RL rbe
60
放大电路的输入电阻和输出电阻为
Ri= Rb1// Rb2// rbe =1.36 kW Ro Rc =3 kW
3. 电 路 如 图 所 示 ， 晶 体 管 的 ＝ 80， rbe=1kΩ 。 （1）求 出 Q 点； （ 2） 分 别 求 出 R L＝ ∞ 和 R L＝ 3kΩ 时 电 路 的 Au 和 R i； （3）求出 Ro。
4. 电路如图所示，设ＶCC＝１５Ｖ，Ｒb1＝6０ｋΩ，Ｒb2＝２0ＫΩ，ＲC＝3ｋΩ，Ｒe＝2ｋΩ, ＲS＝600Ω,电容 C1,C2 和 C3 都足够大，β=60，UBE=0.7V,RL=3KΩ。试计算：
I BQ
I CQ
20μA
Rb
VCC U BEQ I BQ
565kW
（ 2） 求 解 RL：
A u
Uo Ui
100
Au
RL'
模电总结复习-模拟电子技术基础
模电复习资料第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为~，锗材料约为~。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管~，锗管~。
*死区电压------硅管，锗管。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
电子技术试题
《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是[ A ]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管 2V 6VD.PNP型锗管 1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流I CBO将[ B ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]A.电流放大系数βB.最大整流电流I FC.集电极最大允许电流I CMD.集电极最大允许耗散功率P CM8、温度升高时，三极管的β值将[ A ]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质 10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好 [ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D. 正向电阻反向电阻都大 11、 在P 型半导体中，多数载流子是 [ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质二、填空1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 ，而少数载流子的浓度则与 本征激发 有很大关系。
2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β 增大 ，反向饱和电流I CBO 增大 ，正向结电压U BE 变小 。
(a.变大，d.变小，c.不变)3、在本征半导体中，电子浓度 等于 空穴浓度；4、在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度；5、在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度。
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《模拟电子技术》复习资料
教师：褚晓锐 副教授
1．处于放大状态的NPN型晶体管，UB、UC、UE 三个电位之间的关系是UC > UB > UE 处于
饱和状态的NPN型晶体管UB、UC、UE 三个电位之间的关系是UB> UC > UE (或UB > UC、
UB > UE) ；
2．理想运算放大器的开环电压放大倍数为∞，输入电阻为∞，输出电阻为0；工作在线性
区时，运放两个输入端电压相等，称做虚短；流入输入端的电流为零，称做虚断。
3．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10 V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为9 V ，
经过电容滤波后为12 V ，二极管所承受的最大反向电压为14.1 V。
4．产生正弦波振荡的幅值平衡条件是 AF = 1.
5．工作在电压比较器中的运放和工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常
工作在( 开环或正反馈状态 )。
6．与甲类功率放大方式相比，OCL互补对称功放的主要优点是( 效率高 )。
7．集成运放的输入级采用差分电路是因为可以( 减小温漂 )。
8．稳压二极管稳压时，其工作在( 反向击穿区 )，发光二极管发光时，其工作在(正向导
通区 )。
9、放大电路如下图所示，已知：VCC = 12 V，RB1 = 120 kΩ，RB2 = 39 kΩ，RC = 3.9 kΩ，
RE = 2.1 kΩ，RL = 3.9 kΩ，rbb￠ = 200Ω ，电流放大系数β= 50，电路中电容容量足够大，
要求：
1．求静态值IBQ，ICQ 和UCEQ( 设UBEQ = 0.6 V )；
2．画出放大电路的微变等效电路；
3．求电压放大倍数Au，源电压放大倍数Aus，输入电阻Ri，输出电阻Ro 。
4．去掉旁路电容CE，求电压放大倍数Au ，输入电阻Ri 。 (20分)
10、题图为由三端集成稳压器W7805构成的直流稳压电路。已知IQ = 9 mA，电路的输入电
压为16 V，求电路的输出电压UO = ？
11、图示电路中，输入信号是正弦电压，V1，V2管的饱和压降可以忽略，且静态电流很小，
VCC = VEE = 15 V，RL = 8 W。
1．请说明该功放电路的类型；
2．负载上可能得到的最大输出功率；
3．每个管子的最大管耗PCM为多少？电路的最大效率是多大？ (16分)
解: 1．OCL；
2、；
3．PCM = 0.2Pmax = 2.8 W， ηmax = 78.5%。